「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

The buried oxide layer and the semiconductor layer are removed from a first region of the SeOI wafer while maintaining the buried oxide layer and the semiconductor layer in a second region of the SeOI wafer to form an upper transistor in the second region.例文帳に追加

ＳｅＯＩウェーハの第２の領域の埋め込み酸化物層および半導体層を維持しながらＳｅＯＩウェーハの第１の領域から埋め込み酸化物層および半導体層を除去し、第２の領域に上部トランジスタを形成する。 - 特許庁

A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed through high-frequency sputtering of argon-ozone mixed gas in an atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer 3.例文帳に追加

下部電極層２と上部電極層４との間に配置された薄膜誘電体層３を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴン−オゾン混合ガスの雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。 - 特許庁

To provide packaged two-layer jelly having clear interface between an upper layer gel and a lower layer gel, and also visually enjoyable, and to provide a method for stably producing the packaged two-layer jelly with an easy method.例文帳に追加

上層のゲルと下層のゲルとの界面が明瞭でありながら、視覚的にも楽しめる容器入り二層ゼリー、及び、そのような容器入り二層ゼリーを、簡単な方法で、安定して得ることができる、容器入り二層ゼリーの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The wiring structure of a semiconductor integrated circuit comprises a fixed layer on which common wiring independent of a user circuit is formed, and a customize layer located on the upper layer of the fixed layer and on which wiring dependent on the user circuit is formed.例文帳に追加

本発明にかかる半導体集積回路の配線構造は、ユーザ回路に依存しない共通の配線が形成された固定層と、固定層の上層に位置し、ユーザ回路に依存する配線が形成されたカスタマイズ層とを備えている。 - 特許庁

This stack 11 has a structure wherein a plurality of the cells 1 are stacked by interlaying collectors 12; and each collector 12 has a three-layer structure comprising an upper conductive layer, an insulation layer and a lower conductive layer, and is formed into a shape having a corrugated form or having a plurality of uneven parts.例文帳に追加

スタック１１は、セル１を集電体１２を介して複数積み重ね、集電体１２が、上部導電層、絶縁層、下部導電層の三層構造で波形或いは複数の凹凸を有する形状に形成された構成を有する。 - 特許庁

After the flame spray material layer 11 is formed to the middle of the recessed part 1, a coke oven is operated in this state, carbon 4 is deposited on the flame spray material unpacked portion of the recessed part 1 to form a carbon layer 12 to become an upper layer on the flame spray material layer 11.例文帳に追加

溶射材層１１を凹部１の途中まで形成したうえに、この状態でコークス炉を操業して、凹部１の溶射材未充填部にカーボン４を付着させて溶射材層１１の上に、上層となるカーボン層１２を形成する。 - 特許庁

A soaking layer 12 made of non-magnetic metal is stacked on the upper surface of a heating layer 11 made of magnetic shunt alloy and an auxiliary layer 13 made of magnetic metal is stacked on the lower surface of the heating layer 11 to form induction heating material 10.例文帳に追加

整磁合金材料からなる発熱層１１の上面に非磁性金属材料からなる均熱層１２を積層し、発熱層１１の下面に磁性金属材料からなる補助層１３を積層して誘導発熱材１０を形成する。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel which has a phosphor layer made by a gas phase deposition method, the phosphor layer consists of a lower layer which has a spherical crystal structure and an upper layer which has a columnar crystal structure.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍光体層が、球状結晶構造を有する下層と柱状結晶構造を有する上層とから構成されている放射線像変換パネル。 - 特許庁

An upper electrode 12 connected to a pixel electrode 95 has a high-fusion-point metal layer 12b as its top layer and an Al metal layer 12a consisting mainly of Al as the 2nd layer from the top at least in an area where it is connected to the pixel electrode 95.例文帳に追加

画素電極９５と接続する上部電極１２は、少なくとも画素電極９５と接続する領域では、最上層を高融点金属層１２ｂ、上から２番目の層をＡｌを主成分とするＡｌ金属層１２ａとする。 - 特許庁

The thin film transistor (TFT) substrate includes a gate electrode 33 of a laminate structure constituted of an AlN film 51 as a nitrogen containing layer; an Al film 50 as a main wiring layer; and an upper layer wiring layer composed of a MoN film 54 and a Mo film 53.例文帳に追加

ＴＦＴ基板は、窒素含有層としてのＡｌＮ膜５１と、主配線層としてのＡｌ膜５０と、ＭｏＮ膜５４とＭｏ膜５３とからなる上層配線層とにより構成された積層構造のゲート電極３３を有している。 - 特許庁

This hologram laminate has a constitution wherein a transparent film 3, an adhesive layer 2, a hologram layer 1, an adhesive layer 6, a transparent film 7, an adhesive layer 8 and a sheet (a) 9 for release are laminated in this sequence from the upper side and wherein the sheet (a) 9 for release is colored.例文帳に追加

上側から、透明フィルム、粘着材層、ホログラム層、粘着材層、透明フィルム、粘着材層、剥離用シート（ａ）がこの順に積層されているホログラム積層体であって、前記剥離用シート（ａ）が着色しているような構成とする。 - 特許庁

A defect classification defining section 221 defines a region that classifies defects on a surface of the inspected device, by using layout design data corresponding to a layer formed on the inspected device and a layer formed in an upper layer or lower layer thereof.例文帳に追加

欠陥分類定義部２２１は、被検査デバイスにそのとき形成されているレイヤおよびその上層または下層に形成されたレイヤに対応するレイアウト設計データを用いて、被検査デバイスの表面に欠陥を分類する領域を定義する。 - 特許庁

To prevent an alignment layer from being defectively coated due to the level difference of an upper layer caused by forming a light shield layer, or being subjected to an uneven rubbing processing, and also to prevent a counter electrode from being cracked in an optoelectronic device having the light shield layer.例文帳に追加

遮光膜を有する電気光学装置において、該膜を形成することにより生じる上層の段差に起因した配向膜の塗布不良、あるいは該膜に対するラビング処理の不均一化、また、対向電極のクラックを生じさせない。 - 特許庁

A spacer layer 14 is provided along both side faces of wiring layers 13A and 13B on the upper surface side of an adhesive layer 40 and a spacer layer 24 is provided along both side surfaces on wiring layers 23A and 23B on the lower surface side of the adhesive layer 40.例文帳に追加

接着層４０の上面側の配線層１３Ａ，１３Ｂの両側面に沿ってスペーサ層１４が設けられると共に、接着層４０の下面側の配線層２３Ａ，２３Ｂの両側面に沿ってスペーサ層２４が設けられている。 - 特許庁

The lower insulating layer 302 has a high thermal conductivity compared with the substrate 301, so that the heat accumulated at the lower wiring layer 303 by the laser when an opening in the upper insulating layer 304 is formed is released, and the lower wiring layer 303 is prevented from fusing and peeling.例文帳に追加

下部絶縁層３０２は基板３０１に比べ熱伝導率が高く上部絶縁層３０４の開口形成時にレーザによる下部配線層３０３に溜った熱を放熱し下部配線層３０３の溶解や剥がれを防ぐ。 - 特許庁

The package body comprises a package body 6 as a lower layer which directly seals the optodevice and a package body 7 as an upper layer which overlies the lower layer for sealing and the package body as the lower layer is made of a stress-reduced thermosetting resin.例文帳に追加

前記パッケージ体を、前記オプトデバイスを直接密封する下層のパッケージ体６と、この下層に重ねて密封する上層のパッケージ体７とに構成して、前記下層のパッケージ体を、低応力化した熱硬化性合成樹脂にする。 - 特許庁

The thin film magnetic head includes at least an MR read head element having the upper and lower shield layers and an MR layer formed between the upper and the lower shield layers, wherein the upper shield layer appearing on an ABS has obtuse or round shapes at upper angle parts of ends in a track width direction.例文帳に追加

下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層間に形成されたＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子を少なくとも含む薄膜磁気ヘッドであって、上部シールド層のＡＢＳに現れる形状が、トラック幅方向端の上側角部において鈍角形状又は丸みを帯びた形状を有する。 - 特許庁

To provide an upper-layer film forming composition that forms an upper-layer film which has a small bubble defect while having large receding contact angle and small advancing contact angle, i.e. having a higher scanning speed.例文帳に追加

後退接触角が高くかつ前進接触角が低い、つまり、スキャン速度を上げることが可能な上層膜にもかかわらず、バブル欠陥が少ない上層膜を形成することが可能な上層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

The thermally conductive material layer 8 comprising the thermally conductive adhesive is formed on the upper surface of the heater chip 4 and each temperature sensor chip 6a, 6b, and the upper surface of the measuring part including the pipe 2 is covered with the thermally conductive material layer 8.例文帳に追加

ヒータチップ４及び温度センサチップ６ａ，６ｂの上面に熱伝導性接着剤からなる熱伝導性材料層８が形成されており、配管２を含む測定部の上面は熱伝導性材料層８で覆われている。 - 特許庁

The via hole 21 comprises an upper hole part 21A penetrating the second insulating layer 17, and a lower hole part 21B having a larger cross-section than the upper hole part 21A, and penetrating the first insulating layer 15 to be connected to the lower pad 1302.例文帳に追加

ビアホール２１は、第２の絶縁層１７を貫通する上ホール部２１Ａと、上ホール部２１Ａよりも大きい断面で第１の絶縁層１５を貫通し下部パッド１３０２に接続された下ホー部２１Ｂとで構成されている。 - 特許庁

Preferably, in the pavement structure, the conduit pipe is embedded in the second impervious pavement layer along the road end structure, and an upper surface of the conduit tube is flush with an upper surface of the second impervious pavement layer.例文帳に追加

そして、導水管が道路端部構造物に沿って配設された状態で第２不透水性舗装層に埋め込まれており、導水管の上面が第２不透水性舗装層の上面と同じ高さ位置となっている舗装道路構造。 - 特許庁

Accordingly, it is possible to match the time information in the upper layer of the equipment 2 with the time information in the upper layer of the equipment 3 without matching the synchronization timings in the synchronization communication network.例文帳に追加

したがって、同期通信網における同期タイミングを整合させることなく、送信元通信機器２の上位層における時刻情報と、受信先通信機器３の上位層における時刻情報とを同期させることが可能となる。 - 特許庁

Then, the time information of the upper control layer of the equipment 2 is matched with the time information of the upper layer of the equipment 3 on the basis of the compared value of the equipment 2 and the compared value of the communication apparatus 1.例文帳に追加

そして、送信元通信機器２の比較値と通信装置１の比較値とに基づいて、送信元通信機器２の上位制御層の時刻情報と受信先通信機器３の上位層の時刻情報とを整合させる。 - 特許庁

Alternatively, in the pavement structure, the conduit pipe is embedded in the draining pavement layer along the road end structure, and the upper surface of the conduit tube is located at a height lower than an upper surface of the draining pavement layer.例文帳に追加

そして、導水管が、道路端部構造物に沿って配設された状態で排水性舗装層に埋め込まれており、導水管の上面が排水性舗装層の上面より低い高さ位置となっている舗装道路構造。 - 特許庁

Further, the solid-state image pickup device includes a first reflection preventing layer 113a which prevents reflection of light on the upper surface of the first light receiving part, with no rough formed on the upper surface of the first reflection preventing layer 113a.例文帳に追加

また、固体撮像素子は、第１の受光部の上面における光の反射を防止する第１の反射防止層１１３ａを備えており、第１の反射防止層１１３ａの上面は凸凹に形成されている。 - 特許庁

Resistance layers 21 and 22 are arranged in a partial area of a yoke part 13B of the upper magnetic pole layer 13 except the part in the vicinity of the connection part to a magnetic pole part 13A and that to the upper magnetic pole layer.例文帳に追加

抵抗層２１，２２は、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分および下部磁極層との連結部の近傍の部分を除いた一部の領域に配置されている。 - 特許庁

In order to manufacture a piezoelectric actuator unit 33, a recess 51b is formed on an upper surface of a flexible layer 51 in a COF (Chip On Film) 50, then a thermal contraction curing material 56 is stuck to the upper surface of the flexible layer 51 so as to cover the recess 51b.例文帳に追加

圧電アクチュエータユニット３３を製造するには、ＣＯＦ５０において、フレキシブル層５１の上面に凹部５１ｂを形成し、続いて、フレキシブル層５１の上面に、凹部５１ｂを覆うように熱収縮硬化材５６を接着する。 - 特許庁

Because the nodes that have received the notification recognize that the path is disconnected sometime in the future, if there are nodes that use a path of an upper layer routed by using the path with their own node as a starting point, the nodes have the path of the upper layer bypassed.例文帳に追加

その通知を受けたノードはそのパスがいずれ切断されることを知るので、そのパスを使ってルーティングされている上位レイヤのパスで自ノードを起点としているものがあれば、その上位レイヤのパスを迂回させる。 - 特許庁

Or lower layer wires respectively interconnecting a plurality of the fuses and an internal circuit at the outside of the guard ring are provided to the lower part of the guard ring, and upper layer wires respectively interconnecting a plurality of the fuses and the internal circuit are provided to an upper part of the guard ring.例文帳に追加

または、ガードリングの下方に、複数のヒューズとガードリングの外側にある内部回路をそれぞれ接続する下層配線を設け、ガードリングの上方に、複数のヒューズと内部回路をそれぞれ接続する上層配線を設ける。 - 特許庁

Since the electrode terminal is constituted of divided upper layer electrodes 2E and the lower electrode 1E connecting them in the connection structure, waviness of the upper layer electrodes 2E can be suppressed and characteristics of the electronic device can be enhanced.例文帳に追加

かかる構造によれば、電極端子を分割された上層電極〔2E〕とそれらを接続する下層電極〔1E〕とで構成したので、上層電極〔2E〕の波状化を抑制し、電子デバイスの特性を向上させることができる。 - 特許庁

To decrease the aspect ratio of a contact hole in an SiO_2 cover layer when a fine capacitive element composed of an upper electrode, a dielectric, a lower electrode and a barrier layer is manufactured by etching using an SiO_2 hard mask formed on the upper electrode.例文帳に追加

上部電極／誘電体／下部電極／バリア層からなる微細な容量素子を、上部電極上に形成したＳｉＯ_2ハードマスクを用いてエッチングにより製造する際に、ＳｉＯ_2カバー層のコンタクト孔のアスペクト比を抑制する。 - 特許庁

Further, the first covering layer 21 is formed so that it covers the entire side of at least the semiconductor substrate 11, the lower end is positioned up to an insulating layer 12, and the upper end is extended to the upper surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

更に、第１被覆層２１は少なくとも半導体基板１１の側面全域を被覆するように形成され、その下端は絶縁層１２まで位置し、上端は半導体基板１１の上面まで延在している。 - 特許庁

Since the upper surface of multilayer film T1 is entirely covered with the first metal layer 24 and an insulating layer 23, the chips of multilayer film T1 generated by ion milling are prevented from re-sticking to the upper surface of multilayer film T1.例文帳に追加

従って、多層膜Ｔ１の上面は第１金属層２４及び絶縁層２３で完全に覆われているので、イオンミリングで削られた多層膜Ｔ１の削りカスが多層膜Ｔ１の上面に再付着することを防止できる。 - 特許庁

The first part 181 passes a minute current, dielectric breakdown of an upper part gap layer 18 is prevented by reducing potential difference between the upper shield layer 19 and the MR element 15 and between the pair of electrode layers 17L, 17R.例文帳に追加

第１部分１８１が微小電流を通過させ、上部シールド層１９と、ＭＲ素子１５および一対の電極層１７Ｌ，１７Ｒとの間の電位差を低減することにより上部ギャップ層１８の静電破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a display device, in which the electrode on the upper end of a semiconductor light-emitting element that is fixed to a substrate surface by means of an insulation layer, is ledout to the upper surface of the insulation layer by a simple and sure means, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基体面に絶縁層で固定された半導体発光素子の上端部電極が簡易かつ確実な手段で絶縁層の上面へ引き出された表示装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, stress can be relaxed by the upper-layer protective film 13 made of a resin film, thus preventing cracks from being generated further on the interface between the solder ball 20 and the connection pad of the upper-layer wire 17.例文帳に追加

そして、樹脂フィルムからなる上層保護膜１３によっても応力を緩和することができるので、半田ボール２０と上層配線１７の接続パッド部との界面にクラックがより一層発生しにくいようにすることができる。 - 特許庁

The liquid crystal box 53 has an upper substrate 531, a lower substrate 538, a liquid crystal layer 534 disposed between the upper and the lower substrates 531 and 538 and a semitransmission film 537 disposed between the liquid crystal layer 534 and the lower substrate 538.例文帳に追加

液晶ボックス５３は、上基板５３１と、下基板５３８と、上基板５３１と下基板５３８との間に配置される液晶層５３４と、液晶層５３４と下基板５３８との間に配置される半透過膜５３７とを有する。 - 特許庁

The upper surfaces 1a and 1a of both side ends of a lower shield layer 1 and the upper surfaces 7a and 7a of both side ends of a lower core layer 7 are formed so as to form curved shapes, and gradually become thinner toward both edges.例文帳に追加

下部シールド層１の両側側端部の上面１ａ，１ａ及び下部コア層７の両側側端部の上面７ａ，７ａが曲面状に変化し、両縁部に向かうにしたがって徐々に薄くなるように形成される。 - 特許庁

An interlayer insulator film 3 is formed on an upper layer of the second electrode 5 at the intersection part 8, and a bridge electrode 6 to connect the first electrode 4 interrupted at the intersection part 8 is formed on an upper layer of the interlayer insulator film 3.例文帳に追加

交差部８における第２電極５の上層には層間絶縁膜３が形成され、層間絶縁膜３の上層に、交差部８で途切れた第１電極４同士を接続するブリッジ電極６を形成する。 - 特許庁

The capacitive element comprises an upper electrode 1, and a lower electrode 2 disposed beneath the upper electrode 1 through an insulating film layer 6 wherein a capacitor is formed at the insulating film layer 6.例文帳に追加

本発明にかかる容量素子は、上部電極１と、この上部電極１との間に絶縁膜層６を介して配置された下部電極２を有し、この絶縁膜層６において容量を形成する容量素子に関するものである。 - 特許庁

To provide an embedded-ridge type semiconductor laser, whose operating voltage is low, and whose efficiency is high and is capable of suppressing high resistance of a third upper clad layer in the upper region of the edge face on a ridge, by including Al in a current block layer.例文帳に追加

電流ブロック層がＡｌを含むことに起因する、リッジ上端面の上部の領域における第３上部クラッド層の高抵抗化を抑制し、動作電圧が低く、高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

This curtain wall 10 has a lower side horizontally inserting member 12a supported by a lower layer skeleton 1a, and an upper side horizontally inserting member 12b supported by an upper layer skeleton 1b and oppositely arranged with a clearance from the lower side horizontally inserting member 12a.例文帳に追加

カーテンウォール１０は、下層躯体１ａに支持された下側横通し部材１２ａと、上層躯体１ｂに支持されて下側横通し部材１２ａと隙間をあけて対向配置された上側横通し部材１２ｂとを有する。 - 特許庁

A laminate comprising a lower layer side insulator thin film, a conductive thin film and an upper layer side insulator thin film is arranged on an upper face part of the substrate 1, and a wiring pattern 22 of the fixed electrodes is formed of the conductive thin film.例文帳に追加

基板１の上面部に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と上層側絶縁体薄膜との積層体が配置され、導電性薄膜により固定電極の配線パターン２２が形成されている。 - 特許庁

The catalyst carrier structure comprises a monolith substrate coated with a cerium-zirconium compounded oxide layer and the layer is composed of at least 2 layers; the upper layer of a cerium-zirconium compounded oxide with 1/1 or higher Ce/Zr mole ratio and a lower layer of a cerium- zirconium compounded oxide with a Ce/Zr mole ratio lower than that of the upper layer.例文帳に追加

セリウム-ジルコニウム複合酸化物の層がモノリス基材にコートされてなる触媒担体構造体であって、前記層が少なくとも２層からなり、上層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比が、１／１以上でありかつ下層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比よりも高いことを特徴とする触媒担体構造体である。 - 特許庁

In the micro strip transmission line where signal wires 10, 11 are formed on a 1st face of a base dielectric layer 1 and a ground conductor layer 2 is formed on a 2nd face opposite to the 1st face of the base dielectric layer 1, an upper dielectric layer 3 is formed between the signal wires 10, 11 and a shielded ground wire 20 is formed on the upper dielectric layer 3.例文帳に追加

ベース誘電体層１の第１の面に信号線１０，１１を形成し、ベース誘電体層１の第１の面と対向する第２の面に接地導体層２を形成したマイクロストリップ伝送線路に対して、信号線１０と１１の中間に上部誘電体層３を形成し、さらに上部誘電体層３の上にシールド接地線２０を形成する。 - 特許庁