「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

The plasma display panel provided with an upper panel and a lower panel facing each other with barrier ribs in between is composed of a first dielectric layer formed on the upper panel and a second dielectric layer which is formed on the above first dielectric layer by patterning and contains black pigment.例文帳に追加

隔壁を介して相対向する上部パネルと下部パネルを備えるプラズマディスプレイパネルにおいて、上部パネルに形成された第１誘電体層と、前記第１誘電体層上にパターニングされて形成され、ブラック顔料が含まれた第２誘電体層と、を備える構成とした。 - 特許庁

Moreover, in an optical waveguide which is equipped with a lower clad layer, a core which is embedded in a ditch formed on the lower clad layer and an upper clad layer, the optical waveguide is characterized in that ditches along the core are provided at both sides of the core by being separated by distance of 40μm or less from the upper end parts of the core.例文帳に追加

また下部クラッド層、クラッド層内に形成された溝部に埋め込まれたコア、および上部クラッド層を備えた光導波路であって、コアの両側ににコアに沿った溝がコア上端部から４０μｍ以下の距離を離間して設けられている光導波路である。 - 特許庁

This construction method for the floor structure icnludes: a process for forming a backing adjusting material layer on the upper face of the backing floor by using a backing adjusting material made of a polymer cement composition; and a process for providing a self-leveling material slurry hardened body layer on an upper face of the backing adjusting material layer by using a self-leveling material.例文帳に追加

下地床の上面に、ポリマーセメント組成物からなる下地調整材を用いて下地調整材層を設ける工程と、下地調整材層の上面に、セルフレベリング材を用いてセルフレベリング材スラリー硬化体層を設ける工程とを含む、床構造体の施工方法である。 - 特許庁

On a semiconductor substrate (21), lower-layer buried oxide films (42), a stress reducing film (43, 53), an upper-layer buried oxide film (44), and the SOI film (25) are formed sequentially and the coefficient of thermal expansion of the stress reducing film (43) is larger than the coefficient of thermal expansion of the upper-layer buried oxide film (44).例文帳に追加

半導体基板（２１）の上に、下層埋め込み酸化膜（４２）、応力緩和膜（４３、５３）、上層埋め込み酸化膜（４４）、ＳＯＩ膜（２５）の順に形成され、応力緩和膜（４３）の熱膨張係数が上層埋め込み酸化膜（４４）の熱膨張係数より大きい。 - 特許庁

The dye-sensitized solar battery includes a lower substrate and an upper substrate separated from each other, a semiconductor electrode layer arranged on the lower substrate, a dye layer adsorbed on a surface of the semiconductor electrode layer, and electrolyte solution arranged between the lower and the upper substrates.例文帳に追加

この染料感応太陽電池は、互いに離隔した下部基板及び上部基板と、下部基板上に配置された半導体電極層と、半導体電極層の表面に吸着された染料層と、下部及び上部基板間に配置される電解質溶液とを含む。 - 特許庁

Contrary to a case where the upper electrode layer 4 is composed of a semiconductor, ion doping for forming a semiconductor is not required when the upper electrode layer 4 is formed and thereby structural defects, e.g. a pinhole, incident to ion doping can be eliminated from the dielectric layer 3.例文帳に追加

上部電極層４を半導体で構成する場合とは異なり、上部電極層４を形成する際に、半導体を形成するために必要なイオンドープ処理が不要になるため、そのイオンドープ処理に起因して誘電絶縁層３にピンホール等の構造欠陥が生じなくなる。 - 特許庁

The film for forming a resist pattern by ionizing radiation lithography has at least one upper layer on a resist layer formed on a substrate and a composition in the upper layer contains an amphiphilic polymer selected from polyvinyl alcohol, polyvinylamine, polyallylsulfonic acid, cellulose, etc.例文帳に追加

電離放射線リソグラフィーよるレジストパターンの形成用膜において、基板上に形成したレジスト層上に少なくとも一層の上層を有し、上層中の組成物にはポリビニルアルコール、ポリビニルアミン、ポリアリルスルホン酸、セルロースなどから選ばれた両親媒性ポリマーを含有するレジストパターン形成用膜。 - 特許庁

Under the condition that the etching stop layer 104 keeps its function to stop etching for the second upper clad layer 106, laser beam absorption inhibiting impurities are diffused into the second upper clad layer 106 along a region where a light exiting end face 150 is provided (first annealing).例文帳に追加

エッチングストップ層１０４が第２上クラッド層１０６のためのエッチングを停止させる機能を維持する条件下で、レーザ光吸収抑制用の不純物を、光出射端面１５０を形成すべき領域に沿って第２上クラッド層１０６に拡散させる（第１アニール）。 - 特許庁

This liquid crystal display device includes an overcoat layer 25 formed on the upper side of the transmission display region 6 and on the upper side of the reflection display region 7 of the CF substrate 2, and a liquid crystal layer 1 which is formed between the TFT substrate 3 and the overcoat layer 25 and has a positive type liquid crystal.例文帳に追加

そして、ＣＦ基板２の透過表示領域６上側および反射表示領域７上側に形成されたオーバーコート層２５と、ＴＦＴ基板３とオーバーコート層２５との間に挟まれて形成され、ポジ型液晶を有する液晶層１とを備える。 - 特許庁

Subsequently, the photosensitive resin layer on an upper part of the support frame 107 and at an area of the fine structure body 106 is removed, and a sacrifice layer 111 in which an upper surface of the support frame 107 is exposed and the area of the fine structure body 106 is removed is formed on the insulation layer 103.例文帳に追加

次に、支持枠１０７の上部および微細構造体１０６の領域の感光性樹脂層を除去し、支持枠１０７の上面が露出し、かつ微細構造体１０６の領域が除去された犠牲層１１１が、絶縁層１０３の上に形成された状態とする。 - 特許庁

The image forming member includes an image forming layer 10, an upper drawn polymer sheet 12, a stuck adhesion layer 14 which comes into contact with the upper polymer sheet and also into contact with a lower drawn polymer sheet 16, and a positioning adhesive 16 which comes into contact with the reverse side of the lower polymer sheet in order from a top surface layer.例文帳に追加

表層から順に、画像形成層１０、上部延伸ポリマーシート１２、前記上部ポリマーシートと接しかつ下部延伸ポリマーシート１６とも接する貼り合せ接着層１４、および前記下部ポリマーシートの下側と接する位置決め接着剤１６を含んでなる画像形成部材。 - 特許庁

A portion of light beam L2 made incident on the thin film transistor array substrate without being orthogonal to the light transmissive substrate is never made incident on a polycrystalline silicon film 5 forming a TFT by reflected by an upper light shielding layer 12 and the like since the lower light shielding layer has a width wider than that of the upper light shielding layer 12.例文帳に追加

光透過性基板に直交せずに薄膜トランジスタアレイ基板内に入射した光Ｌ２は、下部遮光層が上部遮光層１２よりも幅広であるため、上部遮光層などで反射されてＴＦＴを成す多結晶シリコン膜５に入射することがない。 - 特許庁

The semiconductor wafer includes: the support substrate 1; a first nitride-based semiconductor layer 2 of a group III nitride-based semiconductor of which an upper surface 2b becomes at least a single crystal; and a second nitride-based semiconductor layer 3 that is provided on the upper surface 2b of the first nitride-based semiconductor layer 2 and contains nitrogen and gallium.例文帳に追加

支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 - 特許庁

In an area where wiring 440 is disposed, an outer peripheral end of an upper charge selective transmission layer 402 is disposed inside an outer peripheral end of a bias electrode 440, so that the outer peripheral end of the bias electrode 401 comes in direct contact with a photoconductive layer 404 not through the upper charge selective transmission layer 402.例文帳に追加

上部電荷選択透過層402の外周端は、配線440が配置された領域において、バイアス電極401の外周端の内側に位置するのでバイアス電極401の外周端が上部電荷選択透過層402を介することなく、直接、光導電層404に接触する。 - 特許庁

When settlement is caused in the ground 3 under the padding layer 2 supporting the upper structure 1, a surface of the ground 3 is dried, and the padding layer 2 is lifted including the upper structure 1, and a repairing padding material 4 is padded in a void 4 between the padding layer 2 and the ground 3.例文帳に追加

上部構造１を支持するてん充層２の下の地盤３に沈下が生じたときに、地盤３の表面を乾燥させると共に、てん充層２を上部構造１ごと上昇させ、前記てん充層２と前記地盤３との間の空隙４に補修用てん充材４をてん充する。 - 特許庁

This is the insulated film 3 having a covered layer 2 consisted of a thermosetting resin on upper and lower faces of a liquid crystal polymer layer 1, and the liquid crystal polymer layer 1 has concavities with the diameter of 0.1-3 μm and the depth of 0.05-2.5 μm 1-25 with a density of pieces/10 μm^2 in that upper and lower faces.例文帳に追加

液晶ポリマー層１の上下面に熱硬化性樹脂から成る被覆層２を有する絶縁フィルム３であって、液晶ポリマー層１は、その上下面に直径が０．１〜３μｍで深さが０．０５〜２．５μｍの凹部を１〜２５個／１０μｍ^２有することを特徴とする。 - 特許庁

The optical disc comprises: a substrate (11) in which phase pits are formed on one surface which is a surface on a side opposed to the SIL; a metal flim (12) laminated on an upper layer of the one surface; a dielectric film (13) laminated on the metal film; and a protective layer (14) laminated on an upper layer of the dielectric film.例文帳に追加

光ディスクは、ＳＩＬと対向する側の面である一の面に、位相ピットが形成された基板（１１）と、該一の面の上層に積層された金属膜（１２）と、該金属膜の上に積層された誘電体膜（１３）と、該誘電体膜の上層に積層された保護層（１４）とを備える。 - 特許庁

The upper layer 13 is composed of NiFe, a simple substance of nickel, an NiFeX termary alloy (where X indicates chromium, cobalt, or copper), CoFe or copper, and it functions to promote the crystal growth of an antiferromagnetic layer 15 formed on the upper layer 13 itself in the direction of <111>.例文帳に追加

上部層１３は、ＮｉＦｅ、ニッケル単体、三元合金であるＮｉＦｅＸ（Ｘは、クロム，コバルトまたは銅のいずれか）、ＣｏＦｅまたは銅などからなり、自らの上に形成される反強磁性層１５における＜１１１＞方向の結晶成長を促進するように機能する。 - 特許庁

An upper part 10a and a bottom part 10b have a three-layer lamination structure including: a soft layer 11 such as felt on the inner side of a folding bag 10, contacting with an electronic device P; an external layer with durability such as leather; and hard intermediate layers for structurally supporting the upper part and the bottom part of a cover.例文帳に追加

上部１０ａ及び底部１０ｂは、電子装置Ｐと接触する折りかばん１０内側のフェルトなどの軟質層１１、革などの耐久性のある外側層、ならびにカバーの上部及び底部に構造的支持をもたらす堅い中間層からなる３層積層構造を備える。 - 特許庁

The laser trimmable capacitor is formed by laminating a lower electrode 3, an organic resin-made dielectric layer 5 and an upper electrode 6 on a base board 1, and an SiO2 contact layer A is formed between the dielectric layer 5 and the upper electrode 6.例文帳に追加

ベース基板１上に、下側電極３、誘電体層５、上側電極６を順次積層してなるとともに、誘電体層５が有機樹脂からなるレーザートリマブルコンデンサであって、誘電体層５と上側電極６との間に、ＳｉＯ_2からなる密着層Ａが形成されている。 - 特許庁

The cover 10 consists of a lower layer and an upper layer .The upper layer is made of flexible rubber so that friction with a putter made of hard rubber is increased.例文帳に追加

具体的には、コアー９とカバー１０よりなる球のカバーの部分を、下層と上層に作り分け、この上層を柔軟なゴムで作り、先に出願した硬質ゴム製のパターのヘッドとこすれ合う様にし、カット打ちなる言葉がパット界に登場し、且つ、定着する事を願う、というものである。 - 特許庁

The upper surface of the most upper layer of this layered product is processed in irregular surface S in partial or whole area, and a p-side electrode P102 is formed for filling hole into the p-type nitride semiconductor layer 104 in the second n-type nitride semiconductor layer 105.例文帳に追加

前記積層体の最上層の上面は一部または全部が凹凸面Ｓとされており、かつ、前記第２のｎ型窒化物半導体層１０５には、前記ｐ型窒化物半導体層１０４へ正孔を注入するためのｐ側電極Ｐ１０２が形成されている。 - 特許庁

The adaptor 10 includes a flat dielectric layer 11, first and second line conductors 12, 14 formed on the upper face and the lower face of the flat dielectric layer 11, and first and second ground planes 18, 15 formed on the lower face and the upper face of the flat dielectric layer 11.例文帳に追加

アダプタ１０は、平板状誘電体層１１と、平板状誘電体層１１の上面，下面上に形成された第１，第２線路導体１２，１４と、平板状誘電体層１１の下面，上面上に形成された第１，第２グランドプレーン１８，１５とを備えている。 - 特許庁

When controlling the film thickness of the insulating film on the upper layer of the metal wiring 110 for the fuse by etching the metal wiring insulating film 140 on that upper layer, the depth of a groove 170 generated by etching is exactly controlled by the etching stop film 180, and the insulating film on the upper layer of the metal wiring 110 for fuse is formed with proper film thickness.例文帳に追加

その上層の金属配線間絶縁膜１４０をエッチングしてヒューズ用金属配線１１０の上層の絶縁膜の膜厚を調整する際に、エッチング停止膜１８０によってエッチングによる溝１７０の深さを正確に制御し、ヒューズ用金属配線１１０の上層の絶縁膜を適正な膜厚に形成する。 - 特許庁

The optical transparent tach panel comprises an upper substrate 11 having an upper conductive layer 12 formed under the substrate, and a lower substrate 13 having a lower conductive layer 13 formed on the substrate facing to the lower conductive layer 14 with a fixed space therebetween, wherein a plurality of surface conductive layers 17A to 17D are formed on the upper substrate 11.例文帳に追加

下面に上導電層１２が形成された上基板１１と、上面にこの上導電層１２と所定の間隙を空けて対向する下導電層１４が形成された下基板１３からなり、この上基板１１の上面に複数の表面導電層１７Ａ〜１７Ｄを形成して光透過性タッチパネルを構成する。 - 特許庁

A test element group consists of a plurality of parallel lower- layer wiring 12 formed a the upper portion of a substrate, where a semiconductor integrated circuit is formed, an interlayer insulating film 13 for covering the area between the lower layer wiring and an upper portion, and comb-shaped upper-layer wiring 14 and 15 which is formed on the interlayer insulating film 13, while opposing each other independently.例文帳に追加

半導体集積回路が形成された基板の上部に形成された複数の平行な下層層配線１２と、下層配線間及び上部を覆う層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３上に形成され、互いに独立して対向する櫛歯状の上層配線１４，１５とでテストエレメントグループが構成されている。 - 特許庁

The wiring board includes: a first insulation layer 10; first upper wires 11-17 embedded in the upper part of the first insulation layer 10; first lower wires 21-27 embedded in the lower part of the first insulation layer 10; and central vias 31 and 32 comprising solder balls connecting the upper wires 12 and 16 with the lower wires 22 and 26.例文帳に追加

第１の絶縁層１０と、第１の絶縁層１０の上部に埋設された第１の上部配線１１〜１７と、第１の絶縁層１０の下部に埋設された第１の下部配線２１〜２７と、第１の上部配線１２，１６と第１の下部配線２２，２６とを接続する半田ボールからなる中央ビア３１，３２とを備える。 - 特許庁

The piezoelectric resonator 1 has a substrate 11, a lower barrier layer 12 provided below the substrate 11, an upper barrier layer 13 provided on the substrate 11, a lower electrode 14 provided on the upper barrier layer 13, a piezoelectric thin film 15 provided on the lower electrode 14, and an upper electrode 16 provided on the piezoelectric thin film 15.例文帳に追加

圧電共振子１は、基体１１と、基体１１の下に配置された下部バリア層１２と、基体１１の上に配置された上部バリア層１３と、上部バリア層１３の上に配置された下部電極１４と、下部電極１４の上に配置された圧電薄膜１５と、圧電薄膜１５の上に配置された上部電極１６とを備えている。 - 特許庁

This thin film magnetic head is provided with at least an inductive writing head element including an upper core layer magnetically coupled to an upper magnetic pole for its front end, a lower core layer magnetically coupled to a lower magnetic pole for its front end, a coil conductor inserted between the upper and lower core layers, and a coil insolating layer formed by sandwiching the coil conductor.例文帳に追加

前端部で上部磁極に磁気的に結合している上部コア層と、前端部で下部磁極に磁気的に結合している下部コア層と、上部コア層及び下部コア層間に挿通しているコイル導体と、コイル導体を挟んで形成されたコイル絶縁層とを含むインダクティブ型書込みヘッド素子を少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドである。 - 特許庁

A p-type layer 27 having a lower impurity concentration than a substrate p+ layer 26 using a high concentration p-type semiconductor substrate (e.g. silicon substrate) is formed on the substrate p+ layer 26 with n-type photoelectric conversion regions 14 provided at upper portions of the p-type layer 27.例文帳に追加

高濃度のＰ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である基板Ｐ^+層２６上に、基板Ｐ^+層２６よりも不純物濃度が低いＰ型層２７を形成し、Ｐ型層２７の上側位置にＮ型光電変換領域１４を設ける。 - 特許庁

A high-oxygen-concentration layer 29 for forming high-oxygen-concentration layers 9, 19 for prevention of a silicide reaction and for preventing the silicide reaction even in the upper part of the polysilicon layer 5 is formed in a surface layer of the silicon substrate 1 provide on a side of the polysilicon layer 5.例文帳に追加

シリコン基板１のポリシリコン５側の表層部には、シリサイド反応を阻止するための高酸素濃度層９，１９を形成すると共に、ポリシリコン５の上部にもシリサイド反応を阻止するための高酸素濃度層２９を形成している。 - 特許庁

To provide a method of forming a copper wiring layer, which makes it possible to form a copper wiring layer that has a uniform film thickness and is free from disconnection of wiring and generation of leak current between the copper wiring layer and an upper wiring layer in all conductive regions across a wide area.例文帳に追加

広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

Organic light-emitting devices 10R, 10G and 10B are provided with a first electrode layer 13, a lower part organic layer 14, an upper part organic layer 15 and a second electrode 16 on a concave part 121 of a flat insulation layer 12 fitted on a base body 11, in this order.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、基体１１に設けられた平坦化絶縁層１２の凹部１２１に、第１電極層１３、下部有機層１４、上部有機層１５および第２電極１６が順に設けられたものである。 - 特許庁

Desirably, the mixed layer is formed in such a manner that, after the carbonaceous material is charged to the upper part of the sintering raw material layer on both the edge parts in the width direction of the sintering pallet, the surface of the sintering raw material layer is flattened, and the thickness of the mixed layer is preferably ≤50 mm.例文帳に追加

焼結パレットの幅方向両端部の焼結原料層上部に炭材を装入した後に焼結原料層表面を平坦化することで混合層を形成し、混合層の厚さが５０ｍｍ以下であることが望ましい。 - 特許庁

The part of a conductive layer 9 forming electrodes to be connected to an MR element in the groove formed between the lower shielding layer 5, and the 1st part 6a of the upper shielding layer are arranged in a state in which it is insulated by an insulator layer 8.例文帳に追加

下部シールド層５と上部シールド層の第１の部分６ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層９の一部が、絶縁膜８によって絶縁された状態で配置される。 - 特許庁

A reflection layer 1A is formed on an upper side of a lower base 11, and the reflection layer has a resin layer 6 where a surface on the liquid crystal layer side has recessed and projecting patterns regulated in advance and a reflection film 4A formed on the recessed and projecting patterns.例文帳に追加

下側基板１１の上側には反射層１Ａが形成されており、反射層は液晶層側の面が予め規定された凹凸パターンを有している樹脂層６と、凹凸パターン上に形成された反射膜４Ａとを有している。 - 特許庁

A p type AlInP capacity reduced layer 100 of which the impurity concentration is lower than that of a p type AlGaInP 1st upper clad layer 14 is formed between the layer 14 and an n type AlInP current block layer 102.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１４とｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０２との間に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１４より不純物濃度が低いｐ型ＡｌＩｎＰ容量低減層１００を設ける。 - 特許庁

Because of this, it is possible to arrange the first auxiliary active layer 7 and the second auxiliary active layer 8 in the position of the antinode of a standing wave where the amplitude of light is large without extending an optical length Lo between the lower reflective layer 4 and the upper reflective layer 5.例文帳に追加

これにより、下部反射層４と上部反射層５との間の光学長Ｌoを延長することなく、第１の副活性層７および第２の副活性層８を光の振幅が大きい定在波の腹の位置に配置することができる。 - 特許庁

Contact between the second electrode and the second semiconductor layer is non-ohmic, and the second electrode has a stacked structure including a lower layer and an upper layer whose contact resistance with the light-transmissive electrode is lower than that of the lower layer, part of the second electrode being exposed through an opening formed in the light-transmissive electrode.例文帳に追加

第２電極は、下層と、透光性電極に対する接触抵抗が下層よりも低い上層とを含む積層構造を有し、透光性電極に形成された開口部においてその一部が露出している。 - 特許庁

The contact hole 69 having an area (upper-opening area) smaller than that of the n-type semiconductor layer 71 is formed in the insulating layer (66, 68) and the p-type semiconductor layer 64 and the i-type semiconductor layer 70 contact with each other through the contact hole 69.例文帳に追加

絶縁層（６６，６８）にｎ型半導体層７１の面積よりも小さい面積（上部開口面積）のコンタクトホール６９を形成し、当該コンタクトホール６９を介してｐ型半導体層６４とｉ型半導体層７０が接するようにする。 - 特許庁

A PIN diode 212 is constituted on an insulation film 44 by sequentially laminating a lower electrode 212a, an N-type semiconductor layer 212b, a light receiving layer 212c made of a polysilicon layer, a P-type semiconductor layer 212d, and an upper electrode 212e.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード２１２は、絶縁膜４４上に順に積層された下電極２１２ａ、Ｎ半導体層２１２ｂ、ポリシリコン層からなる受光層２１２ｃ、Ｐ型半導体層２１２ｄ、及び上電極２１２ｅを備えて構成されている。 - 特許庁

The voids can be formed by forming a resistance adjustment layer formed of heat-resistant inorganic fine particles on the light absorption layer, and forming the metal film tightly on the upper surface of the resistance adjustment layer through the smooth resin layer.例文帳に追加

また、光吸収層の上に耐熱性無機微粒子から成る抵抗調整層を形成し、この抵抗調整層の上面に平滑性樹脂層を介して金属膜を密接・形成することで、前記空隙を形成することもできる。 - 特許庁

Temperature of a flowing layer is controlled to be more than about 80°C by using oxygen of more than 90% concentration in the waste gasifying melting furnace of a vertical coke bed method that an upper part of a sedimentary layer of the waste is the flowing layer and a lower part is a moving layer.例文帳に追加

廃棄物の堆積層の上部が流動層で下部が移動層の竪型のコークスベッド方式の廃棄物ガス化溶融炉において、酸素濃度９０％以上の酸素を用いて流動層の温度を約８００℃以上に制御する。 - 特許庁

An edge of the light reflection layer 109 is self-aligned to an edge of the color filter 110 positioned at the upper layer and further an edge of each transparent electrode 112 is self-aligned to an edge of the light reflection layer 109 positioned at the lower layer.例文帳に追加

光反射層１０９のエッジは上層に位置するカラーフィルタ１０９のエッジに対して自己整合しており、かつ、各透明電極１１２のエッジは下層に位置する光反射層１０９のエッジに対して自己整合している。 - 特許庁

A magnetic cover material for the magnetic passbook has a magnetic recording layer 2 formed at least partially on one side of synthetic paper 1 of 50-300 μm and is provided with a hiding layer 3 on the whole surface of the upper layer of the recording layer.例文帳に追加

５０μｍ以上、３００μｍ以下の合成紙１の一方の面に少なくても部分的に形成された磁気記録層２を有し、その上層の全面に隠蔽層３を備えたことを特徴とする磁気通帳用磁気表紙材料。 - 特許庁