「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device, the upper layer of a silicon substrate 1 is specified as a MOSFET forming area by means of a separation insulating film 2 formed in a trench 10 formed in the upper layer of the substrate 1 in an embedded state.例文帳に追加

シリコン基板１の上層部に形成されたトレンチ１０に埋め込まれて分離絶縁膜２が形成され、分離絶縁膜２によりシリコン基板１の上層部がＭＯＳＦＥＴ形成領域として規定される。 - 特許庁

In the state of opening an upper casing and a lower casing, a ground layer of an upper casing circuit board 17 and a ground layer of a lower casing circuit board 18 being incorporated, respectively operate as dipole antennas.例文帳に追加

上部筐体と下部筐体を開いた状態では、それぞれに内蔵される上部筐体回路基板１７のグラウンド層と下部筐体回路基板１８のグラウンド層がダイポールアンテナとして動作する。 - 特許庁

The center of the upper surface on which the input medium 10 abuts is a transparent window section, and a decorative layer 110 is formed at the outer frame section of the upper surface where the decorative layer 110 covers the magnetic sensor 16.例文帳に追加

そして入力媒体１０が接触される上面中央部は透明な窓部になっており、その上面外枠部に加飾層１１０が形成され、加飾層１１０は磁気センサ１６を覆い隠す。 - 特許庁

An insulating film 29 consisting of an oxide film obtained by oxidizing respectively the p-type upper InP clad layer and the layer 27 is formed on the region of the ridge excluding the upper surface 30 of the ridge as a protective film.例文帳に追加

上部ｐ−ＩｎＰクラッド層及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層をそれぞれ酸化して得た酸化膜からなる絶縁膜２９が、リッジ上面３０を除くリッジ領域上に保護膜として形成されている。 - 特許庁

In the upper-layer forming process, the thickness of the upper layer is 100 to 300 nm and in the developing process, development is carried out for 75 to 150 seconds by using a developer of 0.30 to 0.55 N in normality.例文帳に追加

前記上層形成工程では、上層の厚さを１００ｎｍ〜３００ｎｍとし、前記現像工程では、現像液として規定度が０．３０Ｎ〜０．５５Ｎのものを用いて７５秒〜１５０秒間現像する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device 1, an STI 16 is provided in a part of the upper layer of a silicon substrate 11, and the upper layer of a silicon substrate 11 is partitioned into a plurality of active areas AA extending in the Y direction.例文帳に追加

半導体記憶装置１において、シリコン基板１１の上層部分の一部にＳＴＩ１６を設け、シリコン基板１１の上層部分をＹ方向に延びる複数本のアクティブエリアＡＡに区画する。 - 特許庁

A groove 16 is further formed in the metal layer 13, to separate a circular portion 13a corresponding to one part of a just upper area of the low density layer 12 including the just under area of the upper electrode 18, from a peripheral portion 13b.例文帳に追加

更に、金属膜１３に溝１６を形成し、上部電極１８の直下域を含み、低濃度層１２の直上域の一部に相当する円形の部分１３ａを、周囲の部分１３ｂから分離する。 - 特許庁

A second insulating layer 109 is formed so that a side of the first insulating film 108, an upper part of a base layer 104 between the ledge structure 105a and base electrode 111 and un upper surface of the base electrode 111 are covered.例文帳に追加

第２絶縁層１０９は、第１絶縁層１０８の側面、レッジ構造部１０５ａとベース電極１１１との間のベース層１０４の上、およびベース電極１１１の上面を覆うように形成されている。 - 特許庁

In the method, filling is performed after a difference between the upper surface of the resist layer 20 and the upper surface of the first metal layer 30 is set greater than the maximum particle diameter of a solder particle contained in the solder paste material 34.例文帳に追加

ここで、レジスト層２０上面と第１の金属層３０上面との差を、半田ペースト材３４に含まれる半田粒子の最大粒径より大きくなるように設定してから充填作業が行われる。 - 特許庁

The plated resist film 25 for columnar electrode formation is formed by laminating a dry film resist on upper surfaces of an upper metal layer 9 and a base metal layer 8 by a thermocompression method using a laminate roller.例文帳に追加

上部金属層９および下地金属層８の上面に、ドライフィルムレジストをラミネートローラを用いた熱圧着方法によりラミネートすることにより、柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を形成する。 - 特許庁

Upper layer rewiring, an upper layer insulating film, solder balls, and the like, are formed thereon and then it is cut between adjacent semiconductor structures 3 thus obtaining a plurality of semiconductor devices provided with solder balls.例文帳に追加

そして、その上に、上層再配線、上層絶縁膜、半田ボール等を形成し、次いで、互いに隣接する半導体構成体３間において切断すると、半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られる。 - 特許庁

The lower layer storage capacitor comprises a lower side capacitance electrode 80 and a common capacitance electrode 81 and the upper layer storage capacitor comprises an upper side capacitance electrode 82 and the common capacitance electrode 81.例文帳に追加

下層蓄積容量は下側容量電極８０及び共通容量電極８１によって構成され、上層の蓄積容量は上側容量電極８２及び共通容量電極８１によって構成される。 - 特許庁

To provide a high reliability thin film capacitor by preventing the exfoliation of the periphery of a thin film upper electrode and a dielectric layer from a support substrate, in a photolithographic etching process, after the formation of the thin film upper electrode layer.例文帳に追加

薄膜上部電極層形成後のフォトリソエッチング工程において、薄膜上部電極及び誘電体層の外周部の支持基板からの剥離を防止し、信頼性の高い薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

After an interlayer dielectric 4, an etch stopping film 5 and an upper layer insulating film 6 over a lower wiring layer are etched into a hole shape, the upper insulating film 6 is etched into a groove shape by utilizing the etch stopping film 5.例文帳に追加

下層配線層上の層間絶縁膜４とエッチング阻止膜５と上層絶縁膜６をホール形状にエッチングした後、エッチング阻止膜５を利用して上層絶縁膜６を溝形状にエッチングする。 - 特許庁

A GaN layer 31 is etched into an island shape of dot, stripe, lattice or the like to provide step differences, and a mask 4 is formed on the bottoms of the step differences to have such a thickness that the upper surface of the step differences are lower than the upper surface of the GaN layer 31.例文帳に追加

GaN層３１を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングして段差を設け、底部にその上面がGaN層３１の上面よりも低い位置となる厚さでマスク４を形成する。 - 特許庁

The heat of the heated surface-shaped heat transfer material 6 is transmitted on the yarn-shaped heat transfer member and passed in the upper- layer cushioning material 7, and transmitted to the surface-shaped heat transfer material 8 on the top face side of the upper-layer cushioning material 7.例文帳に追加

加熱された面状伝熱材６の熱は糸状伝熱部材１２を伝達して上層緩衝材７内を通過し、上層緩衝材７上面側の面状伝熱材８へと伝達される。 - 特許庁

This leader tape is constituted by sequentially stacking lower and upper layers containing powders and binders on at least one surface of a support, and the lower layer contains the amount of a lubricant larger by 1.12 times than that of the upper layer.例文帳に追加

支持体上の少なくとも一方の面に粉体と結合剤を含む下層及び上層を順じ重層してなり、かつ下層が上層の１．１２倍以上の潤滑剤を含むことを特徴とするリーダーテープ。 - 特許庁

Then, the cooling water is circulated in the cooling water circulation passage 48, and the water stored in a hot-water storage tank 44 is circulated from the upper layer part of the hot-water storage tank 44 to a second passage 52 and returned to the upper layer part of the hot-water storage tank 44.例文帳に追加

すると、冷却水は冷却水循環経路４８を循環し、貯湯槽４４に貯留された水は貯湯槽４４の上層部から第２経路５２を循環して貯湯槽４４の上層部へ戻る。 - 特許庁

In this cartridge 1 for the chemical reaction, an upper layer elastic body 11 and a lower layer elastic body 12 are laminated on the upper and lower sides, and a plurality of chambers 21-25 and channels 26-29 are provided between both elastic bodies 11, 12.例文帳に追加

化学反応用カートリッジ１は、上層弾性体１１と下層弾性体１２とが上下に積層されて、両弾性体１１，１２の間に複数の室２１〜２５及び流路２６〜２９が設けられている。 - 特許庁

An upper laminated photosensitive coating layer and a lower laminated photosensitive coating layer, which are applied on the upper/lower layers of the carrier, are processed photosensitively, through a mask where a circuit track is formed and a circuit pattern which is concavely inputted is formed.例文帳に追加

キャリアの上下層に塗布される上積層感光塗料層および下積層感光塗料層は回路軌跡が形成されているマスクを介して感光処理され、凹入した回路パターンが形成される。 - 特許庁

In each layer double skin type, the upper end of an exhausting venting hole and the lower end of the air introducing venting hole approach to each other in layer distance, and an average separate distance of both upper and lower ends becomes larger than the conventional case.例文帳に追加

各層ダブルスキンタイプのものでは、層間で、排気用の通気口の上端と、外気導入用通気口の下端とは近接するものの、両者の平均離間距離は従来例の場合よりも大きくなる。 - 特許庁

Prior to the formation of an upper layer circuit pattern, position information of the positioning pattern 103 is detected and the upper layer circuit pattern 103 is formed on the basis of a resultant detection value while correcting a recording position.例文帳に追加

更に、上層の回路パターンの形成に先立って位置決めパターン１０３の位置情報を検出し、得られた検出値に基づいて記録位置を補正しながら上層の回路パターン１０３を形成する。 - 特許庁

The contamination preventing layer 45 is provided with a first part 45A on an upper surface of the convex structure 44 and a second part 45B on an upper surface of the heat shielding layer 43, and the first part 45A and the second part 45B are divided.例文帳に追加

汚染防止層４５は、凸構造４４の上面の第１部分４５Ａと、断熱層４３の上面の第２部分４５Ｂとを有しており、第１部分４５Ａと第２部分４５Ｂとが分断されている。 - 特許庁

The size of the width 25 of an image of a side face of the most upper layer of a pattern which should appear on an SEM image (d) when a wafer 3 is tilted can be calculated from an actual thickness of the most upper layer of the pattern and a tilting angle of the wafer 3.例文帳に追加

ウェーハ３傾斜時のＳＥＭ像（ｄ）に現れるべきパターン最上層側面の像の幅２５の大きさは、パターン最上層の実際の厚さとウェーハ３の傾斜角度から算出可能である。 - 特許庁

The circuit module includes a plurality of components 2, 3a, and 3b disposed on the substrate 1, an upper layer 4 supported by at least part 2 of these components, and a space 5 provided between the substrate 1 and the upper layer 4.例文帳に追加

回路モジュールの基板１上に複数の部品２，３ａ，３ｂを配置し、それらの部品のうちの少なくとも一の部品２によって上部層４を支持し、基板１と上部層４との間に空間５を設ける。 - 特許庁

When the wires 5 are wound on the winding face 110 of the winding drum and other wires 5 are subsequently wound on their upper layer, the wires 5 do not slide against each other, so that the wires 5 are thereafter wound in alignment on the upper layer.例文帳に追加

巻き取り用ドラム１００の巻き取り面１１０にワイヤ５が巻き取られて、その上層にワイヤ５が巻き取られる際には、ワイヤ５同士は滑らないため、以後、上層にワイヤ５が整列巻きされる。 - 特許庁

The composite MIM capacitor further comprises an upper electrode 120 of the lower MIM capacitor situated within a lower interlayer dielectric, where the lower interlayer dielectric separates the lower interconnect metal layer from an upper interconnect metal layer.例文帳に追加

複合ＭＩＭキャパシタはさらに、下部層間誘電体内に位置する下部ＭＩＭキャパシタの上部電極１２０を含み、下部層間誘電体は下部相互接続金属層を上部相互接続金属層から隔てている。 - 特許庁

After a metal layer for a lower electrode, a dielectrics film and a metal layer for an upper electrode are deposited in the order on a first insulating film formed on a semiconductor substrate, and the upper electrode is formed by patterning.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１の絶縁膜上に下部電極用金属層、誘電体膜および上部電極用金属層を順次堆積した後、パターニングして上部電極を形成する。 - 特許庁

When an upper layer insulating film, an upper layer rewiring, a solder ball, etc. are formed on the resin and are then cut between the adjacent semiconductor constituents 3, a plurality of the semiconductor devices each having the solder ball are obtained.例文帳に追加

そして、その上に、上層絶縁膜、上層再配線、半田ボール等を形成し、次いで、互いに隣接する半導体構成体３間において切断すると、半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られる。 - 特許庁

In a photonic crystal laser constituted of forming an active layer 21 and a two-dimensional (2D) photonic crystal layer 23 between upper electrodes 33 and a lower electrode 27, a plurality of upper electrodes 33 are linearly arranged.例文帳に追加

上部電極３３と下部電極２７の間に活性層２１と２次元フォトニック結晶層２３を設けたフォトニック結晶レーザにおいて、上部電極３３を直線状に複数個並べて配置する。 - 特許庁

To incorporate a sufficient adhesion force in a region disposed on an insulating layer in the upper electrode of a ferroelectric capacitor and to prevent a hydrogen invaded from the upper electrode from reaching a ferroelectric layer.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極が、絶縁層上に配置される領域においても十分な密着力を有し、かつ上部電極から侵入した水素が強誘電体層まで到達することを防止する。 - 特許庁

Width size Tw1 of a lower plane 5a of an upper part magnetic pole layer 5 is formed larger than width size Tw2 of an upper plane 2a of a lower part core layer 2, thereby, side fringe can be suppressed.例文帳に追加

上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１が、下部コア層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２に比べて大きく形成されており、これによってサイドフリンジの抑制を図ることが可能になっている。 - 特許庁

A ground layer 2 is provided on a base plate 1, and the semiconductor constitution body 3 is provided thereupon; and first and second insulating layers 15 and 18 are provided at a periphery thereof, and upper-layer wiring 22 is provided thereupon with an upper-layer insulating film 19 interposed.例文帳に追加

ベース板１上にはグランド層２が設けられ、その上には半導体構成体３が設けられ、その周囲には第１、第２の絶縁層１５、１８が設けられ、それらの上には上層絶縁膜１９を介して上層配線２２が設けられている。 - 特許庁

To provide a hierarchical storage control apparatus capable of increasing the utilization efficiency of an upper storage layer in hierarchical storage by reducing a state where a plurality of identical data strings are present in the upper storage layer when a plurality of identical data strings are present in a lower storage layer.例文帳に追加

階層記憶において、下位記憶階層に同一データ列が複数存在する時に、上位記憶階層に同一データ列が複数存在する状態を減らして、上位記憶階層の利用効率を上げることが可能な階層記憶制御装置を提供する。 - 特許庁

The plane emission laser element 1 has a structure wherein a lower multilayer film reflector 3, a lower clad layer 4, an active layer 5 of a multi-quantum well structure, an upper clad layer 6, and an upper multilayer film reflector 7 are sequentially layered on a p-GaAs substrate 2 in this order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

A printed circuit board comprises: a first insulator layer 11; first wiring patterns 21, 22, 23, and 24 placed in a part of the upper surface of the first insulator layer 11; and first non-conductive patterns 30, 31, and 32 placed in other part of the upper surface of the first insulator layer 11.例文帳に追加

第１の絶縁層１１と、第１の絶縁層１１の上面の一部に配置された第１の配線パターン２１，２２，２３，２４と、第１の絶縁層１１の上面の他の一部に配置された第１の非導電性パターン３０，３１，３２とを備える。 - 特許庁

The signal line 8 is made to be of a redundant wiring structure comprising signal line lower layer wiring 31 as main wiring formed of a metal, and signal line upper layer wiring 51 as auxiliary wiring, and also the signal line upper layer wiring 51 is omitted at the point of the crossing part 7.例文帳に追加

信号線８を、金属からなる主たる配線としての信号線下層配線３１と、補助配線として信号線上層配線５１との冗長配線構造とするとともに、信号線上層配線５１を交差部７の個所で省く。 - 特許庁

The piezoelectric actuator 3 of an ink jet head 1 comprises a vibrating plate 30, a piezoelectric layer 31 formed on the upper surface of the vibrating plate 30 continuously across all pressure chambers 14, and a conductive layer 35 formed on the upper surface of the piezoelectric layer 31.例文帳に追加

インクジェットヘッド１の圧電アクチュエータ３は、振動板３０と、振動板３０の上面においてすべての圧力室１４に跨って連続的に形成された圧電層３１と、圧電層３１の上面に形成された導電性層３５とを備えている。 - 特許庁

This thin-film diode 102 consists of a lower electrode 103a connected to a scanning line, an upper electrode 105a in common use as the reflection layer 105b and a semiconductor layer or insulating layer 104 held between the lower electrode 103a and the upper electrode 105a.例文帳に追加

ここで、薄膜ダイオード１０２は、走査線に接続される下部電極１０３ａと、反射層１０５ｂを兼ねる上部電極１０５ａと、下部電極１０３ａと上部電極１０５ａに挾まれた半導体層または絶縁層１０４とからなっている。 - 特許庁

To effectively use resource of a relay device even if there mixedly exist an apparatus which can be brought into a halt state (a state that "a resource of a lower layer is released while keeping a resource of an upper layer in conjunction with the halt of the upper layer"), and an apparatus which cannot be brought into the state.例文帳に追加

休止状態（「上位層の休止に連動して、上位層のリソースを維持したまま下位層のリソースを解放する」状態）になりうる機器となりえない機器とが混在する場合でも、中継装置のリソースを有効利用できるようにする。 - 特許庁

In a fixing device employing configuration having an upper roller and a lower belt, a pressure member for applying a pressure to the belt to the upper roller from a rear side of the belt has a two-layered constitution having a silicone rubber foam as a base layer and LTV silicone rubber as a surface layer on the base layer formed on a supporting member of the pressure member.例文帳に追加

上ローラ＋下ベルトの構成で、ベルトの裏側からベルトを上ローラに加圧させる加圧部材が、その支持部材の上に、シリコーンゴム発泡体を基層とし、その上層の表層はＬＴＶシリコーンゴムとした２層構成の定着装置とする。 - 特許庁

The TFT90 has a top gate structure, with a gate electrode 65 provided only at the upper layer side of a channel forming region 91, while the TFT80 has a bottom gate/top gate structure, with gate electrodes 65a, 65b provided at the lower layer side and the upper layer side of the channel forming region 91, respectively.例文帳に追加

これに対して、Ｐチャネル型の駆動回路用のＴＦＴ８０は、チャネル形成領域９１の下層側および上層側の各々にゲート電極６５ａ、６５ｂを備えており、ボトムゲート構造、およびトップゲート構造の双方を有している。 - 特許庁

A lower layer ballast 14a constituted by connecting the filler 15 with the tightened and fixed crushed stones integrally and an upper layer ballast 14b constituted by raking in and compacting ballast crushed stones at a predetermined thickness on an upper side of the lower layer ballast 14a are provided.例文帳に追加

てん充材１５と締固め状態にある砕石と一体的に結合させて構成した下層道床１４ａと、下層道床１４ａの上側に所定厚さで道床砕石をかき込み搗き固めて構成した上層道床１４ｂとを設ける。 - 特許庁

In this way, a temperature difference is made between the boundary (surface layer part) 31 between the upper die 4 and the resin layer 3 and the boundary (forming face) 21 between the resin layer 3 and the glass lens base material 2, and, by the difference in the amount of thermal expansion in the boundary 31, the upper die 4 is made easy to be peeled.例文帳に追加

これにより、上型４と樹脂層３との境界（表層部）３１と、樹脂層３とガラスレンズ基材２との境界（成形面）２１との間に温度差をつけて、境界３１の熱膨張量の差により上型４が剥離しやすいようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein the contact hole of an interlayer insulation film is filled with an upper conductive layer and the upper conductive layer is substantially electrically connected with an lower conductive layer even the semiconductor device is miniaturized.例文帳に追加

半導体装置が微細化されても、層間絶縁膜のコンタクト・ホール内に上層の導電層が充填され、上層の導電層と下層の導電層とが電気的に充分に接続された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁