「thin film component」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The palm rest 1 is constituted of a thin sheet or a thin film and the face 6 with which the palm of the operator 5 comes in contact is constituted of a material where an antibacterial component is mixed.例文帳に追加

パームレスト１は、薄厚の板状または薄膜状からなり操作者５の掌が接触する面６を抗菌成分が配合された材質にて構成することを特徴とする。 - 特許庁

On a surface of a base 1 as a film substrate, a wiring 2 and a thin type component 3 which is to be mounted by connection with the wiring 2 are arranged adjacently to each other, so that the thin type circuit board 4 having flexibility is constituted.例文帳に追加

フィルム基板であるベース１の表面に、配線２とこの配線２に結線して実装する薄型部品３とを互いに側方に配置することにより、可撓性を具備した薄型回路基板４を構成する。 - 特許庁

To provide a ceramic polycrystal substrate and a glass ceramic substrate having smoothness of high precision to which a thin film device production technique of high precision, where a thin film with a film thickness of several nm to several μm is deposited, can be applied, and to provide a method for producing a thin film electronic component in which passive elements are formed on the substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、数ｎｍ〜数μｍの膜厚の薄膜を成膜する高精度の薄膜デバイス製造技術を適用しうる、高精度の平滑性を有するセラミックス多結晶基板やガラスセラミックス基板及び該基板の上に受動素子を形成した薄膜電子部品の製造方法を提供することである。 - 特許庁

In a layered electrode film, a transparent oxide layer 1 and an Ag alloy thin film layer 2 are layered, the Ag alloy thin film layer 2 has a component composition containing 0.1-1.5 mass% of In, with the remainder of Ag and inevitable impurities, and an In oxide 3 is formed at a junction interface between the transparent oxide layer 1 and the Ag alloy thin film layer 2.例文帳に追加

透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２とが積層された積層電極膜であって、Ａｇ合金薄膜層２は、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２との接合界面に、Ｉｎ酸化物３が形成されている。 - 特許庁

The CVD silicon film 150 is a semiconductor thin film, where an amorphous component and a crystalline component are mixedly present, and the CVD silicon film 150 is of crystalline structure in which an amorphous part is present between crystal grains, and the crystal grain is columnar in structure and has a base, that belongs to the surface of the substrate.例文帳に追加

ＣＶＤシリコン膜１５０は、非晶質成分と結晶成分とが混在した半導体薄膜であり、結晶粒と結晶粒の間に非晶質部分が存在している結晶構造を有し、その結晶粒は基板面を底面とする柱状構造を呈しいる。 - 特許庁

To provide a gas barrier film for reducing a gas permeability and enhancing preservability of a food, pharmaceutical preparations, an electronic component, a mechanical component, a metal powder or the like, by decreasing a ruggedness of a surface of a base material film to become a cause of a pinhole of a gas barrier thin film.例文帳に追加

ガスバリアー性薄膜のピンホールの原因となる基材フィルム表面の凹凸を低減することにより、気体透過性を低減させ、食品、医薬品、電子部品、機械部品、金属粉末等の保存性を高めたガスバリアーフィルムを提供する。 - 特許庁

This heat sensitive stencil master is produced by tightly contacting a thin film including the resin component of a porous resin film onto a thermoplastic resin film, on the surface of which the porous resin film is provided, on the surface of the side having the porous resin film thereon.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムの面上に多孔性樹脂膜を有し、かつ該多孔性樹脂膜のフィルム側の面に、前記多孔性樹脂膜の樹脂成分を含む薄層が前記熱可塑性樹脂フィルム上に密着して形成されたものであることを特徴とする感熱孔版印刷用マスタ。 - 特許庁

The nozzle of this invention has a sucking surface of a nozzle base material provided with a metal oxide thin film comprising zirconium component and metal component other than zirconium.例文帳に追加

本発明のノズルは、ノズル基材の吸着面に、ジルコニウム成分とジルコニウム以外の金属成分とを含有する金属酸化物薄膜を有する。 - 特許庁

The engine part has metallic oxide thin film containing a zirconium component and a metallic component on the surface of a base material part.例文帳に追加

本発明のエンジンパーツは、基材パーツの表面に、ジルコニウム成分とジルコニウム以外の金属成分とを含有する金属酸化物薄膜を有する。 - 特許庁

The thin film layer 3 containing component having a larger polarizability than that of component constituting a current collector 2 on at least part between the current collector 2 and an active material layer 4 that does not form chemical bond with the current collector 2.例文帳に追加

集電体２と、集電体２と化学結合を形成しない活物質層４との間の少なくとも一部に、集電体２を構成する成分より分極率が大きい成分を含む薄膜層３を形成する。 - 特許庁

To provide a metallic thin film so that metallic foil resists structural load in a component when a heater assembly is embedded in the inside of an engine or airframe component.例文帳に追加

ヒータアセンブリがエンジンまたは機体のコンポーネントの内部に埋め込まれたときに、金属フォイルがコンポーネント内において構造的荷重に耐えられるようにした金属薄膜を提供する。 - 特許庁

A spectroscopy specular reflectivity against the image formed with the target color is highly accurately predicted by subtracting the convexoconcave component and the thin film interference component from the calculation value of the spectroscopy specular reflectivity, to calculate specular glossiness.例文帳に追加

分光鏡面反射率の算出値から凹凸成分と薄膜干渉成分を減算することで、当該注目色による形成画像に対する分光鏡面反射率を高精度に予測し、鏡面光沢度を算出する。 - 特許庁

To provide a separator for electronic component which is easily made into a thin film, having high voidage and mechanical strength, with no internal shorting between electrodes, being excellent in holding performance of an electrolyte, and to provide an electronic component using the separator.例文帳に追加

薄膜化も容易で、高い空隙率、機械的強度を有し、電極間の内部短絡も発生させず、且つ、電解液の保持性にも優れた電子部品用セパレータを提供する。 - 特許庁

To provide a pattern printing method of an electronic component preventing discharge failure and enabling pattern formation of a minute thin film, and a method of manufacturing the electronic component.例文帳に追加

塗出不良が発生しにくく、微細で薄膜のパターン形成が可能な電子部品のパターン印刷方法および電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

By considering influence e1 of the convexoconcave component and influence e2 of the thin film interference component on a specular glossiness characteristic 301 calculated by only considering bronze, the specular glossiness characteristic can be brought close to a specular glossiness characteristic 501 which is actually measured.例文帳に追加

ブロンズのみを考慮して算出された鏡面光沢度特性301に対し、さらに凹凸成分の影響e1および薄膜干渉成分の影響e2を考慮することで、これを実測された鏡面光沢度特性501に近づけることができる。 - 特許庁

In the electronic-component attaching structure, an acceleration sensor (piezoelectric element) 48 of a thin-film-shape electronic component is soldered onto a through-hole 45 of a circuit board 44 correspondently to the through-hole 45.例文帳に追加

薄膜形状の電子部品である加速度センサ（圧電素子）４８を回路基板４４のスルーホール４５上に対応するように半田付けさせる。 - 特許庁

To reduce occurrences of the disconnection of a thin conductor film by so attaching a material to the outer periphery of a chip component mounted on a board as to reduce the step present between the outer periphery of the chip component and the board.例文帳に追加

基板の上に実装されたチップ部品の外周部の前記基板との段部を低減するように材料を付けることによって、導体薄膜が断線しにくくできる。 - 特許庁

The conductive close contact layer 7 of which a main component is same to a main component of the gas detecting layer 4 is formed in a thin film form between the gas detecting layer 4 and the protection layer 34.例文帳に追加

また、ガス検知層４と保護層３４との間には、ガス検知層４の主成分を主成分とした導電性の密着層７が薄膜形成される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the laminated thin-film device (an electrophotographic photoreceptor) by successively laminating at least two layers by a hot wire CVD (Chemical Vapor Deposition) process on a substrate 29 to be deposited with films, the component of heating element used for the deposition of the thin films afterward is made different from that used for the deposition of the previous thin films.例文帳に追加

被成膜用基板２９上にホットワイヤーＣＶＤ法により少なくとも２層を順次積層する積層型薄膜デバイス（電子写真感光体）の製造方法であって、先の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分に対し、その後の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分を違える。 - 特許庁

The organic liquid selective permeation membrane 2 consists of, for example, a membrane formed by coating ceramic monolith structure with a thin film of zeolite, and the water selective permeation membrane 3 is a membrane formed by coating ceramic monolith structure with a thin film of a carbon component.例文帳に追加

有機液体選択的透過膜２は例えばセラミックスのモノリス構造体にゼオライトが薄膜でコートされた膜であり、水選択的透過膜３はセラミックスのモノリス構造体に薄膜の炭素成分がコートされた膜である。 - 特許庁

This composition for a PLSCSZT ferroelectric thin film is the composition for a perovskite type PLSCSZT ferroelectric thin film comprising metal alkoxides of Pb, La, Ca, Sr, Zr and Ti, a partial hydrolyzate and/or an organic acid salt thereof, and contains ≤0.8 wt.% water component.例文帳に追加

Ｐｂ，Ｌａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ及びＴｉの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び／又は有機酸塩を含むペロブスカイト型ＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物において、水分含有量が０．８重量％以下であるＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物。 - 特許庁

The incident angle ϕ_0 including incident angles at which amplitude reflectance on the p-polarized light component becomes a minimum value, respectively, in an interface between a thin film 24 and the substrate 22 and in an interface between a vacuum atmosphere and the thin film 24.例文帳に追加

入射角φ_０は、薄膜２４と基板２２との界面、および真空雰囲気と薄膜２４との界面において、ｐ偏光成分についての振幅反射率が極小値となる入射角をそれぞれ含む所定の角度範囲内の値である。 - 特許庁

To provide an oxide tablet for vapor deposition (oxide vapor deposition material) containing indium oxide as a main component, containing cerium and having a same composition from the surface to the inside, and to provide a vapor deposited thin film produced using the oxide vapor deposition material, and a solar battery in which the thin film is used for an electrode.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分としセリウムを含むと共に表面から内部まで同一の組成を有する蒸着用酸化物タブレット（酸化物蒸着材）を提供し、かつこの酸化物蒸着材を用いて製造される蒸着薄膜とこの薄膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。 - 特許庁

When a thin-film resistor is formed by sputtering method, one kind or two or more kinds among Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W are added to combine whose main component is NiCr, and a TCR value of the thin-film resistor is controlled by the kind and the amount of the additives.例文帳に追加

スパッタリング法によって薄膜抵抗体を形成するに際して、ＮｉＣｒを主成分とする合金に、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ又はＷを単独又は２種以上の組み合わせで添加し、添加物の種類及び量によって薄膜抵抗体のＴＣＲ値を制御するようにした。 - 特許庁

The gas barrier layer 10 is formed of the layer structure having one or more clay thin-film layers 6 each having a structure containing clay as a main constituent and formed by orienting and stacking clay particles, and one or more inorganic thin-film layers 5 each containing, as a main constituent, an inorganic component containing at least either of silicon and aluminum.例文帳に追加

このガスバリア層１０は、粘土を主要成分とし且つ粘土粒子が配向して積層した構造を有する粘土薄膜層６と、シリコン及びアルミニウムの少なくとも一方を含む無機化合物を主要成分とする無機薄膜層５と、をそれぞれ１層以上有する層構造体からなる。 - 特許庁

A sensing electrode forming step forms a sensing electrode 6 for sensing changes in electrical characteristics of a gas sensing layer 4, on a substrate 15, and a subsequent thin film forming step forms a thin film of a metal element forming a principal component of the gas sensing layer 4, over the sensing electrode 6.例文帳に追加

まず、検知電極形成工程にて、基体１５上にガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための検知電極６を形成し、続く薄膜形成工程にて、ガス検知層４の主成分をなす金属元素からなる薄膜を、検知電極６を覆うよう形成する。 - 特許庁

To provide an iron compound which can be transported in a liquid state, has a high vapor pressure, and is easily vaporized; especially, an iron compound which can realize the production of a thin film excellent in composition controllability and is suitable for producing a multi-component thin film by a CVD method.例文帳に追加

液体の状態で輸送が可能で且つ蒸気圧が大きく気化させやすい鉄化合物、特に、組成制御性に優れた薄膜の製造を実現することができ、多成分薄膜をＣＶＤ法により製造する場合に好適な鉄化合物を提供すること。 - 特許庁

The photomask is provided with a light shielding pattern which comprises a light shielding metal thin film on a transparent substrate and is further provided with a semitransparent pattern comprising semi-tranparent metal thin film having tantalum as a main component which comprises a material selected from tantalum silicide, tantalum oxide, tantalum nitride or their mixture.例文帳に追加

フォトマスクは透明基板上に遮光性金属薄膜からなる遮光性パターンを備え、更に珪化タンタル、酸化タンタル、窒化タンタルまたはそれらの混合物から選択される材料からなるタンタルを主成分とする半透明金属薄膜からなる半透明パターンを備える。 - 特許庁

This power measuring device is characterized by that a detector 20 for detecting an output of a magnetic material thin film 3 thereof is provided with a synchronization alternate current reduction unit 21 for outputting a waveform obtained by reducing a same frequency component as alternate current from the output of the magnetic material thin film 3.例文帳に追加

この電力計測装置では、この磁性体薄膜３の出力を検出する検出部２０に、磁性体薄膜３の出力から交流と同じ周波数成分を低減した波形を出力する同期交流低減部２１を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin film stacked electronic component like a thin film stacked capacitor wherein planarity is not damaged even if the number of the laminations is increased largely, so that cracks and electrode shorting are not caused and the reliability is improved, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

積層数を大幅に増加させても平坦性を損なうことはなく、結果としてクラックや電極短絡を引き起こさず、信頼性が高められた薄膜積層コンデンサなどの薄膜積層型電子部品、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a variable capacitance thin film capacitor with a small capacitance change by a high frequency signal and a large capacitance change by a DC bias, and to provide a high frequency component utilizing the variable capacitance thin film capacitor.例文帳に追加

本発明は、高周波信号による容量変化が小さくかつ、直流バイアスによる容量変化は大きい小形な可変容量薄膜コンデンサを提供し、さらに、この可変容量薄膜コンデンサ素子を利用した高周波部品を提供する。 - 特許庁

The transfer material is constituted by forming at least one-layer of an organic thin film layer on a temporary support, and the flow starting temperature of at least one component constituting the organic thin film layer is not lower than 40°C, and not higher than the transfer temperature.例文帳に追加

本発明の転写材料は、仮支持体上に少なくとも１層の有機薄膜層を形成してなる転写材料であって、有機薄膜層を構成する少なくとも１成分の流動開始温度が40℃以上で、かつ転写温度以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The interlayer mounting components 100 and a thin film laminated circuit 4 constituting the incidental circuit unit of the interlayer mounting component 100 are mounted on a base substrate 5 while these interlayer mounting components 100 and the thin film laminated circuit 4 are sealed in the hollow part 103 of a sealing material layer 102.例文帳に追加

ベース基板５に、層内実装部品１００と、この層内実装部品１００の付帯回路部を構成する薄膜積層回路体４とを実装するとともに、これら層内実装部品１００と薄膜積層回路体４とを封止材層１０２の中空部１０３内に封装してなる。 - 特許庁

Moreover, for forming a thin film contg. plural components in desired rations from the point directly after the start of use, as for each component in the 1st region part, setting is executed in such a manner that the content of the one lower in the sputtering rate is made relatively large compared to the desired ratio of the thin film.例文帳に追加

さらに、使用開始直後から複数の成分を上記所望の割合で含む薄膜が形成されるように、第１領域部中の各成分をスパッタ率の低いものほど上記薄膜の所望の割合に比較して多くなるように設定した。 - 特許庁

This method for manufacturing the resistance change material comprises the process of forming a thin film 11 containing Ti as a main component by a chemical vapor growth method, and the process of forming Ti oxide 12 functioning as the resistance change material by oxidizing the thin film 11.例文帳に追加

化学的気相成長法により、Ｔｉを主成分として含有する薄膜１１を形成する工程と、薄膜１１を酸化することにより、抵抗変化材料として機能するＴｉ酸化物１２を形成する工程とを含む抵抗変化材料の製造方法。 - 特許庁

A thin-film circuit component 10 has: a glass ceramic substrate 12; thin-film circuits 26 and 28 provided on a surface 12a of the glass ceramic substrate 12; a via electrode 24 that penetrates the glass ceramic substrate 12; and a terminal electrode 22 provided on a surface 12b of the glass ceramic substrate 12 and electrically connected to the thin-film circuits 26 and 28 via the via electrode 24.例文帳に追加

ガラスセラミックス基板１２と、ガラスセラミックス基板１２の面１２ａ側に薄膜回路２６，２８と、ガラスセラミックス基板１２を貫通するビア電極２４と、ガラスセラミックス基板１２の面１２ｂ側に該ビア電極２４を介して薄膜回路２６，２８と電気的に接続された端子電極２２と、を備える薄膜回路部品１０。 - 特許庁

The method for manufacturing an organic electronic device includes steps of: forming a thin film containing the precursor as a component on the support substrate; and post-treating the thin film in which the precursor is a compound having a group such as a group represented by a formula (I), and the post-treatment of the thin film in the post-treatment step is carried out under the presence of an acid or a base.例文帳に追加

支持基板上に前駆体を成分として含む薄膜を形成する工程と、前記薄膜の後処理工程を含む有機電子デバイスの製造方法であって、前記前駆体が、下式等の基を有している化合物であり、前記後処理工程における前記薄膜の後処理を、酸または塩基の存在下で行なう有機電子デバイスの製造方法。 - 特許庁

A first epitaxial thin film 2 comprising a first material is formed on a substrate 1 at a first predetermined temperature, and then a second epitaxial thin film 6 comprising a second material containing the first material and another material capable of forming a solid solution with the first material in a predetermined component ratio is formed on the first epitaxial thin film 2, and further heat treatment is carried out at a second predetermined temperature.例文帳に追加

第１の所定の温度で、第１の物質からなる第１のエピタキシャル薄膜２を基板１上に形成し、第１のエピタキシャル薄膜２上に第１の物質と、第１の物質と固溶体を形成する他の物質を所定の成分比で含む第２の物質からなる第２のエピタキシャル薄膜６を形成し、第２の所定の温度で熱処理する。 - 特許庁

In either one side of the source side or the drain side of the island-type semiconductor thin film SEMI-l; a branch closed circuit DET is provided by extending a gate electrode GT endlessly along the profile of the island-type semiconductor thin film SEMI-l, to eliminate the current component route at the end of the island-type semiconductor thin film SEMI-l which will become a sub channel.例文帳に追加

島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lのソース側かドレイン側のどちらか片側において、ゲート電極ＧＴを該島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの輪郭に沿って切れ目なく延長させて分岐閉路ＤＥＴを設け、サブチャネルとなる島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの端部の電流成分経路を無くす。 - 特許庁

The lithium secondary cell, composed of an anode formed by depositing a non-crystalline thin film made of a silicon non-crystalline thin film or silicon as a main component on a current collector and using the non-crystalline thin film as an activator; of a cathode; and of a nonaqueous electrolyte, is characterized by containing lithium carbonate in the nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

集電体上にシリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を堆積させ、該非結晶薄膜を活物質として用いる負極と、正極と、非水電解質とを備えるリチウム二次電池において、非水電解質に炭酸リチウムが含まれていることを特徴としている。 - 特許庁

To obtain a lithium secondary battery with large charging/discharging capacity and excellent cycle property, composed of an anode formed by depositing a non-crystalline thin film made of a silicon non-crystalline thin film or silicon as a main component on a current collector and using the non-crystalline thin film as an activator; a cathode; and a nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

集電体上にシリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を堆積させ、該非結晶薄膜を活物質として用いる負極と、正極と、非水電解質とを備えるリチウム二次電池であって、充放電容量が大きくサイクル特性に優れたリチウム二次電池を得る。 - 特許庁

The EL element comprises a thick film dielectric layer 3 formed by a powder calcination method, a thin film dielectric layer 6, a phosphor thin layer 5 interposed between the dielectric layers 3, 6, and a buffer layer 7 made of zinc oxide (ZnO) as a main component interposed between the thin film dielectric layer 6 and a transparent electrode 8.例文帳に追加

粉体焼成法により形成された厚膜誘電体層３と、薄膜誘電体層６と、これらの誘電体層３，６間に蛍光体薄膜５を有するＥＬ素子であって、前記薄膜誘電体６と透明電極８の間に酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするバッファ層７を有する構成のＥＬ素子およびその製造方法とした。 - 特許庁

Under a temperature not lower than the melting point of an adhesive film and not higher than the reaction start point, the adhesive film is pasted to thin collective electronic components and then thin electronic components are diced thus preventing the thin electronic component from warping after the adhesive film is pasted.例文帳に追加

接着フィルムの溶融温度以上で且つ反応開始温度以下の温度で接着フィルムを薄型の集合電子部品に貼り付け、薄型の電子部品をダイシングすることで、接着フィルムを貼り付け後薄型の電子部品が反ることが無くなり、ダイシングシートに貼り付けられない等の問題が発生しなくなった。 - 特許庁

To provide a metallic thin film forming mask that can form, in a chip type electronic component element, a pair of metallic thin film electrodes which range from one of the pair of main faces to the other main face through one of the pair of side faces and which oppositely face across the non-forming region of a metallic thin film on each surface of the pair of main faces.例文帳に追加

チップ型電子部品素子に、前記１対の主面の一方主面から前記１対の側面のうちの１つの側面を経て前記１対の主面の他方主面に至り、前記１対の主面の各表面の薄膜金属非形成領域を隔てて対向する１対の薄膜金属電極を形成できる薄膜金属形成用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide an optical thin film formation technology which can inhibit large volume shrinkage due to desorption of an organic component in a film and inhibit structural disorder such as cracks.例文帳に追加

膜中の有機成分の脱離による大きな体積収縮を抑制し、クラックなどの構造破壊を抑制することのできる光薄膜形成技術を提供する。 - 特許庁