| 意味 | 例文 |
upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11093件
A multilayer wiring substrate 100 included in the semiconductor package includes: a first insulating layer 104 and a second insulating layer 106 in which wiring layers are formed on an upper surface and lower surface, respectively; and a core layer 102 formed between the first insulating layer 104 and the second insulating layer 106.例文帳に追加
半導体パッケージに含まれる多層配線基板100は、上面および下面にそれぞれ配線層が設けられた第1の絶縁層104および第2の絶縁層106と、第1の絶縁層104および第2の絶縁層106の間に設けられたコア層102と、を含む。 - 特許庁
The recording medium is manufactured by providing a lower protective layer 2, a crystallization promoting layer 3 consisting of an oxide containing Bi, a phase transition recording layer 4 consisting of a recording material consisting essentially of Sb and Te, an upper protective layer 5 and a reflection layer 6 on a substrate 1.例文帳に追加
本発明の記録媒体は、基板1上に、下部保護層2、Biを含む酸化物からなる結晶化促進層3、SbおよびTeを主成分とする記録材料からなる相変化記録層4、上部保護層5および反射層6を設けることにより得られる。 - 特許庁
In the manufacturing method of the magnetoresistive effect device, a coating layer removed in a subsequent process is previously formed on the protection layer 26, and an oxidized layer formed by naturally oxidizing a part of the upper side of the coating layer and the coating layer are removed before the electrode layers 6 are formed by etching.例文帳に追加
磁気抵抗効果装置の製造方法では、予め、保護層26の上に、後の工程で除去される被覆層を形成しておき、電極層6を形成する前に、被覆層の上面側の一部が自然酸化されて形成された酸化層および被覆層をエッチングによって除去する。 - 特許庁
In the semiconductor device in which a base layer is formed on a semiconductor substrate by an epitaxial growth and which has the bipolar transistor using a part of the base layer as a base extraction region, a silicon layer is formed in the upper section of the base extraction region, and a silicide layer is formed on the silicon layer.例文帳に追加
半導体基板上に、エピタキシャル成長によりベース層を形成し、前記ベース層の一部をベース取り出し領域とするバイポーラトランジスタを備えた半導体装置において、前記ベース取り出し領域の上にシリコン層を形成し、このシリコン層の上にシリサイド層を形成した。 - 特許庁
The magnetic head for perpendicular recording comprises a playback part 11 and a recording part 12, wherein the recording part 12 has a main magnetic pole layer 35, a lower sub magnetic pole layer 31, an upper sub magnetic pole layer 34, a pedestal-shaped magnetic layer 36, and a coil conductor 39 for generating magnetic flux in the main magnetic pole layer 35.例文帳に追加
垂直記録用磁気ヘッドは、再生部11と記録部12で構成され、記録部12は、主磁極層35と、下部副磁極層31と、上部副磁極層34と、台座状磁性層36と、主磁極層35に磁束を発生させるコイル導体39とを有する。 - 特許庁
A catalyst coat layer 2 comprising a lower catalytic layer 20 carrying at least Rh, and an upper catalyst layer 21 carrying at least one member selected from Pt and Pd is formed wherein the ratio of an average thickness of the lower catalyst layer 20 to an average thickness of the catalyst coat layer 2 is 35-90%.例文帳に追加
少なくともRhを担持した下触媒層20と、Pt及びPdから選ばれる少なくとも一種を担持した上触媒層21とからなる触媒コート層2を形成し、触媒コート層2の平均厚さに対する下触媒層20の平均厚さの割合を35〜90%とした。 - 特許庁
The laminate structure has a support board 10, a lower electrode including an adhesion layer 11 containing a metal oxide and a conductive layer 12 formed on the support board 10 through the adhesion layer, a dielectric layer 13 laid on the lower electrode, and an upper electrode laid on the dielectric layer.例文帳に追加
積層構造体は、支持基板10と、金属酸化物を含む密着層11と該密着層を介して支持基板上に形成された導電層12とを含む下部電極と、該下部電極上に配置された誘電体層13と、該誘電体層上に配置された上部電極とを有する。 - 特許庁
An upper polarizing plate 21 is pasted on the touch panel 100 and a front window 200 is pasted on the upper polarizing panel 21 via a second adhesive layer 80.例文帳に追加
タッチパネル100の上に上偏光板21が貼り付けられ、上偏光板21の上に第2接着層80を介してフロントウインドウ200が貼り付けられている。 - 特許庁
After forming fluorescent layers onto the reflecting layer and an upper substrate, a discharge space is sealed by adhering a sealing member between end parts of the upper and the lower substrates.例文帳に追加
反射層及び上部基板上に蛍光層を形成した後、上部基板と下部基板の端部位の間に密封部材を付着して放電空間を密閉させる。 - 特許庁
The air bubbles B, which are concentrated in the upper layer part of the liquid L passing through the pipe 11, are collected by installing an air bubble collecting pipe 12 connecting to the upper part of the pipe 11.例文帳に追加
配管11の上部に連通する気泡捕集管12を設けて、配管11内を流動する液体Lの上層部分に集結する気泡Bを捕集する。 - 特許庁
The LED die 46 can be inserted into a cavity formed on an "upper" surface of a light guide passage 42, and the upper surface of the light guide passage 42 butts on the liquid crystal layer 60.例文帳に追加
LEDダイ46は、光導波路42の「上」面に形成されたキャビティに挿入することができ、光導波路42の上面は液晶層60に当接する。 - 特許庁
A surface layer 4 having an aluminum foil 5 is formed on the upper face of a toilet seat body 2, and an induction heating coil 3 is fixed on the back side of the upper face of the toilet seat body 2.例文帳に追加
便座本体2の上面にアルミ箔5を有した表面層4が設けられ、この便座本体2の上面の裏側に誘導加熱コイル3が設けられている。 - 特許庁
A silicide layer 4b formed on the upper part of the gate electrode 4 includes the width of an upper part thereof wider than that of a bottom part thereof in the cross section in a channel direction.例文帳に追加
ゲート電極4上部に形成されたシリサイド層4bは、チャネル長方向の断面において上部の幅が底部の幅よりも広い形状を有している。 - 特許庁
The second part connects with an upper part of the first part of the gate electrode, and faces an upper-end part 4B of the p-type base layer across a second part of the gate insulating film.例文帳に追加
第2の部分は、ゲート電極の第1の部分の上部と連続し、ゲート絶縁膜の第2の部分を介してp形ベース層の上端部4Bに対向する。 - 特許庁
Light having a wavelength of 0.532 μm emitted from a laser 1 is focused with a lens 2, and the nearly upper part of the core part 4 of the optical waveguide is irradiated with the light from the side of an upper clad layer 3.例文帳に追加
レーザ1からの波長0.532ミクロンの光は、レンズ2で集光されて上部クラッド層3の側から光導波路のコア部4のほぼ上より照射される。 - 特許庁
The upper end (an end near a tread) and the lower end (an end near a bead part 7) of the fiber layer 3 are slightly protruded from the upper and lower ends of the side-reinforced rubber pad 2.例文帳に追加
この繊維層3の上端(トレッドに近い方の端)及び下端(ビード部7に近い方の端)は、それぞれ、サイド補強ゴムパッド2の上端及び下端から少しはみ出る。 - 特許庁
The upper electrode film 80 is provided to cover the substantially whole areas of an upper face and side faces of the piezoelectric layer 70 in an area opposed to each pressure generating chamber 12.例文帳に追加
上電極膜80は、圧力発生室12に対向する領域の圧電体層70の上面及び側面の略全域を覆って設けられている。 - 特許庁
Grooves 13 and 14 for hog rings are formed at least one of between the body part 11 and the upper layer parts 12a and between the upper layers 12a.例文帳に追加
そして、本体部11と上敷部12aとの間及び上敷部12aどうしの間の少なくとも一方の間にはホグリング用溝13、14が形成されている。 - 特許庁
To provide a method for inspecting a pattern highly accurately measuring a positional relationship between upper and lower layers even when a lower-layer pattern cannot be determined from the top of an upper-surface pattern.例文帳に追加
下層パターンを上面パターン上から判別できない場合であっても、上下層の位置関係を高精度に測定可能なパターン検査方法を提供すること。 - 特許庁
The resin insulation layer 108 exhibits a flat upper surface with upper surfaces of the respective metallic posts 109 exposed therein, and therefore mounting thereof as a semiconductor component member is facilitated.例文帳に追加
樹脂絶縁層108の上面は、金属ポスト109の上面が露出して平坦な状態とされ、半導体部品としての実装を容易にしている。 - 特許庁
Cathodes 11A are provided at an upper side of a glass substrate 10, and a light emitting layer 11C emitting light by applying a voltage is provided at an upper side of each cathode 11A.例文帳に追加
ガラス基板10の上側に陰極11Aが設けられ、陰極11Aの上側には、電圧の印加によって発光する発光層11Cが設けられている。 - 特許庁
A vapor layer height adjusting ring 5 and the coating vessel 6 are installed on a coating vessel receiving hole 2 and a coating vessel upper cap opening diameter adjusting disk 4 is installed on the coating vessel upper cap 1.例文帳に追加
塗工槽受け穴2に、蒸気層高さ調整リング5と塗工槽6を、また塗工槽上蓋1に塗工槽上蓋開口径調整円盤4を装着する。 - 特許庁
Thickness of this deposition layer 10 is about 10 μm at each thickest part of the center of the upper surface of the light emitting diode 6 and the bottom part of the upper surface of the primary sealing material 8.例文帳に追加
この堆積層10の膜厚は、発光ダイオード6の上面中央部及び1次封止材8の上面谷底部の最も厚い各部分で約10μmである。 - 特許庁
A vibrating plate 12 is laminated on the upper side of a channel unit 11 having a plurality of pressure chambers 23a so as to form a piezoelectric material layer 13 on the upper side of the vibrating plate 12.例文帳に追加
複数の圧力室23aを有する流路ユニット11の上側に振動板12を積層し、その振動板12の上側に圧電材料層13を形成する。 - 特許庁
Then, the fluorescent tube is vertically reversed, and the slurry made by dispersing the photocatalyst is similarly applied to it from its upper part, and it is dried to form an upper layer film.例文帳に追加
次に、蛍光管の上下を逆にして、同様に上方から光触媒を分散させたスラリーをフローコート法で塗布、乾燥させて上層膜を形成する。 - 特許庁
UPPER-EMISSION-TYPE ORGANIC EL ELEMENT, AND Al ALLOY SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING REFLECTION FILM WHICH CONSTITUTES ANODE LAYER OF THE UPPER-EMISSION-TYPE ORGANIC EL ELEMENT例文帳に追加
上部発光型有機EL素子および前記上部発光型有機EL素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるAl合金スパッタリングターゲット - 特許庁
The upper surface of the external layer part 11 is formed into a curved surface so that the upper surface can correspond to a curved surface from the shoulder to the rear head part of the user in a standing state.例文帳に追加
外層部11の上面は、使用者が起立状態にあるときの肩から後頭部に至る曲面に対応するように曲面に形成されている。 - 特許庁
Between the group of upper through-holes 7 and the group of lower through-holes 8, a resistive layer 9 is loaded over the whole periphery of the seal ring 3 as an upper part of the sidewall of the cavity.例文帳に追加
上部スルーホール群7と下部スルーホール群8との間には、抵抗体層9をキャビティの側壁上部であるシールリング3の全周に渡って装荷してある。 - 特許庁
Photodiodes 13 are formed on an upper face of an element forming region 32 of a silicon wafer 30, and a flattening layer 14 and a color filter 15 are laminated on upper faces of the photodiodes 13.例文帳に追加
シリコンウエハ30の素子形成領域32の上面にフォトダイオード13を形成した後、フォトダイオード13の上面に平坦化層14、カラーフイルタ15を積層する。 - 特許庁
Afterwards, a lower electrode pad 7 is formed on the partially exposed area of the metallic part 3, and an upper electrode 8 is partially formed on the upper face of the n-type GaN layer 6.例文帳に追加
この後、金属膜3の一部露出した領域の上に下部電極パッド7を設け、n型GaN層6の上面に部分的に上部電極8を形成する。 - 特許庁
First, the thermosensitive screen sheet 2 is attached to the upper frame 1 by adsorbing the film layer of the thermosensitive screen sheet 2 to an adsorbing sheet 14 stuck to the upper frame 1.例文帳に追加
まず、上枠1に接着された吸着シート14に、感熱式スクリーンシート2のフィルム層を吸着させて、上枠1に感熱式スクリーンシート2を取り付ける。 - 特許庁
When the insulating film and the upper-side electrode are formed based on a flat base layer, short-circuiting is surely avoided between the upper-side electrode and the magnetoresistance effect film.例文帳に追加
平坦な基層に基づき絶縁膜や上側電極が形成されていくと、上側電極と磁気抵抗効果膜との間で短絡は確実に回避されることができる。 - 特許庁
The thermoelectric conversion element is constituted by interposing an insulating layer 50 between an upper electrode 20 on the upper substrate side and n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18.例文帳に追加
熱電変換素子は、上部基板側の上部電極20とn型およびp型熱電半導体エレメント16,18との間に絶縁層50が介挿されて構成される。 - 特許庁
Each of the scintillator pixels includes an upper surface 62, a plurality of side surfaces 64, and a first layer 68 covering the upper surface and the side surfaces of the each scintillator pixel.例文帳に追加
各々のシンチレータ・ピクセルは、上面62と、複数の側面64と、各々のシンチレータ・ピクセルの上面及び側面を被覆する第一の層68とを含んでいる。 - 特許庁
Further, a conductive film for reducing the resistance of an upper pixel electrode is formed on the upper pixel electrode facing the lower pixel electrode across the organic EL layer.例文帳に追加
また、有機EL層を挟んで下部画素電極に対向する上部画素電極の上には、上部画素電極の抵抗を低減するための導電性膜が形成されている。 - 特許庁
The lower and upper clad layers 3 and 5 are formed by using a conductive oxide as a material and serve as the lower and the upper electrodes for applying voltage to the core layer 4.例文帳に追加
下部及び上部クラッド層3,5は、導電性酸化物を材料として形成されており、コア層4に電圧を印加するための下部及び上部電極を兼ねている。 - 特許庁
Namely, the upper electrode 35a is connected to an upper layer wire (Cu wire 42) through the dummy lower electrode 33b, a dummy cell plug 30, and the local wire 21b.例文帳に追加
すなわち、ダミー下部電極33b,ダミーセルプラグ30及び局所配線21bによって上部電極35aが上層配線(Cu配線42)に接続されている。 - 特許庁
In a silicon nitride film 4 and the layer 2, a recessed part 41, which is formed reaching an upper surface of a silicon substrate 1 from the upper surface of the silicon nitride film 4 is selectively formed.例文帳に追加
シリコン窒化膜4及び層2内には、シリコン窒化膜4の上面からシリコン基板1の上面に達して形成された凹部41が選択的に形成されている。 - 特許庁
The upper surface of the spacer 4 (epoxy resin) and the lower surface of the joining surface 34 (copper) of the upper electrode layer 3 are directly joined without using adhesive.例文帳に追加
そして、スペーサ4(エポキシ樹脂)の上面と上部電極層3の接合面部34(銅)の下面とは、接着剤が用いられることなく直接接合されている。 - 特許庁
When the installation of the tubular body 14 is installed, an airtight sheet 26 is installed so as to cover an upper part of a collecting pipe 16 and an upper part of the floating sludge layer 12.例文帳に追加
管体14の設置が終了すると、集合管16の上方および浮遊ヘドロ層12の上方を覆うようにして気密性シート26が設置される。 - 特許庁
For the phosphor layer, while the thickness can be uniform, the thickness of the part on the upper side of the gap between the LED chips is thinner than the thickness on the upper surface of the LED chip preferably.例文帳に追加
蛍光体層は、厚みが均一であってもよいが、好ましくは、LEDチップ間の間隙の上側の部分の厚みがLEDチップ上面の厚みよりも薄い。 - 特許庁
The watermarked multilayered combination paper is composed of an upper layer 3, an intermediate layer 2 of nonwoven fabric and an lower layer 1 and has watermark 5 provided on the upper layer 3 and/or the lower layer 1 and an opening 4a provided on the intermediate layer 2, wherein the opening 4a is located within the watermark 5's region.例文帳に追加
上層3、不織布から成る中間層2及び下層1から成る多層抄き合わせ紙であって、前記上層3及び/又は前記下層1に施されるすき入れ5と、前記中間層2に施される開口部4aとを有し、前記開口部は、前記上層3及び/又は前記下層1に施されるすき入れ5の領域に配置されることを特徴とするすき入れが施された多層抄き合わせ紙。 - 特許庁
A first lead for connecting a lower shielding layer and a first extraction electrode section and a second lead for connecting an upper shielding layer and a second extraction electrode section are so formed that the patterns for forming these leads bypass a heat sink layer without having an overlap area with the heat sink layer when the patterns are observed in a plane transmissive state toward the lower shielding layer from the upper shielding layer.例文帳に追加
下部シールド層と第1の引き出し電極部とを連結するための第1のリードおよび上部シールド層と第2の引き出し電極部とを連結するための第2のリードは、それぞれ、それらのリード形成パターンが、上部シールド層側から下部シールド層に向けて平面透過状態で観察した場合、ヒートシンク層との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層を迂回するように形成される。 - 特許庁
An yttria coating 50 covering a chamber 11 that the substrate treatment apparatus performing plasma etching on the wafer has comprises: an yttria base layer 51 laminated on an internal wall; and an yttria upper layer 52 laminated on at least part of the yttria base layer 51, wherein the structure of the yttria upper layer 52 is coarser than the structure of the yttria base layer 51 since sizes of particles constituting the yttria layer is ≥250 nm.例文帳に追加
ウエハWにプラズマエッチングを施す基板処理装置が備えるチャンバ11を被覆するイットリア皮膜50は、内壁に積層されたイットリア基層51と、該イットリア基層51の少なくとも一部に積層されたイットリア上層52とからなり、イットリア上層52の構造は、イットリア層を構成する粒子の大きさが250nm以上であることによりイットリア基層51の構造よりも疎である。 - 特許庁
The optical element is formed as follows; at least a birefringent layer having a structure fixed while liquid crystalline monomers having polymerizable group on the terminals are homeotropically aligned is formed on the upper surface of the substrate having light transparency, further, an isotropic layer constituted from the liquid crystalline monomer is formed on the upper surface of the birefringent layer and an additive layer formed on the upper surface of the isotropic layer is removed.例文帳に追加
本発明は、光透過性を有する基材上面に、末端に重合性基を有する液晶性モノマーをホメオトロピック配向させた状態で固定化してなる構造を有する複屈折率層を少なくとも形成し、さらに複屈折率層上面に上記液晶性モノマーから構成される等方層が形成されていると共に上記等方層の上面に形成される添加剤層を除去することにより形成される光学素子である。 - 特許庁
To prevent the corrosion of a high-saturation magnetic flux density layer when the upper surface of the high-saturation magnetic flux density layer formed by plating is made flat in the manufacturing of a thin film magnetic head having a high-saturation magnetic flux density layer made of a magnetic material containing Co and made flat for its upper surface.例文帳に追加
Coを含む磁性材料よりなり、上面が平坦化された高飽和磁束密度層を有する薄膜磁気ヘッドを製造する場合に、めっき法によって形成された高飽和磁束密度層の上面を平坦化する際における高飽和磁束密度層の腐食を防止する。 - 特許庁
This method includes a process providing a layer (a layer 108 in figures 1a-1d) which covers a substrate (a substrate 104 in figures 1a-1d), has an upper surface and contains tantalum pentoxide; and a process forming the structure containing tantalum and nitrogen by nitriding the upper surface of the layer of tantalum pentoxide.例文帳に追加
本方法は、基板(図1a−1dの基板104)を覆って、上部表面を有する五酸化タンタルを含む層(図1a−1dの層108)を提供する工程、および五酸化タンタルの層の上部表面を窒化して、タンタルおよび窒素を含む構造を形成する工程を含む。 - 特許庁
A stripped part 12 is formed on a base 4 for the stem for semiconductor laser by removing a part of an upper layer 9, while a heat sink 5 is protruded from the stripped part 12 whereby the stripped part 12 is not provided with a layer consisting of a material for forming the upper layer 9 or iron on the surface thereof.例文帳に追加
半導体レーザ用のステムのベース4には、その上層9の一部を除去することによってストリップ部12が形成されており、ヒートシンク5は、ストリップ部12から隆起することによって、その表面に上層9を形成する材料である鉄からなる層を有していない。 - 特許庁
The sample chuck 2 supporting the semiconductor sample 13 is provided with an upper side layer 6 formed of a semiconductor material and having a holding face 18 holding the sample, and a lower side layer 4 formed of a conductive material and laminated on the contrary side to the holding face of the upper side layer.例文帳に追加
半導体サンプル13を支持するサンプルチャック2は、半導体材料から形成されかつ前記サンプルを保持する保持面18を有する上側層6と、導電材料から形成されかつ前記上側層の前記保持面とは反対側に積層された下側層4とを備えている。 - 特許庁
An electroconductive GL (glass lining) composed of at least three glass lining layers of: a lower glass lining layer fired without adding an electroconductive substance to glass frit; an upper ordinary glass lining layer; and an upper electroconductive glass lining layer fired by adding an electroconductive substance to glass frit is produced.例文帳に追加
ガラスフリットに導電性物質を添加せずに焼成した下引きグラスライニング層及び上引き通常グラスライニング層と、ガラスフリットに導電性物質を添加して焼成した上引き導電性グラスライニング層の少なくとも三層のグラスライニング層から構成される導電性GLを作製した。 - 特許庁
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