「thin film component」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR SURFACE TREATMENT OF SILVER THIN FILM, PRECISION COMPONENT AND ELECTRIC AND ELECTRONIC DEVICES USING THE SAME例文帳に追加

銀薄膜の表面処理方法及びそれを用いた精密部品並びに電気電子デバイス - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING THIN FILM-LIKE COMPONENT HAVING FINE PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL DEVICE例文帳に追加

微細パターンを有する薄膜状部品の製造方法及び装置、液晶装置の製造方法 - 特許庁

DROP DISCHARGE METHOD, DROP DISCHARGE APPARATUS, METHOD FOR FORMING THIN FILM, DEVICE, AND ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加

液滴吐出方法と液滴吐出装置、薄膜形成方法及びデバイス並びに電子機器 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT USING THE SYSTEM例文帳に追加

薄膜形成装置および方法、および当該装置を用いた電子部品の製造方法 - 特許庁

THIN FILM PATTERN FORMATION METHOD, DEVICE AND ITS PRODUCTION METHOD, OPTOELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加

薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 - 特許庁

To provide a multilayer dielectric film for a thin film capacitor having a stabilized high quality dielectric thin film useful for a capacitor component and a printed wiring board incorporating a component.例文帳に追加

コンデンサ部品、部品内蔵プリント配線板に有用な、安定した高品質の誘電率薄膜が形成された薄膜コンデンサ用誘電体積層フィルムの提供。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING BARIUM TITANATE PRECURSOR SOLUTION, METHOD FOR PRODUCING BARIUM TITANATE THIN FILM, BARIUM TITANATE THIN FILM OBTAINED BY THE PRODUCTION METHOD, AND ELECTRONIC COMPONENT USING BARIUM TITANATE THIN FILM例文帳に追加

チタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品 - 特許庁

A thin film containing a component suitable for the optical integrated circuit such as an optical switch for controlling an optical path is stuck onto a material such as glass and the stuck thin film is irradiated with light such as laser light to form a predetermined heat-treated phase in the thin film.例文帳に追加

光スイッチ等の光路制御用の光集積回路に適する成分を含む膜をガラス等の材料の上に付け、薄膜の上からレーザ等による光を照射して、薄膜の中に所定の熱処理相を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film electronic component having high environmental resistance, in a thin-film element wherein the greater part of a surface of the thin-film element is covered with a metal Ni layer.例文帳に追加

本発明は、金属Ｎｉ層が薄膜素子の表面の大部分を覆っているような薄膜素子素子において、対環境性に優れた薄膜電子部品を提供する。 - 特許庁

According to the present embodiment a thin-film type electronic component module having a thin insulating layer with a circuit pattern can be provided.例文帳に追加

本実施形態によると、回路パターンが形成された薄い絶縁層を含んで薄膜化された電子部品モジュールを提供することができる。 - 特許庁

There is provided the patterned crystalline semiconductor thin film, obtained by forming an amorphous thin film comprising indium oxide as a main component, crystallizing a part of the amorphous thin film to allow the part to be a semiconductor, and removing an amorphous part of the partially crystallized thin film by etching.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分とする非晶質薄膜を成膜し、前記非晶質薄膜の一部を結晶化することにより半導体化し、前記一部が結晶化した薄膜の非晶質部分をエッチングによって除去することにより得られるパターン化結晶質半導体薄膜。 - 特許庁

To eliminate current component due to the concentration of a gate field at the end of a silicon thin film which is generated at the end of an island-type semiconductor thin film of a top-gate thin film transistor, or the deviation of a threshold value, which is generated by a fixed charge near the end of the silicon thin film.例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタの島状半導体薄膜の端部で発生するシリコン薄膜端部でのゲート電界の集中やシリコン薄膜端部近辺の固定電荷起因の閾値のずれによる電流成分を消失させる。 - 特許庁

The medical device includes a medical device thin metallic film component (such as a thin metallic angioplasty balloon 310), with perforations 340 therethrough, and a medical device polymeric component (e.g., a polymeric tubular catheter 320) abutting the thin metallic film component.例文帳に追加

穿孔３４０が貫通している医療装置用金属薄膜部材（金属薄膜血管形成バルーン３１０など）、およびこの金属薄膜部材に当接している医療装置用ポリマー部材（ポリマー管状カテーテル３２０など）を有する。 - 特許庁

The formation of the thin film 20a on the component surface obviates the need for using a molded component molded with a die or the like.例文帳に追加

また、導電性薄膜２０ａは部品表面に形成されることから、金型等によって成形される成形部品を用いる必要がない。 - 特許庁

The planarization layer provides a smooth surface for the formation of an electronic component such as a thin film electronic component.例文帳に追加

この平坦化層は、薄膜の電子的コンポーネントなどの電子的コンポーネントを形成するための滑らかな表面を設ける。 - 特許庁

The medical device also includes a polymeric sleeve 330 covering the perforations and at least a portion of the polymeric component abutting the thin metallic film component.例文帳に追加

また、該医療装置は、穿孔および金属薄膜部材に当接しているポリマー部材の少なくとも一部を覆うポリマースリーブ３３０も有する。 - 特許庁

To provide an electronic component module in which a shield layer can be formed as a thin film and an electronic component can be surely shielded.例文帳に追加

シールド層を薄膜化することができるとともに、確実に電子部品をシールドすることができる電子部品モジュールを提供する。 - 特許庁

In forming the electronic component, the electronic component such as a TFT (thin film transistor) is formed on the glass surface exposed by eliminating the water-soluble layer with water or the like.例文帳に追加

電子部品を形成する際、水溶性ポリマー層を水等で除去して露出したガラス面にＴＦＴ等の電子部品を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic component which can form a uniform and thin film on a surface of the component body without variations among products.例文帳に追加

製品間でばらつくことなく、部品本体の表面に均一で薄い膜を形成することができる電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The transparent laminated film is formed by laminating a metal oxide thin film and an aluminum-based thin film which contains Al as a principal component and contains Ta or Nd, at least on one side of a transparent polymer film.例文帳に追加

透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、金属酸化物薄膜と、Ａｌを主成分とし、ＴａまたはＮｄを含有するアルミニウム系薄膜とが積層されている透明積層フィルムとする。 - 特許庁

In this manner, it is possible to cause a component generating from within the resin thin film 4 to detach outside from the end of the second metal film 5 by shortening the overlap length to reduce the overlapping of the second metal film 5 on the resin thin film 4.例文帳に追加

このように、オーバラップ長を短くし、第２金属膜５と樹脂製薄膜４との重なりを狭くすることで、樹脂製薄膜４中から発生する成分が第２金属膜５の端部から外部に脱離するようにできる。 - 特許庁

The thin film of the amorphous metal oxide is manufactured by removing an organic component from an organic/metal oxide composite thin film, in which the organic component is molecularly dispersed, by oxygen plasma treatment.例文帳に追加

有機成分が分子的に分散した有機／金属酸化物複合薄膜から酸素プラズマ処理により有機成分を取り除くことによりアモルファス状金属酸化物薄膜を製造する。 - 特許庁

The anticlouding optical component has an anticlouding thin film as the most outer layer of a base material, wherein the clouding thin film comprises a copolymer of at least one diallyl phthalate component and pentaerythritol tetra(3-mercaptopropionate).例文帳に追加

少なくとも１種のジアリルフタレート成分とペンタエリスリトールテトラ（３−メルカプトプロピオネート）との共重合体からなる防曇性薄膜を基材の最外層に有することを特徴とする防曇性光学部材である。 - 特許庁

The resultant thin film is subjected to heat treatment and the grain size of the metal and hetero-phase component in the thin film is adjusted and thereafter the substrate and the hetero-phase component are selectively dissolved away to obtain the porous metallic foil.例文帳に追加

得られた薄膜を熱処理して、該薄膜中の前記金属および前記異相成分の粒度を調整し、その後、前記基板および前記異相成分を選択的に溶解除去して多孔質金属箔を得る。 - 特許庁

Since a liquid component can be discharged to outside air from a part in which the thin-film conductor layer 4a is not formed, the swelling of the thin film wiring conductor 4 caused by the vaporized component can be suppressed.例文帳に追加

薄膜導体層４ａが形成されていない部分から液体成分を外気に逃がすことができるので、気化成分による薄膜配線導体４の膨れを抑制できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film component, in particular, a thin film high voltage sensor component having a substrate (5) and at least one functional layer (150) to be structured on the substrate.例文帳に追加

基板（５）を有し、該基板上に構造化すべき少なくとも１つの機能層（１５０）が施されるべきである薄膜構成素子、特に薄膜高圧センサ素子のを製造方法を提供する。 - 特許庁

A component of ink passing through the inner layer is blocked by the metallic thin film layer 213 so that the component does not attack the adhesive layer by virtue of the metallic thin film layer.例文帳に追加

この金属薄膜層２１３によって、内層を通過したインク成分が金属薄膜層で遮断され接着剤層をアタックすることがない。 - 特許庁

To obtain a dielectric thin film having an elaborate structure and high permittivity, and to provide a long-life electronic component using the film.例文帳に追加

緻密な構造と高誘電率を有する誘電体薄膜を得るとともに、それを利用した高寿命の電子部品を提供する。 - 特許庁

In such a case, no upper insulating film is provided on the cavity 1 and the semiconductor component 11, thereby making a semiconductor device thin for the upper insulating film.例文帳に追加

この場合、キャビティ１および半導体構成体１１上には上層絶縁膜を設けておらず、したがってその分薄型化することができる。 - 特許庁

By suppressing distortion in surface, the thin film is used in a state of c-phase so as to have a polarization component in a film thickness direction.例文帳に追加

面内の歪みを制御することにより、分極の成分を膜厚方向となるようなｃ ｐｈａｓｅの状態で使用する。 - 特許庁

The evaporated thin film layer (3) is continuously changed in its component from the side of the substrate (2) to the surface side of the film in a range of Al:O=1:2 to 1:0.例文帳に追加

また、前蒸着薄膜層（３）が、基材（２）側から膜表面へ、Ａｌ：Ｏ＝１：２から１：０の範囲で連続的に変化する。 - 特許庁

By this method, the deposition of the thin film having refractive index lower than that of a single-component film composed of silicon dioxide and also having water repellency can be attained.例文帳に追加

二酸化珪素単一成分の膜より、屈折率がさらに小さく、かつ撥水性が付与された薄膜が被覆できる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor having an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, wherein the conductivity of the oxide semiconductor thin-film layer is controlled by controlling hydrogen concentration within the oxide semiconductor thin-film layer that forms a channel of the thin-film transistor to effect leakage current suppression, threshold voltage reduction, and electron mobility increase.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体薄膜層中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体薄膜層の導電率を制御し、リーク電流の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor comprises an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, deposited on a substrate, and forming a channel; a gate insulating film; and a gate electrode at least, wherein hydrogen is contained at least in the oxide semiconductor thin-film layer.例文帳に追加

基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層中に水素を少なくとも含有することを特徴とする薄膜トランジスタである。 - 特許庁

To obtain a composition by using a UV-absorbing compound excellent in compatibility with a film-forming resin component and having little evaporation from a thin film in the case of forming the thin film by adding the compound to the UV-curing resin composition.例文帳に追加

紫外線硬化型樹脂組成物に添加使用して薄膜を形成する場合に、該膜形成用樹脂成分との相溶性に優れ、該薄膜からの揮発も少ない紫外線吸収性化合物を使用した組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal-component-containing solution and a method of preparing a metal thin film using the same, which is used to prepare a metal thin film having a sufficient conductivity and easy to adjust a film thickness, at low cost and in an easy manner.例文帳に追加

十分な導電率を持ち膜厚の調整が容易な金属薄膜を安価かつ容易に製造するのに使用される金属成分含有溶液及び該溶液を用いた金属薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

The information recording medium is also characterized in that a component 3b with a higher melting point than that of a phase-change component 3a is deposited in the recording film 3 or the thin film for super-resolution readout, so as to prevent the flow/segregation of the film in recording/erasing and super-resolution readout.例文帳に追加

記録膜３中または超解像読み出し用薄膜中に相変化成分３ａよりも高融点の成分３ｂが析出し、記録・消去，超解像読みだし時の膜の流動・偏析を防止する。 - 特許庁

As a photovoltaic element used is a photovoltaic element including as a component a laminate wherein an n-type impurity semiconductor silicon thin film and a p-type impurity semiconductor silicon thin film are bonded via an intrinsic semiconductor silicon thin film, and at least one of those silicon thin films is a silicon thin film containing chlorine atoms at a concentration of, for example, 0.005 to 5 atom.%.例文帳に追加

光起電力素子として、ｎ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とｐ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とが真性半導体であるシリコン系薄膜を介して接合され、且つこれらシリコン系薄膜の少なくとも１つが例えば０．００５原子％〜５原子％の濃度の塩素原子を含有するシリコン系薄膜である積層体を構成要素とする光起電力素子を使用する。 - 特許庁

The method for producing the inorganic oxide film containing the arrayed fine metallic particles comprises: a step (A) of forming a thin film containing an inorganic oxide sol-gel component and a metal component on a reflective substrate; and a step (B) of irradiating the thin film on the reflective substrate with a light having a particular wavelength.例文帳に追加

反射基板上に、無機酸化物ゾル−ゲル成分と金属成分とを含有する薄膜を製膜する工程（Ａ）と、前記反射基板上の薄膜に、特定の波長の光を照射する工程（Ｂ）とを含むことを特徴とする、配列した金属微粒子を含有する無機酸化物膜の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the metal oxide thin film precursor enables the preparation of the metal oxide thin film precursor from a metal chloride solution obtained by dissolving the metal chloride in a solvent, provided by precipitating a chlorine component by cooling the metal chloride solution to remove the chlorine component for capable of obtaining the metal oxide thin film precursor without containing the chlorine component.例文帳に追加

本発明は、金属塩化物を溶剤に溶解した金属塩化物溶解液から金属酸化物薄膜前駆体を調製する金属酸化物薄膜前駆体の製造方法において、上記金属塩化物溶解液を冷却することにより塩素成分を析出し、この塩素成分を除去することにより、塩素成分を含まない金属酸化物薄膜前駆体を得ることが可能になる。 - 特許庁

In the electronic component 10 having the terminal 15, the plating layer 16 is formed on the surface of the terminal 15, and on its surface a hard thin film (for example, a DLC thin film) 17 is formed, wherein the hard thin film has higher mechanical strength than the whiskers generated from the plating layer 16.例文帳に追加

端子１５を有する電子部品１０において、端子１５の表面にめっき層１６を形成し、その表面に前記めっき層１６から発生するウィスカよりも高い機械的強度を持つ硬質薄膜（例えば、ＤＬＣ薄膜）１７が形成されている。 - 特許庁

A temperature sensor TS includes a conductive thin film P patterned by an ink jet method on an insulating thin film M formed on the surface of an outer ring 11 taken as a component of a bearing 10, which can accurately and responsively measure a temperature of the bearing by the conductive thin film P.例文帳に追加

温度センサＴＳは、軸受１０の構成部品である外輪１１の表面に形成された絶縁性薄膜Ｍ上に、インクジェット方式によりパターニングされた導電性薄膜Ｐを有するので、かかる導電性薄膜Ｐにより精度良く且つレスポンス良く軸受の温度を測定できる。 - 特許庁

To efficiently manufacture a lithium secondary battery with excellent charging/discharging property composed of an anode formed by depositing a non-crystalline thin film made of a silicon non-crystalline thin film or silicon as a main component on a current collector, using the non-crystalline thin film as an activator; of a cathode, and a nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

集電体上にシリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を堆積させ、該非結晶薄膜を活物質として用いる負極と、正極と、非水電解質とを備え、充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池を効率良く製造する。 - 特許庁

To provide a thin film thermoelectric element which is free from restrictions caused by that an electrode serves concurrently as a heat radiating/absorbing part when the thin film thermoelectric element is mounted on an electronic component, and to provide a manufacturing method of the thin film thermoelectric element which requires small man-hours and simple processes with high degree of freedom in design change.例文帳に追加

本発明は、電極部が放／吸熱部を兼ねることに起因する薄膜熱電素子を電子部品に搭載する上での制約がない薄膜熱電素子、および工数が少なく簡便で、設計変更に対して自由度の高い薄膜熱電素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A stress control thin film 11c making the element of AlN or the like a main component producing the inner stress different in a stress vector from the inner stress produced in the functional thin film is formed on the functional element provided with the distortion member 11 forming the functional thin film 11b on the flexible base substance 11a.例文帳に追加

歪曲自在な基体部１１ａに機能性薄膜１１ｂを形成した歪曲部材１１を備える機能性素子に、機能性薄膜に発生する内部応力とは応力ベクトルが異なる内部応力を発生させるＡｌＮ等の元素を主成分とする応力制御薄膜１１ｃを形成する。 - 特許庁