「v process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a grain decorative sheet, which is excellent in a secondary workability such as V-cut, lapping or the like and scratch marks make inconspicuous even when a decorative sheet is scratched during its working process or at its use or the like and in which the lowering of design properties is small.例文帳に追加

Ｖカット、ラッピング等の２次加工性に優れた化粧シートであって、加工工程、または使用時等に、化粧シートに傷が付いても、傷痕が目立つことが少なく、意匠性の低下の少ない木目化粧シートを提供することにある。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element includes a process of cleaving a semiconductor layer composed of a group nitride III-V compound grown on the main surface of a substrate by scribing the rear surface of the substrate.例文帳に追加

基板の主面上に成長した窒化物系III-Ｖ族化合物からなる半導体層において、前記基板の裏面をスクライブすることによって、前記半導体層をへき開する工程を特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 特許庁

To improve drastically the precision of a tooth flank by forming a V-groove in a slightly inside of a tooth bottom forming position by coining at the same time of stamping or in a different process, when forming teeth of a sprocket.例文帳に追加

本発明は、スプロケットの歯部を形成するに際し、打抜き加工と同時もしくは別工程にて、スプロケットの歯底形成部位の少し内側にコイニングによるＶ溝を形成させることにより、歯面精度を大幅に向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a voltage controlled variable capacitor that can be its manufactured without changing the conventional manufacture process, or adding any new process, preventing the circuit from being largely scaled or integrated into a high voltage, preventing the maximum value and minimum value of the capacitance per the unit area of an electrode from being fluctuated, and arbitrarily selecting high frequency C-V characteristics.例文帳に追加

従来の製造プロセスを変更したり、新たなプロセスを追加したりすることなく製造でき、回路が大型化及び高電圧化することがなく、電極の単位面積あたりの容量の最大値及び最小値が変動することがなく、高周波Ｃ−Ｖ特性を任意に選択できる電圧制御可変容量素子を提供する。 - 特許庁

A manifold block 2 is molded to be rectangular parallelepiped by forming a process gas input port 3, a purge gas input port 4 and a process gas output port 5 formed on a lower surface of the manifold block 2 on the same straight line by forming a purge gas input passage to communicate the purge gas input port 4 and an input port of a check valve to each other in a V shape.例文帳に追加

パージガス入力ポート４とチェック弁５０の入力ポート５１とを連通させるパージガス入力流路１０をＶ字形に形成することにより、マニホールドブロック２の下面に形成されたプロセスガス入力ポート３、パージガス入力ポート４及びプロセスガス出力ポート５を同一直線上に形成して、マニホールドブロック２を直方体に成形する。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。 - 特許庁

Article 638-3 The specified principal employer prescribed by item (v) of paragraph (1) of Article 30 of the Act shall, as regards the formulation of plans set forth in the same item, prepare plans concerning the process of the said work including a process chart, etc., and plans concerning the main machinery, equipment and the arrangement of makeshift work buildings at the said work place. 例文帳に追加

第六百三十八条の三　法第三十条第一項第五号に規定する特定元方事業者は、同号の計画の作成については、工程表等の当該仕事の工程に関する計画並びに当該作業場所における主要な機械、設備及び作業用の仮設の建設物の配置に関する計画を作成しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

When the temporary containers V's stacked into the stages are divided into each of the containers, the containers are sent to the packaging process one by one in such a manner that the order of the chicken eggs filled into the receiving position a1 to an of the temporary container V in the prescribed assembling section is reproduced.例文帳に追加

前記段積みされた仮容器Ｖを取り崩す際に、前記所定の集合区画において仮容器Ｖの収容座ａ１〜ａｎに充填された鶏卵の順序を再現するように仮容器を１枚ずつ包装工程に送出するようにした。 - 特許庁

To provide a substrate film for a decorative material that uses a high density polyethylene as a substrate, has no slacks and does not cause cracking nor whitening on folding or post-working such as V-cutting or the like after performing a deep embossing work and provide a process for producing the substrate film.例文帳に追加

高密度ポリエチレンを基材とし、弛みがなく、しかも、深いエンボス加工を施しても、その後の折り曲げやＶカット等の後加工において、割れや白化が起こらない化粧材用基材フィルムとその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, by removing the corners of the collector areas 32 and 33 formed by V groove type etching by silicon etching, coating of a photoresist film to be used for a process for forming high concentration embedded layers 38 and 40 is facilitated.例文帳に追加

そして、Ｖ溝型エッチングにより形成されるコレクタ領域３２、３３の角部をシリコンエッチングにより除去することで、高濃度埋め込み層３８、４０を形成する工程に用いるフォトレジストの被膜を容易にする半導体集積回路装置の製造方法。 - 特許庁

The speaker's voice signal Cv is subjected to the speaking speed conversion process of the speaking speed conversion part 3, the processed speaker's voice signal V is added to the back ground sound signals Lb' and Rb' which were separated at the signal separation part 1, by the left and right adders 4a, and 4b respectively.例文帳に追加

話者音声信号Ｃvには話速変換部３によって話速変換処理が施され、その処理後の話者音声信号Ｖが左右チャネルの各加算器４a，４bによって信号分離部１で分離した背景音信号Ｌb'，Ｒb'に加算される。 - 特許庁

When a source voltage V falls below a 1st reference voltage V1 (step S302) and is higher than a second reference voltage V2 (step S303), a function limiting process is performed (step S305) and the reception cycles of the different-frequency signal is made (n) time as long as the cycles T.例文帳に追加

電源電圧Ｖが第１の基準電圧Ｖ１より低くなり（ステップＳ３０２）、第２の基準電圧Ｖ２よりも高い（ステップＳ３０３）場合は、機能制限処理を行い（ステップＳ３０５）、他周波信号の受信周期を、周期Ｔのｎ倍にする。 - 特許庁

To provide a series structured light emitting diode which can be used both in series and in parallel, by which a volatilization of a process of an adhesion of a group V element is improved and a desirable photoelectric property is obtained and a simultaneous packaging of three colors of RGB is easy, and a manufacturing method of the light emitting diode.例文帳に追加

Ｖ族元素の接着の過程の揮発を改善し、好ましい光電特性が得られ、ＲＧＢの３色の同時パッケージが容易で、且つ並列、直列いずれにも使用できる直列構造の発光ダイオード、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The part at the base material 2 side of the low refractive index layer 5 functions as a substantial light absorbing layer, so that the V-curve is effectively restrained and these substantially low refractive index layer and light absorbing layer can be formed in one process to lower the manufacturing cost.例文帳に追加

低反射率層５の基材２側の部分は実質的な光吸収層として機能するので、効果的にＶカーブを抑制でき、これら実質的な低反射率層と光吸収層とが一工程で形成されるので、製造コストを低くすることができる。 - 特許庁

In the epitaxial growth process of the compound semiconductor crystal carried out, by introducing a raw material gas and a plurality of organic metal raw materials, the number of the pits generated in the growing process of the compound semiconductor crystal is suppressed, by decreasing the ratio of the total supplied amount of the MO raw materials to the supplied mount of the raw material gas (V/III ratio).例文帳に追加

原料ガスと複数の有機金属原料を導入することにより行われる化合物半導体結晶のエピタキシャル成長工程において、前記原料ガスの供給量に対する前記ＭＯ原料の全供給量の比（Ｖ／III比）を低減させることにより、前記化合物半導体結晶の成長過程において生じる結晶中のピット数を抑制する。 - 特許庁

The method for manufacturing the methacrylic acid-producing catalyst is characterized by controlling the water content of catalyst powder used in molding, the temperature and humidity of a molding process and the temperature and humidity of a baking process in a case that molding is performed by a coating method using an Mo-V-P-Cu type heteropolyacid as an active component and water or alcohol and/or an aqueous solution of alcohol as a binder.例文帳に追加

Ｍｏ−Ｖ−Ｐ−Ｃｕ系ヘテロポリ酸を活性成分とし、水、あるいはアルコール及び／又はアルコールの水溶液をバインダーとして、コーティング法により成型を行う場合に、成型に用いる触媒粉末の含水率、成型工程の温度と湿度、焼成工程の湿度と湿度管理を行うことを特徴とするメタクリル酸製造用触媒の製造方法。 - 特許庁

An organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is then used as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate.例文帳に追加

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 - 特許庁

An active region 120 and a passive region 110 of a semiconductor member 125 are formed by a II-V compound semiconductor, and the passive region 110 is formed with a thickness of 5 μm or more, and a reflecting mirror 130 and a partially transmitting mirror 100 are formed by a dichroic mirror, to thereby simplify a complicated process at the time of forming a mirror.例文帳に追加

半導体部材125の活性領域120及び受動領域110をII−VI族半導体化合物で形成し、受動領域110を５μｍ以上の厚さに形成し、反射ミラー130及び部分透過ミラー100をダイクロイックミラーで形成することにより、ミラー形成時の複雑な工程を単純化しうる。 - 特許庁

In the digital entertainment system, an A/V signal processing part receives external broadcasting signals and outputs digital data obtained through a process of channel selection and demodulation, and a DOCSIS/OOB processing part provides a communication interface according to a DOCSIS standard and for an OOB service.例文帳に追加

本発明によるデジタルエンタテインメントシステムでＡ／Ｖ信号処理部は外部放送信号を受信してチャンネルの選局と復調化過程を経たデジタルデータを出力して、ＤＯＣＳＩＳ／ＯＯＢ処理部はＤＯＣＳＩＳ標準とＯＯＢサービス提供による通信のためのインターフェースを提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive V-grooved substrate having an excellent strength, having few wear and slight deformation accompanying repeated attaching and detaching of a guide pin or the like and in which stable low connecting losses are held as an optical connector, and a manufacturing method by which the grooved substrates are manufactured by a single process with excellent productivity.例文帳に追加

安価で、強度に優れ、ガイドピン等の繰り返し着脱に伴う磨耗や微小変形が少なく、光コネクタとして安定した低接続損失を保持するＶ溝基板、及び該Ｖ溝基板を単一のプロセスで量産性良く製造できる方法を提供する。 - 特許庁

In a first process, by irradiating electron beam to the surface of a group III-V compound semiconductor substrate 1 in vacuum, a natural oxide film 2 on the surface of the substrate 1 is replaced with group III oxide 3 which is chemically stable, forming a reformed mask part 3 periodically.例文帳に追加

第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。 - 特許庁

After a nitride-based III-V compound semiconductor layer 15 is grown in a recess 13 between the protrusions 12 through a process having a triangular section with its bottom as a base, lateral growth takes place from the layer 15.例文帳に追加

凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。 - 特許庁

In a third process, the substrate 1 is heated at a specified temperature in such environment as a group V material is supplied in vacuum, and the group III atom is released by priority from the exposed part of the substrate surface for hopping on the reformed mask part 3, thereby forming a dimple 4 in the exposed part.例文帳に追加

第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。 - 特許庁

The film of the TiAl compound is used to clad by making the adjustments on increasing after decreasing the voltage of a base material impressed between a vacuum container and the base material successively and/or stepwise in the range of -20 to -300 V during a process for forming the film of the TiAl compound.例文帳に追加

ＴｉＡｌ化合物膜形成工程中に該真空容器と該基材間に印加する基材電圧を−２０Ｖ〜−３００Ｖの範囲で連続的および／または段階的に降下させたのち上昇させるという調整を行いＴｉＡｌ化合物膜を被覆した。 - 特許庁

To provide a self-compensating spiral for a mechanical spiral balance-wheel oscillator in watchwork or another precision instrument, made of a paramagnetic alloy containing at least one of the elements Nb, V, Ta, Ti, Zr, Hf, as well as the process of treating this spiral.例文帳に追加

本発明は、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの元素の少なくとも１種を含有する常磁性合金から作られ、時計輪列または他の精密計器における機械的なスパイラル天輪ホイール振動子用の自己補償型スパイラルに関し、ならびにこのスパイラルの処理方法に関する。 - 特許庁

In the operation of an ion exchange membrane process salt electrolyzing cell mounted with an oxygen cathode, each cathode frame and each anode frame in the electrolyzing cell are provided with electric contacts, their respective single cell voltage is measured, and it is operated in such a manner that the voltage is controlled to ≤2.38 V.例文帳に追加

酸素陰極を装着したイオン交換膜法食塩電解槽の運転において、電解槽の各陰極フレームと各陽極フレームに電気接点を設け、それぞれの単槽電圧を測定し、その電圧が２．３８Ｖ以下で運転する食塩電解槽の運転方法。 - 特許庁

A method for producing an electrode active material includes a process of melting and quenching M^1F_2 and/or M^1F_3 (M^1 represents any metal element selected from among Fe, Ti, V, Mn, Co and Ni) with M^2F and/or M^2HF_2 (M^2 represents an alkali metal element) in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

電極活物質の製造方法は、Ｍ^1Ｆ_2および／またはＭ^1Ｆ_3（Ｍ^1は、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちいずれかの金属元素を表す）を、Ｍ^2Ｆおよび／またはＭ^2ＨＦ_2（Ｍ^2は、アルカリ金属元素を表す）と不活性ガス雰囲気下で溶融急冷する工程を含む。 - 特許庁

The management device 1 decides a division number V for task division based on a total number of parallel processing T when making the arithmetic processing devices perform the conversion process, an upper limit on a number of pages of the page data 5 to be included in one task 81 and the number of pages of the page data 5 included in an output job 8.例文帳に追加

管理装置１が、変換処理を行わせる際の並行処理総数Ｔと、１個のタスク８１に含ませるページデータ５のページ数の上限と、出力ジョブ８に含まれるページデータのページ数とに基づいて、タスク分割する際の分割数Ｖを決定する。 - 特許庁

Subsequently, an organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is employed as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate.例文帳に追加

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 - 特許庁

This method for producing the corresponding unsaturated acid or unsaturated nitrile by subjecting propane or isobutane to the gas phase catalytic oxidation or gas phase catalytic ammoxidation in the presence of a composite oxide catalyst containing Mo, V and Nb by using a fluidized bed reactor is provided by comprising a process of bringing a tungsten compound having 1 to 500 μm mean particle diameter in contact with the composite oxide catalyst in the fluidized bed reactor.例文帳に追加

Ｍｏ、V及びＮｂを含有する複合酸化物触媒の存在下、流動床反応器を用いてプロパン又はイソブタンを気相接触酸化反応又は気相接触アンモ酸化反応に供することにより対応する不飽和酸又は不飽和ニトリルを製造する方法であって、 平均粒子径１〜５００μｍのタングステン化合物を前記流動床反応器内で前記複合酸化物触媒と接触させる工程を含む、不飽和酸又は不飽和ニトリルの製造方法。 - 特許庁

After an active layer 3, an etching stopping layer 4, and a cap layer 5 are successively grown on a substrate 1 composed of a III-V compound semiconductor, an element region is separately formed by subjecting it to mesa etching (first process), and a mask having an opening for controlling the width of a gate electrode G is formed on the formed mesa.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体からなる基板１上に活性層３、エッチング停止層４、およびキャップ層５を順に成長させた後、メサエッチングを施して素子領域を分離形成し（第１の工程）、上記メサ上にゲート電極Ｇの幅を規定する開口部を有するマスク１１を形成する。 - 特許庁

If the external sensor 44 detects the condition that a paper cassette or a process cartridge is removed from a main system, a signal is input to the brake control circuit of the energization circuit 42 via the main controller 43 whereby the brake control circuit short-circuits the driving phase coils U, V, W and brakes the drive motor 41.例文帳に追加

外部センサ４４が紙カセットやプロセスカートリッジが装置本体から取り外されたことを検出すると、信号が本体コントローラ４３を介して通電回路４２のブレーキ制御回路に入力し、ブレーキ制御回路は駆動相コイルＵ、Ｖ、Ｗを短絡させ、駆動モータ４１に制動を掛ける。 - 特許庁

The squeezing jigs 330a and 330b cross the comb teeth 332a and 332b with putting leading edges of the one comb teeth of the squeezing jig into the gaps of the other comb teeth, pinch the wire between roots of the V letter-shaped notches 333a and 333b, and slide along the wire, thereby performing the squeezing process for the wire.例文帳に追加

扱き治具３３０ａ及び３３０ｂは、扱き治具の一方の櫛歯の先端部が他方の櫛歯の間隙部に収まるようにして櫛歯３３２ａと３３２ｂを交差させ、Ｖ字状の切欠き部３３３ａ及び３３３ｂの谷間部で線材を狭持し、線材に沿って摺動することにより線材に扱き処理を施す。 - 特許庁

To provide a V-type multicylinder engine provided with a recessed part corresponding to a cylinder bore of a pair of cylinder barrels on an upper part of a plurality of journal walls capable of improving accuracy and safety in a drilling process in drilling a through hole for preventing scattering of oil mist because of oil level flutter on the journal walls.例文帳に追加

複数のジャーナル壁の上部に一対のシリンダバレルのシリンダボアに対応した凹部が設けられるＶ型多気筒エンジンにおいて、油面のばたつきによるオイルミストの飛散を防止するための貫通孔をジャーナル壁に穿孔加工するにあたって、その穿孔加工精度の向上および穿孔加工の安定化を可能とする。 - 特許庁

The process of changing the substrate temperature from the first substrate temperature to the second substrate temperature includes measuring the substrate temperatures and controlling supply amount to ensure that the supply amount of the V group element will be between a target lowest value and a target highest value of the supply amount at the measured substrate temperatures.例文帳に追加

基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 - 特許庁

This mixture of oil and water is obtained by a negative voltage applying process where a negative voltage of 100 V or higher is applied while bringing a heavy oil mixture containing heavy oil and hydrophilic carbon black, treating water having a pH of ≥8.5 and ≥10 mg/L dissolved oxygen content and gaseous oxygen into contact with each other.例文帳に追加

油水混合物は、重油及び親水性カーボンブラックを含有する重油混合物と、ｐＨ８．５以上且つ溶存酸素含有量が１０ｍｇ／Ｌ以上である処理水と、酸素ガスと、を相互に接触させながら、これらに１００Ｖ以上の負電圧を印加する負電圧印加工程を備えて得られる。 - 特許庁

A material prepared by kneading and crosslinking at least a polar polymer, a crosslinking agent and a triboelectrification controlling agent is used for the elastic conductive body 8b of a regulating member 3c so that a developing roller 3a is electrified to -200 V or lower in the triboelectrification process and that a toner can be electrified to a sufficiently high positive potential.例文帳に追加

規制部材３ｃの弾性導電体８ｂとして、少なくとも有極性のポリマー，架橋剤，摩擦帯電調整剤を混練し架橋したものを用いることにより、現像ローラ３ａとの摩擦帯電の際に−２００Ｖ以下に帯電させ、トナーに対して十分な大きさの正電位に帯電することができる。 - 特許庁

The front side upright part 25 enhances rigidity of the solder-jointed part 3, and furthermore, since the front wall part 11 and the front side upright part 25 have their V-shaped bent sides at a position opposed to each other when they are bent upward respectively, distortions at the solder-jointed part 3 generated at bending-process of each of them are offset.例文帳に追加

前側立設部２５は、はんだ接合部３の剛性を高め、しかも、前壁部１１と前側立設部２５は、それぞれを上方へと折り曲げる際に谷折りされた側が対向する位置に形成されているため、それぞれの折り曲げ加工時にはんだ接合部３に生じる歪みが相殺される。 - 特許庁

A signal processing circuit 13 designed to process signals from a sensor chip 12, which has a pair of fixed electrodes and a movable electrode located therebetween, includes the fully differential C-V conversion circuit 26, a control signal generation circuit 25, and a control circuit 25 which controls first to sixth switches 31 to 36 and the like.例文帳に追加

一対の固定電極部とそれらの間に配置される可動電極部とを有するセンサチップ１２からの信号を処理するための信号処理回路１３を、全差動型のＣ−Ｖ変換回路２６、制御信号発生回路２５、第１〜第６のスイッチ３１〜３６を制御する制御回路２５等から構成する。 - 特許庁

Carbon nano fibers are produced through the catalytic CVD process by using a carbon-containing gas as a raw material in the presence of a catalyst comprising one kind or plural kinds of materials selected from at least Cr, Mn, Fe, Co, Ni or their oxides and one kind or plural kinds of materials selected from Cu, Al, Si, Ti, V, Nb, Mo, Hf, Ta, W or their oxides.例文帳に追加

少なくともＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの酸化物よりなる群から選ばれた１つ又は複数の材料と、Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ又はこれらの酸化物よりなる群から選ばれた１つ又は複数の材料からなる触媒を使用して、炭素含有ガスを原料とした触媒ＣＶＤ法によりカーボンナノ繊維を製造する。 - 特許庁

The method for cleaning the Ni-P plating substrate in a process of performing Ni-P plating on an aluminum substrate and then immersing the plating substrate in rinse water, comprises keeping the temperature (T) of the above rinse water at 50°C or higher, and controlling a raising speed (V) of raising the above plating substrate from the above rinse water, according to the rinse water temperature (T).例文帳に追加

アルミニウムサブストレートにＮｉ−Ｐめっきを施した後に、該めっき基材を洗浄水に浸漬して洗浄する方法において、前記洗浄水温度（Ｔ）を５０℃以上とするとともに、前記洗浄水から前記めっき基材を引き上げる引き上げ速度（Ｖ）を洗浄水温度（Ｔ）に応じて制御する。 - 特許庁

Then, the velocity 'V' determined from the state vector 'X' corrected by the velocity correction processing is compared with the velocity threshold set beforehand, to thereby determine a positioning mode (moving state) of the cellular phone 1, and Kalman filter processing is executed by a process noise 'Q' (filter characteristic) corresponding to the positioning mode, and thereby the present position is positioned.例文帳に追加

そして、速度補正処理で補正された状態ベクトル「Ｘ」から求められる速度「Ｖ」と、先に設定された速度閾値とが比較されて携帯型電話機１の測位モード（移動状態）が判定され、当該測位モードに応じたプロセスノイズ「Ｑ」（フィルタ特性）でカルマンフィルタ処理が実行されて、現在位置が測位される。 - 特許庁

The light-receiving circuit is equipped with a transient-current processing circuit 21 to process a transient current from the I-V conversion circuit 8 when it is switched from an operating condition to a nonoperating condition, and a clipping circuit 24 to keep a voltage level of the input terminal of the transient-current processing circuit 21 at a predetermined level.例文帳に追加

さらに、受光回路は、Ｉ−Ｖ変換回路８が動作状態から非動作状態に切り替わるとき、Ｉ−Ｖ変換回路８からの過渡電流を処理する過渡電流処理回路２１と、過渡電流処理回路２１の入力端子の電圧を所定値に保つクリップ回路２４とを備えるものである。 - 特許庁

To provide a table top ELID(electrolytic in-process dressing) processing device capable of high precision machining of hard brittle materials or carbide metals, miniaturizing both necessary driving power and a pulse power supply, and thereby being operated by small electric power using low voltage (100 V) and being miniaturized to an extent that it can be placed on a desk.例文帳に追加

硬質脆性材料や超硬金属の高精度加工ができ、駆動用の必要動力とパルス電源の両方を小型にでき、これにより低電圧（１００Ｖ）を用いた小電力で稼働でき、かつ机上に載るような小型化が可能である卓上ＥＬＩＤ加工装置を提供する。 - 特許庁

The exposure process is carried out in such a manner that the border region S3 where the first region S1 and the second region S2 are overlapped with each other is formed in the region (interline region V) including a part of the region between adjacent pixel lines.例文帳に追加

凹凸状の表面を有する絶縁層１２を形成する工程は、感光性樹脂膜の第１領域Ｓ１を第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、第２領域Ｓ２を第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、露光された感光性樹脂膜を現像する工程とを包含する。 - 特許庁