「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

A ferroelectric layer 18 consisting of a PZT is formed on the portion being the lower electrode 16a of the iridium layer 16, on which an iridium layer 20 as an upper electrode is formed.例文帳に追加

イリジウム層１６の下部電極１６ａの部分の上には、ＰＺＴからなる強誘電体層１８が形成され、さらにその上には上部電極としてのイリジウム層２０が設けられている。 - 特許庁

An amorphous silicon layer is formed on the lower polysilicon germanium layer 23 and then crystallized thus obtaining the upper polysilicon layer 24 having a nondirective crystal structure.例文帳に追加

下部ポリシリコンゲルマニウム層２３上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化することによって、非方向性結晶構造を有する上部ポリシリコン２４層を得ることができる。 - 特許庁

The optical recording medium includes a substrate, a reflective layer located on the upper side of the substrate and reflecting an incident laser beam, and an information recording layer located on the reflective layer.例文帳に追加

本発明の光記録媒体は基板、上記基板の上部に位置して入射する上記レーザービームを反射する反射層及び上記反射層の上部に位置する情報記録層を含む。 - 特許庁

A movable layer is formed on a substrate 20 by a metallic movable upper electrode 7, a fixed lower electrode 8, and a silicon sacrifice layer 99, and a silicon oxide optical element layer is laminated.例文帳に追加

基板２０に、金属製の可動な上電極７および固定された下電極８とシリコン製の犠牲層９９により可動層を形成し、さらに酸化シリコン製の光学素子層を積層する。 - 特許庁

A piezoelectric element of the present invention includes a substrate 21, a lower electrode layer, a piezoelectric layer, an upper electrode layer 23, a cavity portion formed below a piezoelectric vibrating portion, and at least two bridging portions 2a, 2b.例文帳に追加

本発明の圧電素子は、基板２１と、下部電極層と、圧電体層と、上部電極層２３と、圧電振動部の下に形成された空洞部と、二以上の架橋部２ａ，２ｂとを備える。 - 特許庁

On the diffraction element 20, an upper layer separation prevention pattern PPa is formed so that a base layer 20C and an enclosure layer 20D may fit to an outside optics area EO through which an optical beam does not pass.例文帳に追加

本発明は、回折素子２０は、光ビームが通過しない光学外領域ＥＯに、ベース層２０Ｃ及びカバー層２０Ｄが嵌合するように上層剥離防止パターンＰＰａを設けるようにする。 - 特許庁

The prescribed layer thickness is set to a layer thickness with an allowance surplus to an upper limit value capable of detecting the change of the electrostatic capacitance (dielectric constant) of the deposition layer 60 through the electrodes 31, 32.例文帳に追加

こうした所定の層厚は、堆積層６０の静電容量（誘電率）の変化を電極３１及び３２を通じて検知することのできる上限値に余裕を含めた層厚に設定されている。 - 特許庁

The upper protective layers are disposed on the protective layer through a conductive layer formed of a material containing tantalum or niobium, and a voltage for forming an anode electrode is applied thereto from the outside through the conductive layer.例文帳に追加

上部保護層は、タンタルまたはニオブを含む材料で形成された導電層１０９を介して保護層の上に配置され、外部から導電層を介してアノード電極となる電圧が印加される。 - 特許庁

The third polysilicon layer has only a contact pad function for electrical connection of the upper and lower conductive layers, having no area where it overlaps a fourth polysilicon layer that is a conductive layer above it.例文帳に追加

この第三のポリシリコン層は、上下の導電層の電気的な接続のためのコンタクトパッドの機能のみを有し、その上部の導電層である第四のポリシリコン層と重なり合う領域を有しない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such that an upper-layer wire formed in the same layer with a bonding pad is made fine, by preventing an inter-layer insulating film formed below the bonding pad from cracking, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ボンディングパッドの下の層間絶縁膜にクラックが入るのを防ぎ、ボンディングパッドと同層に形成された上層配線を微細化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Placing of a hydrogen ion is performed to an impurity semiconductor layer 2 formed in the upper surface of a p-type semiconductor substrate 1, so that a high concentration ionized layer L may be formed in the impurity semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の上面に形成された不純物半導体層２に対して水素イオンの打ち込みを行って高濃度イオン層Ｌを不純物半導体層２内に形成する。 - 特許庁

Namely, the tunneling barrier layer 50 is flat and smooth, and comprised of aluminum oxide, or Al_2O_3 stoichiometry in both interfaces between a free layer 61 and an upper ferromagnetic layer 323 especially.例文帳に追加

すなわち、トンネルバリア層５０が平滑であると共に特にフリー層６１と上部強磁性層３２３との両界面において化学量論的にＡｌ_2Ｏ_3である酸化アルミニウムにより構成されることとなる。 - 特許庁

The organic EL element comprises a substrate, a lower side electrode, an organic EL light-emitting layer, a transparent oxide layer having low resistance functioning as an upper side electrode, and a transparent oxide layer having high resistance.例文帳に追加

基板と、下部電極と、有機ＥＬ発光層と、上部電極として機能する低抵抗透明酸化物の層と、高抵抗透明酸化物の層とを含むことを特徴とする有機ＥＬ発光素子。 - 特許庁

Moreover, by performing R-processing treatment on an upper end corner part of the convex part or the trench in contact with the semiconductor layer before the formation of the semiconductor layer, the thin semiconductor layer can be formed with excellent coverage.例文帳に追加

また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、Ｒ加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。 - 特許庁

This piston ring 14 mounted in the ring channel at the outer periphery of a piston is formed to have a two layer structure constituted by laminating an upper layer 17 and a lower layer 18 formed by materials having different coefficients of thermal expansion.例文帳に追加

ピストン外周のリング溝に装着されるピストンリング１４を、各々熱膨張率の異なる材質で形成された上層１７及び下層１８を積層した二層構造に形成する。 - 特許庁

Next, plasma etching is performed while using the intermediate layer 103 as a substantial mask, so that an opening having a dimension smaller than that of an opening of the upper resist layer 104 is formed on a lower organic film layer 102.例文帳に追加

次に、中間層１０３を実質的なマスクとして、プラズマエッチングを行い、下層有機膜層１０２に、上層レジスト層１０４の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を形成する。 - 特許庁

This semiconductor layer having the vertical structure has lower and upper coating layers 1 and 2, an optical guide G superimposed upon the lower coating layer 1, and a semiconductor active layer CA.例文帳に追加

本発明は、下方および上方被覆層１、２と、下方被覆層に重ね合わされた光学ガイドＧと、半導体活性層ＣＡとを有する垂直構造の半導体レーザに関するものである。 - 特許庁

Subsequently, a piezoelectric composite oxide layer 5 containing a lead element is formed on the lower electrode layer 4 via a heating process and an upper electrode layer 6 is formed thereon thus manufacturing a piezoelectric element 1.例文帳に追加

次いで、下部電極層４上に、鉛元素を含有する圧電性複合酸化物層５を加熱工程を経て形成し、その上に上部電極層６を形成することによって、圧電素子１を得る。 - 特許庁

At least either the lower layer or the upper layer is formed by a filtered cathodic arc process, and the lower layer contains amorphous carbon and at least either hydrogen or fluorine as a main component.例文帳に追加

下層と上層の少なくともいずれか一方がフィルタードカソディックアーク法によって形成され、下層がアモルファスカーボンおよび、水素とフッ素の少なくともいずれか一方を主成分として含有する。 - 特許庁

On the lower side electron supply layer, an upper side electron travel layer (5) is arranged which comprises a compound semiconductor material whose doping concentration is lower than that of the lower electron supply layer otherwise no doping is applied.例文帳に追加

下側電子供給層の上に、該下側電子供給層よりもドーピング濃度が低いか、またはノンドープの化合物半導体材料からなる上側電子走行層(5)が配置されている。 - 特許庁

The plant cultivation layer 2 formed of plants spreading its roots in a woody fiber layer 1, is arranged on an upper surface of the woody fiber layer 1 constituted by compacting woody fiber by a biodegradable binder.例文帳に追加

木質繊維を生分解性のバインダーで固めて構成された木質繊維層１の上面に、該木質繊維層１に根張する植物で形成される植栽層２が設けられて成るものである。 - 特許庁

Then, it is preferable that a different resin layer in which at least one or more resin selected from a group of polyester imide, polyamide-imide, and polyester, and polyimide is principal is formed on an upper layer of the resin layer.例文帳に追加

そして、好ましくは当該樹脂層の上層にポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル及びポリイミドからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の樹脂を主体とする別の樹脂層を形成する。 - 特許庁

The MOS device comprises a first conduction-type semiconductor layer and second conduction-type first and second source/drain regions, which are formed in the semiconductor layer closely to an upper face of the semiconductor layer.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスは、第１の伝導型の半導体層と、半導体層の上面に近接して半導体層中に形成された第２の伝導型の第１および第２のソース／ドレイン領域とを含む。 - 特許庁

Of the pair layer of an upper DBR mirror 22 formed inside a mesa post 38, the oxidized part of an AlGaAs layer 42 of high Al composition configuring a low refraction layer is removed by wet etching.例文帳に追加

メサポスト３８内に形成された上部ＤＢＲミラー２２のペア層のうち、低屈折層を構成するＡｌ組成が高いＡｌＧａＡｓ層４２の酸化部分をウェットエッチングによって除去する。 - 特許庁

The cool-island pavement comprises: a lower layer 2 laid on a paved surface 1a, which is an upper surface of a roadbed 1; and a reflective layer 3 provided on the lower layer 2 and having a surface capable of reflecting sunlight.例文帳に追加

クールアイランド舗装は、路床１の上面である被舗装面１ａ上に敷設される下層２と、下層２上に設けられ、表面が太陽光を反射可能な反射層３とからなる。 - 特許庁

An upper magnetic layer 13 constituting a magnetic core is formed by being divided into a first magnetic layer 20 positioned in the vicinity of a magnetic gap G and a second magnetic layer 21 position directly above a coil 14.例文帳に追加

磁気コアを構成する上層磁性層１３を、磁気ギャップＧ近傍に位置する第１の磁性層２０と、コイル１４の直上に位置する第２の磁性層２１とに分割して形成する。 - 特許庁

Accordingly, the intermediate members 31, 33 are bonded and gas-sealed, by a bonding structure, comprising a metallized layer, an alloy layer, and a brazing material layer on the upper surfaces of the ceramic-side projecting portions 35, 37.例文帳に追加

従って、このセラミック側凸部３５、３７の上面にて、メタライズ層、合金層、ロー材層からなる接合構造により中間部材３１、３３が接合されるとともにガスシールされている。 - 特許庁

A lower-layer insulating film 22 is provided on the reverse surface of the base plate 1 and lower-layer rewiring 24 is provided on its reverse surface while connected to the upper-layer rewiring 17 through a vertical conduction part 28.例文帳に追加

ベース板１の下面には下層絶縁膜２２が設けられ、その下面には下層再配線２４が上下導通部２８を介して上層再配線１７に接続されて設けられている。 - 特許庁

The outside surfaces of the insulation base body 1 are provided with a broken-out sections along the whole periphery of a ceramic layer except the upper end or upper and lower ends among the outside surfaces of the insulation base bodies 1 while notches 5, formed by remaining the upper end ceramic layer, are formed on the neighboring two outside surfaces.例文帳に追加

絶縁基体１は、その外側面のうち上端または上下端のセラミック層以外のセラミック層の部位が全周にわたって破断面を有しており、かつ少なくとも隣接する２つの外側面に上端のセラミック層を残して切り欠いて成る切欠き部５が形成されている。 - 特許庁

In forming a lower core 13a by etching a lower core layer 13, a broad lower straight-line margin section 13d is formed (process step 2) and in forming an upper core 15 by etching an upper core layer 15, a broad upper straight-line margin section 15d is formed (process step 5).例文帳に追加

下部コア層１３をエッチングして下部コア１３ａを形成する際に、幅広の下部直線マージン部１３ｄを形成し（工程２）、また上部コア層１５をエッチングして上部コア１５ａを形成する際に、幅広の上部直線マージン部１５ｄを形成する（工程５）。 - 特許庁

Upper metal layers 4 are formed on the top surfaces of the projecting parts 2, side metal layers 5 are formed on the whole side surfaces and sides of the projecting parts 2 while being connected to the upper metal layers 4, and a metal filament 6 is constituted by each upper metal layer 4 and each side metal layer 5.例文帳に追加

そして凸部２の上面に上部金属層４を形成するばかりでなく、凸部２の側面全体および側方にも、側部金属層５を上部金属層４に連接して形成し、上部金属層４と側部金属層５とによって金属細線６を構成する。 - 特許庁

The resonance part includes: a lower electrode the prescribed region of the lower part surface of which is inwardly recessed; a lower electrode the upper surface corresponding to the recessed region of which is outwardly projected; a piezoelectric layer laminated on the upper surface of the lower electrode; and an upper electrode laminated on the piezoelectric layer.例文帳に追加

ここで、共振部は、下部表面の所定領域が内側に陥没し、陥没領域に対応する上部表面が外側に突出した下部電極と、下部電極の上部表面に積層された圧電層と、圧電層上に積層された上部電極と、を有する。 - 特許庁

The fertilizer tank is formed into upper and lower two layers having the same or nearly the same sizes, and is arranged so that the almost central part of the upper layer tank may present at the upper position of the center of the gravity of the traveling machine body.例文帳に追加

肥料タンクを上下に２段の構成で、両タンクの大きさを同一若しくは大差のないサイズにすると共に、上段のタンクの略中央を走行機体の重心位置上方となるように配置した。 - 特許庁

A second nitride-based III group compound semiconductor layer 32 can be grown even to an upper region above the steps by epitaxially growing in horizontal directions by utilizing the upper face and the side faces of each upper part of the steps for the nuclei.例文帳に追加

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第２のIII族窒化物系化合物半導体３２を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分の上方にも成長させることができる。 - 特許庁

The tip part of the upper magnetic back part is overlapped by and connected to a part nearer to a medium counter surface than the apex of the upper magnetic core tip part and the upper magnetic core back part extends therefrom over a coil and a coil insulating layer.例文帳に追加

上部磁気コア後部は、その先端部を上部磁気コア先端部のエイペックスよりも媒体対向面に近いところから重なって接続されていて、そこからコイル、コイル絶縁層の上に延びている。 - 特許庁

A heat-insulating material 6 is introduced to the upper sections of both surfaces and set up to a lower section as a ventilating layer 7, and upper groove face materials 8 and lower groove face materials are stuck on the upper groove surfaces and lower groove surfaces of both surfaces and the roof three-face panel is manufactured.例文帳に追加

両面の上部に断熱材６を入れて下部に通気層７として取り付けて、その後に両面の上溝面と下溝面に上溝面材８と下溝面材を張り付け屋根３面パネルを得る。 - 特許庁

An insulation membrane 3 is installed on an upper surface of edge part of the anode electrode 2 and on an upper surface of a transparent substrate 1 in the surroundings, and an organic EL layer 4 and a cathode electrode 5 is installed on its upper surface.例文帳に追加

アノード電極２のエッジ部上面およびその周囲における透明基板１の上面には絶縁膜３が設けられ、その上面には有機ＥＬ層４およびカソード電極５が設けられている。 - 特許庁

The plasma display panel is equipped with an upper substrate and a lower substrate adhered to each other with a given spacing and an upper dielectric layer formed on the upper substrate and including a near-infrared light-shielding substance.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルは、所定の間隔を置いて貼り合わされた上部基板及び下部基板と、前記上部基板上に形成され、近赤外線遮光物質を含む上部誘電体層とを備える。 - 特許庁

The plasma display panel is equipped with an upper substrate and a lower substrate joined with a given spacing and an upper dielectric layer formed on the upper substrate and including an improved substance of optical properties.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルは、所定の間隔を置いて結合された上部基板及び下部基板と、前記上部基板上に形成され、光特性の改善物質を含む上部誘電体層とを備える。 - 特許庁

A negative electrode 12 is formed on the light emitting element (dummy light emitting layer 210) in an upper direction of the bank section.例文帳に追加

バンク部の上方向及び発光素子（ダミー発光層２１０）上には陰極１２が形成されている。 - 特許庁

In a p-GaAs cap layer 38, a width W3 of its upper surface is made smaller than a width W2 of its lower surface in sectional shape.例文帳に追加

ｐ‐ＧaＡsキャップ層３８を、上面の幅Ｗ3が下面の幅Ｗ2よりも狭い断面形状にする。 - 特許庁

A substrate 1, which has an opening part 8, and an insulated stress relieving layer 2 laminated on the upper surface of this substrate, are provided.例文帳に追加

開口部８を有する基板１と、この基板の上面に積層され絶縁応力緩和層２備える。 - 特許庁

The pseudo-interruption 40 is passed to a further upper application via the driver layer 31A independent from hardware.例文帳に追加

擬似割り込み４０は、ハードウェア非依存のドライバ層３１Ａを介してさらに上位のアプリケーションに渡される。 - 特許庁

Also the upper layer 32B of the bank pattern 32 is formed with the same material and in the same step as those of a blue color filter.例文帳に追加

また、土手パターン３２の上層３２Ｂは青色カラーフィルタと同じ材料により同じ工程で形成する。 - 特許庁

In the constitution, the upper layer can receive data in the order coincident with the order of transmitting data.例文帳に追加

本構成により、上位層は送信データの順番に一致した順でデータを受領することが可能となる。 - 特許庁