「write n」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

I simply write about it in the communication notebooks.例文帳に追加

連絡ノートにnちょろっと書くことはあります。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

In the end, if I bow my head, write an apology例文帳に追加

結局 僕が頭を下げてn始末書 書いて➡ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

A portable read/write unit 2 calls ID cards 1-1 to 1-n at the interval of fixed time.例文帳に追加

携帯型リード／ライトユニット２は一定時間毎にＩＤカード1-1〜1-nを呼び出す。 - 特許庁

Parameter string $data- the data to write 例文帳に追加

データの最後に"\\r\\n" が付け加えられます。 パラメータ string $data- 書き込むデータ。 - PEAR

It may be"r" (read only), "w" (read-write) ,"c" (read-write - create if necessary; the default) or"n" (read-write - truncate to zero length). 例文帳に追加

このモードは"r" (読み出し専用), "w" (読み書き可能)、"c" (読み書き可能 - 必要ならファイルを生成 … これがデフォルトです) または"n" (読み書き可能 - ファイル長を 0 に切り詰め)、にすることができます。 - Python

A plurality of output terminals of the counter COUNT drive the plurality of source lines SL<0> to SL<n>, or a plurality of source lines SLB<0> to SLB<n> in a column direction in write units WU, by time sharing.例文帳に追加

カウンタCOUNTの複数の出力端子は、書き込み単位WUの複数のソース線SL＜0＞…SL＜n＞もしくは複数の列方向ソース線SLB＜0＞…SLB＜n＞を時分割で駆動する。 - 特許庁

During data write, only N of the M data read circuits RDV1 to RDVM operate to write N-bit data in parallel.例文帳に追加

一方、データ書込時には、Ｍ個のデータ読出回路ＲＤＶ１〜ＲＤＶＭのうちのＮ個のみが動作して、Ｎビットのデータが並列に書込まれる。 - 特許庁

By the above signal sdec[N-1:0], a write sequence into F/F 50-0 ... is determined via the AND gates 40-0 ....例文帳に追加

この信号sdec[N-1:0]により、ANDゲート４０−０，・・・を介して、F/F５０−０，・・・への書き込みの順番が決められる。 - 特許庁

For N write data in the cache area (307), a first comparison target is generated and the N write data are transferred to the data storage area (321).例文帳に追加

キャッシュ領域（３０７）上のＮ個のライトデータについて第一比較対象が生成され、Ｎ個のライトデータがデータ記憶域（３２１）に転送される。 - 特許庁

In the provided data of n bits (n is an integer of three or above), two bits are set as mask data, and (n-2) bits are set as write data.例文帳に追加

与えられるｎビット（ｎは３以上の整数）のデータのうち、２ビットはマスクデータとして設定され、（ｎ−２）ビットは書き込みデータとして設定されている。 - 特許庁

The write data path includes 2N write data buffers which are configured to store the 2N data bits, 2N switches, and N data lines which are configured to connect at least N of the 2N switches to the memory cell array in order to write therein N data bits in parallel.例文帳に追加

書込みデータ経路は、２Ｎ個のデータビットを保存する２Ｎ個の書込みデータバッファと、２Ｎ個のスイッチと、並列にＮ個のデータビットをメモリセルアレイに書き込むために２Ｎ個のスイッチのうち少なくともＮ個とメモリセルアレイとを連結させるＮ個のデータラインを含む。 - 特許庁

In write-in, a record including information of (n) block is recorded in one continuous region corresponding to a recording channel (n).例文帳に追加

書込について、記録するチャンネルｎに対応して一つの連続領域にｎブロックの情報を含むレコードを記録する。 - 特許庁

The read address moves each section, partitioned at the detected period points repeatedly, by N fold in the forward direction at a speed (N represents frequency conversion rate) at the N times of a write.例文帳に追加

読み出しアドレスは、書き込みのＮ倍の速度（Ｎは周波数変換率）で、検出された周期点で区切られる各区間を順方向にＮ回繰返しながら移動する。 - 特許庁

Among the plurality of write modes, according to a write mode selected with the mask data of two bits, for every bit of the write data of (n-2) bits, whether the writing is valid or invalid is selected.例文帳に追加

複数の書き込みモードのうち、２ビットのマスクデータによって選択される書き込みモードに応じて、（ｎ−２）ビットの書き込みデータのビットごとに、書き込みの有効または無効を選別する。 - 特許庁

VI(N) is written in the write address of the memory 101, and contents in the read address of the memory 101 are outputted to VOD(N).例文帳に追加

書き込みアドレスにＶＩ（Ｎ）がメモリ１０１に書き込まれ、読み出しアドレスのメモリ１０１の内容がＶＯＤ（Ｎ）に出力される。 - 特許庁

Further, a voltage limit transistor 404-n-m is given, and a potential applied to the write-in transistor 401-n-m is relaxed.例文帳に追加

さらに電圧制限トランジスター４０４−ｎ−ｍを付与し、書込みトランジスター４０１−ｎ−ｍに印加される電位を緩和する。 - 特許庁

The network camera 1-1 stores a setting file in the USB memory 4, changes the mode into the write-in mode, and sets the write number of unit to n-1.例文帳に追加

ネットワークカメラ１−１は、設定ファイルをＵＳＢメモリ４に保存し、モードを書込みモードに変更し、書き込み台数をｎ−１とする。 - 特許庁

The magnetic heads 1-1, 1-2 are provided in the same number per track as the number of logical sectors n (n=2 in the case of Fig. 1), the write data is divided to n data and the magnetic heads 1-1, 1-2 simultaneously write the divided data to the logical sectors 9-1, 9-2.例文帳に追加

磁気ヘッド１−１，１−２をトラック当たり論理セクタ数ｎ（図１の場合ｎ＝２）と同数設け、書込データをｎ分割し、磁気ヘッド１−１，１−２は分割データを論理セクタ９−１，９−２に同時にそれぞれ書き込む。 - 特許庁

A read write offset value being deviation quantity between a write head and a read head in the direction of radius of a disk type storage medium is set to N times of integer of a servo track.例文帳に追加

ライト・ヘッドとリード・ヘッドとのディスク状記憶媒体の半径方向のずれ量であるリード・ライト・オフセット値を、サーボ・トラックの整数Ｎ個分に設定する。 - 特許庁

At a data write-in time (S1), information is divided into n pieces of data groups (S2), and at a write-in time, first of all, sector information in the detecting track is read (S3).例文帳に追加

データの書込時（Ｓ１）は、情報をｎ個のデータ群に分割し（Ｓ２）、書き込み時にまず検知用トラック内のセクタ情報を読み取る（Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a memory device allowing a CPU having a bus of N (wherein N is an integer of 2 or above)×8 bits to acquire or write N-byte data by one access.例文帳に追加

Ｎ（但し、Ｎは２以上の整数）×８ビットのバスを持つＣＰＵが１回のアクセスでＮバイトのデータの取得又は書き込みを行うことができるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

After write data is set to a shift register 4 in series from a serial output data terminal SDIN, the data are written into (n) pieces bit cells 2 including nonvolatile memory cells as data Q <n:0>.例文帳に追加

書き込みデータは、シリアル出力データ端子ＳＤＩＮからシフトレジスタ４にシリアルに設定された後、データＱ<n:0>として、不揮発性メモリセルを含むｎ個のビットセル２に書き込まれる。 - 特許庁

A write-in transistor 401-n-m and a boot-up transistor 406-n-m are included in a pixel circuit, and drive voltage is made higher by a bootstrap.例文帳に追加

画素回路内に書込みトランジスター４０１−ｎ−ｍとブートアップトランジスター４０６−ｎ−ｍを備え、ブートストラップによって駆動電圧を高める。 - 特許庁

In frequency change operation, VI(N) is written in a write address of a memory 101, and contents in a read address of the memory 101 are outputted to VOD(N).例文帳に追加

周波数乗り換え動作は、書き込みアドレスにＶＩ（Ｎ）がメモリ１０１に書き込まれ、読み出しアドレスのメモリ１０１の内容がＶＯＤ（Ｎ）に出力される。 - 特許庁

In the driving method for the plasma display device, reinitialization pulses Pset2 are applied to scan electrodes Scn(n/2+1) to Scn(n) in a write period.例文帳に追加

本プラズマディスプレイ装置の駆動方法では、書込み期間において、スキャン電極Ｓｃｎ（ｎ／２＋１）〜Ｓｃｎ（ｎ）に対し再初期化パルスＰｓｅｔ２を印加する。 - 特許庁

At the time of writing the data, when R wave pulses are generated in the middle of the write of the data for an (n)-th frame, the same frame memory is utilized again and the write of the data for an (n+1)-th frame is performed.例文帳に追加

データの書き込み時に、ｎ番目のフレームについてのデータの書き込み途中でＲ波パルスが発生すると、同じフレームメモリを再度利用してｎ＋１番目のフレームについてのデータの書き込みが行われる。 - 特許庁

The memory card includes: n pieces (n is an integer of ≥2) of nonvolatile memory modules (221-224) which constitute a storage area; and a controller which controls read or write of data to the n pieces of memory modules.例文帳に追加

メモリカードは、記憶領域を構成するｎ個（ｎは２以上の整数）の不揮発性メモリモジュール（２２１〜２２４）と、ｎ個のメモリモジュールに対するデータの書き込み、読み出しを制御するコントローラとを含む。 - 特許庁

The bus controller 2 is connected with the plurality of masters 1-N (1-1 to 1-N) by a one-way read bus RD and one-way write buses WD1-WDN, and the write buses WD1-WDN are configured such that a bus width of each the write bus WD1-WDN becomes narrower than a bus width of the read bus RD.例文帳に追加

そして、バス制御装置２が片方向のリードバスＲＤとライトバスＷＤ１〜ＷＤＮとによって複数のマスタ１〜Ｎ（１−１〜１−Ｎ）と接続され、ライトバスＷＤ１〜ＷＤＮのバス幅がリードバスＲＤのバス幅よりも狭くなるように構成される。 - 特許庁

A memory cell 11 includes an irreversible storage element 12, of which the write-in voltage is applied to the one end to write data by an insulating film destruction, and write-in gate N type and read-out gate N type transistors 13, 14, of which one end of each is connected to another end of the irreversible storage element.例文帳に追加

メモリセル１１は、一端に書き込み電圧を印加され絶縁膜破壊でデータを書き込む不可逆性記憶素子１２と、一端が前記不可逆性記憶素子の他端に接続される書き込みゲートＮ型及び読み出しゲートＮ型トランジスタ１３、１４とを備える。 - 特許庁

Otherwise, the disk speed is made to be N-fold as a write control when recording the unique ID.例文帳に追加

または、ユニークＩＤの記録を行うときの書き込み制御として、ディスクの回転数をＮ倍にするようにする。 - 特許庁

A Read Address, generated at an Address Counter 2 to count (m+1) bit (=n/X), goes 1 bit ahead a Write Address and a data written in a storage means 3 is output after (m+1)-th bit.例文帳に追加

（ｍ＋１）ｂｉｔ（＝ｎ／Ｘ）をカウントするAddress Counter２で発生されるRead AddressはWrite Addressより１ｂｉｔ進んでおり、記憶手段３に書き込まれたデータは（ｍ＋１）ｂｉｔ後に出力される。 - 特許庁

The clients 100-1 to 100-n directly transmit a Write request packet 500 to the file server 200 in order to Write data in the file 301.例文帳に追加

クライアント１００−１〜１００−ｎは、ファイル３０１にデータをＷｒｉｔｅする際、Ｗｒｉｔｅ要求パケット５００を直接ファイルサーバ２００へ送信する。 - 特許庁

The method includes determining the size of command window for use in (n) write operations for the non-volatile memory, each write operation has the same time period.例文帳に追加

この方法は、不揮発性メモリのｎ個の書き込みオペレーションに使用するためのコマンドウインドウのサイズを決定することを含み、各書き込みオペレーションは、同じ期間を有する。 - 特許庁

An integrated circuit memory device includes a memory cell array which is configured to write N data bits in parallel and a write data path which is configured to serially receive 2N data bits from an external terminal.例文帳に追加

集積回路メモリ装置は、Ｎ個のデータビットを並列に書き込むメモリセルアレイと外部ターミナルから２Ｎ個のデータビットを直列に受信する書込みデータ経路を含む。 - 特許庁

A USB host device takes T for a top sector and n for the number of read/write sectors (S501), and issues a SCSI command for performing read/write processing in a m-sector from a sector T (S507).例文帳に追加

ＵＳＢホスト装置は、先頭セクタをＴ、リード／ライトセクタ数をｎとして（Ｓ５０１）、セクタＴからｍセクタのリード／ライトを行うためのＳＣＳＩコマンドを発行する（Ｓ５０７）。 - 特許庁

In the j-th column of a liquid crystal panel, a pixel 110-1 is provided with an N-channel TFT(thin film transistor) 117N for reset and an N-channel TFT 116N for write-in.例文帳に追加

液晶パネルのｊ番目の列において、画素１１０−１は、リセット用のＮチャネルＴＦＴ１１７Ｎと書き込み用のＮチャネルＴＦＴ１１６Ｎを備える。 - 特許庁

After the lapse of a fixed time from the state of no call from the portable read/write unit 2, each of ID cards 1-1 to 1-n erases an ID in a storage part 13.例文帳に追加

ＩＤカード1-1〜1-nは携帯型リード／ライトユニット２からの呼び出しがない状態になってから一定時間経過した場合、記憶部13内のＩＤを消去する。 - 特許庁

The method further includes executing (n) commands to the non-volatile memory, each command composed of the combination of one of the (n) write operations and one of the erase slices.例文帳に追加

この方法は、更に、不揮発性メモリへのｎ個のコマンドを実行することを含み、各コマンドは、ｎ個の書き込みオペレーションの１つ及び消去スライスの１つの組合せより成る。 - 特許庁

A write control circuit 2 generates a write clock WCK synchronous with horizontal synchronizing signal Hs1 of the signal S1 and a write enable signal WE, used for writing the signal S1 into a frame memory 1 with only a single frame per (n) frames.例文帳に追加

書き込み制御回路２は、映像信号Ｓ１の水平同期信号Ｈs1に同期した書き込みクロックＷＣＫと、ｎフレームに１フレームだけ映像信号Ｓ１をフレームメモリ１に書き込むための書き込みイネーブル信号を生成する。 - 特許庁

The n write/read circuits output a number of rewriting times read-out signal at the time of reading out the number of rewriting times.例文帳に追加

ｎ個の書き込み読み出し回路は、書き換え回数を読み出すときに書き換え回数読み出し信号を出力する。 - 特許庁

Besides, the shared memory modules SSM#0 and SSM#1 transfer write data from the processor modules PM#0-#n through a transfer means 3 to the slave system.例文帳に追加

また、共有メモリモジュールＳＳＭ＃０，ＳＳＭ＃１は、プロセッサモジュールＰＭ＃０〜ＰＭ＃ｎからの書き込みデータを転送手段３により従系へ転送する。 - 特許庁

A number n of data storage circuits 10 store externally supplied k bits of data to write data into the memory cells.例文帳に追加

ｎ個のデータ記憶回路１０は、メモリセルにデータを書き込むため、外部より供給されたｋビットのデータを記憶する。 - 特許庁

When an (n-1)th scanning line SL_n-1 becomes high so as to write luminance data to a pixel of an (n-1) row before new luminance data are written to a pixel of an (n)th row, a bypass transistor Tr3 and an initializing transistor Tr4 of the pixel of the (n)th row turn off.例文帳に追加

第ｎ行の画素に新たな輝度データを書き込むに先立ち、第ｎ−１行の画素に輝度データを書き込むために第ｎ−１走査線ＳＬ_ｎ−１がハイになると、第ｎ行の画素のバイパストランジスタＴｒ３、初期化トランジスタＴｒ４がオンになる。 - 特許庁

Decoded addresses are utilized to execute all the test of N times of read-miss, N times of write-miss, N times of line fill, and cast-out operation to N mutually different addresses of the data cache.例文帳に追加

そして、デコーディングされたアドレスを利用してデータキャッシュのＮ個の互いに異なるアドレスに対するＮ回のリード−ミス（ｒｅａｄ−ｍｉｓｓ）、Ｎ回の書き込み−ミス（ｗｒｉｔｅ−ｍｉｓｓ）、およびＮ回のラインフィルおよびキャストアウト動作に対するテストを全部実行する。 - 特許庁

At writing, the NMOS transistor 10 performs on-operation by a write address selection circuit 2 at an n address selected by a WWS and a WBS to write data to a storage node.例文帳に追加

ライト時では、ＷＷＳとＷＢＳとによって選択されたｎ番地のライト番地選択回路２によってＮＭＯＳトランジスタ１０がオン動作を行い、蓄積ノードにライトされる。 - 特許庁