「vertical layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The wiring board 8 comprises a wiring conductor layer 3, and a ground conductor layer 4 and/or a power supply conductor layer 5 formed oppositely to the wiring conductor layer 3 in the vertical direction through an insulation layer 2 and having openings 4a and 5a arranged in grid wherein the openings 4a and 5a are arranged at positions not overlapping in the vertical direction.例文帳に追加

配線導体層３と、この配線導体層３に絶縁層２を介して上下に対向配置され、格子状に配列された開口部４ａ・５ａを有する接地導体層４および／または電源導体層５とを具備した配線基板８であって、開口部４ａ・５ａは、上下で互いに重ならない位置に配列されている。 - 特許庁

Further, a source of an address transistor 31 which is the n-type diffusion layer 26 is connected to a vertical signal line 34.例文帳に追加

また、ｎ型拡散層２６であるアドレストランジスタ３１のソースは、垂直信号線３４に接続される。 - 特許庁

To make thickness of a crushing layer controllable at a prescribed value even if operating conditions are changed in a vertical mill.例文帳に追加

竪型ミルに於ける稼働条件が変化した場合でも、粉砕層の厚みを所定の値に制御可能とする。 - 特許庁

Then, a laser beam is emitted from an emission aperture 42 in the vertical direction of the major face of the light emitting layer 32 (the substrate 24).例文帳に追加

そして、発光層３２（基板２４）の主面垂直方向に出射口４２からレーザ光を出射する。 - 特許庁

To remove dust sticking to the downstream side of a catalytic reaction layer 5 arranged in a vertical flue 3.例文帳に追加

縦型の煙道３内に配置される触媒反応層５の下流側に付着するダストを除去すること。 - 特許庁

The seed layer (36) has crystal grains which grow up in a vertical direction orthogonal to the surface of the substrate (31).例文帳に追加

シード層（３６）は基板（３１）の表面に直交する垂直方向Ｖに成長する結晶粒を含む。 - 特許庁

To provide a vertical magnetic recording disk having a soft magnetic film provided between a substrate and a magnetic recording layer.例文帳に追加

基板と磁気記録層の間に配設された軟磁性膜を有する垂直磁気記録ディスクを提供すること。 - 特許庁

Thus, a recording layer which causes no crack due to thermal stress after high temperature annealing and is excellent in vertical anisotropy can be obtained.例文帳に追加

高温のアニーリング後の熱応力によるクラックのない優れた垂直異方性を持つ記録層が得られる。 - 特許庁

The accessory frame 2 is equipped with the core part 21, and a vertical member 3 is provided in the lower layer part of the core part 21.例文帳に追加

付属架構２は、コア部２１を備えており、コア部２１の下層部には、鉛直部材３が設けられている。 - 特許庁

METHOD FOR ADJUSTING SCALE BAR OF ELECTRON MICROSCOPE USING PERIODICAL WAVEFORM ON VERTICAL SIDE WALL OF PHOTO RESIST LAYER例文帳に追加

フォトレジスト層の垂直側壁上の周期的な波形を用いた電子顕微鏡のスケールバー調整をする方法 - 特許庁

A sensor probe and a standard probe are arranged in the layer of the ion-exchange material in a vertical direction and mutually shifted.例文帳に追加

センサプローブおよび基準プローブは、イオン交換材の層内に、垂直方向に相互にずらして配置される。 - 特許庁

The magnetization direction of a bias magnet 5 is substantially vertical to the pin layer magnetization direction of the SV-GMR elements R1-R4.例文帳に追加

バイアス磁石５の着磁方向はＳＶ−ＧＭＲ素子Ｒ１〜Ｒ４のピン層磁化方向と略垂直である。 - 特許庁

The bias circuit and wiring layer of a high frequency circuit are arranged vertical to the face of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の面に対して垂直方向に高周波回路のバイアス回路と配線層とを配設する。 - 特許庁

Each vertical transfer 200 comprises the vertical transfer channel and a plurality of vertical transfer electrodes formed on the upper layer of the vertical transfer channel, which is formed so as to meander among the respective photoelectric conversion devices 100 constituting a corresponding photoelectric conversion device string.例文帳に追加

垂直転送部２００は、垂直転送チャネルと、垂直転送チャネルの上層に設けられた複数本の垂直転送電極とを含み、垂直転送チャネルは、対応する光電変換素子列を構成する各光電変換素子１００間を蛇行するように設けられる。 - 特許庁

To provide a structure wherein a depletion layer traverses an n-type layer piercing a p-type layer during an off period in an n-channel vertical group III nitride semiconductor device including an n-type group III nitride semiconductor layer piercing the p-type layer.例文帳に追加

ｐ型層を貫通するｎ型のIII族窒化物半導体層を備えているｎチャネル型の縦型のIII族窒化物半導体装置であって、オフ時にはｐ型層を貫通するｎ型層を空乏層が横断する構造と、その構造を製造する方法を提供する。 - 特許庁

This medium is a two layers vertical recording medium in which a soft magnetic layer 2, a Pt foundation layer 4, a Co/Pt multi-layer lamination film 5, and a C protection film 6 are formed successively on a substrate 1, and a MgO layer 3 is provided between the soft magnetic layer 2 and the Pt foundation film 4.例文帳に追加

基板１上に軟磁性層２とＰｔ下地膜４と記録層であるＣｏ／Ｐｔ多層積層体膜５とＣ保護膜６とを順に成膜し、軟磁性層２とＰｔ下地膜４との間にＭｇＯ層３を設けた二層垂直記録媒体である。 - 特許庁

A multilayer film A containing a first antiferromagnetic layer 12 and the fixed magnetic layer 13 is annealed in a first magnetic field while the multilayer film A is not laminated on a vertical bias layer 18 (second antiferromagnetic layer) to fix the magnetization direction of the fixed magnetic layer in a specific direction.例文帳に追加

第１反強磁性層１２及び固定磁性層１３を含む多層膜Ａを縦バイアス層１８（第２反強磁性層）を積層しない状態で、第１の磁場中アニールにかけ前記固定磁性層の磁化方向を所定の方向に固定する。 - 特許庁

A first skin layer 31 and a second skin layer 35 are arranged with a predetermined space in between wherein holes 41, 45 are formed in the first skin layer 31 and the second skin layer 35 at positions shifted with each other with respect to the vertical incident direction.例文帳に追加

第一スキン層３１と第二スキン層３５とが、所定の間隔で配置され、第一スキン層３１および第二スキン層３５に、垂直入射方向に対して互いに位置がずれた孔４１，４５が形成されている。 - 特許庁

A pair of magnetic domain control layer 9 is arranged on both sides in a track width direction of an MR film 7, wherein one layer is separated from the other, so that it may sandwich the MR layer 7, and applies a vertical bias magnetic field to the MR film 7 (a free layer 27).例文帳に追加

磁区制御層９は、ＭＲ膜７を挟むように、当該ＭＲ膜７のトラック幅方向における両側に互いに離間して一対配置されて、ＭＲ膜７（フリー層２７）に縦バイアス磁界を印加する。 - 特許庁

On an n-type or p-type epitaxial layer for which an element region side face is separated by a dielectric by a trench type dielectric separation layer, a semiconductor element such as a horizontal type MOSFET or a vertical type bipolar transistor or a vertical type diode is formed.例文帳に追加

トレンチ型誘電体分離層により素子領域側面が誘電体で分離されたｎ型又はｐ型のエピタキシャル層に、横型のＭＯＳＦＥＴあるいは縦型バイポーラトランジスタ、縦型のダイオード等の半導体素子を形成する。 - 特許庁

The power source buses and signal buses of the mesh system run in both vertical and horizontal directions across the array such that all the vertical buses lie in one metal layer M3, and all the horizontal buses lie in another metal layer M2.例文帳に追加

メッシュシステムの電源バス及び信号バスは、アレイを横断して垂直及び水平の両方向に伸びており、すべての垂直バスは１つの金属層Ｍ３に、また、すべての水平バスは他の金属層Ｍ２に置かれている。 - 特許庁

By epitaxially growing a GaN layer 32 in vertical and horizontal directions by utilizing the top parts T, which are exposed from the mask 4, of the GaN layer 31 for the nuclei, propagation of through dislocations from the GaN layer 31 is remarkably suppressed.例文帳に追加

マスク４から露出したGaN層３１の頂上部Ｔを核として、GaN層３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層３１からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。 - 特許庁

In the vertical diode 1, an N^+-type layer 11, an N^--type layer 12, and a P^+-type layer 13 are stacked in this order on a lower electrode film 10, and an upper electrode film 20 is provided thereon.例文帳に追加

縦型ダイオード１において、下部電極膜１０上にＮ^＋型層１１、Ｎ^−型層１２及びＰ^＋型層１３をこの順に積層させ、その上に上部電極膜２０を設ける。 - 特許庁

There are provided a ferromagnetic base layer having vertical coercive force of ≤39.5 kA/m and a laminate base layer including a weak magnetic base layer having saturated magnetization Ms of 50 emu/cc to 150 emu/cc.例文帳に追加

３９．５ｋＡ／ｍ以下の垂直保磁力を有する強磁性下地層、及び５０ｅｍｕ／ｃｃないし１５０ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化Ｍｓを有する弱磁性下地層を含む積層下地層を設ける。 - 特許庁

Preferably, the exchange tuning layer is granular and reduces or optimizes the vertical coupling between the hard layer and the soft, semi-soft or semi-hard layer of a magnetic recording or storing device.例文帳に追加

交換調整層は粒状であって、磁気記録または記憶装置の硬質層と、軟質、半軟質または半硬質の層との間の垂直結合を減少または最適化することが好ましい。 - 特許庁

The vertical magnetic record medium has a structure, where a foundation layer 2, a magnetic recording layer 3, and a protective film 4 are successively formed on a non-magnetic substrate 1, and a liquid lubricant layer 5 is formed on the structure.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１上に下地層２と磁気記録層３と保護膜４とが順に形成された構造を有し、その上に液体潤滑剤層５が形成されている。 - 特許庁

To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer.例文帳に追加

パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor layer having the vertical structure has lower and upper coating layers 1 and 2, an optical guide G superimposed upon the lower coating layer 1, and a semiconductor active layer CA.例文帳に追加

本発明は、下方および上方被覆層１、２と、下方被覆層に重ね合わされた光学ガイドＧと、半導体活性層ＣＡとを有する垂直構造の半導体レーザに関するものである。 - 特許庁

An alignment layer 40 formed on a TFT array substrate 10 is composed of a horizontal alignment layer 41 formed in a pixel region X and a vertical alignment layer 42 formed in a peripheral region Y.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１０に形成される配向膜４０が、画素領域Ｘに形成される水平配向膜４１と、周辺領域Ｙに形成される垂直配向膜４２とからなる。 - 特許庁

A lower-layer insulating film 22 is provided on the reverse surface of the base plate 1 and lower-layer rewiring 24 is provided on its reverse surface while connected to the upper-layer rewiring 17 through a vertical conduction part 28.例文帳に追加

ベース板１の下面には下層絶縁膜２２が設けられ、その下面には下層再配線２４が上下導通部２８を介して上層再配線１７に接続されて設けられている。 - 特許庁

Then, a vertical hole 35 is formed so as to open from the bottom surface of the silicon wafer 31 to the stopper layer 34, and a metal shield layer 37 is formed so as to be electrically connected to the metal pad 32 at the top of the vertical hole 35 via the stopper layer 34 and so as to extend to the bottom surface of the silicon wafer 31.例文帳に追加

そして、シリコンウェハ３１の下面からストッパ層３４まで開口するように縦孔３５が形成され、縦孔３５の先端部においてストッパ層３４を介してメタルパッド３２に電気的に接続され、シリコンウェハ３１の下面まで延在するようにメタルシード層３７が形成される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the vertical magnetic recording medium 10 which includes, on a nonmagnetic substrate 1, at least a lining layer 2, a base film 4, an intermediate layer 5, and the vertical magnetic recording layer 6 having a granular magnetic layer containing at least an oxide, the surface of the intermediate layer 5 is irradiated with inert gas ions after the intermediate layer 5 is formed.例文帳に追加

非磁性基板１上に、少なくとも裏打ち層２と下地膜４と中間層５と少なくとも酸化物を含むグラニュラ磁性層を有する垂直磁気記録層６とを有する垂直磁気記録媒体１０の製造方法であって、中間層５を形成後、当該中間層５の表面に不活性ガスを照射することを特徴とする垂直磁気記録媒体１０の製造方法。 - 特許庁

The vertical magnetic recording head provided with a main magnetic pole layer and a return yoke layer laminated via a magnetic gap layer on a surface facing a recording medium is provided with a nonmagnetic throat height determination layer formed of a nonmagnetic metal plate film, and a return yoke reinforcement layer formed of a magnetic material having higher saturation magnetic flux density than the return yoke layer on the magnetic gap layer.例文帳に追加

記録媒体との対向面で磁気ギャップ層を介して積層した主磁極層とリターンヨーク層を備える垂直磁気記録ヘッドにおいて、磁気ギャップ層上に、非磁性金属メッキ膜からなる非磁性スロートハイト決め層と、リターンヨーク層より飽和磁束密度の高い磁性材料からなるリターンヨーク補強層とを備える。 - 特許庁

A vertical field effect transistor 40 has an n-Si layer 14 which is epitaxially grown on an n+-silicon substrate 12, a p-base diffusion layer 16 formed on the surface of the n-Si layer and an n+ source diffusion layer 18 formed on the inner side of the p-base diffusion layer on the surface of the n-Si layer.例文帳に追加

本縦型電界効果トランジスタ４０は、ｎ^+ シリコン基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ−Ｓｉ層１４と、ｎ−Ｓｉ層の表面部に形成されたｐ−ベース拡散層１６と、ｎ−Ｓｉ層の表面部でｐ−ベース拡散層の内側に形成されたｎ^+ ソース拡散層１８とを備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing the shielding type MR element provided with a magnetoresistive film comprising a free layer/a non-magnetic layer (barrier layer)/a fixed layer, after a vertical layer is formed on a lower electrode to be patterned and the magnetoresistive film is layered thereon to be patterned, an insulating layer is formed in the periphery of the magnetoresistive film pattern.例文帳に追加

フリー層／非磁性層（バリア層）／固定層を含む磁気抵抗効果膜を備えたシールド型ＭＲ素子の製造方法において、下電極上に縦バイアス層を形成してパターン化すると共に、磁気抵抗効果膜を積層してパターン化した後、磁気抵抗効果膜パターンの周囲に絶縁層を形成する。 - 特許庁

By virtue of this structure when a vertical load is applied to the horizontal load elastically bearing device 1, the vertical load is absorbed by shear deformation of the elastic layer 3b of the upper shoe 3.例文帳に追加

これにより、水平荷重弾性支持装置１に鉛直荷重がかかった場合、その鉛直荷重を上沓３の弾性層３ｂのせん断変形によって吸収することができる。 - 特許庁

By forming the vertical magnetic recording layer on the granular thin film substrate, the vertical magnetic recording medium having a good signal to noise ratio and good high-density recording characteristics.例文帳に追加

このグラニュラ薄膜下地層上に垂直磁気記録層を形成することによって、信号対ノイズ比が良好で高密度記録特性の良好な垂直磁気記録媒体を得ることができる。 - 特許庁

To provide a substrate for a vertical magnetic recording medium which excels in mass productivity, functions as a soft magnetic backing layer of the vertical magnetic recording medium as well and of which the surface hardness is assured.例文帳に追加

量産性に優れ、かつ垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層としても機能し、表面硬度も確保された垂直磁気記録媒体用基板を実現すること。 - 特許庁

A vertical conductive body 2 consists of a solidified metal body filled in a region 20 surrounded by the insulating filling layer 3.例文帳に追加

縦導体２は、絶縁物充填層３によって囲まれた領域２０内に充填された凝固金属体でなる。 - 特許庁

The master antenna is disposed on the substrate 110 and partially overlaps the metal layer 120 on a vertical plane of projection.例文帳に追加

マスターアンテナは基板１１０上に配置され、垂直投影面上で金属層１２０と部分的にオーバーラップする。 - 特許庁

Lateral gate lines 20, a semiconductor layer 50, and vertical data lines 70 are formed on a 1st insulating substrate.例文帳に追加

第１絶縁基板上に横方向のゲート線２０、半導体層５０及び縦方向のデータ線７０が形成されている。 - 特許庁

As a result, wiring patterns 16 and 17 that pass through over the cell 19 are arranged in the vertical direction in the second wiring layer.例文帳に追加

そこで、セル１０上を通過する配線パターン１６、１７が第２配線層に上下方向に設けられている。 - 特許庁

A silicon nitride film 16 is formed on the surface of an amorphous silicon layer 14 using a vertical low pressure thermal CVD system.例文帳に追加

縦型減圧式熱ＣＶＤ装置を用いてアモルファスシリコン層１４の表面にシリコン窒化膜１６を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer 10 of a vertical diode 100 is partitioned into a central region 20 and a peripheral region 18.例文帳に追加

縦型のダイオード１００の半導体層１０は、中心領域２０と周辺領域１８とに区画されている。 - 特許庁

To provide a vertical type semiconductor device having a double-layer structure capable of improving a degree of integration and a current.例文帳に追加

集積度及び電流を向上させることのできる複層構造の垂直型半導体装置を提供する。 - 特許庁