「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

Specifically, an image of the area 130 to be edited is located at the lower most layer, and it is reduced as necessary to generate an image of an upper layer, thereby forming the hierarchy data.例文帳に追加

具体的には、編集対象の領域１３０の画像を最下層とし、それを適宜縮小して上の階層の画像を生成し、階層データとする。 - 特許庁

A foamed fixing liquid 45b for fixing is generated on the upper layer of a foam application roller 41 and a foam film of a foamed fixing liquid having low density is generated on the lower layer.例文帳に追加

泡塗布ローラ４１上の上層に定着用の泡状定着液４５ｂ、下層に低密度の泡状定着液の泡膜を形成する。 - 特許庁

Consequently, detection accuracy of a motion vector in an upper layer can be improved, and detection accuracy of a motion vector in a lower layer can also be improved.例文帳に追加

従って、上位階層における動きベクトルの検出精度を向上できると共に、下位階層における動きベクトルの検出精度を向上できる。 - 特許庁

A communication path 53 is made up of the space-holding core parts 50, 51 so as to allow the upper-layer water-jacket 30 to communicate with the lower-layer water-jacket 31 by the space-holding core parts 50, 51.例文帳に追加

間隔保持用中子部分５０，５１により上層ウォータージャケット３０と下層ウォータージャケット３１とを連通する連通路５３が形成される。 - 特許庁

The change in magnetic resistance of a magnetoresistance effect (MR) film is measured, before an upper shield layer is formed and prior to patterning of a lower shielding layer.例文帳に追加

上部シールド層が形成される以前に、しかも、下部シールド層のパターニングに先立って磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の磁気抵抗変化は測定される。 - 特許庁

The piezoelectric element comprises a piezoelectric layer having a perovskite crystal structure and an upper electrode and a lower electrode arranged so as to sandwich the piezoelectric layer.例文帳に追加

この圧電体素子は、ペロブスカイト結晶構造を持つ圧電体層と当該圧電体層を挟んで配置される上電極および下電極とを備える。 - 特許庁

An Al ion is injected selectively into a guard ring schedule region 23a and a JTE schedule region 23b in an upper layer part of an n type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル層２の上層部にガードリング予定領域２３ａ及びＪＴＥ予定領域２３ｂにＡｌイオンを選択的に注入する。 - 特許庁

After a base material Au layer 3d1 is formed by permutation gilding, an upper-side Au layer 3d2 is formed by autocatalysis type nonelectrolytic plating.例文帳に追加

また、置換金めっきにより下地Ａｕ層３ｄ１を形成した後、自己触媒型無電解めっきにより、上側Ａｕ層３ｄ２を形成する。 - 特許庁

In this case, the Cu electrode layer 2 is formed so that the upper surface 2a of the Cu electrode layer 2 is located higher at position than for the P-SiN film 55.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層２の上面２ａの位置がＰ−ＳｉＮ膜５５の上面よりも高い位置となるように、Ｃｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

Pure water is discharged at high rate from the drip valves 22a, 22b so that a mixture layer of pure water and organic solvent is not formed on the upper layer of pure water.例文帳に追加

純水と有機溶剤との混合層がこの純水の上層に形成されないように、排出弁２２ａ、２２ｂが高速度で排出する。 - 特許庁

The operational portion 16 pulls the wire 12 in the horizontal direction by the displacement of the upper layer building portion 4 to the lower layer building portion 2 in the horizontal direction.例文帳に追加

操作部１６は、上層建築部４の下層建築部２に対する水平方向への変位により、ワイヤ１２を水平方向へ引くようになっている。 - 特許庁

The height at which the first layer extends and is attached to the second layer can vary along the upper in a toe-to-heel direction.例文帳に追加

その高さまで第１の層が延在すると共に第２の層に取着される高さは、アッパーに沿ってつま先‐踵方向で変化させることができる。 - 特許庁

On the upper face of the anode layer, fuel supply layers 11_1, 11_2 which supply fluid fuel such as ethanol by infiltration into the whole anode layer are arranged in contact.例文帳に追加

アノード層上面には、エタノール等の流体燃料を該アノード層全体に浸透供給する燃料供給層１１_１、１１_２が接触配設される。 - 特許庁

A TEG element 100 includes a test lower ferroelectric layer 112, a test tunnel insulation film 114 and a test upper ferroelectric layer 116.例文帳に追加

ＴＥＧ素子１００は、テスト用下層強誘電体層１１２、テスト用トンネル絶縁膜１１４、及びテスト用上層強誘電体層１１６を有している。 - 特許庁

This method includes: a step of supplying an absorbent body precursor 4' having a lower layer 60 and an upper layer 62 to a compressor to compress the precursor 4'.例文帳に追加

下層６０と上層６２とを有する吸収体前駆体４’を圧縮装置に供給し、吸収体前駆体４’を圧縮する工程を含む。 - 特許庁

To provide porcelain for an upper layer capable of applying porcelain for the lower layer of a prosthesis using a frame to porcelain for the base material of the prosthesis not using the frame.例文帳に追加

フレームを用いない補綴物の基材用陶材に、フレームを用いる補綴物の下層用陶材を適用し得る上層用陶材を提供する。 - 特許庁

A p-type AlGaInP second upper cladding layer 28 of the 780 nm wavelength band laser 12 is etched to an ESL layer 26 to form ridge waveguides 32.例文帳に追加

７８０ｎｍ帯波長レーザ１２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２８はＥＳＬ層２６までエッチングされてリッジ導波路３２が形成されている。 - 特許庁

The difference between the etching areas of the upper sacrifice layer and the lower side sacrifice layer is thereby made smaller, enabling to enhance etching accuracy and providing a downsizing and higher density.例文帳に追加

これによって上側犠牲層と下側犠牲層のエッチング面積の差を小さくでき、エッチング精度が向上するので小型高密度化が可能となる。 - 特許庁

The lower layer is formed of a polycrystalline diamond (PCD) material or polycrystalline cubic boron nitride (CBN) material, and the upper layer is formed of a cemented carbide.例文帳に追加

一実施形態では、下層は多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）または多結晶立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）材料からなり、上層は超硬合金からなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which prevents peeling of a semiconductor layer (a second semiconductor layer) in an upper part of an SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造上部の半導体層（即ち、第２半導体層）の剥がれを防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the yield of sintering by segregating and charging ferromagnetic material to the upper layer part of a raw material packing layer to be charged onto a pallet.例文帳に追加

パレット上に装入される原料充填層の上層部に強磁性物を偏析して装入することにより、焼結歩留りを向上する。 - 特許庁

To reduce cross talk between bit lines and between bit lines and upper layer wirings or lower layer wirings, in a semiconductor integrated circuit comprising a SRAM.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルを含む半導体集積回路において、ビットライン間、及び、ビットラインと上層又は下層配線との間のクロストークを低減する。 - 特許庁

Further, a lower layer coil piece 18 is formed having a straight region being extended to a track width direction being the same direction as the upper layer coil piece 23.例文帳に追加

しかも、下層コイル片１８は、前記上層コイル片２３と同一方向であるトラック幅方向に延びるストレート領域を有して形成されている。 - 特許庁

A ridge is formed on the P-GaN contact layer 9 and the P-AlGaN clad layer 8, and unevenness is formed on the upper surface of the ridge.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮコンタクト層９およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８にリッジ部が形成され、リッジ部上面に凹凸形状が形成されている。 - 特許庁

This polishing pad 21 is constituted by an upper layer 22 receiving a wafer, and an adhesive layer 23 comprising a gel material consisting mainly of silicone and adhered to a platen 3.例文帳に追加

研磨パッド２１を、ウェーハを受ける上層２２と、シリコーンを主剤としたゲル状物質からなり、プラテン３に貼り付けられる粘着層２３とで構成する。 - 特許庁

An optical waveguide including a lower clad layer 12 formed through successive crystal growth, a plurality of quantum wires 13 and an upper clad layer 14 are formed on the ridge 21.例文帳に追加

このリッジ21の上に、一連の結晶成長により形成された下部クラッド層12、複数の量子細線13、上部クラッド層14を含む光導波路を設ける。 - 特許庁

A lower molded insulating layer and an upper molded insulating layer where a dummy pattern is formed inside are sequentially formed on a semiconductor substrate on which a photodiode is formed.例文帳に追加

フォトダイオードが形成された半導体基板上に下部モールド絶縁層と、ダミーパターンが内部に形成された上部モールド絶縁層を順次に形成する。 - 特許庁

Source electrodes 22 connecting to the n+ type source layer 14 and the p+ type contact layer 15 at upper part is provided and adjacent trenches 16 are in a pitch 31.例文帳に追加

ｎ＋型ソース層１４及びｐ＋型コンタクト層１５に上部で接続するソース電極２２を有し、隣接するトレンチ１６はピッチ３１である。 - 特許庁

Then, a silicon nitride film 4b constituting an upper layer side of the gate insulating film 4 is formed, and thus the holding capacity having a thin dielectric layer 4c is formed.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁層４の上層側を構成するシリコン窒化膜４ｂを形成し、薄い誘電体層４ｃを備えた保持容量を形成する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 110 is formed at parts of an upper part of the AlGaN layer 104 which come into contact with at least the electrodes 107 and 108.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層１０４の上部における少なくとも各電極１０７、１０８と接触する部分には、不純物拡散層１１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ridge semiconductor laser having high oscillation efficiencies without making an etching stop layer exist between blocking layers and a first upper clad layer.例文帳に追加

ブロック層と第１上クラッド層との間にエッチングストップ層が存在せず、発振効率の高いリッジ型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The SiC layer 11 has a facet forming layer 11a on the upper main surface, and the anode electrode 13 is formed to contact with the facet.例文帳に追加

ＳｉＣ層１１は上部主面にファセット形成層１１ａを有しており、ファセットに接触するようにアノード電極１３が形成されている。 - 特許庁

The optical waveguide film 1 can be manufactured by using a dry film for the lower clad layer, a dry film for the core part and a dry film for the upper clad layer.例文帳に追加

光導波路フィルム１は、下部クラッド層用ドライフィルム、コア部分用ドライフィルム、及び上部クラッド層用ドライフィルムを用いて作製することができる。 - 特許庁

A CAP layer CP1 is formed on the upper magnetic film 8 of the MTJ element MD1, and a hard mask HM1 is formed on the CAP layer CP1.例文帳に追加

ＭＴＪ素子ＭＤ１の上部磁性膜８上にＣＡＰ層ＣＰ１が形成され、ＣＡＰ層ＣＰ１上にハードマスクＨＭ１が形成される。 - 特許庁

The active material layer contains lithium metal oxide, and includes interface part formed on the current collector, and the upper layer part formed on this interface part.例文帳に追加

活物質層は、リチウム金属酸化物を含み、集電体上に形成される界面部とこの界面部上に形成される上層部とを備える。 - 特許庁

Each of the lower clad layer 3, the core part 4 and the upper clad layer 5 is a cured matter of an optical curable composition such as (meta)acryl-based, and epoxy-based.例文帳に追加

下部クラッド層３、コア部分４、及び上部クラッド層５の各々は、（メタ）アクリル系、エポキシ系等の光硬化性の組成物の硬化体である。 - 特許庁

A first and a second high-permittivity oxide film, 103 and 104, are successively laminated between an upper electrode layer 105 and a lower electrode layer 102.例文帳に追加

上部電極層１０５と下部電極層１０２間に第１および第２高誘電率酸化物膜１０３、１０４の積層を順に形成する。 - 特許庁

The gate electrode 6 and the lower electrode 15 are formed on the same layer, and a source wiring 8 and the upper electrode 16 are formed on the same layer.例文帳に追加

そして、ゲート電極６と下電極１５とが同一層に形成され、ソース配線８と上電極１６とが同一層に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a substrate 1, a semiconductor film, a lower-layer insulation film 9, upper-layer insulation films 10a-10e, and gate electrodes 11a-11d.例文帳に追加

半導体装置は、基板１と、半導体膜と、下層絶縁膜９と、上層絶縁膜１０ａ〜１０ｅと、ゲート電極１１ａ〜１１ｄとを備える。 - 特許庁

A plasma CVD method adopting aluminum alkoxide and oxygen as raw materials is applied to film-form a lower part insulating layer 43 and an upper part insulating layer 45.例文帳に追加

原料をアルミニウムアルコキシド及び酸素とするプラズマＣＶＤ法を適用して下部絶縁層４３及び上部絶縁層４５などを成膜する。 - 特許庁

A lower-layer comb-tooth electrode 13 and an upper-layer comb- tooth electrode 17 are arranged as one unit at given intervals while overlapping with each other by several μm.例文帳に追加

下層櫛歯電極１０３と上層櫛歯電極１０７とを数ｕｍ程度オーバーラップさせ、この電極を１つの単位とし、所定の間隔で並べる。 - 特許庁

An insulating layer 15 is placed in a part touching at least an applying part except for the upper part of the drug storing layer 11 of the electrode 13 for electroporation.例文帳に追加

エレクトロポレーション用電極１３の薬物貯留層１１上を除く少なくとも適用部位に接する部分には絶縁層１５が設けられる。 - 特許庁

Then, ultrasonic joining is performed so that the collector electrodes 6 reach any position from an upper surface of the power generation layer 3 to a lower surface of the front surface electrode layer 2.例文帳に追加

その後、超音波接合により、集電電極６を、発電層３の上面から表面電極層２の下面までの何れかの位置に到達させる。 - 特許庁

Major part of the upper part of the resistance layer 13 is covered by the conductive layer 17 except two ohmic electrodes 15a, 15b and their peripheries.例文帳に追加

そして、この導電層１７によって、２つのオーミック電極１５ａ、１５ｂ及びその周囲を除く抵抗層１３上方の大部分が被覆されている。 - 特許庁

Part of the power supply wiring formed on the panel 0 to drive the pixel array part 1 is multi-layered wiring of an upper layer 12 and a lower layer 11.例文帳に追加

画素アレイ部１を駆動する為にパネル０に形成された電源配線の一部が、上層１２と下層１１とで多層配線化されている。 - 特許庁