「v process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体及びその製造方法 - 特許庁

PROCESS FOR FABRICATING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体光装置を作製する方法 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 - 特許庁

is set, then the child and the calling process share a single list of System V semaphore undo values (see semop (2)). 例文帳に追加

がセットされると、子プロセスと呼び出し元プロセスは一つのSystem V セマフォのアンドゥ値リスト( semop (2) 参照) を共有する。 - JM

HEATING APPARATUS AND PROCESS FOR III-V GROUP WAFER, AND ANNEALING III-V GROUP SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族ウェーハの加熱装置およびプロセス、ならびにアニールＩＩＩ−Ｖ族半導体単結晶ウェーハ - 特許庁

The cage for the needle roller bearing is formed through a pocketing process after a V-type form molding process.例文帳に追加

針状ころ軸受の保持器は、Ｖ型フォーム成型工程の後に、ポケット抜き工程を行っている。 - 特許庁

A method for quantifying an annexin V is used and has the process (1) and a process (2) for immunologically measuring the annexin V contained in the plasma.例文帳に追加

また、工程（１）と、血漿に含まれるアネキシンＶを免疫測定する工程（２）とを有することを特徴とするアネキシンＶの定量方法を用いる。 - 特許庁

ELECTRODE FOR NITRIDE BASED III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用電極とその製造方法 - 特許庁

To facilitate high-precision measurement of a V-groove by simplifying the method for measuring the V-groove as well as an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスを簡素化すると共に、Ｖ溝の測定方法を簡素化してＶ溝の高精度測定が容易になるようにする。 - 特許庁

FORMATION PROCESS OF AS-GROWN-P-TYPE ACTIVE GROUP III-V NITRIDE COMPOUND例文帳に追加

ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物の形成工程 - 特許庁

The process for producing an Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v substrate comprises the steps of providing a dissimilar substrate (11) and growing a Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer having a main surface on the dissimilar substrate (11).例文帳に追加

本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁

In June next year, Japan will hold the TICAD V meeting in Yokohama to mark the 20th anniversary of the TICAD process. 例文帳に追加

明年6月には、TICADプロセス20周年の節目の会合となるTICADⅤを横浜で開催します。 - 財務省

PROCESS FOR MANUFACTURING DOPED SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND GROUP III-V SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ドープ半導体単結晶及びＩＩＩ−Ｖ族半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

To enable dry machining of a lens rim including V-edge forming without using process water.例文帳に追加

加工水を使用せずに、ヤゲン形成を含むレンズ周縁のドライ加工を可能とする。 - 特許庁

In the epitaxial growth of a III-V group compound semiconductor thin film laminate wafer using an organic metallic material, the semiconductor thin film is epitaxially grown at a low temperature by a highly efficient V group material decomposition process by the mutual chemical reaction process of ammonia and triethylamine (ETA).例文帳に追加

有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a production process of V-ribbed belt, allowing just a single process production without polishing a rib portion so as to reduce tension deterioration.例文帳に追加

リブ部を研磨せずに一つの工程のみで成形でき、張力低下も少ないＶリブドベルトの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the first process, the margin part 175a at the recessed surface side of the V-groove surface is polished by slipping the V-groove top position 176 of the finished lens 76 from the V-groove center position 183 of the V-groove polishing groove 83a of the polishing wheel 83, to the lens recessed surface side.例文帳に追加

第一の工程で仕上げレンズ７６のヤゲン頂点位置１７６を砥石８３のヤゲンポリッシュ溝８３ａのヤゲン溝センタ位置１８３からレンズ凹面側にずらしてヤゲン面の凹面側の取代部１７５ａを研磨する。 - 特許庁

Additionally, there is another method through which the group IVb, III-V or II-VI impurities are doped during growing process of a silicon nanostructure on a semiconductor substrate.例文帳に追加

更に別法として半導体基板上でシリコン・ナノ構造が成長するときにIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を添加する方法がある。 - 特許庁

In an ultrasonic diagnostic device 200, a CFM process section 14a calculates a blood flow velocity V and the variance σ of the blood flow velocity V.例文帳に追加

超音波診断装置２００において、ＣＦＭ処理部１４ａは、血流速度Ｖと、当該血流速度Ｖの分散σを算出する。 - 特許庁

(v) The standard operation process from the commencement to the termination of the certified dispute resolution procedures 例文帳に追加

五　認証紛争解決手続の開始から終了に至るまでの標準的な手続の進行 - 日本法令外国語訳データベースシステム

PROCESS FOR PRODUCING NITRIDE BASED III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING IT例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびそれを含む半導体装置 - 特許庁

To provide a solar cell structure and a method of manufacturing a solar cell wherein the surface electrode forming process for a group III-V compound solar cell can be simplified.例文帳に追加

III-V族化合物太陽電池セルの表面電極形成プロセスを簡略化できる太陽電池セル構造及び太陽電池セル作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crystal growth method that enables to expand a process window for growing a group III-V compound semiconductor including nitrogen as a group V.例文帳に追加

Ｖ族として窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するためのプロセスウインドウを広げることが可能な結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a first process of exposing to temperatures of 200°C or more, a second process of over-discharging until the voltage becomes less than 2.0 V after the first process, and a third process of charging after the above second process.例文帳に追加

２００℃以上の温度に晒す第一工程と、前記第一工程の後、電圧が２．０Ｖ未満になるまで過放電する第二工程と、前記第二工程の後、充電する第三工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a material preparing process I, a cold plastic working process II for performing plastic working for at least an outer peripheral surface of the material W, a heat treatment process III for performing heat treatment, an end face grinding process IV, and a peripheral surface grinding process V for grinding outer peripheral surface and inner peripheral surface of the material W after the end face grinding.例文帳に追加

この製造方法は、素材準備過程I と、この素材Ｗの少なくとも外周面を冷間で塑性加工する塑性加工過程IIと、熱処理する熱処理過程III と、端面研削過程IVと、この端面研削後の素材Ｗの外周面および内周面を研削する周面研削過程V とを含む。 - 特許庁

Properties of the phase correction process part 11 is variably established according to vehicle speed V and steering torque T.例文帳に追加

位相補償処理部１１の特性は、車速Ｖおよび操舵トルクＴに応じて可変設定される。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a III-V compound semiconductor optical device in which light emitting characteristics can be improved.例文帳に追加

発光特性を改善可能なIII−Ｖ化合物半導体光装置を作製する方法を提供する。 - 特許庁

In a process S105, an insulation film mask is used for performing plasma etching to the epitaxial substrate to process a plurality of III-V compound semiconductor films.例文帳に追加

工程Ｓ１０５では、絶縁膜マスクを用いてエピタキシャル基板のプラズマエッチングを行って、複数のIII−Ｖ化合物半導体膜を加工する。 - 特許庁

A plurality of chained process elements(DEMUX, V-DEC, A-DEC, TEXT, PROG, BLEND) are grouped into a first process element group and a second process element group.例文帳に追加

連鎖された複数の処理要素（ＤＥＭＵＸ、Ｖ−ＤＥＣ、Ａ−ＤＥＣ、ＴＥＸＴ、ＰＲＯＧ、ＢＬＥＮＤ）は第１処理要素グループと第２処理要素グループとにグループ分けされる。 - 特許庁

In a process following this process, a groove 18 (preferably a V-shaped) is formed in the surface of the wafer 1 along the boundary line between the semiconductor elements.例文帳に追加

これに続く工程で、各半導体素子の境界線に沿って、上記ウェハの表面に溝１８(好ましくはＶ字状のもの)を形成する。 - 特許庁

To provide a formation process of an as-grown-p-type active group III-V nitride compound layer, which does not require a separate activating process.例文帳に追加

本発明は別個の活性化工程を必要とせずにａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the carrier for ligand binding, which includes gelatine and gum arabic, is characterized by comprising a process for preparing the carrier for ligand binding by mixing the gelatine and gum arabic in a water solution containing water-soluble organic solvent at a concentration of 20 to 40 (v/v)%.例文帳に追加

ゼラチンおよびアラビアゴムを含むリガンド結合用担体の製造方法であって、水溶性有機溶媒を２０〜４０（v/v）％の濃度で含む水溶液中でゼラチンおよびアラビアゴムを混合し、リガンド結合用担体を調製する工程を含むことを特徴とする方法。 - 特許庁

An electrophotographic process is performed, the surface of the photoreceptor 1 is charged uniformly, to about -570 V by the charging device 2 to which -600 V is applied, and -600 V is also applied to the core bar of the lubricant application brush 8a.例文帳に追加

電子写真プロセスを行い、−６００Ｖが印加された帯電装置２により感光体１の表面を−５７０Ｖ程度に一様に帯電させ、潤滑剤塗布ブラシ８ａの芯金にも−６００Ｖを印加しておく。 - 特許庁

Even after the fusion splicing process is completed and the optical fibers are taken out of a fusion splicing apparatus, the alignment V-shaped grooves of the V-shaped groove substrate (3) are cleaned with the optical fiber stick cleaner (11).例文帳に追加

融着接続工程が終了し、光ファイバを装置外に取出した後においても、Ｖ溝基板（３）の整列用Ｖ溝を光ファイバスティッククリーナ（１１）によりクリーニングを行う。 - 特許庁

To obtain a high quality group III-V nitride semiconductor laminated substrate, a group III-V nitride semiconductor free-standing substrate, and a high performance semiconductor element without necessitating a complicated process.例文帳に追加

複雑な工程を必要とせず、高品質の３−５族窒化物半導体積層基板、３−５族窒化物半導体自立基板及び高性能の半導体素子を容易に得ること。 - 特許庁

In the blanking process, the connection part 4 is formed at a position between both V faces 10 of a body 6 of the element 1.例文帳に追加

打抜き工程においては、連結部４をエレメント１のボデー６の両Ｖ面１０の間の位置に形成する。 - 特許庁

The process for producing intermediate B therefore satisfies the provision of Patent Law section 37(v). 例文帳に追加

したがって、中間体の製法は、特定発明である最終生成物に対して第37 条第5 号の関係を満たす。 - 特許庁

(v) where a patent has been granted for an invention of a process of producing a product, possessing the product produced by the said process for the purpose of assigning, etc. or exporting it. 例文帳に追加

五　特許が物を生産する方法の発明についてされている場合において、その方法により生産した物を譲渡等又は輸出のために所持した行為 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Thus, the welding process to form the excess weld metal at the back side of the base metal by an arc heat reservoir or a laser beam is not required, and the welding process will be the first process of welding the straight zone 14 and the second process of welding the V type part.例文帳に追加

このため、母材８の裏面をアーク熱源又はレーザにより余盛を形成する工程は不要となり、溶接工程としては、ストレート部１４を溶接する第１工程と、Ｖ型部を溶接する第２工程との２つの工程となる。 - 特許庁

In a manufacturing process of the nonaqueous electrolyte secondary battery of the 5 V class, the initial charge is carried out after assembling a battery, and a battery after the charge is left as it is for 3 to 720 hours in a state that an open circuit electric potential of a positive electrode becomes 3.90 V to 4.88 V (vs. Li/Li^+).例文帳に追加

５Ｖ級の非水電解質二次電池の製造工程において、電池を組み立てた後に初期充電を行い、充電後の電池を、正極の開回路電位が３．９０Ｖ〜４．８８Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ^＋）となる状態で３〜７２０時間放置する。 - 特許庁

A process of pasting metal lithium, and a process of carrying out the first time charge of the secondary battery are included in a state that the electric potential E_1 (vs. Li^+/Li) of the negative electrode is held in the range of 2.5 V<E_1<3.2 V after injecting a nonaqueous electrolytic solution into the battery case 8.例文帳に追加

負極板３に、金属リチウムを貼付する工程と、電池ケース８に非水電解液を注入後、負極の電位Ｅ_1（vs．Ｌｉ^+／Ｌｉ）を２．５V＜Ｅ_1＜３．２Vの範囲に保持した状態で、二次電池の初回充電を行う工程とを含む。 - 特許庁

To shorten the term of joint treatment work by carrying out surface preparation for plates butted in the first process, filling putty into a V-cut in the second process, and pasting a nonwoven fabric sheet plate with many holes in the third process.例文帳に追加

目地処理用のファイバーテープがメッシュ状で、また厚いので、下付けパテを塗布した後更に上付けパテを２，３回塗布しなければパテの表面が周囲と段差無くなじんだ状態とならず、工期が長時間かかる。 - 特許庁

An adapted language mode is prepared with the language mode prepared in (iv) with respect to the model 1 prepared in (v) and (i) (process 9).例文帳に追加

（ｖ）（ｉ）で作成した言語モデル１に対し、（iv）で作成した言語モデルにより適応化した言語モデルを作成する（工程９）。 - 特許庁

A die (especially a circular die) is preferably used when foaming the cooled kneaded object in the foaming process (V).例文帳に追加

前記発泡工程（Ｖ）で、冷却された混練物を発泡させる際にダイ（特に円環状ダイ）を好適に用いることができる。 - 特許庁