「threshold effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To freely adjust the threshold voltage Vth of a fined element in spite of a scaling rule on a field effect semiconductor device having a multidimensional confinement quantum well.例文帳に追加

多次元閉じ込め量子井戸を有する電界効果型半導体装置に関し、スケーリング則に拘わらず、微細化した素子のしきい値電圧Ｖ_thを自由に調整する。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional CMOS image sensor does not have a frame shutter function and has loss since a signal output drops because of substrate effect of a transistor for amplification and a large threshold.例文帳に追加

従来のＣＭＯＳイメージセンサは、フレームシャッタができず、また、増幅用トランジスタの基板効果や大きなしきい値電圧により、信号出力が下がりロスを招いている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a plurality of kinds of field effect transistors, channel layers 11a and 11b of each field effect transistor are formed of amorphous oxide containing a plurality of kinds of metallic elements, and the threshold voltage of the field effect transistor differs since the elemental ratio of the amorphous oxide differs.例文帳に追加

複数種類の電界効果型トランジスタを備えた半導体装置であって、各電界効果型トランジスタのチャネル層１１ａ及び１１ｂは、複数種類の金属元素を含有したアモルファス酸化物からなり、アモルファス酸化物の元素組成比が異なることで、電界効果型トランジスタの閾値電圧が異なることを特徴とする。 - 特許庁

Electrical signals being supplied or not supplied from the photodiodes 13 to a control circuit 16 turn a transistor 17 on or off, to discharge electricity from the gate of a field effect transistor 15 or charge the gate of a field effect transistor 15 with electricity, and a gate/source voltage of the field effect transistor 15 becomes below or higher than a threshold voltage VTN.例文帳に追加

受光ダイオード１３から制御回路１６への電気信号の供給／非供給によりトランジスタ１７がオン／オフされ、電界効果トランジスタ１５のゲート電荷が放電／電界効果トランジスタ１５のゲートに電荷が充電され、電界効果トランジスタ１５のゲート・ソース間電圧が閾値電圧ＶＴＮ以下／以上になる。 - 特許庁

The magnetic free layer 11-1 of the first magneto-resistance effect element MTJ1 makes magnetization vibrations at a frequency depending upon magnetization directions of residual magnetization of the magnetic free layer 11-2 and magnetic pinned layer 12-2 of the second magneto-resistance effect element MTJ2, when the larger current than the vibration threshold current is caused to flow to the first magneto-resistance effect element MTJ1.例文帳に追加

第一磁気抵抗効果素子MTJ１の磁気フリー層１１−１は、第一磁気抵抗効果素子MTJ１に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ２の磁気フリー層１１−２と磁気ピンド層１２−２との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。 - 特許庁

To adjust the threshold voltage of a p-channel type field effect transistor and n-channel type field effect transistor with a relatively thin gate insulating film, without increasing the number of photomasks and the number of formation/removal processes for the photoresist pattern.例文帳に追加

フォトマスクの枚数およびフォトレジストパターンの形成・除去工程数を増やすことなく、相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｐチャネル型の電界効果トランジスタおよびｎチャネル型の電界効果トランジスタのしきい値電圧を調整する。 - 特許庁

The controlling CPU controls the system so that a movable game effect by a first action manner indicating (reporting) provision of a probability-changing status is carried out by the right arm of a character body when the number of the operation switch of a game effect switch reaches the threshold value within the operation valid period of time.例文帳に追加

そして、統括ＣＰＵは、操作有効期間中に、演出スイッチの操作回数が閾値に達したとき、確変状態の付与を示唆（報知）する第１の動作態様による可動演出をキャラクタ体の右腕に実行させるように制御する。 - 特許庁

To provide an inverter transformer capable of assuring effect for suppressing failure in oscillation start for example, even if an operation threshold voltage of a switching device varies by a temperature change in a use environment, and capable of eliminating need for largely high cost required to obtain the effect.例文帳に追加

例えば使用環境の温度変化によりスイッチング素子の作動閾値電圧が変動しても、発振開始不良抑止効果を確保でき、しかもこの効果をなし得る際に大幅なコストアップを招くことのないインバータトランスを提供する。 - 特許庁

When a threshold variation arises in the transistors QP1 and QP5 which are diode connected, the transistors QP10 and QP11 suppress the effect of the threshold variation by producing voltage variation which negates the change between source-drain (=between the source and the gate).例文帳に追加

トランジスタＱＰ１０およびＱＰ１１は、ダイオード接続されたトランジスタＱＰ１およびＱＰ５に閾値ばらつきが生じている場合、その変化を打ち消す向きの電圧変動をソース・ドレイン間（＝ソース・ゲート間）に生じさせことにより閾値ばらつきの影響を抑制する。 - 特許庁

Since the charge layer 4 has a function of reducing the threshold of the SOI MOSFET, the more the thickness of the silicon layer film is increased, the SOI MOSFET in which an effect of the variations of the thickness of the layer 3 to the threshold voltage is small, is obtained.例文帳に追加

固定酸化膜電荷層４はシリコン層膜厚が厚くなればなるほどＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴのしきい値を下げる機能を有するので、シリコン層３膜厚のばらつきによるしきい値電圧への影響が少ないＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴが得られる。 - 特許庁

To provide a magnetic disk which realizes a performance improvement effect that the data transfer rate between the magnetic disk and a host controller at or above a certain threshold is secured.例文帳に追加

磁気ディスクと上位コントローラとの間のデータ転送レートを一定またはあるしきい値以上を確保するという性能向上効果を実現した磁気ディスクを提供することにある。 - 特許庁

When the voltage of a trigger element Z3 exceeds a threshold voltage, a first field-effect transistor Q1 is turned on, and a current flows to a closed circuit consisting of a capacitor C3 of a load circuit 34, a choke coil L1, and a capacitor C4.例文帳に追加

トリガ素子Z3の電圧がスレッショルド電圧を越えると、第１の電界効果トランジスタQ1をオンし、負荷回路34のコンデンサC3、チョークコイルL1、コンデンサC4の閉路に電流が流れる。 - 特許庁

In the case of carrying out channel dope for adjusting the threshold voltage of the electric field effect transistor 10y, impurity is introduced through the base insulating layer 12 to a channel region 1x.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ１０ｙの閾値電圧の調整を行うためのチャネルドープを行う際、下地絶縁層１２を介してチャネル領域１ｘに不純物を導入する。 - 特許庁

When potential is applied to a gate electrode in the forward direction of the MOSFET, that is, in the flow direction of the current, the same potential is applied to a body to reduce a threshold by a back gate effect.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴに順方向、つまり電流が流れる方向にゲート電極に電位が加わったとき、ボディにも同じ電位が加わり、バックゲート効果により、スレッショルドが低下する。 - 特許庁

To reduce the mismatch of the threshold voltage Vt of a plurality of MOS type field effect transistors (MOSFET) formed in a semiconductor board and contrive the area reduction.例文帳に追加

半導体基体中に形成する複数のＭＯＳ型電解効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のしきい値電圧Ｖｔｈのミスマッチ（不整合）を低減し、且つその面積縮小化を図る。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a back gate electrode can be formed under a field effect transistor arranged on an insulator while enhancing controllability of threshold.例文帳に追加

しきい値制御性を向上させつつ、絶縁体上に配置された電界効果型トランジスタ下にバックゲート電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the effect of dispersion in threshold voltage of transistors constituting a current mirror circuit while using the current mirror circuit in a current driving circuit which is suited for an organic EL(electroluminescence) image display device or the like.例文帳に追加

有機ＥＬ画像表示装置などに適した電流駆動回路において、カレントミラー回路を使用しつつ、カレントミラー回路を構成するトランジスタ間のばらつきの影響を軽減する。 - 特許庁

To provide a dot arrangement determination method and device and a threshold value matrix preparation method which use an evaluation function based on visual characteristics and an optimization method and have the effect of reducing irregularities occurring due to missing dots.例文帳に追加

視覚特性に基づいた評価関数と最適化手法とを組み合わせて用い、ドット抜けによって発生するムラの低減効果を有するドット配置を決定する。 - 特許庁

When the safety degree is less than the prescribed threshold value, the control part 10 generates an electronic mail notifying the effect of deviation from a normal action range, and transmits it to a previously registered notification destination.例文帳に追加

安全度が所定の閾値未満であれば、制御部１０は、通常の行動範囲から外れている旨を通知する電子メールを生成し、予め登録されている通知先に送信する。 - 特許庁

To obtain a field effect transistor, which is prevented from lowering in threshold and peak reverse voltage characteristics for shortening the recovery time of its built-in diode by impinging it with protons.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおいて、プロトン照射を行い内蔵ダイオード部のリカバリタイムを高速化しながら、閾値の低下や逆耐圧特性を低下させる虞のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor heterojunction field effect transistor where a normally-off action can be attained, a sufficient channel current can be acquired, and a threshold voltage can be easily controlled.例文帳に追加

ノーマリオフ動作を達成でき、充分なチャンネル電流を得ることができ、かつしきい値電圧の制御が容易な窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor for securing ohmic contact between source and drain electrodes while protecting an active layer of an oxide semiconductor and suppressing variations in a threshold.例文帳に追加

酸化物半導体の活性層が保護されるとともにソース電極及びドレイン電極とのオーミックコンタクトが確保され、閾値変動が抑制される電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a testing device capable of measuring accurately a supply current of an electronic device by removing fluctuations of a sub-threshold leak current of a field effect transistor included in the electronic device.例文帳に追加

電子デバイスに含まれる電界効果トランジスタのサブスレッショルドリーク電流の変動を無くし、電子デバイスの電源電流を精度よく測定することのできる試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate structure capable of controlling the threshold voltage of a MOS transistor, without depending on the substrate concentration and readily suppressing short-channel effect caused by reducing the channel length.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの閾値電圧を基板濃度に依ることなく制御でき、チャネル長が極微細化した場合のショートチャネル効果の抑制が容易となる基板構造を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional CMOS image sensor does not have a frame shutter function and has loss since a signal output drops because of the substrate effect of a transistor for amplification and a large threshold voltage.例文帳に追加

従来のＣＭＯＳイメージセンサは、フレームシャッタができず、また、増幅用トランジスタの基板効果や大きなしきい値電圧により、信号出力が下がりロスを招いている。 - 特許庁

However, apart from the foregoing, NAFTA permits the application of a less strict rule of origin by establishing a certain threshold amount for qualified products for each year (which is in effect a “tariff quota” approach employing the rules of origin).例文帳に追加

ただし、これとは別途、年毎の一定の金額枠を設けて、より緩やかなルールの適用を認めている（言わば原産地規則を活用した“関税割当”的アプローチ）。 - 経済産業省

To provide an field-effect transistor excellent in threshold voltage and an on/off-ratio in the field-effect transistor having at least an organic semiconductor layer containing an organic semiconductor comprising a compound having an azaannulene structure on a support substrate, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

支持基板上に、アザアヌレン構造を有する化合物からなる有機半導体を含有する有機半導体層を少なくとも有する電界効果トランジスタにおいて、閾値電圧、及び、Ｏｎ／Ｏｆｆ比の優れた電界効果トランジスタ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sound field forming apparatus 1 causes an effect level variable amplifier 89 to correct the effect level of a sound field according to output sound volume if the output volume of an electronic volume 51 is not higher than a threshold when an operating part 67 receives an instruction to generate a plurality of sound fields.例文帳に追加

音場形成装置１は、操作部６７が複数の音場の生成指示を受け付けた際に、電子ボリューム５１の出力音量が閾値以下であれば、出力音量に応じて効果レベル可変アンプ８９に音場の効果レベルを補正させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a fin field effect transistor that alleviates the concentration of an electric field to the top end (angular portion) of a fin-shape active region, inhibits a decrease in the threshold voltage of the fin effect transistor, and has high current drive capability, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

フィントランジスタにおいて、フィン状の活性領域の上端部（角部）における電界集中を緩和し、フィントランジスタの閾値電圧の低下を抑制し、電流駆動能力の高いフィントランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the threshold voltage can be changed by a simple operation without requiring a troublesome work such as change of a hardware constitution, and a great effect is expected when changing the threshold voltage according to change of an installation environment of a high-voltage battery or change of the kind of the high-voltage battery to be used, or the like.例文帳に追加

従って、ハード構成を変更する等の面倒な作業を必要とせずに簡単な操作で閾値電圧を変更することができ、高圧バッテリの設置環境や、使用する高圧バッテリの種類の変更等により閾値電圧を変更する場合に効果が大きい。 - 特許庁

By this setup, a leakage current through a transistor lowered in threshold voltage can be reduced to an irreducible minimum bringing out most a speed improving effect caused by a low threshold voltage, and a problem such as an unnecessary leakage current carried by a wide range of chips as usual can be solved.例文帳に追加

これにより、低しきい値電圧化による速度改善効果を最大限引き出しつつ、低しきい値電圧化トランジスタによるリーク電流は最小限に抑えることができ、従来のようにチップに広範囲に適用されたような不要なリーク電流の問題を解決することができる。 - 特許庁

Thereby, a cell current is reduced by raising apparent threshold voltage of a memory cell utilizing substrate bias effect of a MOSFET, judgement of threshold voltage of a memory cell at the time of erasing verifying operation is performed by the same judging current as a current at the time of writing verifying operation.例文帳に追加

これにより、ＭＯＳＦＥＴの基板バイアス効果を利用して見かけ上のメモリセルのしきい値電圧を上昇させることでセル電流を低減し、消去ベリファイ動作時のメモリセルのしきい値電圧の判定を、書き込みベリファイ動作時と同一の判定電流で行う。 - 特許庁

The n type MOS field effect transistor 352 is provided with a drain electrode connected to the node ND, the gate electrode to which one of the binary logical signals is impressed from a drive circuit 100, and a gate threshold voltage VTN1 smaller than a gate threshold VTN2 of the transistor constituting the drive circuit 100.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ３５２は、ノードＮＤに接続されたドレイン電極と、ドライブ回路１００から二値論理信号のひとつが印加されたゲート電極と、ドライブ回路１００を構成するトランジスタのゲート閾値ＶＴＮ２よりも小さいゲート閾値電圧ＶＴＮ１とを有する。 - 特許庁

When a current monitored by a current detecting unit 90 exceeds a threshold current, a gate voltage for turning on the junction field effect transistor (JFET) 32 is made larger than a built-in voltage for a PN-junction.例文帳に追加

電流検知部９０でモニタする電流が閾値電流を超えた場合、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）３２をターンオンするときのゲート電圧をＰＮ接合のビルトイン電圧より大きくする。 - 特許庁

To reduce this oscillating effect, a sensor 48, 49 detects when the cylinder chamber pressure increases above a given magnitude and then a determination is made when the rate of change of that pressure is less than a defined threshold.例文帳に追加

この振動効果を減らすため、センサー（４８、４９）はシリンダ室の圧力が任意の大きさ以上に上昇する時を検出し、圧力の変化率が規定の閾値以下であるときが判定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a structure that can suppress a short channel effect, control a threshold voltage, is excellent in current drivability and has a multi-fin FET capable of performing high speed operation.例文帳に追加

短チャネル効果を抑制できる構造であり、しきい値電圧を制御でき、電流駆動力に優れ、高速動作が可能なマルチフィンＦＥＴを有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To supply a desired driving current to the light emitting element of each pixel constantly and correctly by eliminating variations in threshold voltages of active elements of insides of pixels and variations in driving currents due to an early effect of them.例文帳に追加

画素内部の能動素子のしきい値電圧のばらつき、及び、アーリー効果による駆動電流のばらつきを無くし、安定且つ正確に各画素の発光素子に所望の駆動電流を供給する。 - 特許庁

To provide a power amplifying circuit capable of lowering a power source voltage of a load driving section to a value equal to or below a threshold voltage of a field-effect transistor and sufficiently reducing power consumption.例文帳に追加

負荷駆動部の電源電圧を電界効果トランジスタの閾値電圧以下に低下させることが可能であり、消費電力を十分に低減させることができる電力増幅回路を提供する。 - 特許庁

A pulse width length comparator 6 determines that the flashover is generated, when the time width of the pulse signal S_3 inputted from the one-shot trigger circuit 5 is a prescribed threshold or above, and outputs a message M to that effect.例文帳に追加

パルス幅長比較器６は、ワンショットトリガ回路５から入力したパルス信号Ｓ_３の時間幅が所定のしきい値以上であれば、閃絡が発生したと判断し、その旨のメッセージＭを出力する。 - 特許庁

To provide a voltage change-detecting apparatus capable of detecting a voltage change over a desired voltage detection range while reducing variation in detection voltage even if a threshold voltage of a field-effect transistor (FET) is varied.例文帳に追加

電界効果トランジスタの閾値電圧がばらついた場合にも、検知電圧のばらつきを低減でき、所望の電圧検知範囲で電圧変化を検知することができる電圧変化検知装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a field-effect transistor, having a desired value of gate breakdown voltage and of mutual conductance and a threshold voltage that is highly uniform throughout a wafer region, with reduced number of processes and superior controllability.例文帳に追加

少ない工程で、しきい値電圧の面内均一性が高くかつ所望のゲート耐圧および相互コンダクタンスを有する電界効果型トランジスタを制御性良く製造することを目的とする。 - 特許庁

To make a gain region and a non-injection region nearly equal to each other in light distribution so as to prevent a semiconductor laser from increasing in a threshold current due to a coupling loss and deteriorating in noise characteristics due to a composite resonator effect.例文帳に追加

利得領域と非注入領域の光分布をほぼ同じにして、カップリングロスによる閾値電流の増大を防止し、同時に、複合共振器効果によるノイズ特性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a bias circuit wherein the bias current is kept constant even in the fluctuations due to process variation in the field effect transistor threshold, and to provide a resistance element for use with the bias circuit.例文帳に追加

プロセスばらつきにより電界効果トランジスタのしきい値が変動しても、バイアス電流を一定にすることができるバイアス回路および当該バイアス回路に適用される抵抗素子を提供する。 - 特許庁

Besides, the potential of the data read terminal is made higher than a grounded substrate potential, the threshold value of the memory cell MS1 is increased by generating a substrate bias effect, and power consumption is reduced by decreasing the cell current.例文帳に追加

また、接地された基板電位よりデータ読み出し端子の方が高くなり、基板バイアス効果が生じてメモリセルＭＳ１の閾値が上昇し、セル電流が減少して消費電力が低減される。 - 特許庁

When the output voltage of the DC power supply 2 exceeds the voltage detection threshold, the transistor control circuit 13 changes the control of the field effect transistor 11 from the fixed current control to the fixed voltage control.例文帳に追加

そして、直流電源２の出力電圧が電圧検出閾値を超えると、トランジスタ制御回路１３は、電界効果トランジスタ１１の制御を定電流制御から定電圧制御に切換える。 - 特許庁