「v process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

(v) where a patent has been granted for an invention of a process of producing a product, possessing the product produced by the said process for the purpose of assigning, etc. or exporting it without knowledge. 例文帳に追加

五　特許が物を生産する方法の発明についてされている場合において、善意に、その方法により生産した物を譲渡等又は輸出のために所持した行為 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a novel technique for umbrella, can make the manufacturing process of a cover remarkably effective which process has been most important and most complicated in the manufacturing process of an umbrella up to now, and prevent "inverted V shape" deformation phenomenon by strong wind.例文帳に追加

洋傘の製造工程中最も重要且つ複雑とされてきた、カバーの製造を格段に効率化することができ、しかも強風による「おちょこ」変形現象を未然に防止可能とする新たな洋傘技術を提供する。 - 特許庁

By holding the periphery of the wafer by the holding member having V-shaped grooves 14a, the influence by the slurry during a polishing process can be minimized.例文帳に追加

ウェハの外周をＶ溝１４ａのある保持部材で保持することにより研磨加工中のスラリの影響を最少に抑える。 - 特許庁

In this glass molding 11, a bar groove 12 having a V-shaped cross section is formed on its outer surface side along the cutting line L in a molding process.例文帳に追加

ガラス成型体１１には、成型工程で切断線Ｌに沿って外面側に断面ほぼＶ字状の条溝１２を形成する。 - 特許庁

If a detection result obtained by the potential sensor 30 is 200 V or less, the process terminates without changing a PTL drive voltage and a leading edge transfer current.例文帳に追加

電位センサの検知結果が、２００Ｖ未満の場合は、ＰＴＬ駆動電圧、先端転写電流を変更せずに終了する。 - 特許庁

The tilting of the scanning line is thereby suppressed when the ratio K of the process linear speed V and scanning speed Vimg is different.例文帳に追加

これにより、プロセス線速Ｖと走査速度Ｖｉｍｇとの比率Ｋが異なったときの走査線に傾きを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a propeller shaft in which μ-v characteristics is set to a positive gradient without performing a coating process with the use of, for example, DLC (diamond like carbon).例文帳に追加

ＤＬＣ等によるコーティング処理を施さなくてもμ−ｖ特性を正勾配にすることが可能なプロペラシャフトを提供する。 - 特許庁

This process is repeated until the error Y1-Y2 becomes into a tolerance, and adjusting of the wire vertical displacement in the V-axis direction is finished.例文帳に追加

これを誤差Ｙ１−Ｙ２が許容範囲になるまで繰り返し実行し、Ｖ軸方向のワイヤ垂直ズレ調整は終了する。 - 特許庁

The Ti-V alloy target material for vapor deposition is a Ti-V alloy target material used for dry process vapor deposition and having a part where Ti and V are allowed to enter into solid solution, in an amount of ≥5% by surface area ratio of a mirror polished specimen, and also having 95-100% relative density.例文帳に追加

ドライプロセス蒸着用として用いられるＴｉ−Ｖ合金製ターゲット材であって、ＴｉとＶが固溶した部分を鏡面研磨試料の表面面積率で５％以上有し、且つ相対密度が９５〜１００％である蒸着用Ｔｉ−Ｖ合金製ターゲット材。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process of growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen on a substrate by an MBE method and a process of growing the group III-V compound semiconductor layer including phosphor on the nitrogen-containing semiconductor layer by a chloride vapor growth method.例文帳に追加

基板上に、窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、ＭＢＥ法により成長する工程と、その窒素含有半導体層上に、燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、塩化物気相成長法により成長する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

This method for recovering the group III elements from a III-V compound semiconductor containing phosphorus has a process of evaporating only the phosphorus by roasting the III-V compound semiconductor at 900 to 1500°C in an inert atmosphere and a process of removing the evaporated phosphorus.例文帳に追加

Ｐを含むIII−Ｖ族化合物半導体からIII族元素を回収する方法であって、上記III−Ｖ族化合物半導体を不活性雰囲気中において９００〜１５００℃で焙焼してＰのみを揮発させる過程と、上記揮発したＰを除去する過程とを有する。 - 特許庁

This method for producing an alcoholic drink containing the jelly comprises the following production process of storing (A) the small piece parts of the jelly, containing a gelling agent containing a deacylated type gellan gum in (B) an alcoholic liquid part having 1 to 25 v/v% alcohol concentration.例文帳に追加

以下の製造工程：（Ａ）脱アシル型ジェランガムを含むゲル化剤を含有するゼリー細片部を、（Ｂ）アルコール濃度が１〜２５ｖ／ｖ％のアルコール液部中で貯蔵する、ゼリー入りアルコール飲料の製造方法。 - 特許庁

The catalyst for ammoxidation reaction of the propane or isobutane containing Mo, V, Sb, Nb and Al and the process of preparing unsaturated nitrile using this catalyst.例文帳に追加

Ｍｏ、Ｖ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ａｌを含むプロパンまたはイソブタンのアンモ酸化用触媒およびその触媒を用いる不飽和ニトリルの製造法。 - 特許庁

After the convex portion is mostly covered and flattened (3.E), the process is carried out at normal pressure while controlling the V/III ratio to be high (by resuming the original supply amount of ammonia).例文帳に追加

凸部の上面がほぼ覆われて平坦化した後（３．Ｅ）は、常圧で、Ｖ／III比を高くした（アンモニアの供給量を元に戻した）。 - 特許庁

The Li-V oxide is manufactured by a wet process in which vanadium or a vanadium compound and a lithium compound are made to react with hydrogen peroxide aqueous solution.例文帳に追加

バナジウムまたはバナジウム化合物とリチウム化合物を過酸化水素水と反応させる湿式法によりＬｉ−Ｖ酸化物を製造する。 - 特許庁

To prevent a protrusion-like underfill from remaining on the end surface of a semiconductor device composed of a group III-V semiconductor after a laser lift-off process.例文帳に追加

レーザーリフトオフ工程後に、III −Ｖ族半導体で構成された半導体素子の端面に突起状のアンダーフィルが残るのを防止すること。 - 特許庁

In the press forming process, V- or U-shape grooves G are formed in the position to divide the prism preform into each microprism 20.例文帳に追加

上記プレス成形工程にて、プリズム母材の各マイクロプリズム２０間を区分する位置にＶ字状あるいはＵ字状溝Ｇを形成する。 - 特許庁

The filtering process of each pixel is enabled by filtering process using the characteristics of a human visual system, by using independent parameters such as time difference(TD), motion estimated residual (MR) and motion vector (v).例文帳に追加

時間差（ＴＤ）、動き推定残差（ＭＲ）、および動きベクトル（ｖ）というようなパラメータを独立して用い、人間の視覚系の特性を利用したフィルタ処理によって、各画素のフィルタ処理を可能にする。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V nitride semiconductor layer has a process of forming a metal fluoride layer containing a bivalent or trivalent metal element as at least one part of an etching mask on a group III-V nitride semiconductor layer; a process of patterning the metal fluoride layer by wet etching; and a process of dry etching the group III-V nitride semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer as a mask.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

The conductive membrane 2 has a V-shape with a bent portion 7 and in a process in which a space 5 is formed, the space 5 is formed with a point B as a base point by concentrating a current on the point B inside of the V-shape with a low consumption power.例文帳に追加

導電性膜２を屈曲部７を有するＶ字形状とし、間隙５を形成する工程においてＶ字の内側の点Ｂに電流を集中させてより低消費電力で、該点Ｂを基点に間隙５を形成する。 - 特許庁

When relative rotation between the V-gear 18 and a spool 14 occurs, the guide pin 16h moves from the first hole portion 60 to the second hole portion 62, and in this process, the V-gear 18 is thrust by the guide pin 16h and reversed for unlocking operation.例文帳に追加

Ｖギヤ１８とスプール１４との間に相対回転が生じると、ガイドピン１６ｈは第１孔部６０から第２孔部６２へ至り、この過程でＶギヤ１８がガイドピン１６ｈに押圧されて反転し、ロック解除となる。 - 特許庁

To disclose a process adapted for rapid growth of a high-quality group III-V based compound semiconductor in an MOCVD reacting furnace with a cold wall.例文帳に追加

コールドウォールを用いるＭＯＣＶＤ反応炉中で、高品質の３−５族系化合物半導体を高速成長させることができるようにすること。 - 特許庁

In a first process, an upper die 11 and a lower die 12 of a V shape in section recessed with respect to a round steel pipe 30 are installed to the press apparatus.例文帳に追加

第１の工程では、丸鋼管３０に対して、凹んでいる断面Ｖ字形状の上型１１および下型１２がプレス装置１０に据え付けられる。 - 特許庁

In a second process, the manufacturing base body 24 is formed in a V shape by bending by the small connecting piece 22 so that the through-hole 7 of the elastic projection part 9 becomes the outside (d).例文帳に追加

第二工程では、製造基体２４を、弾性突部９の貫通孔７が外側となるように小連結片２２で屈曲して、Ｖ字状とする（ｄ）。 - 特許庁

To provide a group III-V nitride-based compound layer which has improved qualities and simplifies its manufacturing process; and a substrate using the same.例文帳に追加

品質が向上し、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層およびそれを用いた基板を提供する。 - 特許庁

To provide a group III-V nitride-based compound layer which has improved qualities and is obtained by a simplified manufacturing process, and to provide a substrate using the same.例文帳に追加

品質が向上し、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層およびそれを用いた基板を提供する。 - 特許庁

In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.例文帳に追加

p型GaAsキャップ層５０８成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にＶ族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁

As for the pin 9 of the connector 2, any other working is not required other than formation of the V-shaped part 9a, and the working process can be facilitated.例文帳に追加

コネクタ２のピン９に関しては、Ｖ字状部９ａを形成する以外に特に加工の必要もないため、加工工程の容易化を図ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which positive/negative charge voltage applied to a bit line of a memory cell during a manufacturing process is kept at a level of ±1 V.例文帳に追加

製造工程中にメモリセルのビット線に印加される正負チャージが±１Ｖ程度に抑制された半導体記憶装置を実現できるようにする。 - 特許庁

At last in a downloading process of A/V client software, non-compatibility among participants is prevented and participation of low storage devices such as handheld devices are enabled.例文帳に追加

最後に、Ａ／Ｖクライアントソフトウェアのダウンロードプロセスは、参加者間の非互換性を回避し、かつハンドヘルドデバイスといった低格納デバイスによる参加を可能にする。 - 特許庁

In the formation process of the as-grown-p-type active group III-V nitride compound layer, a board is introduced into a reaction chamber, and is heated.例文帳に追加

ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程において、反応チャンバ内に基板を導入し、加熱する。 - 特許庁

The process of elliptic approximation forms coordinates in a horizontal direction H and a vertical direction V in accordance with the pixels, and determines the center of the two-dimensional coordinates as (Hc, Vc).例文帳に追加

楕円近似の方法として、水平方向Ｈ、垂直方向Ｖに画素に対応した座標をとり、この二次元座標の中心を（Ｈｃ，Ｖｃ）とする。 - 特許庁

A data logger 14 acquires detection process data P1, T1, P2, T2, Fx, V, θ, Tc, etc., and outputs these data to a gas turbine compressor diagnosis portion 15.例文帳に追加

データロガー１４は、検出プロセスデータＰ1，Ｔ1，Ｐ2，Ｔ2，Ｆx，Ｖ，θ，Ｔc等を収集し、これらのデータをガスタービン圧縮機診断部１５に出力する。 - 特許庁

To provide an electrode for nitride based III-V group compound semiconductor having a good ohmic property, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

本発明は、良好なオーミック特性を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体用電極とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method for pouring molten metal into the V-process mold, a pouring gate is formed in the lower half mold of a completed mold and is not formed in the upper half mold.例文帳に追加

Ｖプロセスの注湯方法において、完成鋳型の下半割鋳型に湯口を形成し、上半割鋳型には湯口を形成しないことを特徴とする。 - 特許庁

Then, after completing the intermediate-cooling process, aging precipitation of the V-base precipitation in the forged body is carried out in a second temperature zone from ≥500°C to ≤700°C.例文帳に追加

そして、該中間冷却工程が終了後、鍛造体を５００℃以上７００℃以下の第二温度域でＶ系析出物を時効析出させる。 - 特許庁

A voltage of 24 V rises during a reset process and a RAM checking process, but the voltage rise can be suppressed, by turning on transistors 516, 536 and by conducting a main fan 410 and a PS fan 430.例文帳に追加

リセット処理時やＲＡＭチェック処理時には２４Ｖ電圧が上昇するが、トランジスタ５１６，５３６をＯＮしてメインファン４１０及びＰＳファン４３０に通電することで電圧の上昇が抑制される。 - 特許庁

A V gesture determination part 1103 determines whether a segment drawn on a display screen to connect coordinates inputted in a coordinate input process include a line written in one stroke and a substantially V-shaped segment having an intersection with this line or not.例文帳に追加

Ｖジェスチャ判定部１１０３が、座標入力工程において入力された座標間を結んでディスプレイ画面に線画された線画が、１ストロークで書かれた線と、この線と交点を持つ略Ｖ字形状の線画とを含むか否かを判定する。 - 特許庁

The roller pressing process has such a pressing force switching step that, when conveyance speed V of the rubber strip G is high, pressing force F of the formed roller 15 becomes large and, when the conveyance speed V is low, the pressing force F is switched to be small.例文帳に追加

前記ローラ押し付け工程は、ゴムストリップＧの搬送速度Ｖが高速の時、型付けローラ１５の押付け力Ｆを大に、かつ搬送速度Ｖが低速の時、前記押付け力Ｆを小に切り替える押付け力切り替えステップを有する。 - 特許庁

The spectacle lenses are produced by a process of measuring the frame curves of a spectacle frame selected by a user, a process of determining V-curves from the lens curves of both faces or the respective right and left lenses determined by the diopters based on prescriptions and an adjusting process for the lens curves and the frame curves.例文帳に追加

使用者が選択した眼鏡フレームのフレームカーブを測定する工程、処方箋に基づく度数により決定された左右レンズそれぞれの両面のレンズカーブからヤゲンカーブを決定する工程、レンズカーブおよびフレームカーブの調整工程を経て眼鏡レンズを製造する。 - 特許庁

In the first reduction process, reducing sugar or hydrazine is used as a reducing agent, and in the second reduction process, two or more kinds of reducing agents whose hydrogen reduction standard potential E^0 is -1.11 to -1.24 V are used as the reducing agent.例文帳に追加

第１の還元工程においては還元剤として還元糖又はヒドラジンを用い、第２の還元工程においては還元剤として水素還元標準電位Ｅ^0が−１．１１〜−１．２４Ｖである還元剤を２種以上用いる。 - 特許庁

(2) Operation of discharging it for a given period of time at 0.5 C or lower under an environmental temperature of 10 to 70 °C, and, later leaving it for 1 to 48 hours is to be one process, and the process is repeated twice or more, until a discharging potential gets 3.3 V or lower.例文帳に追加

（２）環境温度１０〜７０℃において０．５Ｃ以下で所定時間放電を行い、その後１〜４８時間放置する操作を１工程とし、この工程を放電電位が３．３Ｖ以下になるまで２回以上繰り返す。 - 特許庁

A practical form of a process of forming a lowresistivity III-V element nitride (e.g. GaN) p-type layer is that hydrogen supply sources (typically, NH_3) in an epitaxial growth chamber are all eliminated in a cooling process after growth.例文帳に追加

低抵抗率のIII−Ｖ族窒化物（例えば、ＧａＮ）ｐ型層を形成するプロセスの１つの実施形態が、成長後の冷却プロセスの間に、エピタキシャル成長チャンバ内の水素の全ての供給源（典型的には、ＮＨ_3）を取り除く。 - 特許庁

(1) An operation of charging it for a given period of time at 0.5 C or lower under an environmental temperature of 10 to 70 °C, and later leaving it standing for 1 to 48 hours is to be process 1, and the process is repeated twice or more, until a charging potential gets 4 V or higher.例文帳に追加

（１）環境温度１０〜７０℃において０．５Ｃ以下で所定時間充電を行い、その後１〜４８時間放置する操作を１工程とし、この工程を充電電位が４Ｖ以上になるまで２回以上繰り返す。 - 特許庁

The milk preparation pot also has a heating process determining means (the microcomputer 52) for determining which heating process of at least two different heating processes should be executed based on the temperature T detected by the temperature detecting means in each heating method I-V.例文帳に追加

また、各加熱方式Ｉ〜Ｖにおいて、温度検出手段による検出温度Ｔに基づいて、異なる２以上の加熱処理のうち、いずれの加熱処理を実行するかを判断する加熱処理判断手段（マイコン５２）を設ける。 - 特許庁