「threshold effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the light emission control transistor is operated in a linear area even in a threshold correction period while avoiding generation of the adverse effect of the shading phenomenon in accordance with the threshold correction, there is no risk of increase of power consumption.例文帳に追加

閾値補正に伴うシェーディング現象の弊害が起きないようにしつつ、閾値補正期間にも発光制御トランジスタを線形領域で動作させることができるので、消費電力増大の懸念もない。 - 特許庁

A vehicle turning judging part is composed of a steering angle sensor, a threshold value comparing part for comparing sensor output to make sure that it is within a range of specified value and outputting to the effect that information is presentable when a steering angle is within a range of threshold value, and a threshold value computing part for computing the threshold value of steering on the basis of a vehicle speed sensor.例文帳に追加

車両旋回判定部は、ステアリング操舵角センサと、センサの出力が、所定値の範囲内に入っていることを比較し、ステアリング操舵角がしきい値の範囲内に入っているときに情報提示可能なことを出力するしきい値比較部と、車速センサをもとにステアリングのしきい値を計算するしきい値計算部から構成される。 - 特許庁

At the turning off, by the duty ratio imbalance circuit, there happens a delay for the agate voltage of the field-effect transistor Q2 to decrease to the threshold level and the field-effect transistor Q2 is switched off at a delayer time and the field-effect transistor Q1 is switched on at a delayed time.例文帳に追加

立ち下がり時には、デューティ比不均衡回路16により、電界効果トランジスタQ2のゲート電圧が閾値まで低下するのに遅れが生ずるため、電界効果トランジスタQ2が遅延してオフ状態となるとともに、電界効果トランジスタQ1が遅延してオンする。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which is almost kept free from noises by a method wherein amplifying transistors which serve as pixels are restrained from varying in threshold value due to a substrate bias effect.例文帳に追加

画素を構成するアンプ用トランジスタの基板バイアス効果によるしきい値の変動を抑え、雑音の少ないＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

By a synergistic effect of them, gate potential Vg of a TFT 214 for drive becomes higher than threshold Vtp to its source potential.例文帳に追加

これらの相乗効果により、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位Ｖｇが、そのソース電位に対して、当該ＴＦＴの閾値Ｖｔｐ以上に高くなる。 - 特許庁

To minimize a voltage drop by a driving voltage supply line and an adverse effect by a threshold voltage change of a thin film transistor to uniform display brightness.例文帳に追加

駆動電圧供給配線による電圧降下と、ＴＦＴの臨界電圧の変動による悪影響を最少化し、表示輝度を均一にする。 - 特許庁

Thus, the effect of compensating the variations of the threshold voltages resulting from process variations is taken without mounting the bias circuit having a complicated configuration.例文帳に追加

これにより、構成が複雑なバイアス回路を搭載することなく、プロセスばらつきによる閾値電圧のばらつきを補償することができる効果を奏する。 - 特許庁

To provide a charge pump circuit that enhances the boost efficiency by preventing the threshold voltage from rising by the substrate effect of an MOS transistor for charge transfer.例文帳に追加

電荷転送用のＭＯＳトランジスタの基板効果によるしきい値電圧の上昇を防止して昇圧効率を高くできるチャージポンプ回路を提供する。 - 特許庁

To raise a threshold voltage in an n-type SOI-MOSFET without inducing a substrate floating effect, and also to prevent the deterioration of throughput in manufacturing.例文帳に追加

基板浮遊効果を誘発することなくｎ型ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴにおける閾値電圧を上昇させるとともに、製造のスループットの悪化を防止する。 - 特許庁

When the signal IN or XIN rises up, the threshold voltages of the signal inputting n-type transistors 1, 2 drop due to the substrate bias effect.例文帳に追加

信号ＩＮ又はＸＩＮの立上り変化時には、信号入力用のＮ型トランジスタ１、２の各閾値電圧が基板バイアス効果により下がる。 - 特許庁

The CPU 20 makes the message of the effect of calling the attention of the user be displayed when a use ratio of any learning assistant function exceeds a prescribed threshold value.例文帳に追加

ＣＰＵ２０は、何れかの学習補助機能の使用割合が所定の閾値を超えた場合に、ユーザの注意を喚起する旨のメッセージを表示させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit capable of suppressing its leakage current to a minimum value while maximally bringing out the effect of speed improvement at low threshold voltage.例文帳に追加

低しきい値電圧による速度改善効果を最大に引き出しながらリーク電流を最小に抑えることができる半導体回路を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor field-effect transistor which can be placed in normally off operation by controlling a threshold voltage.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御が可能なエンハンスメント形の動作を得ることである。 - 特許庁

To improve threshold control performance by a backgate electrode while suppressing deterioration of crystallinity of a semiconductor layer on which a field effect transistor is formed.例文帳に追加

電界効果型トランジスタが形成される半導体層の結晶性の劣化を抑制しつつ、バックゲート電極によるしきい値制御性を向上させる。 - 特許庁

When the data quantity exceeds the first threshold, the succeeding image data are converted into an intermediate code in a second state with a higher compression effect than that in the first state.例文帳に追加

また、第１の閾値を超えた場合は、その後の画像データについて、第１の状態よりも圧縮効果の高い第２の状態の中間コードに変換する。 - 特許庁

To provide a high-reliability field effect transistor small in threshold voltage variation before and after voltage stress; a method of manufacturing the same; and a semiconductor device.例文帳に追加

電圧ストレス前後でのしきい値電圧変動が少ない高信頼性の電界効果トランジスタ、その製造方法、及び半導体装置を提供すること - 特許庁

The Fermi-threshold field effect transistor includes a contoured-tub region of the same conductivity type as the source, drain and channel regions.例文帳に追加

フェルミスレショルド電界効果型トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、そしてチャネル領域と同一の導電度型にある輪郭形成タブ領域を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a short channel effect of a MOSFET with a channel length at a submicron level is suppressed and variations and a roll-off of a threshold voltage can be suppressed.例文帳に追加

サブミクロンレベルのチャネル長のＭＯＳＦＥＴにおける短チャネル効果の抑制とともに閾値電圧のばらつき、ロールオフを抑えることを可能とする。 - 特許庁

To provide a method which achieves a stable operation of an integrated circuit by a simple method, even if it is a field effect transistor of which a threshold voltage tends to change.例文帳に追加

閾値電圧が変動しやすい電界効果型トランジスタであっても、簡単な方法で、安定な集積回路の動作を実現する方法を提供する。 - 特許庁

The difference in threshold voltage between the field effect transistors is set according to the number of electric charge confinement layers, so that the drive performance, etc., on the side of the second region is enhanced.例文帳に追加

電荷閉じ込め層数の違いに応じて、電界効果トランジスタのしきい値電圧差が設定され、第２領域Ａ側の駆動能力等が高くなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit which is capable of limiting a leakage current to an irreducible minimum bringing out most a speed improving effect caused by a low threshold voltage.例文帳に追加

低しきい値電圧による速度改善効果を最大に引き出しながらリーク電流を最小に抑えることができる半導体回路を提供する。 - 特許庁

To provide a switching circuit for suppressing a leakage current even if a field effect transistor having a low threshold voltage is used to reduce on-resistance.例文帳に追加

ＯＮ抵抗を小さくするために低閾値電圧の電界効果トランジスタを用いた場合でもリーク電流を抑制できるスイッチ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a junction field effect transistor capable of easily controlling a threshold voltage and capable of easily controlling a saturation current density of a channel.例文帳に追加

閾値電圧を容易に制御することができ、チャネルの飽和電流密度を容易に制御することができる接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a production process of a semiconductor device for restricting an inverse short channel effect and reducing a threshold voltage of a transistor.例文帳に追加

逆短チャネル効果を抑制し、かつトランジスタのしきい値電圧を低下させることが可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a charge pump circuit in which power efficiency does not fall off even if the number of stages increases and the threshold voltage of a transistor rises through body effect.例文帳に追加

段数が多くなって、トランジスタの閾値電圧が基板効果により上昇しても、電力効率が低下しないチャージポンプ回路を提供すること。 - 特許庁

To provide an asymmetrical field effect transistor (FET) having a threshold voltage which is compatible with the present CMOS circuit design and a low-resistance gate electrode.例文帳に追加

現行のＣＭＯＳ回路設計と両立するしきい電圧、および低抵抗ゲート電極を有する非対称電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供すること。 - 特許庁

Since the external power supply voltage is used, the threshold voltage of the transistor is boosted by increasing a body effect in the 'stand-by' mode and current leakage is reduced.例文帳に追加

外部電源電圧を用いることで、「スタンドバイ」モード時にボディ効果の増加によってトランジスタのしきい値電圧が上昇し、漏れが減少する。 - 特許庁

To prevent operation delays in initial stand-by, while maintaining reduction effect of sub-threshold leakage current, in a semiconductor device having a hierarchical power supply configuration.例文帳に追加

階層電源構成を有する半導体回路装置においてサブスレッショルドリーク電流の低減効果を維持しつつスタンバイ状態初期の動作遅延を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device having a magnetic resistance effect element for restricting an increase in a magnetic reversal threshold, suppressing a magnification of a variation width of the magnetic reversal threshold, and fining also.例文帳に追加

磁化反転しきい値の上昇の抑制、及び磁化反転しきい値の変動幅の拡大をともに抑えることができ、また、微細化も可能となる磁気抵抗効果素子を有する半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁

To provide, in FINFET (FIN Field Effect Transistor) whose threshold voltage is determined essentially by the work function of a gate electrode, a technology capable of adjusting the threshold voltage of FINFET without changing the material of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の仕事関数で本質的にしきい値電圧が決定されるＦＩＮＦＥＴにおいて、ゲート電極の材料を変えることなく、ＦＩＮＦＥＴのしきい値電圧を調整することができる技術を提供する。 - 特許庁

To suppress both substrate floating effect and short channel effect during FD operation of an MOSFET fabricated in an SOI substrate; and also to suppress increase in parasitic resistance, defect due to ion implantation, and lowering of threshold voltage.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に作り込まれたＭＯＳＦＥＴをＦＤ動作させる際に、基板浮遊効果と短チャネル効果との両方を抑制し、更に、寄生抵抗の増大、イオン注入による欠陥、及び閾値電圧の低下についても抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which the fermi level pinning effect does not cause high threshold voltage at interface poly-silicon (Poly-Si)/metal oxide.例文帳に追加

フェルミレベルのピンニングの効果が、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）／金属酸化物の界面で高い閾値電圧を招かないＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）を含む半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A number-of-packets determining means 9 measures the number of the packets stored inside the buffer 6, determines whether the number exceeds a predetermined threshold, and when the number exceeds the threshold, it transmits the effect to a data-discarding means 10.例文帳に追加

パケット数判定手段９は、ゆらぎ吸収バッファ６内に蓄積されているパケット数を計測し、それが予め定められた閾値を超えているかどうかを判定し、閾値を超えている場合には、その旨をデータ廃棄手段１０に伝える。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device with reduced narrow-channel width effect (fluctuation in threshold voltage, caused by an impurity implanted for adjusting the threshold voltage).例文帳に追加

しきい値電圧調整のために素子形成領域に注入した不純物が、素子分離領域を構成するシリコン酸化膜によって拡散され、不純物の偏析が生じ、これが要因となってしきい値電圧が変動する狭チャネル幅効果が生じる。 - 特許庁

The switches 22 to 24 are switch controlled so that the output voltage of the circuit 20 receives no adverse effect of a threshold voltage of the TFT 21.例文帳に追加

ソースフォロワ回路の出力電圧がＴＦＴ２１のしきい値電圧の影響を影響を受けないように、第１〜第３のＴＦＴスイッチ２２〜２４を切替制御する。 - 特許庁

A vehicle is made to detect the physical condition of the vehicle occupant and send, in a case that the detected physical condition is over a threshold, an emergency report of the effect to the center.例文帳に追加

車両に、車両乗員の体調を検出させると共に、その検出した体調にスレッシュオーバが生ずる場合はセンタへのその旨の緊急通報を行わせる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method by which not only drop in the threshold voltage due to short-channel effect but also shortening of data holding time can be suppressed.例文帳に追加

短チャネル効果によるしきい値電圧の低下を抑制し、かつデータ保持時間の短縮をも抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which influence of threshold value variation (approximation effect) caused by parasitic capacitance between adjacent memory cells can be removed.例文帳に追加

隣接するメモリセル間の寄生容量によって生じるしきい値変動（近接効果）の影響を排除することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is formed of a complementary field effect transistors each equipped with a gate insulating film having a high dielectric constant and capable of restraining its threshold from varying much.例文帳に追加

高誘電率のゲート絶縁膜を有する相補型電界効果トランジスタより成り、閾値変動を小さく抑制することの可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining desired characteristics by reliably controlling a threshold voltage of a p-channel field effect transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ｐチャネル型の電界効果トランジスタのしきい値電圧を確実に制御して所望の特性が得られる半導体装置と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor heterojunction field effect transistor which can attain a normally-off operation, can obtain a sufficient channel current, and can easily control a threshold voltage.例文帳に追加

ノーマリオフ動作を達成し、十分なチャネル電流が得られ、かつ、しきい値電圧制御が容易な窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser capable of relaxing the stress generated by the effect of an electronic block layer, decreasing threshold current, and preventing the deterioration in reliability.例文帳に追加

電子ブロック層の影響で発生した応力を緩和し、しきい電流を低下させ、かつ信頼性の低下を抑制できる窒化物半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To reduce an effect of variations in threshold of a transistor electrically connected to a display element arranged in a plurality of pixel circuits in a display device.例文帳に追加

表示装置内の複数の画素回路に設けられている表示素子に電気的に接続されているトランジスタの閾値のばらつきの影響を低減することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a constitution, wherein the reverse short-channel effect of an NMOS transistor is suppressed and the controllability of a favorable threshold voltage is shown, and the manufacturing method of the device.例文帳に追加

ＮＭＯＳの逆短チャネル効果を抑制して、良好なしきい値電圧制御性を示す構成を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electron storage effect changes in size with a distance from the channel layer 11, so that the change rate of a threshold voltage varies corresponding to the storage state of electron.例文帳に追加

電子の蓄積効果の大きさはチャネル層１１との間の距離により異なるので、電子の蓄積状態に応じてしきい値電圧の変化率は異なる。 - 特許庁