「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, n type impurity and p type impurity are selectively injected into the upper face of the n^- type buffer layer.例文帳に追加

次に、ｎ^−型バッファー層の上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する。 - 特許庁

The field emission electron source 10 comprises a lower electrode 12, a particulate layer 14, and an upper electrode 16.例文帳に追加

電界放出型電子源１０は、下部電極１２と微粒子層１４と上部電極１６とを有する。 - 特許庁

The drain electrode 5 is formed in contact with the contact hole 6 on an upper side of a part of the intrinsic semiconductor layer 13.例文帳に追加

真正半導体層１３の一部の上側にドレイン電極５がコンタクトホール６に接して形成されている。 - 特許庁

A plurality of polygonal protrusions 18 each having a flat upper surface are integrally formed on the overcoat layer 17.例文帳に追加

オーバーコート層１７上には上面が平坦な多角形の複数の凸状部１８を一体的に形成する。 - 特許庁

A buried-in pile such as a concrete pile 5 is constructed to penetrate through a soft layer A of the upper part of the ground.例文帳に追加

地盤上部の軟弱層Ａを貫通するようにコンクリート既製杭５等の埋込み杭を施工する。 - 特許庁

To fill a bottomed via hole to flatten the surface of a board and to contrive to remove an obstacle to the build-up of an upper layer on the board.例文帳に追加

有底ビアホールを穴埋めして平坦にし，上層のビルドアップに対する障害を取り除くこと。 - 特許庁

The filter element 38 is folded, and has a multi-layer structure of an upper filter element 38a and a lower filter element 38b.例文帳に追加

フィルタ体３８は折り畳まれ、上部フィルタ体３８ａと下部フィルタ体３８ｂの多層構造となっている。 - 特許庁

The horizontal resistance 2 is formed in the ground of an upper layer part becoming disadvantageous to sharing the horizontal force Q.例文帳に追加

水平抵抗体２は水平力Ｑを負担するのに不利となる上層部の地盤中に形成する。 - 特許庁

The upper limit value of a line-entrance number N is determined from the switch at the bottom layer by utilizing the connection relationship of the switch.例文帳に追加

また、最下層のスイッチからスイッチの接続関係を利用して、入り回線数Ｎの上限値を定める。 - 特許庁

At such a time, first of all, it is performed between the images, which are low-resolution images, of an upper layer and almost parallax is found.例文帳に追加

この時、先ず低解像度画像である上層の画像間でそれを行い概略の視差を求める。 - 特許庁

Some of the fine conductors are embedded in at least a lower part of the upper electrode layer.例文帳に追加

そして、前記上部電極層の少なくとも下部には、前記微小導電体の一部が埋め込まれている。 - 特許庁

To sufficiently coat the insulating film around a contact hole with an upper layer wiring even if a base material has a step.例文帳に追加

下地に段差がある場合でも上層配線でコンタクトホール周辺の絶縁膜を十分に被覆する。 - 特許庁

This wall structure blocks up an upper opening 7 and a lower opening 8 or the upper opening 7 by a moisture permeable member, in the upper opening 7 and the lower opening 8 formed in a lower part and an upper part of a moisture discharging layer γ between a backing α and an outer wall material A.例文帳に追加

下地αと外壁材Ａ間の排湿層γの下方部分と上方部分に形成された上開口７と下開口８の、上開口７と下開口８、あるいは上開口７を透湿性を有する部材で閉塞した壁構造である。 - 特許庁

The plating film 5 is formed on the surface 1a of a metal sheet 1, and is composed of: a lower plating layer 2; a plating layer 3 for identification having a pattern with a prescribed shape; and an upper plating layer 4 formed on the lower plating layer 3 and the plating layer 2 for identification.例文帳に追加

本発明のメッキ膜５は金属板１の表面１ａに形成されたもので、下部メッキ層２と、所定形状のパターンを有する識別用メッキ層３と、下部メッキ層２及び識別用メッキ層３上に形成された上部メッキ層４とにより構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has a laminate structure in which an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33, a p-type InGaAlP lower cladding layer 34, a p-type InGaP etching stop layer 35 and a p-type InGaAlP upper cladding layer 36 are formed on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６の積層構造を有している。 - 特許庁

A multi-metal layer is formed over the second barrier layer for coupling to a solder ball, wherein the multi-metal layer has an extending part that extends outside a second opening covering an upper part of a second dielectric layer to prevent tin infiltration from the solder ball to the redistribution layer.例文帳に追加

多重金属層が、半田ボールとの結合のために第２の障壁層の上に形成され、多重金属層は、半田ボールから再分配層への錫浸潤を防止するために第２の誘電体層の上部を覆って第２の開口部の外側に延びる延長部を有する。 - 特許庁

In this planking for protecting which is laid down on the ground at construction sites and event sites, a laminate is formed of a hard layer which is made of polyvinyl chloride and a soft layer softened by adding a plasticizer to the polyvinyl chloride of the hard layer, and the hard layer is disposed on the upper surface of the soft layer.例文帳に追加

建設現場やイベント会場で地面に敷設される養生用の敷板において、ポリ塩化ビニルを素材とする硬質層と、該硬質層のポリ塩化ビニルに可塑剤を添加して軟化させた軟質層とから積層体を形成し、かつ、硬質層を軟質層の上面に配した。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

When magnetic fields along an X axis, a Y axis and a Z axis are applied to a free layer of the magnetic storage element 1 storing "0" in combination according to a first magnetic field application sequence, magnetization LM on a lower-layer side of the free layer and magnetization UM on an upper-layer side of the free layer are inverted.例文帳に追加

“０”を記憶する磁気記憶素子１の自由層に対して、第１磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、自由層の下層側の磁化ＬＭと上層側の磁化ＵＭが反転する。 - 特許庁

In the light-emitting element, a peripheral edge of the reflecting electrode layer 141 is arranged in a stepped shape, an upper surface of the reflecting electrode layer 141 in the Z-axis direction and the surface of the reflecting electrode layer covered with a protective film 15 at a peripheral edge of the reflecting electrode layer are covered with the transparent electrode layer 142.例文帳に追加

発光素子では、反射電極層１４１の周縁部がステップ形状であり、反射電極層１４１におけるＺ軸方向上側表面、および反射層の周縁部における保護膜１５で被覆された表面が、透明電極層１４２で覆われている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is equipped with: a lower electrode layer 62 provided over a substrate 40; a variable resistance layer 63 provided on the lower electrode layer 62 and is configured such that an electrical resistance can be changed; and an upper electrode layer 65 provided over the variable resistance layer 63.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、基板４０上に設けられた下部電極層６２と、下部電極層６２上に設けられ、且つ電気抵抗を変化させる可変抵抗層６３と、可変抵抗層６３上に設けられた上部電極層６５とを備える。 - 特許庁

The buffer layer 19 is formed by oxidizing an oxidized layer 19D (not shown) formed with a material and thickness which increase oxidation speed relative to the upper DBR layer 15 and a lower DBR layer 11, and decrease the oxidation speed relative to an oxidized layer 18D (not shown).例文帳に追加

バッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５および下部ＤＢＲ層１１よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄ（図示せず）よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された被酸化層１９Ｄ（図示せず）を酸化することにより形成されている。 - 特許庁

The transistor comprises a columnar semiconductor layer 2, gate electrode 4 formed to surround the columnar semiconductor layer 2 through a gate insulation film 3, and a drain diffusion layer 5 and a source diffusion layer 6 formed in an upper and a lower end of the columnar semiconductor layer 2, respectively.例文帳に追加

トランジスタは、柱状半導体層２と、この柱状半導体層２を取り囲むようにゲート絶縁膜３を介して形成されたゲート電極４と、柱状半導体層２の上端部及び下端部に形成されたドレイン拡散層５及びソース拡散層６とを有する。 - 特許庁

In the optical recording medium having a lower heat-resistant protective layer 2, optical recording layer 3, upper heat-resistant protective layer 4 and reflective heat radiation layer 5 successively laminated on a substrate 1, the heat-resistant protective layer consists of Ag and/or Cu, In and/or Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板１上に、下部耐熱保護層２、光記録層３、上部耐熱保護層４及び反射放熱層５を順次積層した光記録媒体において、前記耐熱保護層が、Ａｇ及び／又はＣｕと、Ｉｎ及び／又はＡｌと、Ｏ（酸素）とからなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

It has a substrate 110, a heater layer 114 including a heat generating body formed on the substrate, electrodes 116 formed at both ends on the upper surface of the heater layer, a protective layer 118 formed to cover the heater layer and the electrodes, and carbon nanotubes 117 formed in the protective layer.例文帳に追加

基板１１０と、基板上に形成された、発熱体を含むヒーター層１１４と、ヒーター層の上面の両端に形成された電極１１６と、ヒーター層及び電極を覆って形成された保護層１１８と、保護層の内部に形成された炭素ナノチューブ１１７と、を備える。 - 特許庁

And also, the plasma display panel includes a substrate, a black layer formed on the substrate, an electrode formed on the black layer, and a dielectric layer formed on the electrode, the black layer and the substrate to have steps respectively on an upper part of the electrode, the black layer and the substrate.例文帳に追加

また、プラズマディスプレイパネルは、基板と、基板上に形成されたブラック層と、ブラック層上に形成された電極と、電極とブラック層及び基板の上方の部分において互いに段差を有するように、電極とブラック層及び基板上に形成された誘電体層とを含む。 - 特許庁

In the antireflection laminated body, in which at least a low refractive index layer is laminated at least on one surface of a transparent substrate, the low refractive index layer has a two layer structure composed of a low refractive index lower layer and a low refractive index upper layer.例文帳に追加

本発明は、透明基材の少なくとも片面に、少なくとも低屈折率層を積層した反射防止積層体において、該低屈折率層が低屈折率下層と低屈折率上層との２層構造からなることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁

The capacitor 10 includes a lower electrode 14A, a dielectric layer 16 having a SiO_2 layer 20 formed on the lower electrode 14A and an Si_3N_4 layer 22 formed on the SiO_2 layer 20 and an upper electrode 14B formed on the dielectric layer 16.例文帳に追加

本発明に係るキャパシタ１０は、下部電極１４Ａと、下部電極１４Ａに成膜されたＳｉＯ_２層２０とＳｉＯ_２層２０上に成膜されたＳｉ_３Ｎ_４層２２とを有する誘電体層１６と、誘電体層１６上に形成された上部電極１４Ｂとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a liquefaction countermeasure structure for performing ground improvement only to an upper layer part of a liquefaction layer, which is configured in consideration for the effect of liquefaction caused in a lower layer part of the liquefaction layer or the effect of subsidence of the lower layer part.例文帳に追加

液状化層の上層部に対してのみ地盤改良を行う液状化対策構造であって、液状化層の下層部に発生した液状化の影響や下層部の沈下による影響を考慮した構成の液状化対策構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

A semiconductor laminated structure including a p-type InP clad layer 12, an AlGaInAs lower optical confinement layer 13, an AlGaInAs-MQW active layer 14, an n-type AlGaInAs upper optical confinement layer 15, and an n-type InP clad layer 16 is formed on a p-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ＡｌＧａＩｎＡｓ下光閉込層１３、ＡｌＧａＩｎＡｓ—ＭＱＷ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ上光閉込層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６からなる半導体積層構造を形成する。 - 特許庁

In addition, p- and n-type blocking layers 8 and 9 are arranged between the partial lower part of the buffer layer 2 and the spacer layer 5 by making the widths of the upper part of the spacer layer 2, active layer 3, and spacer layer 4 in the direction perpendicular to the emitting direction of laser light narrower than that of the substrate 1.例文帳に追加

また、ｎ−バッファ層２の上部と、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３とｐ−スペーサ層４は、レーザ光出射方向に対して垂直方向の幅がｎ−基板１よりも狭くしてｐ−ブロッキング層８、ｎ−ブロッキング層９とが配置されている。 - 特許庁

A resistive memory device includes: a substrate 10; an insulating layer 11 over the substrate 10; a nano wire 12 to be defined as the lower electrode penetrating the insulating layer 11; a resistive layer 13 formed over the insulating layer 11 and contacting with the nano wire 12; and an upper electrode 14 formed over the resistive layer.例文帳に追加

基板１０と、該基板１０上の絶縁膜１１と、該絶縁膜１１を貫通する下部電極として定義されるナノワイヤ１２と、前記絶縁膜１１上に位置づけられ、前記ナノワイヤ１２と接触する抵抗層１３と、該抵抗層上の上部電極１４と、を備える。 - 特許庁

A gain combination DFB laser 20 is a laser of oscillation wavelength of about 1,550 nm, and comprises, on an n-InP substrate 1, an n-InP buffer layer 2, active layer 3, p-InP spacer layer 4, p-InP upper-part clad layer 6, and p-GaInAs contact layer 7.例文帳に追加

本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。 - 特許庁

The steel can has an aluminum layer of a thickness of 3-15 μm on the outer surface of a can body through an adhesive layer, and has additionally an ink layer and a top coat layer on the upper layer thereof and with excellent printed appearance and manufactured by drawing, thinning and deep drawing or die drawing.例文帳に追加

少なくとも、缶体の外面に接着剤層を介して厚み３〜１５μｍのアルミニウム層を有し、さらにその上層にインキ層とトップコート層を有することを特徴とする印刷外観に優れる絞り、薄肉化深絞り、あるいはしごき加工をして製造されるスチール缶。 - 特許庁

An emitter 3 formed of at least carbon nano-tubes shorter than the film thickness of an insulation layer 4 on a glass substrate 1 on which a conductive layer 2 is formed, the insulation layer 4 and a gate electrode 5 are laminated on its upper layer, and a gate opening part is formed by partially etching the gate electrode 5 and the insulation layer 4.例文帳に追加

導電層２が形成されたガラス基板１上に少なくとも絶縁層４の膜厚より短いナノチューブからなるエミッタ３を形成し、その上層に絶縁層４およびゲート電極５を積層し、ゲート電極５と絶縁層４の一部をエッチングしてゲート開口部を形成する。 - 特許庁

The 2nd upper guide layer 126 is allowed to grow at 650°C to be a growth temperature suitable for a P group layer to reduce the separation of P from the barrier layer and reduce the roughness of an interface between the barrier layer and the guide layer 126 down to 20 Å and less.例文帳に追加

この第二上ガイド層１２６はＰ系層に適した成長温度である６５０℃のままで成長させて、上記バリア層からのＰの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層１２６との界面の粗さの大きさを２０Å以下にまで下げる。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium has a recording layer on which a recording mark is formed by recording information and an auxiliary control layer that controls a recording state of the recording layer through magnetic switched connection and the magneto-optical recording medium is realized by placing the auxiliary control layer to a lower part or an upper part of the recording layer.例文帳に追加

情報が記録されることにより記録マークが形成される記録層と、磁気的な交換結合により記録層の記録状態を制御する補助制御層とを有し、補助制御層は、記録層の下部又は上部に設置することにより実現する。 - 特許庁

The thermally transferable image protective sheet has a protective layer that comprises a peeling layer and an adhesive layer on at least one portion of one face of a substrate sheet and is thermally transferable, wherein the peeling layer and the adhesive layer are respectively constituted by resins that have different upper and lower values of refractive indexes, with a refractive index of 1.5 serving as its border.例文帳に追加

基材シート上の片面の少なくとも一部に、剥離層と接着層からなる熱転写可能な保護層を有し、該剥離層と接着層とが１．５の値を堺にして上下値の異なる屈折率の樹脂で構成されていることを特徴とする熱転写型画像保護シート。 - 特許庁

A p-layer 6 is formed in a region in an upper layer part of the GaN layer 1 and in the AlGaN layer 2, wherein the region includes a part of the region directly underneath the source electrode 3 and a part of the region directly underneath the gate electrode 5, and the p-layer 6 is connected to the source electrode 3 and to the gate electrode 5.例文帳に追加

また、ＧａＮ層１の上層部及びＡｌＧａＮ層２におけるソース電極３の直下域の一部及びゲート電極５の直下域の一部を含む領域に、ソース電極３及びゲート電極５に接続されるように、ｐ層６を形成する。 - 特許庁

This vegetation soil 100 is characterized by comprising at least a water-reserving function layer 102 formed on a base bed 101 and containing Wakkanai layer diatomaceous shale A crushed in desired sizes, and a general soil layer 103 formed in the upper layer of the water-reserving functional layer 102.例文帳に追加

この緑化用土壌１００は、基床１０１上に形成された、所望の大きさに割られた稚内層珪藻頁岩Ａを含む貯水機能層１０２と、この貯水機能層１０２よりも上層に形成された一般土層１０３とを少なくとも含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the non-regenerative type ion exchange vessel, its inside has an anion-exchange resin layer or a mixed resin layer in which anion-exchange resin and cation-exchange resin exist in a mixed state, and a palladium catalyst layer is accumulated on the upper surface of the anion-exchange resin layer or the mixed resin layer.例文帳に追加

容器内に、アニオン交換樹脂層、又はアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とが混合状態で存在する混合樹脂層を有し、該アニオン交換樹脂層又は混合樹脂層の上表面にパラジウム触媒層が積層されている非再生型イオン交換容器。 - 特許庁

The semiconductor laser element comprises a GaN substrate and a lower clad layer, active layer, upper clad layer, and GaN contact layer, which are deposited on the substrate in this order, The thickness of the GaN contact layer is between 0.07 μm and 80 μm.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、ＧａＮコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記ＧａＮコンタクト層の膜厚が、０．０７μｍ以上８０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises: an opening part forming process in which the opening part is formed on an interlayer insulating film 320 provided on a semiconductor substrate 100; a barrier layer forming process for forming a barrier layer 340 on the upper face of the opening part; and a wiring seed layer forming process for forming a wiring seed layer on the barrier layer 340.例文帳に追加

半導体基板１００上に設けられた層間絶縁膜３２０に開口部を形成する工程と、開口部上面にバリア層３４０を形成するバリア層形成工程と、バリア層３４０上に配線シード層を形成する配線シード層形成工程を有する。 - 特許庁

However, when a p-type AlGaAs layer 18 is interposed between the clad layer 17 and a GaAs contact layer 18, the recessed and projecting sections left on the upper surface of the layer 17 can be substantially planarized by means of layer 18.例文帳に追加

しかし、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１７とＧａＡｓコンタクト層１９との間にｐ型ＡｌＧａＡｓ層１８を介在させると、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１７の上面に残る凹凸をｐ型ＡｌＧａＡｓ層１８によりほぼ平坦化できる。 - 特許庁

The electron source 1 is formed into lamination structure in which the first signal wire 16 and the lower layer insulation part 21 form a first layer, the element electrodes 14, 15 and the upper layer insulation part 22 form a second layer, and a conductive thin film 12 and a second signal wire 17 are formed on the second layer.例文帳に追加

電子源１は、第１の信号線１６と下層絶縁部２１とが第１の層をなし、素子電極１４，１５と上層絶縁部２２とが第２の層をなし、第２の層の上に導電性薄膜１２および第２の信号線１７が形成された積層構造となっている。 - 特許庁