「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(214ページ目) - Weblio英語例文検索

The process of forming the upper wiring layer 112 includes a step of depositing a carbon- containing TaN layer 109 on the internal side faces and bottoms of the recessed sections 106 and 107, a step of irradiating the partial surface 109b of the TaN film 9 on the bottoms of the recessed sections 106 and 107 with ions, and a step of depositing copper films 110 and 111 on the TaN film 109.例文帳に追加

上部配線層１１２を形成する工程は、絶縁膜の凹部１０６および１０７の内側壁および底面を覆う炭素含有ＴａＮ層１０９を化学的気層成長法によって堆積する工程と、ＴａＮ膜１０９の表面のうち、凹部底面上に位置する部分１０９ｂにイオンを照射する工程と、ＴａＮ膜１０９上に銅１１０および１１１を堆積する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The shielding unit comprises a first conductor formed in the same wiring layer as the electrodes of the capacitive element so as to surround the capacitive element in a plane, and a second conductor formed in the wiring layer upper than that wherein the electrodes of the capacitive element are formed so as to surround the capacitive element in a plane and extended to the side of the capacitive element than the first conductor in the plane.例文帳に追加

シールド体は、容量素子の電極と同一の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成された第１の導電体と、前記容量素子の電極が形成された配線層よりも上層の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成され、かつ前記第１の導電体よりも前記容量素子側へ平面的に延長された第２の導電体とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a circuit formed of a plurality of thin film transistors 100, a gate interconnect line 22 connected commonly with a plurality of thin film transistors 100 is divided and the divided gate interconnect lines 22 are connected electrically through a connection interconnect line 29 arranged on an upper layer of the gate interconnect line 22.例文帳に追加

複数の薄膜トランジスタ１００により回路が形成された半導体装置であって、複数の薄膜トランジスタ１００に共通接続されたゲート配線２２が分割されており、分割されたゲート配線２２同士が、ゲート配線２２よりも上層に配置された接続配線２９により電気的に接続されている。 - 特許庁

Infrared ray radiation effect is enhanced by installing a far infrared ray radiating material layer in an under storage par 10 provided with an air permeable bottom, storing a far infrared ray radiating regenerator 44 in upper storage arranged on the top of the under storage and heating by a heater 42 imbedded in the far infrared ray regenerator 44.例文帳に追加

通気性の底面を備えた下部収納部１０に遠赤外線放射材層を収納し、下部収納部上にに設けられた上部収納部に遠赤外線放射蓄熱層４４を収納し、遠赤外線放射蓄熱層４４に埋設されたヒータ４２により加熱して遠赤外線放射効果を増進させる。 - 特許庁

The wiring board is provided with a wiring conductor 3 on at least either of the inside or the surface of an insulation base 1 made of non-magnetic ferrite, and a ferrite layer 2 formed of a ferrite sintered body covering the upper and lower surfaces of the wiring conductor 3 which are formed by simultaneous baking together with the insulation base 1.例文帳に追加

非磁性フェライトの焼結体から成る絶縁基体１の内部および表面の少なくとも一方に、配線導体３と、この配線導体３の上面および下面を覆うフェライトの焼結体から成るフェライト層２とが、絶縁基体１との同時焼成で形成されている配線基板である。 - 特許庁

The optical connector device includes an optical waveguide substrate having an optical waveguide and a reference surface having the same height as the upper surface of a core layer thereof, and a connecting terminal member (a connector fixing part and a connector part) having a fitting structure and a reference surface for connecting the optical waveguide substrate to the other optical connector device.例文帳に追加

光コネクタ装置は、光導波路とそのコア層の上面と同じ高さをもつ基準面とを有する光導波路基板と、この光導波路基板を他の光コネクタ装置と接続するための勘合構造と基準面とをもつ接続端子部材（コネクタ固定部品、コネクタ部品）とを有する。 - 特許庁

Between a wiring layer 2 of the wiring substrate 1 and the protruding electrode (bump) 6 of the lower semiconductor chip 5, as well as a protruding electrode (bump) 7 of the lower semiconductor chip 5 and a protruding electrode (bump) 9 of the upper semiconductor chip 8 are electrically connected together by electroless plating that uses the reducing agent of redox base metal.例文帳に追加

配線基板１の配線層２と下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）６との間、下部半導体チップ５の突起電極（バンプ）７と上部半導体チップ８の突起電極（バンプ）９の突起電極（バンプ）同士をレドックス系金属の還元剤を用いた無電解めっきにより電気的に接続させる。 - 特許庁

The fine pores reach the cathode electrode lines 13 through the insulation layer 14 and the gate electrode lines 15, a projecting structure made of metal having a trapezoidal cross section is projectingly provided in each fine pore, and on its upper surface part an electron emitting part is formed, having a carbon nanotube erected on a surface thereof.例文帳に追加

各微細孔１７は、上記絶縁層１４とゲート電極ライン１５とを貫通してカソード電極ライン１３に到達し、微細孔１７内には金属製の断面が台形状の凸構造１６１が突設され、その上面部に、表面にカーボンナノチューブ１６ａが立設された電子放出部１６が形成されている。 - 特許庁

A storage means 4 creates transmission entry by adding additional information comprising transmission information and status information to a packet when receiving the packet from an upper layer, and stores the transmission entry in a queue 3 by giving a time T1 when the created transmission entry is stored in the queue 3 to the status information of the transmission entry.例文帳に追加

格納手段４は、上位層からパケットを受けると、送信情報およびステータス情報からなる付加情報をパケットに追加して送信エントリを作成し、その作成した送信エントリをキュー３に格納する時刻Ｔ１を送信エントリのステータス情報に付与して送信エントリをキュー３に格納する。 - 特許庁

In the irradiation of laser beams, the same distance is corrected at a terrace region outside the outer periphery of the SOI layer 10d with the outer periphery as a boundary B so that the distance between the condensing lens 30 and the upper surface of the support substrate 10a is reduced by the amount of correction H as compared with the SOI region in the inside.例文帳に追加

このレーザ光の照射に際しては、ＳＯＩ層１０ｄの外周縁を境界Ｂとしてその外側のテラス領域ではその内側のＳＯＩ領域よりも集光レンズ３０と支持基板１０ａの上表面との距離が補正量Ｈだけ縮小されるように同距離を補正する。 - 特許庁

The laminated piezoelectric ceramic body reduced in the warpage and the deformation occurring in the sintered body is made by forming a paste film 6 on the upper and under surface of a laminated body 4 using a conductive paste to be used for an inner conductor layer 3 and drying and sintering the laminated body 4a covered with the paste film 6.例文帳に追加

内部導体層３に用いることができる導体ペーストを用いて、積層体４の上下面にペースト膜６を形成し、そのペースト膜６で覆われた積層体４ａを乾燥して焼結することで、その焼結体に生じる反りと変形とを低減した積層圧電セラミックス体にできる。 - 特許庁

The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁

In the insulating films 4a, 4b, a polycrystalline silicon film (resistor element) 6 and a polycrystalline silicon film (lower electrode of a capacitor) 8, which have their upper end surface at a position lower than that of the single crystalline layer surface 2a of the semiconductor substrate 2, are formed and the surface of the semiconductor substrate 2 including STI is flattened.例文帳に追加

前記絶縁膜４ａ、４ｂ中には、半導体基板２の単結晶層表面２ａよりも低い位置にその上端表面を有する多結晶シリコン膜（抵抗素子）６、及び多結晶シリコン膜（キャパシタ下部電極）８が形成され、ＳＴＩを含む半導体基板２の表面は平坦化されている。 - 特許庁

The piezoelectric resonance stack 12 is comprised of: an oscillation area 18 in which the upper electrode 10 and the lower electrode 8 are opposite to each other via a piezoelectric layer 2 and located in accordance with the gap 4; a supporting area 22 which contacts the substrate; and a buffer area 20 located between the oscillation area 18 and the support area 22.例文帳に追加

圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。 - 特許庁

A surface emitting type laser array 10 is provided with an intermediate layer 31 including three wavelength adjusting layers 17a, 17b, and 17c constituted of AlxGa1-xAs (x=0.95) arranged between a lower DBR30 and a upper DBR32, and grooves 26, 27, and 28 whose depth reaching any wavelength adjusting layers 17a, 17b, and 17c is different.例文帳に追加

面発光型レーザアレイ１０は、下側ＤＢＲ３０と上側ＤＢＲ３２との間に配設されたAl_xGa_1-xAs（ｘ＝０．９５）からなる３層の波長調整層１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む中間層３１を有し、波長調整層１７ａ，１７ｂ、１７ｃの何れかに届く深さの異なる溝２６、２７、２８を有する。 - 特許庁

A thermal indirect moxibustion comprises a cylindrical container, which has and encircles a carbonized and shaped moxa 5, an upper tray 7 of a heat-resisting material where the carbonized and shaped moxa 5 is placed, a nutrient component 6, and a lower tray 8 with a plurality of perforations 17 where the nutrient component 6 is placed; and an adhesive layer 10 formed on a bottom 9 of the cylindrical container.例文帳に追加

炭化成形艾５と該炭化成形艾５を置く耐熱性材料からなる上棚７と、栄養素成分６と該栄養素成分６を置く複数の小穴17のある下棚８を有し、これらを取り巻く筒状容器と、該筒状容器下端の底面９に接着層10を設けてなる温熱滋養灸。 - 特許庁

In the pillow 1 equipped with a pillow substrate section 2 and a chip-like foam layer 3 layered in the upper part of this pillow substrate section 2, as for the pillow substrate section 2, a head support recessed part 2A, a side support section 2B around this, and the cervical vertebra support section 2C are formed by combining two or more blocking elements 20 consisting of a soft foam.例文帳に追加

枕基体部２と、この枕基体部２の上部に積み重ねられるチップ状フォーム層３とを具えて成る枕１であって、前記枕基体部２は、軟性フォームから成るブロック要素２０が複数組み合わされて頭部支持凹部２Ａと、この周囲のサイドサポート部２Ｂと、頸椎部サポート部２Ｃとが形成される。 - 特許庁

In an enclosure where an upper surface is covered with transparent glass or double-layer transparent glass and the other surfaces are all surrounded by a heat insulator, a heat reception panel with an air vector having an air hole and at the same time a heat-storing material such as brick are spread for achieving heat-storing effect and at the same time radiation loss is reduced and air is heated.例文帳に追加

上面は透明ガラス又は２重透明ガラスで掩い、それ以外の面はすべて保温材で蔽囲された密閉容器内に、空気孔を有する空気ベクターを備えた受熱パネルと共に、レンガ等の蓄熱材を敷き詰め、蓄熱効果を持たせることにより、輻射損失を減らし、暖気する。 - 特許庁

The thermal analysis sensor having the heating means is constituted, such that the sample holder can be heated uniformly by forming a thin film heater which is used as the heating means, on a diaphragm being positioned on the upper and the lower sides of the cantilever of the SOI layer and sandwiches the thin film via a gap, or by forming a thin-film heater which surrounds the thin film.例文帳に追加

このＳＯＩ層のカンチレバの上側と下側に空隙を介して薄膜を挟むダイアフラムに加熱手段としての薄膜ヒータを形成するか、または薄膜を囲む薄膜ヒータを形成して試料ホルダを一様に加熱できるように加熱手段を有する熱分析センサを構成する。 - 特許庁

In a magnetic recording and reproducing apparatus using a perpendicular recording medium having a soft magnetic backing layer, a soft magnetic shield 40 is provided so as to surround upper parts and side planes of magnetic head elements 11, 12, 14, 15, distance between the soft magnetic shield 40 and the medium is made smaller than distance between the soft magnetic shield and the magnetic head element.例文帳に追加

軟磁性裏打ち層を有する垂直記録媒体を用いた磁気記録再生装置において、磁気ヘッド素子１１，１２，１４，１５の上部及び側面を取り囲むように軟磁性シールド４０を設け、軟磁性シールド４０と媒体との距離を、軟磁性シールドと磁気ヘッド素子との距離よりも小さくする。 - 特許庁

Further, it includes a stage for re-enforcing a diffused bonding coat on the substrate so as to re-enforce to the same thickness as the thickness enforced prior to operation of the engine; and a stage for re-enforcing the upper layer ceramic heat insulation film to the nominal thickness + Δt so as to compensate the part of the base metal substrate removed by Δt.例文帳に追加

また、エンジン作動の前に施工されていたのとほぼ同じ厚さまで再施工されるように、拡散ボンディングコートを基体に再施工する段階と、Δｔが除去したベース金属基体の部分を補償するように上層セラミック断熱皮膜を公称厚さｔ＋Δｔまで再施工する段階とを含む。 - 特許庁

In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.例文帳に追加

メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁

As a result, the drawing plate 25 can prevent the selected product from being accumulated on the drawing plate 25, allows the selected product to pass through the clearance h between the drawing plate 25 and the upper surface of the chaff sieve 12, and capable of making the thickness of the layer constant by dispersing the selected product to improve the material adaptability.例文帳に追加

これにより、寄せ板２５は、該寄せ板２５上に選別物が堆積することを防ぐことができると共に、チャフシーブ１２上面との間の隙間ｈから選別物を通過させることができ、選別物を分散させ層厚を一定にすることができて、材料適応性を向上させることができる。 - 特許庁

A concrete block 1 of a fixed size is manufactured in a factory, an elastic member 2 and a sleeper 4 are assembled in a cavity section 3 provided on the upper face of the block 1, then it is transported to an execution site and temporarily arranged and positioned, and the block 1 and a roadbed 11 are bonded together by a mortar layer 10 to form a ballast.例文帳に追加

工場内で一定の大きさのコンクリート製ブロック１を製造し、このブロック１の上面に設けた空洞部３に弾性部材２とマクラギ４を組み込んだ後、施工現場に輸送し、仮配置と位置決めをした上で、ブロック１と路盤１１をモルタル層１０で結合し道床を構築する。 - 特許庁

Namely, if it is necessary to provide the interconnection WL which is orthogonal to the interconnection WU due to the change of the design, the interconnection WR 2 in the upper layer is connected to a redundant via hole VR, thereby providing a structure by the redundant interconnection WR1 and the redundant via hole VR which allows an orthogonal interconnection.例文帳に追加

すなわち、設計の変更により、配線ＷＵと直行させる配線ＷＬを設ける必要が生じた場合、冗長ヴィアホールＶＲに対して上層の配線ＷＲ２の結線を行い直行配線を可能とする冗長配線ＷＲ１及び冗長ヴィアホールＶＲによる構造を備える。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.例文帳に追加

上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

The projection 10 is obtained by forming a liquid repelling part 40 with a liquid repelling property to a liquid material and a hydrophilic part 42 the wettability to the liquid material of which is greater than that of the liquid repelling part 40 to an upper face 20a of an insulating layer 20, and thereafter spraying the liquid material to the hydrophilic part 42 and curing the liquid material.例文帳に追加

凸状部１０は、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液部４０と、該液体材料に対する濡れ性が撥液部４０よりも高い親液部４２とを絶縁層２０の上面２０ａに形成した後、親液部４２に対して該液体材料を吐出して硬化させることにより得られる。 - 特許庁

To provide a stator of a rotary electric machine which, by reducing the number of insulation sheet layers in a route from the back part of a slot to a insertion part facing on the opening of the slot, can secure a distance from an opening end of the slot to an insertion part facing on the opening end to reduce eddy current loss in a coil on the upper layer side.例文帳に追加

スロット奥部から、スロットの開口に臨む挿入部に至るまでの絶縁シートの層数を減らすことで、スロット開口端から、その開口端に臨む挿入部までの距離を確保して上層側コイルの渦電流損を低減させることができる回転電機のステータを提供する。 - 特許庁

In the storage shelf 10 of regular size containers, a plurality of box groups 16 in which rectangular boxes 12 having lids are stacked in a multiple layer and integrally fixed are integrally fixed by connecting upper ends of the adjacent box groups 16 by a connection bar 18.例文帳に追加

定型容器の格納棚１０は、矩形の有蓋ボックス１２が多段に積層された状態で一体に固定されたボックス集合体１６が、隣接するボックス集合体１６の上端部同士が連結杆１８によって連結されて、複数のボックス集合体１６が一体に固定されてなるものである。 - 特許庁

A plurality of light shields 32 composed of light shield members 34 made of an electrically driven polymer material deformable with an applied electric field, upper and lower electrodes 35, 36 attached to the upsides and the undersides of the members are mounted at positions away from light receiving regions of photo diodes 16 on an insulation layer 31.例文帳に追加

電界が付与されると変形する電気駆動型ポリマー材料で構成された遮光部材３４と、その上下面に取付けられた上部電極３５及び下部電極３６とを備えて構成した複数の遮光体３２を、絶縁層３１上においてフォトダイオード１６の受光領域を避けた位置にした。 - 特許庁

At least a part of the surface of an auxiliary capacitor electrode 18a is covered with an insulating film 26 which is partially formed into a thin film; and the surface of the insulating film 26 which is partially formed into a thin film is covered with an auxiliary capacitor upper electrode 18b which is formed by extending a drain electrode D the surface of which comprises a Mo layer 18b_2.例文帳に追加

補助容量電極１８ａの表面の少なくとも一部を薄膜化された絶縁膜２６で被覆し、この薄膜化された絶縁膜２６の表面を表面がＭｏ層１８ｂ_２からなるドレイン電極Ｄを延在して形成した補助容量上電極１８ｂで被覆する。 - 特許庁

At a predetermined position on wiring layers 11c, 11d of a substrate part 11, an LED element 12 provided on the packaging surface of bumps 12a, 12b is mounted, and the gap between the lower surface thereof and the upper surface of the substrate part 11 is filled with an insulating layer 13 made of a silicone material so as to bury the bumps 12a, 12b.例文帳に追加

基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填される。 - 特許庁

The image sensor includes: a readout circuit formed on a first substrate; wiring electrically connected with the readout circuit and formed on the first substrate; a contact plug including an insulating layer provided on upper part thereof and formed on the wiring; and an image sensing part formed on the contact plug.例文帳に追加

前記イメージセンサは、第１基板に形成された読み出し回路と、前記読み出し回路と電気的に接続され、前記第１基板上に形成された配線と、上側の一部に絶縁層を備え、前記配線上に形成されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグ上に形成されたイメージ感知部と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator housing package capable of electrically and mechanically excellently connecting an electrode of a piezoelectric vibrator to an upper metallize layer with high positional accuracy even if the piezoelectric vibrator housing package becomes more small-sized and thinner, and a highly reliable piezoelectric device using this piezoelectric vibrator housing package.例文帳に追加

圧電振動子収納用パッケージの小型化・薄型化が進んだとしても、圧電振動子の電極を上側メタライズ層に位置精度良く、かつ電気的，機械的に良好に接続することができる圧電振動子収納用パッケージ、およびこの圧電振動子収納用パッケージを用いた高信頼性の圧電装置を提供すること。 - 特許庁

The upper electrode comprises a saturation polarization forming electrode 22 for forming a domain saturated and polarized in a specified direction, a writing electrode 24 arranged apart from the saturation polarization forming electrode 22, and a reading electrode 26 arranged apart from the writing electrode 24 in a specified region of the ferroelectric layer 12.例文帳に追加

上部電極は、強誘電体層１２の所定領域に、所定の方向に飽和分極したドメインを形成するための飽和分極形成電極２２と、飽和分極形成電極２２と離れて配置される書込み電極２４と、書込み電極２４と離れて配置される読出し電極２６と、を含む。 - 特許庁

In the seismic isolator 1, which is disposed on a foundation for a building skeleton and in which the laminated rubbers 2 by the alternate- layer structure of the rubber and a steel plate are disposed among upper-lower flange plates 3 and 3, restraining members 10 restraining the relative displacement of the flange plates 3 and 3 are installed detachably among the flange plates 3 and 3.例文帳に追加

建物躯体の基礎に配設され、上下のフランジプレート３、３間にゴムと鋼板の互層構造による積層ゴム２を配設した免震装置１において、前記上下のフランジプレート３、３の相対的な変位を拘束する拘束部材１０をフランジプレート３、３間に取り外し可能に取り付けた。 - 特許庁

Furthermore, since a thin film electrode 6 on the p-type GaN layer 2c is led out to the upper surface of sidewall on the circumferential edge of the recess 4 and a p-type pad electrode 17 is formed at that part, the nano-column 2 is not damaged even if wire bonding is performed with sufficient strength and optimal bonding conditions can be selected.例文帳に追加

また、ｐ型ＧａＮ層２ｃ上の薄膜電極６を凹所４の周縁の側壁上面まで引出し、その部分にｐ型パッド電極１７を形成するので、充分な強度でワイヤボンディングを行っても、ナノコラム２にダメージを与えることはなく、ボンディング条件を最適に選択できる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a circuit pattern (4) located on a semiconductor substrate, a pair of contact holes (1) positioned in the surrounding of the circuit pattern, and a reference wiring pattern (2) located on an upper layer of an insulating film, on which the pair of contact holes is provided so as to be connected with the pair of holes.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、半導体基板上に設けられた回路パターン（４）と、前記回路パターンの周囲に配置されたコンタクトホール対（１）と、前記コンタクトホール対が設けられた絶縁膜の上層に前記コンタクトホール対と接続するように設けられた基準配線パターン（２）とを具備している。 - 特許庁

Either one of the anode and cathode of the semiconductor laser element 5 is connected to the wiring pattern 2c of the flexible wiring board 2 abutted to the upper surface 1a of the base 1, and the wiring pattern 2c is electrically connected to the base 1 through an opening 7 provided on the part to be abutted to the base 1 of the insulating layer 2b.例文帳に追加

半導体レーザ素子５のアノードまたはカソードの何れかは、基台１の上面１ａに当接されたフレキシブル配線基板２の配線パターン２ｃに接続されており、配線パターン２ｃは、絶縁層２ｂの基台１に当接する部位に設けられた開口部７を介して、基台１に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a structure, capable of increasing the latitude of design and making both the increase of display area and the miniaturization of a liquid crystal device compatible with each other by adopting a structure of an upper/lower conductive part, capable of narrowing the width of a peripheral part of a display region without being affected by the patterning accuracy of alignment layer.例文帳に追加

配向膜のパターニング精度に影響されることなく、表示領域の周囲部分の狭幅化を図ることが可能な上下導通部の構造を採用することによって、設計の自由度を増大させ、液晶装置における表示面積の増大と小型化とを両立することができる構造を提供する。 - 特許庁

In the cover body 113, a movable part 113c having structure where minute covers 113d shielding the upper end faces of the respective holes 111 are coupled is held by hinge parts 113c thinly drawn from fixing parts 113a fixed on the base plate 110 at both edge side parts while putting an insulating layer 112 in between.例文帳に追加

蓋体１１３では、両縁辺部において絶縁層１１２を挟んで基板１１０に固定された固定部１１３ａから細く延伸するヒンジ部１１３ｄにより、各穴１１１の上端面を掩蔽する微小蓋１１３ｄを連結した構造を有する可動部１１３ｃが保持される。 - 特許庁

A self-illumination type key top unit comprises plural transparent key tops 11 each having a character printed layer on a lower surface, clicks 13 connected to each other which make clicking action when an upper surface is pushed, key tops 11, and transparent releasable adhesive layers 15 formed between the key top 11 and the click.13.例文帳に追加

本発明の自照式キートップユニットは、下面に文字印刷層を設けた複数の透明のキートップ１１と、上面が押されたときクリック動作をする互いに連結されたクリック１３と、前記キートップと前記クリックの間に形成した透明な離型粘着層１５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Concerning a 1-3 compound piezoelectric diaphragm 1 composed of a 1-3 compound piezoelectric body 2 composed of piezoelectric ceramics and polymeric materials and electrodes 4 formed on the upper and rear surfaces of that body, by composing that electrode 4 of a nickel layer, bonding to the electrode 4 with soldering of ground lead frame or signal lead frame is enabled.例文帳に追加

圧電セラミックスと高分子材とからなる１−３複合圧電体と、その上面および下面に形成された電極とからなる１−３複合圧電振動子板において、その電極をニッケル層で構成することにより、電極へのグランドリードフレームやシグナルリードフレームの半田による接合を可能にする。 - 特許庁

A conductive layer 13P for the upper electrode on the electron discharge electrode is film-formed on the whole face of an image display region, a voltage is applied between neighboring scanning electrodes 21n and 21n+1 and a current is made to flow, and the electron discharge electrode between the adjacent scanning electrodes 21n and 21n+1 is fused and separated by Joule's heat.例文帳に追加

画像表示領域全面に電子放出電極の上電極用導電層１３Ｐを成膜し、隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間に電圧を印加して電流を流し、ジュール熱で隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間の電子放出電極を溶断して分離する。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁