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「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper-layerの意味・解説 > upper-layerに関連した英語例文

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upper-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11094



例文

The upper part 14 has first and second non- thermoformed members 29 located inside and outside of an ankle part 21, and a thermoformed layer 28b.例文帳に追加

アッパー部14は、足首部分21の内側及び外側に配置された第1及び第2非熱成形部材29と熱成形層28bとを有している。 - 特許庁

The upper layer pattern 5 comprises a resist.例文帳に追加

上層パターン5はレジストからなるが、その形状が枠状の正方形に形成されているので、レジストの熱収縮に起因する上層パターン5の変形が抑制される。 - 特許庁

A light-shielding metal 18 is formed on an upper surface of the silicon substrate 12 via an insulating layer 16, and the IC circuit 15 is covered with the light-shielding metal 18.例文帳に追加

シリコン基板12の上面には、絶縁層16を介して遮光メタル18が形成されており、IC回路15は遮光メタル18で覆われている。 - 特許庁

Coil lead-out terminals of the both ends of the coil 12a are connected to a wiring pattern 15 of the upper surface through an opening formed on the magnetic substance layer 18.例文帳に追加

コイル12aの両端のコイル引出端子は磁性体層18に形成された開口部を介して上面の配線パターン15に接続されている。 - 特許庁

例文

The upper end of a wall surface in the recess 11a of the foundation insulating layer 11 and the corner of a bottom surface in the recess 11a are rounded.例文帳に追加

下地絶縁層11の凹部11aにおける壁面の上端部及び該凹部11aにおける底面の隅部は丸めらるように形成されている。 - 特許庁


例文

The mixture of coke in the raw material layer is adjusted so that the mixture ratio of coke is higher at lower layers of the raw materials and is reduced toward upper layers.例文帳に追加

原料層へのコークスの混合を原料中の下層部でコークスの混合率が高く、上層部へいくほど混合率が低くなるように調整する。 - 特許庁

A forward scattering film layer 10 is arranged on the upper transparent substrate 14 side of the reflective liquid crystal display element together with a polarizing film 11 and a birefringent film 12.例文帳に追加

反射型液晶表示素子の上側透明基板14側に、偏光フィルム11、複屈折フィルム12とともに前方散乱フィルム層10を配置する。 - 特許庁

In this case, the surface area of the core region (4) is larger than a surface area of the upper-layer wiring mesh (24) in a plane parallel to the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここにおいて、コア領域(4)の面積は、半導体基板の表面に平行な面において、上層配線メッシュ(24)が占める面積よりも広い。 - 特許庁

Since the adhesive layer has excellent adhesiveness, the thermal shrinkable resin tube covering the upper face of the flange of the sealing body is not separated from the sealing body.例文帳に追加

接着剤層は密着性に優れているため、封口体の鍔部の上面を覆う熱収縮性樹脂チューブが封口体から剥がれない。 - 特許庁

例文

Thus, a pnp layer for blocking injected currents is constituted just under an upper electrode 29a so that the injected currents can be concentrated just under a light emitting window.例文帳に追加

上部電極29a直下は注入電流をブロックするpnp層構成となり、注入電流が発光窓直下に集中する。 - 特許庁

例文

Consequently, the epitaxial substrate 1 rich in Al can be obtained comprising the upper layer 3 of low transition density of10^9/cm^2 or less.例文帳に追加

これにより、Alリッチであって、1×10^9/cm^2以下という低転位密度の上部層3を有するエピタキシャル基板1を得ることができる。 - 特許庁

A radio station at an access point transmits the information for connection processing with an upper layer while including it in a beacon or data at a specified timing from the beacon.例文帳に追加

アクセスポイントの無線局は、上位層の接続処理のための情報がビーコンや、ビーコンから所定のタイミングのデータ中に含めて送信する。 - 特許庁

The antireflection film 10 has a two-layer structure including lower and upper silicon nitride films (p-SiN films) 11, 12 deposited by a plasma CVD method.例文帳に追加

反射防止膜10は、プラズマCVD法で形成される下層及び上層シリコン窒化膜(p−SiN膜)11,12を含んで成る2層構造を有している。 - 特許庁

After the oxidized silicone pattern 5a is removed, an oxidized silicone film 7 which becomes an upper clad is deposited on the buried oxidized film 3 and the monocrystal silicone layer 4.例文帳に追加

シリコン酸化膜パターン5a除去後、埋め込み酸化膜3及び単結晶シリコン層4上に上部クラッドとなるシリコン酸化膜7を堆積させる。 - 特許庁

In the variable resistance element, the lower and upper electrodes 19, 21 have respective contact areas to the variable resistance layer 20 that are different from each other.例文帳に追加

可変抵抗素子部では、下部電極19と上部電極21とが、可変抵抗層20に対する接続面積が相違する構成となっている。 - 特許庁

A discrete electrode 18 and an insulation layer 19 covering the discrete electrode 18 are provided on the upper surface of a substrate 11 forming a discrete channel 15.例文帳に追加

個別流路15を形成する基板11の上面には、個別電極18とこの個別電極18を覆う絶縁層19が設けられている。 - 特許庁

After forming the soil cement layer near the ground surface, a precast pile 13 made by coupling the lower pile (knot pile) 14 and an upper pile (cylindrical) 15 (f) is lowered.例文帳に追加

地上付近までソイルセメント層を形成した後、下杭(節杭)14及び上杭(円筒)15を連結してなる既製杭13を下降する(f)。 - 特許庁

The improved ground A is formed by performing rolling processing on its upper surface 10 after mixing sand 2, an improving material 2 or a solidifying material in the ground 1 of a lower layer.例文帳に追加

下層の地盤1に、砂2及び改良材3又は固化材を混合した後、その上面10を転圧処理して改良地盤Aを形成する。 - 特許庁

For the infringement on an upper region (203b) of a foil layer (203) by a laser beam (204), a lower region (203a) is remained to be undamaged.例文帳に追加

レーザービーム(204)により、ホイル層(203)の上部領域(203b)が侵害されるのに対し、下部領域(203a)では損傷無しの状態を維持する。 - 特許庁

A metallic thin film is formed on the upper surface of the semiconductor substrate, and a gold plating layer is formed thereon to be given driving voltage.例文帳に追加

半導体基体の上面上には金属薄膜が形成され、またこの金属薄膜上に駆動電圧の供給を受ける金メッキ層が形成される。 - 特許庁

In the cooling water vessel, a centrifugal radiating stream is formed on the upper layer part, thus the piled-up ring is immediately, uniformly rapidly cooled and quenched.例文帳に追加

冷水槽は上層部で遠心放射状の流れを形成していて集積されたリングは直ちに且つ均等に急冷され焼入がなされる。 - 特許庁

A reflective film 10 is formed under a lower electrode 11, and light from an organic EL layer 14 is emitted through an upper electrode 15.例文帳に追加

下部電極11の下には反射膜10が形成されており、有機EL層14からの光は上部電極15を通って放出される。 - 特許庁

Connection of the upper electrode 20 and the n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18 is made through the conductive part 54 of the insulating layer 50.例文帳に追加

上部電極20とn型およびp型熱電半導体エレメント16,18との接続は、絶縁層50の導電部54を介して行われる。 - 特許庁

Another method for forming layers having tapered edges includes the deposition of a layer in which the upper portion is etchable at a faster rate than the lower portion.例文帳に追加

テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。 - 特許庁

An upper layer contacting with a capacitive insulating film 17 out of the lower electrode 16 is an amorphous titanium nitride film 16B formed by, for instance, an MOCVD method.例文帳に追加

下部電極16のうち容量絶縁膜17と接する上層が例えばMOCVD法により成膜された非晶質の窒化チタン膜16Bである。 - 特許庁

The lower-layer insulation film is so formed above the semiconductor film as to extend from the respective channel regions to the respective source/drain regions along their upper sides.例文帳に追加

下層絶縁膜は半導体膜上において、チャネル領域上からソースおよびドレイン領域上にまで延在するように形成されている。 - 特許庁

A semisolid fluid storage part 20 in which the semisolid fluid is stored i pressurized from the upper layer thereof, and the pressurized semisolid fluid is transported by a plunger pump 30.例文帳に追加

半固形流体を貯蔵した半固形流体貯蔵部20をその上層より加圧し、加圧された半固形流体をプランジャポンプ30により輸送する。 - 特許庁

The electrodes for internal connection are connected to a wiring layer on a semiconductor substrate to perform resin sealing of the upper surface of the semiconductor substrate to the lower surface of the tape of the support.例文帳に追加

この内部接続用電極を、半導体基板上の配線層に接続して、該半導体基板上面を支持部のテープ下面まで樹脂封止する。 - 特許庁

A latent image after being formed by exposing a pattern area by converting a laser beam 8 for exposure on the upper layer is developed to form a pattern.例文帳に追加

露光用のレーザービーム8を上層に集光し、パターン領域を露光して潜像を形成した後、該潜像を現像液で現像してパターンを形成する。 - 特許庁

A UV-curable resin necessary for forming a resin layer 41 is supplied to the die face 341 of a die, and a single lens 40 is arranged on an upper plate.例文帳に追加

樹脂層41を形成するために必要な紫外線硬化樹脂が金型の型面341に供給され、単レンズ40が上部プレートに配置される。 - 特許庁

A current supply line which supplies an electric current to the upper electrode 30 and the auxiliary electrodes are made conductive with each other by forming a through hole in an insulation layer.例文帳に追加

上部電極30に電流を供給するための電流供給線と補助電極とは絶縁膜にスルーホールを形成して導通をとる。 - 特許庁

A ridge-like upper clad layer 25 is formed on an area exposed from the opening of the semiconductor laminated layers 10 by regrowth.例文帳に追加

半導体層積層体10における開口部から露出した領域の上にリッジ状の上部クラッド層25が再成長により形成されている。 - 特許庁

Thereafter, with the resist 18 and the SiO2 film 17 as the mask, the GaN layer 13 to the upper surface of the SiC substrate 11 or a part is removed by dry etching by using chlorine-based gas.例文帳に追加

その後、レジスト18とSiO_2膜17をマスクとして、GaN層13を塩素系のガスを用いてドライエッチングによりSiC基板11の上面まであるいは一部を除去する。 - 特許庁

Since the solder layer 28 of the upper solder bump 26 is melted, the falling of the solder bump 26 from the interlayer connecting electrode pad 22b can be prevented.例文帳に追加

こうして、半田バンプ26の半田層28が溶融して、上側の半田バンプ26が層間接続用電極パッド22bから脱落することを防止する。 - 特許庁

In other words, contact length between the heating element and a color thermal recording sheet 13 is shortened for a thermal head recording an image on an upper thermal coloring layer.例文帳に追加

このように、上層の感熱発色層に画像を記録するサーマルヘッドほど発熱素子とカラー感熱記録紙13との接触長を短くする。 - 特許庁

The turning air flows in a grains layer to be dried heaped in the grains housing chamber 4 from an upper surface to a lower surface thereof.例文帳に追加

穀物収容室4内に堆積させた被乾燥穀物層Aに、その下面から上面に旋回風を流通させるように構成されている。 - 特許庁

A source drain region 103 with its plain orientation of the surface as a (111) plain is selectively formed on the upper layer of the silicon substrate 100 with its plain orientation as (100) plain.例文帳に追加

面方位が(100)面のシリコン基板100の上層部に表面の面方位が(111)面のソース・ドレイン領域103が選択的に形成される。 - 特許庁

A third belt 36 advances at a second speed different from the first speed and selectively contacts with a rotatable part of the shell 52 at the upper layer of the label.例文帳に追加

第3のベルト36が第1の速度と異なる第2の速度で進み、ラベルの上の層であるシェルの回転可能部分52と選択的に接触する。 - 特許庁

The liquid sample measuring apparatus comprises a sensor 5 having the enzyme layer, and an upper casing 3 and a lower easing 4 sandwiching the sensor 5 from above and below.例文帳に追加

酵素層を備えたセンサ5と、センサ5を上下から挟む上部筐体3および下部筐体4により液体試料測定装置を構成する。 - 特許庁

The upper faces (surfaces) of second regions 11A, 11B, 11C and 11D are configured of silver layers, and formed of materials whose etching rate is larger than that of the first region (chrome layer).例文帳に追加

第2の領域11A,11B,11C,11Dはその上面(表面)が銀層からなり、前記第1の領域(クロム層)よりエッチングレートが大きい材料からなっている。 - 特許庁

A part of the bracket member 2 is surrounded by an upper fitting 4, and the outer periphery of the surrounded bracket member 2 is coated with a rubber layer 5.例文帳に追加

また、ブラケット部材2の一部は上部金具4により取り囲まれ、その取り囲まれたブラケット部材2の外周面はゴム層5により被覆されている。 - 特許庁

Then, etching is applied to the silicon oxide film 14, with the nitride silicon carbide film 22 as a stopper film, to remove the upper layer portion 17 from the pixel array area 3.例文帳に追加

そして、炭窒化シリコン膜22をストッパ膜として酸化シリコン膜14に対してエッチングを施し、画素アレイ領域3から上層部分17を除去する。 - 特許庁

The etched layers form the ferroelectric memory capacitor (270) with sidewalls that form an angle of 78° to 88° with the plane of the upper surface of the dielectric layer (70).例文帳に追加

エッチングされた層は、側壁が誘電層(70)上面の平面と78°から88°の間の角度を形成する強誘電体メモリキャパシタ(270)を形成する。 - 特許庁

The infrared emitting element A has a main insulating layer 2 on one surface (upper surface in Fig. 1) side of a support substrate (semiconductor substrate) 1 in the thickness direction.例文帳に追加

赤外線放射素子Aでは、支持基板(半導体基板)1の厚み方向の一表面(図1における上面)側に主断熱層2が形成されている。 - 特許庁

A ground wire layer 36 is formed from the upper part to the lower part of the central part of a semiconductor chip 18 provided to an RF power module 14.例文帳に追加

RFパワーモジュール14に設けられた半導体チップ18の中央部には、上方から下方にかけてグランド配線層36が形成されている。 - 特許庁

A two-layer structure metal film for forming wiring 7a consisting of a titanium film and a copper film formed by spattering is formed on the whole upper surface of a protection film 5.例文帳に追加

保護膜5の上面全体に、スパッタにより形成されたチタン膜およば銅膜からなる2層構造の配線形成用金属膜7aを形成する。 - 特許庁

To realize a structure that derives the potential of the upper electrode to a diffusion layer, in a dielectric memory having a solid stacked-type structure.例文帳に追加

立体スタック型構造を有する誘電体メモリにおいて、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造を実現することを目的とする。 - 特許庁

Thereby, a reaction gas can be discharged through the mold-releasing layer 27 even when the reaction gas is produced on the upper surface or the bottom surface of the quartz glass 25.例文帳に追加

これにより、石英ガラス25の上面や底面に反応ガスが発生しても、その反応ガスを離型層27経由で排出することができる。 - 特許庁

Specific polarization components are selectively scattered at an interface between the light guide plate and the upper layer, or at an interface between the matrix and the PSSE.例文帳に追加

導光板と上部層との間の界面、またはマトリックスとPSSEとの間の界面では、特定の偏光成分が選択的に散乱する。 - 特許庁

例文

The upper face and the side of the polycrystalline silicon resistance layer 14a are directly coated with the uniform Ti films 18a and 18b in the thickness of 30 nm.例文帳に追加

多結晶シリコン抵抗層14aはその上面及び側面を厚さ30nmの均一なTi膜18a、18bによって直に被覆されている。 - 特許庁




  
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