「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, since the ends of the upper electrode 518 are not overlapped on the radiation detection layer 522, any leakage current increased by the electric field concentration at the ends of the upper electrode 518 doesn't flow through the radiation detection layer 522, and consequently the deterioration of the radiation detection layer 522 can be suppressed.例文帳に追加

これにより、上部電極518の端部が放射線検出層522上にかからないので、上部電極518の端部における電界集中によって増大したリーク電流が放射線検出層522に流れず、放射線検出層522の劣化を抑制できる。 - 特許庁

A surface emitting laser element 1 comprises, on a p-GaAs substrate 2, a lower multilayer film reflecting mirror 3, a lower cladding layer 4, an active layer 5 of a multiquantum well structure, an upper cladding layer 6, and an upper multilayer film reflecting mirror 7 laminated in the order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

On a first conduction type semiconductor substrate 101, a first conduction type lower clad layers 103, 104, an active layer 106, a first upper clad layer 108 of a second type, and a second upper clad layer 109 of the conduction type are formed in order.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０１上に順に積層された第１導電型の下クラッド層１０３,１０４、活性層１０６、第２導電型の第一上クラッド層１０８、および第２導電型の第二上クラッド層１０９を備える。 - 特許庁

A mask 11 having an aperture part patterned equally to a pattern of a hole transport layer is arranged on a substrate 1 upper face, and from the upper face of the mask 11, a solution or a dispersion liquid of a material constituting the hole transport layer is sprayed and dried up for forming the hole transport layer.例文帳に追加

正孔輸送層のパターンと同一パターンの開口部を有するマスク１１を基板１上面に配置し、マスク１１上面より正孔輸送層を構成する材料の溶液または分散液を噴霧し、乾燥して前記正孔輸送層を形成する。 - 特許庁

Finally, the upper layer wirings and a via plug for electrically connecting the upper layer wirings and lower layer wirings are formed by filling the first and the second hole apertures with a conductor.例文帳に追加

最後に、前記第一および第二の溝状開口部、並びに、前記第一および第二の孔状開口部に導電体を充填することにより、前記上層配線および当該上層配線と前記下層配線とを電気的に接続するビアプラグを形成する。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。 - 特許庁

In a structure where a wire (an upper auxiliary wire) formed on a sacrifice layer is electrically connected with a new wire (an upper connection wire) on the sacrifice layer, a wire thinning and a wire breakage or the like can be prevented in a stepped portion of the sacrifice layer of the wire formed on the sacrifice layer.例文帳に追加

犠牲層上に形成された配線（上部補助配線）が、犠牲層上において新たな配線（上部接続配線）と電気的に接続される構造とすることにより、犠牲層上に形成された配線の犠牲層の段差部分における配線細りや配線の断切れ等を防ぐことができる。 - 特許庁

In the inorganic-organic composite-treated galvanized steel sheet, the surface of a steel sheet is provided with a galvanizing layer in which the crystal orientation in the (002) plane is ≥50%, the upper layer thereof is provided with an Mg-containing zinc phosphate film, and further, the upper layer thereof is provided an organic film layer.例文帳に追加

本発明の要旨とするところは、鋼板上に（００２）面の結晶配向が５０％以上のＺｎめっき層を有し、その上層にＭｇを含有するリン酸亜鉛皮膜を有し、更にその上層に有機皮膜層を有することを特長とする無機有機複合処理亜鉛系めっき鋼板である。 - 特許庁

Silicon-containing particles 25 are formed in an inside or an upper face of the intermediate layer 23, by restarting plasma during or after formation of the intermediate layer 23, and irregularities 21 are formed on an upper face of the surface layer 24, by forming the surface layer 24 using the silicon-containing particles 25 as nuclei.例文帳に追加

中間層２３の形成中または形成後にプラズマを停止したのち再開することにより、中間層２３の内部または上面にシリコン含有粒子２５を形成し、このシリコン含有粒子２５を核として表面層２４を形成することにより、表面層２４の上面に凹凸２１を形成する。 - 特許庁

The steel shell 4 has a biasing structure for suppressing formation of a gap 15 at a boundary area 15x between an upper end of the main refractory layer 11 and the sub refractory layer 13 by biasing the upper end of the main refractory layer 11 toward the sub refractory layer 13 with the biasing force F in at least a normal temperature region.例文帳に追加

鉄皮４は、少なくとも常温領域において、主耐火物層１１の上端部を副耐火物層１３に向けて付勢力Ｆで付勢させることにより、主耐火物層１１の上端部と副耐火物層１３との境界域１５ｘにおける隙間１５の生成を抑制する付勢構造を備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device 10 includes: an active layer 16; an upper cladding layer 19 which is stacked on the active layer 16; a low dielectric constant insulating film 22 which is stacked on the upper cladding layer 19; and a pad electrode 23 which is stacked on the low dielectric constant insulating film 22.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子１０は、活性層１６と、活性層１６の上方に積層された上部クラッド層１９と、上部クラッド層１９の上方に積層された低誘電率絶縁膜２２と、低誘電率絶縁膜２２の上方に積層されたパッド電極２３と、を備えた構成とする。 - 特許庁

The read sensor includes first and second Co-Fe buffer layers in the lower and upper portions of a keeper layer structure respectively, third and fourth Co-Fe buffer layers in the lower and upper portions of a reference layer structure, and a fifth Co-Fe buffer layer in the lower portion of a detection layer structure respectively.例文帳に追加

この読出しセンサは、それぞれキーパ層構造の下側部分と上側部分にある第１と第２のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、それぞれ基準層構造の下側部分と上側部分にある第３と第４のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、検知層構造の下側部分にある第５のＣｏ−Ｆｅバッファ層を含む。 - 特許庁

The magnetic part is constituted of at least a magnetic material and a conductor, the conductor is arranged between an upper portion magnetic material layer and a lower portion magnetic material layer, and the magnetic material is arranged in a space portion among the upper portion magnetic material layer, the lower portion magnetic material layer, and the conductor.例文帳に追加

本発明の磁性部品は、少なくとも磁性体と導体とにより構成される磁性部品であって、上部磁性体層と下部磁性体層との間に導体が設けられ、前記上部磁性体層及び下部磁性体層と導体との間隙部分に磁性体を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A bitumen system emulsion 2a is sprinkled on a base 1 of a road etc. to provide a bitumen emulsion layer 2, aggregate 3a is smoothly laid on the upper surface of the bitumen emulsion layer 2 to form an aggregate layer 3, and a plurality of paving blocks 4 are arranged on the upper surface of the aggregate layer 3 by providing the joint space section 6.例文帳に追加

道路等の基盤１に、必要に応じて瀝青系乳剤２ａを散布して瀝青乳剤層２を設け、瀝青乳剤層層２の上面に骨材３ａを敷き均して骨材層３を形成し、さらに、骨材層３の上面に複数の舗装用ブロック４を、目地空間部６を設けて配置する。 - 特許庁

Other members are composed of a lowest layer member, an elastic member, a slide member, a middle member, a middle layer member, and a fixing member, the upper layer member is attached in a way able to disengage to other members via the fixing member, and by twist turning the fixing member, the independent rotation of the upper layer member can be realized.例文帳に追加

その他の部材は、最下層部材、弾性部材、スライド部材、中間部材、中層部材、係止部材から構成され、上層部材は該係止部材を介してその他の部材に係脱自在に取り付けられ、また該係止部材の撚回によって、該上層部材の独立回動が実現可能となる。 - 特許庁

A lower insulating layer 30 is provided including a lower high dielectric breakdown voltage layer 28 consisting of an insulating material with a dielectric breakdown voltage at least 5 times higher than that of an aluminum oxide and an upper insulating layer 33 is provided including an upper high dielectric breakdown voltage layer 54 consisting of a similar insulating material.例文帳に追加

絶縁破壊電圧が酸化アルミニウムの少なくとも５倍の絶縁材料よりなる下部高絶縁破壊電圧層２８を含んで下部絶縁層３０を構成すると共に、同様の絶縁材料よりなる上部高絶縁破壊電圧層５４を含んで上部絶縁層３３を構成する。 - 特許庁

A CDQ facility 100 elevates a circulating gas from the lower layer toward the upper layer of coke in a cooling chamber to cool the coke, and cuts out the lower layer side of the coke, and replenishes coke before being cooled to the upper layer side, and cools the circulating gas discharged from the cooling chamber and circulating the gas into the cooling chamber.例文帳に追加

ＣＤＱ設備１００は、冷却室内のコークスの下層から上層に向けて循環ガスを上昇させてコークスを冷却し、このコークスの下層側を切出し且つ上層側に冷却前のコークスを補充するとともに、この冷却室から排出した循環ガスを冷却して冷却室内に循環させる。 - 特許庁

In the thin film magnetic head 32 having a lower magnetic pole 34 and an upper magnetic pole 35 arranged across a writing gap layer 37, a magnetic base layer 38 comprising a ferromagnetic element, a ferromagnetic layer 35a and the upper magnetic pole 35 are laminated and formed on the writing gap layer 37.例文帳に追加

書き込みギャップ層３７を挟んで配置される下部磁極３４と上部磁極３５とを備える薄膜磁気ヘッド３２において、前記書き込みギャップ層３７に、強磁性元素を含む磁性下地層３８と、強磁性層３５ａと、上部磁極３５が積層して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The optical waveguide is characterized by the fact that the compressive elasticity (E) of at least one of the lower clad layer, the core part, and the upper clad layer is 2 GPa or larger in a patterned optical waveguide which is composed of the lower clad layer, the core part, and the upper clad layer and either one of the layers is formed of a silica-based compound.例文帳に追加

下部クラッド層、コア部分、上部クラッド層から構成され、それらのいずれか１層がシリカ系化合物から形成されるパターン化された光導波路において、下部クラッド層、コア部分および上部クラッド層の少なくとも１つが圧縮弾性率(E)が２GPa以上であることを特徴とする光導波路。 - 特許庁

A bottom part 5 and a lower wall 11 of a vessel consist of an aluminum material, an upper wall 13 integrated with the lower wall consists of a three-layer clad material of an aluminum layer 15, a titanium layer 17 and a stainless steel layer 19, an upper cover 23 consists of a stainless steel material and the boundary parts are mutually welded and integrated together.例文帳に追加

容器の底部５及び下側壁１１はアルミニウム材で構成され、下側壁と一体の上側壁１３はアルミニウム層１５とチタン層１７とステンレス層１９の三層のクラッド材で構成され、上側カバー２３はステンレス材で構成されており、互いに境界部が溶接されて一体になっている。 - 特許庁

The edge part of a subsequent upper-layer liquid film 26L2 is laminated on the edge part of a previously formed lower-layer liquid film 26L1, and the laminated area in which the lower-layer film 26L1 and the upper-layer film 26L2 are superimposed is irradiated with a laser beam B capable of fluidizing the oriented film forming liquid.例文帳に追加

先行して形成した下層液状膜２６Ｌ１の端部に、後続する上層液状膜２６Ｌ２の端部を積層し、これら下層液状膜２６Ｌ１及び上層液状膜２６Ｌ２の重なる積層領域に対して、その配向膜形成液を流動可能なレーザビームＢを照射するようにした。 - 特許庁

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, a quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁

The printed wiring board 1 comprises an insulating resin layer 2, conductor wiring 3 arranged on at least one of the upper surface 22 and the lower surface 23 of the insulating resin layer 2, and an interlayer conductive part 4 comprising a metal piece 41 buried in the insulating resin layer 2 and conducting the upper and lower surfaces of the insulating resin layer 2 electrically.例文帳に追加

絶縁樹脂層２と，該絶縁樹脂層２の上面２２及び下面２３の少なくとも一方に配設された導体配線３と，絶縁樹脂層２に埋め込まれたメタル片４１によって構成されると共に絶縁樹脂層２の上下面を電気的に導通させる層間導電部４とを有するプリント配線板１。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with: a semiconductor substrate 12; a first resin layer 30 formed on the semiconductor substrate 12; rewiring 48 composing a pad 44 formed on the upper surface of the first resin layer 30; and a second resin layer 32 covering the upper surface of the rewiring 48 and first resin layer 30.例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、半導体基板１２と、半導体基板１２上に形成された第１樹脂層３０と、第１樹脂層３０の上面に形成されてパッド部４４を構成する再配線４８と、この再配線４８および第１樹脂層３０の上面を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, the electrode 2 on the piezoelectric substrate 1 is configured by sequentially laminating a lower part Ti layer 3, an intermediate metal layer 4 made of Mo, W or alloy composed of these metal, an upper part Ti layer 5 and an upper part conductive layer 6 made of Al or an Al alloy.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子においては、圧電基板１上の電極２が、下部Ｔｉ層３、Ｍｏ若しくはＷ又はこれらの金属の合金からなる中間金属層４、上部Ｔｉ層５、及びＡｌ若しくはＡｌ合金からなる上部導電層６を順次積層して構成される。 - 特許庁

In this thin-film transistor, an insulating film 4 having openings in a source region 10S/a drain region 10D is formed between a lower semiconductor layer 11 and an upper semiconductor layer 12; and the lower semiconductor layer 11 and the upper semiconductor layer 12 are connected to each other through the openings H1, H2.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタは、下層半導体層１１と、上層半導体層１２の間には、ソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄに開口部を有する絶縁膜４が形成され、開口部Ｈ１，Ｈ２を介して、下層半導体層１１と上層半導体層１２が接続される。 - 特許庁

Then a 1st silicide layer 261 with a 1st thickness is formed in the upper surface of the deep source/drain region, and a 2nd silicide layer 262 extending from the 1st silicide layer but with a 2nd thickness thinner than the 1st thickness of the 1st silicide layer is formed in a part of the surface part of the upper part of the extending source/drain region.例文帳に追加

次に、ディープソース／ドレイン領域の上部表面には第１厚さの第１シリサイド層２６１が形成され、ソース／ドレイン延長領域の上部の一部表面には第１シリサイド層から延びるが、第１シリサイド層の第１厚さよりも薄い第２厚さをもつ第２シリサイド層２６２が形成される。 - 特許庁

The method for separating polyphenols comprises using HSCC which is true liquid partition chromatography in which an upper layer or a lower layer of a two-phase solvent system obtained by mixing ethers, acetonitrile or alcohols with water or acidic aqueous solution is used as a stationary phase and the lower layer or the upper layer is used as a mobile phase.例文帳に追加

本発明は、エーテル類、アセトニトリルまたはアルコール類、水または酸性水溶液を混和した二相溶媒系の上層または下層を固定相とし下層または上層を移動相に用いた真の液液分配クロマトグラフィである高速向流クロマトグラフィを用いることを特徴とするポリフェノールの分離方法である。 - 特許庁

The bottom face, side faces, and top face of a semiconductor structure 3 which comprises a silicon substrate 5, columnar electrodes 15, and columnar electrodes 16 for heat dissipation are coated with a base plate 1 formed of resin, etc., lower layer overcoating film 36, insulation layer 18, upper layer insulation film 19, and upper layer overcoating film 26.例文帳に追加

シリコン基板５、柱状電極１５および放熱用柱状電極１６を有する半導体構成体３の下面、側面および上面は、樹脂等からなるベース板１、下層オーバーコート膜３６、絶縁層１８、上層絶縁膜１９およぴ上層オーバーコート膜２６によって覆われている。 - 特許庁

This pet litter box 1 includes a litter box body 2, and a partitioning member 3 for partitioning the inside of the litter box body 2 into an upper layer part A and a lower layer part B, and is used by housing a granular material 20 for forming an excretion floor in the upper layer part A and also housing a urine-absorbing material 21 in the lower layer part B.例文帳に追加

本発明のペット用トイレ１は、トイレ本体２、及びトイレ本体２内を上層部分Ａと下層部分Ｂとに区画する仕切部材３を備え、上層部分Ａに便床を形成する粒状物２０を収容すると共に下層部分Ｂに尿吸収体２１を収容して使用するものである。 - 特許庁

The resistance change layer 23 is made of metal oxide having the same metal base as that of a metal thin-film layer 22 formed on the surface of the lower electrode layer 20, and a storage element 27 is composed of the resistance change layer 23, a lower electrode layer 20a in an area connecting with the resistance change layer 23 and the upper electrode layer 25.例文帳に追加

この抵抗変化層２３は下部電極層２０の表面に形成された金属薄膜層２２と同じ金属母体を有する金属酸化物からなり、この抵抗変化層２３と、抵抗変化層２３に接続する領域の下部電極層２０ａおよび上部電極層２５とにより記憶素子２７を構成している。 - 特許庁

A capacitor 10 is provided with a lower electrode 14A; a dielectric layer 16 having an SiO_2 layer 20 formed on the lower electrode 14A, an SiON layer 21 formed on the SiO_2 layer 20, and an Si_3N_4 layer 22 formed on the SiON layer 21; and an upper electrode 14B formed on the dielectric layer 16.例文帳に追加

本発明に係るキャパシタ１０は、下部電極１４Ａと、下部電極１４Ａに成膜されたＳｉＯ_２層２０とＳｉＯ_２層２０上に成膜されたＳｉＯＮ層２１とＳｉＯＮ層２１上に成膜されたＳｉ_３Ｎ_４層２２とを有する誘電体層１６と、誘電体層１６上に形成された上部電極１４Ｂとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A first insulating layer and a third insulating layer configuring each wiring layer 100 contain a silicon carbide/nitride film, silicon carbide and/or silicon oxide, the second insulating layer of a lower wiring layer contains the silicon oxide, and the second insulating layer of an upper wiring layer contains fluorinated silicon oxide and/or carbonated silicon oxide.例文帳に追加

各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。 - 特許庁

The objective glass is provided with a heat-reflective layer formed on the surface of a transparent glass substrate by successively applying a lower dielectric layer composed of a nitride of a metal composed mainly of aluminum, a metal layer or a nitride layer composed mainly of Ni, a metal layer or a nitride layer composed mainly of silver and an upper dielectric layer composed of a nitride of a metal composed mainly of aluminum.例文帳に追加

透明ガラス基板表面に、アルミニウムを主成分とする金属の窒化物よりなる下部誘電体層、Ｎiを主成分とする金属層あるいは窒化物層、銀を主成分とする金属層あるいは窒化物層、アルミニウムを主成分とする金属の窒化物よりなる上部誘電体層が順次積層された熱線反射層を形成すること。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a switching element and a storage node connected to the switching element, wherein the storage node includes a lower metal layer connected to the switching element, and a first insulating layer, an intermediate metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, and a nano-layer which are sequentially formed on the lower metal layer.例文帳に追加

スイッチング素子、スイッチング素子に連結されたストレージノードを備える不揮発性メモリ素子において、ストレージノードは、スイッチング素子に連結された下部金属層と、下部金属層上に順次に形成された第１絶縁層、中間金属層、第２絶縁層、上部金属層及びナノ層を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

The ink-jet recording medium includes a heat-resistance base substance, an ink receiving layer, and a surface layer formed thereon in this order, wherein the surface layer being comprised of a bottom layer formed on the side of the ink receiving layer having a porous structure including heat-melting resin and an upper layer formed as an outermost layer having a porous structure including a thermoplastic latex.例文帳に追加

耐熱性基体、インク受容層、表面層をこの順に設けたインクジェット記録媒体であって、表面層は、熱溶融性樹脂を含む多孔質構造を有しインク受容層側に設けられた下層と、熱可塑性ラテックスを含む多孔質構造を有し最表面層として設けられた上層とからなることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of: (1) exposing the silicon layer by eliminating the upper portion of the protrusion of the silicon layer out of an insulating layer overlying the silicon layer having the protrusion; and (2) chemically and mechanically polishing the silicon layer exposed by slurry for polishing silicon while protecting the silicon layer by a remaining portion of the insulating layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、（１）凸部を有するシリコン層を覆う絶縁層のうちシリコン層の凸部の上方部分を除去することにより、シリコン層を露出させる工程と、（２）前記絶縁層の残部でシリコン層を保護しながら、シリコン研磨用スラリーで露出したシリコン層を化学機械研磨する工程とを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of an organic electroluminescent element which includes a first electrode, luminescent layer and second electrode in this order comprises the step of, after luminescent layer formation, forming a layer corresponding to the upper layer of the luminescent layer after heat treatment of the luminescent layer after elapse of six hours or more after forming the luminescent layer.例文帳に追加

第一の電極、発光層、及び第二の電極をこの順に設けてなる有機電界発光素子の製造方法であり、該発光層形成後、６時間以上経過後に該発光層に対して加熱処理を施した後、該発光層の上層にあたる層を形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

The optical guide G has a semiconductor lower guide layer 11 having an undoped first lower portion 11a adjoining the central area and an n-type doped second lower portion 11b adjoining the lower coating layer 1, and an upper semiconductor guide layer 12 having an undoped first upper portion 12a adjoining the central area and a p-type doped second upper portion 12b adjoining the upper coating layer 2.例文帳に追加

光学ガイドＧはさらに、中央領域に隣接するドープされていない第１の下方部分１１ａと、下方被覆層に隣接するｎ型のドープされた第２の下方部分１１ｂとを有する半導体下方ガイド層１１と、中央領域に隣接するドープされていない第１の上方部分１２ａと、上方被覆層に隣接するｐ型のドープされた第２の上方部分１２ｂとを有する半導体上方ガイド層１２とを有する。 - 特許庁

Thus, it is difficult for heat conducted through the first metal layer 28 to be conducted to the upper shield layer 27 via the first organic insulating layer 30, but easy to be conducted to a second metal layer 23 via a gap layer 25 made of an inorganic insulating material higher in thermal conductivity than the organic insulating layer.例文帳に追加

これによって前記第１金属層２８に伝わった熱が、前記第１有機絶縁層３０を介して前記上部シールド層２７にまで伝わりにくく、前記有機絶縁層よりも熱伝導率の高い無機絶縁材料からなるギャップ層２５を介して第２金属層２３に伝わりやすい。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 includes a structure in which an insulating layer 15 is laminated on a magnetization fixed layer 14 and a free magnetic layer 16 is laminated on the insulating layer 15, the magnetization fixed layer 14 having an oxygen-bonding layer having a thickness of two oxygen atoms or less, formed on its upper surface.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 - 特許庁

The piezoelectric element of the present invention includes a substrate having a pair of opposed main surfaces, a lower electrode layer disposed on one main surface of the substrate, a piezoelectric layer disposed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer disposed on the piezoelectric layer, the lower electrode layer being made of nickel acid lanthanum-based ceramics.例文帳に追加

本発明の圧電体素子は、一対の対向する主面を有する基板と、その基板の一方の主面上に配置した下部電極層と、その下部電極層上に配置した圧電体層と、その圧電体層上に配置した上部電極層とを有しており、下部電極層はニッケル酸ランタン系セラミックスからなる。 - 特許庁

In response to determining that the visual control is supported by a context layer, the computer displays the visual control and component icons on a context layer canvas, wherein the context layer includes elements from both an upper visual layer and a lower component layer, and wherein the component icons are associated with respective components from the lower component layer.例文帳に追加

視覚コントロールがコンテキスト層によってサポートされていると判断されたことに応答して、コンピュータは、視覚コントロールおよび要素アイコンを共にコンテキスト層キャンバス上に表示し、コンテキスト層は、上部視覚層および下部要素層の両方からの要素を含み、要素アイコンは、下部要素層からの各要素に関連付けられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a Schottky layer 118, a cap layer 120 covering the Schottky layer, and a Schottky electrode having two stage structure of a lower structure 152 penetrating the cap layer to reach the Schottky layer and an upper structure 154 having a larger cross-section than the lower structure and riding over the cap layer.例文帳に追加

この半導体装置は，ショットキ層１１８と，ショットキ層を覆うキャップ層１２０と，キャップ層を貫通しショットキ層に到達する下部構造１５２と，下部構造よりも拡大した断面を有しキャップ層上に乗り上げる上部構造１５４との２段構造を有するショットキ電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This non-volatile memory device comprises a first oxide layer 22 formed on a lower electrode 20, a second oxide layer 24 having variable resistance property formed on the first oxide layer, a buffer layer 26 formed on the second oxide layer, and an upper electrode 28 formed on the buffer layer.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極上に形成された第１酸化層２２と、第１酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第２酸化層２４と、第２酸化層上に形成されたバッファ層２６と、バッファ層上に形成された上部電極２８と、を備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁