「xe」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Programming is performed in the CPU 1 so as to operate the discharge circuit, for example, before the light emission of the Xe tube.例文帳に追加

ＣＰＵ１は例えば、Ｘｅ管の発光前に上記放電回路を動作させるようにプログラムされる。 - 特許庁

Furthermore, the longitudinal direction size xE of the tape of the end mark EB is made longer than the longitudinal direction size x of the tape of the cueing mark PM.例文帳に追加

また、エンドマークＥＢのテープ長手方向寸法ｘEを、頭出しマークＰＭのテープ長手方向寸法ｘよりも大きくする。 - 特許庁

The camera is equipped with a light emitting device using an Xe tube light emitting part 15 and an LED 16 as the flash light source as a flash light emitting device.例文帳に追加

カメラはフラッシュ発光装置としてＸｅ管発光部１５及びＬＥＤ１６をフラッシュ光源とする発光装置を備えている。 - 特許庁

In this way, the relative displacement Xe of the effective radiographic area A of the detection panel 25 from the subject S can be eliminated.例文帳に追加

かくすることにより、被写体Ｓと検出パネル２５の有効撮影エリアＡの相対的な位置ずれＸｅをなくすことができる。 - 特許庁

The inside of the vessel is vacuumized by an exhaust valve 12, and after that, gaseous Xe having purity of 99.999% is introduced therein by a valve 14.例文帳に追加

排気弁１２により容器内を真空にした後、弁１４より純度９９．９９９％のＸｅガスを導入する。 - 特許庁

Thereby, XeF_2 is absorbed onto the Si substrate and an chemical reaction is caused, so that SiF_4 and Xe are produced.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ基板にＸｅＦ_2が吸着して化学反応が起こり、ＳｉＦ_4及びＸｅが生成される。 - 特許庁

To complete fixing in a predetermined range of color thermal recording paper by a single light emission of a Xe lamp, without causing excessive fixing.例文帳に追加

過定着を発生させずに、Ｘｅランプの１回の発光でカラー感熱記録紙の所定の範囲の定着を完了させる。 - 特許庁

A lamp control part 36 controls the thyristors 62 and 66 and the IGBTs 53a-53c, and it selectively lights the six Xe tubes 26.例文帳に追加

ランプ制御部３６は、サイリスタ６２，６６と、ＩＧＢＴ５３ａ〜５３ｃを制御して、６本のＸｅランプ２６を選択的に点灯させる。 - 特許庁

In the magneto-optical recording medium, the reproducing layer is formed by using a process gas consisting essentially of a Kr gas or a Xe gas.例文帳に追加

本発明の光磁気記録媒体は、ＫｒあるいはＸｅガスを主成分とするプロセスガスを用いて、少なくとも再生層が形成される。 - 特許庁

In the fixing of a magenta thermal coloring layer, an M-setting electrode is charged into the main capacitor 45, and the Xe lump 17 is made to emit the light twice.例文帳に追加

マゼンタ感熱発色層の定着時には、メインコンデンサ４５にＭ設定電圧を充電し、Ｘｅランプ１７を２回発光させる。 - 特許庁

Second oxygen components 16 are taken out of the low-pressure column 3, and is led in the lower or middle region of the Kr/Xe condensing column 15.例文帳に追加

低圧塔(３)から第２の酸素留分(16)を取り出し、Ｋｒ／Ｘｅ濃縮塔(15)の下部又は中間領域に導入(18)する。 - 特許庁

As the discharge gas for sealing, a mixture of noble gases containing helium (He), neon(Ne), xenon(Xe), and deuterium(D2) is used in order to enhance luminous efficiency and reduce discharge voltage, instead of a gas composition such as helium-xenon base or neon-xenon base.例文帳に追加

また、封入ガス媒体をネオン、キセノン、ヂュトリウムとすることで放電電圧、駆動電圧を低下させることが可能となる。 - 特許庁

As the gas for pressurizing the melt, at least one selected from the group consisting of He, Ne, Ar, Kr and Xe is used.例文帳に追加

融液を加圧するガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅからなる群より選ばれた少なくとも一種を用いる。 - 特許庁

To provide a PDP that a brightness and efficiency can be improved without increasing Xe content in used gas.例文帳に追加

使用ガスであるＸｅ含量の増加なしで、輝度、效率を上昇させることができるＰＤＰを提供する。 - 特許庁

In response to the flashing time data, an IGBT 6 is switched on only for a prescribed time, and an Xe discharge bulb 10 is made to emit light.例文帳に追加

閃光時間データに応じてＩＧＢＴ６を所定の時間だけＯＮ動作し、Ｘｅ放電管１０を発光する。 - 特許庁

To provide a simple retrieval method and a device with high retrieval efficiency which can retrieve highly-pure Xe by functionally removing water, CO_2, FC and the like from waste gases from semiconductor production processes, such as the plasma etching, that contain low-concentration Xe.例文帳に追加

低濃度のＸｅが含まれるプラズマエッチング等の半導体製造プロセス排ガス中より、水分、ＣＯ_２およびＦＣ等を機能的に除去して高純度なＸｅを回収することが可能な、簡便で捕集効率の高い回収方法および回収装置を提供すること。 - 特許庁

Initial discharge is carried out by a relatively small-capacitance pre-capacitor (first capacitor) 12 when a xenon (Xe) lamp 6 is made to emit light; and the Xe lamp 6 is made to emit light by the main capacitor (second capacitor) 5 after the initial discharge.例文帳に追加

キセノン（Ｘｅ）ランプ６を発光させる際に比較的小容量のプリコンデンサ(第１のコンデンサ)１２によって、初期放電を行い、初期放以降はメインコンデンサ(第２のコンデンサ)５によってＸｅランプ６を発光させる。 - 特許庁

Composition of discharge gas is 2% to 20% for Xe and 15% to 50% for He, He composition larger than that of Xe, total pressure of the discharge gas is 400 Torr to 550 Torr, and the width of the voltage pulse impressed on the address electrode is not more than 2 μs.例文帳に追加

その条件は、放電ガスの組成比がＸｅ２％〜２０％、Ｈｅ１５％〜５０％であり、Ｈｅ組成比がＸｅ組成比よりも大きく、放電ガスの全圧力が４００Ｔｏｒｒ〜５５０Ｔｏｒｒであり、且つアドレス電極に印加する電圧パルスの幅が２μs以下である。 - 特許庁

The integer arguments (fewer may be given) are in order: status (Enable(1) or Disable(0) this card), type (PC/Xi(0), PC/Xe(1), PC/Xeve(2), PC/Xem(3)), altpin (Enable(1) or Disable(0) alternate pin arrangement), numports (number of ports on this card), iobase (I/O Port where card is configured (in HEX)), membase (base of memory window (in HEX)). 例文帳に追加

整数値で指定する場合はパラメータの個数は少なくても良く、順に:status このカードの動作を指定する (Enable(1) または Disable(0)),type カードのタイプ (PC/Xi(0), PC/Xe(1), PC/Xeve(2), PC/Xem(3)),altpin ピン配置を反転させる (Enable(1) or Disable(0)),numports カードのポート番号,iobase このカードの I/O ポート (文字列指定の場合は 16 進表記),membase メモリウィンドウのベースアドレス (文字列指定の場合は 16 進表記)。 - JM

A control amount Tc is calculated by calculating X coordinate xc of a target passing point Pc in a front gazing distance zt and X coordinate xe of a presumption passing time Pe and adding an operation item obtained by multiplying a first control gain G1 on deviation of the coordinates xc, xe and an operation item obtained by multiplying a second control gain Gy on a yaw angle θca.例文帳に追加

前方注視距離ｚｔにおける目標通過点ＰｃのＸ座標ｘｃと推定通過点ＰｅのＸ座標ｘｅを算出し、これら座標ｘｃ、ｘｅの偏差に第１の制御ゲインＧｌを乗算した演算項と、ヨー角θcaに第２の制御ゲインＧｙを乗算した演算項とを加算して制御量Ｔｃを算出する。 - 特許庁

In the constitution, a moving mirror position calculating mechanism 23 detects the position Xp between the reference position X0 of the moving mirror 15 and the position Xm having the maximum displacement, calculates the position Xe having the displacement larger than the position Xp by an extrapolation method, and determines the calculated position Xe as the position of the moving mirror 15 corresponding to an interference strength measurement point.例文帳に追加

この構成において、移動鏡位置算出機構２３は、移動鏡１５の基準位置Ｘ０と変位が最大の位置Ｘｍとの間の位置Ｘｐを検出し、位置Ｘｐよりも変位が大きい位置Ｘｅを外挿法によって算出し、算出した位置Ｘｅを干渉強度測定点に対応する移動鏡１５の位置とする。 - 特許庁

Since the position Xe of the moving mirror 15 corresponding to the interference strength measurement point is calculated by the extrapolation method, therefore, the position Xe of the moving mirror 15 corresponding to the interference strength measurement point is found without use of the coherent reference light source (e.g. a large He-Ne laser) even if the displacement of the moving mirror 15 is increased to achieve the high-resolution spectroscope 1.例文帳に追加

外挿法によって干渉強度測定点に対応する移動鏡１５の位置Ｘｅを算出するので、移動鏡１５の変位量を大きくして、高分解能の分光器１を実現する場合でも、干渉性の高い基準光源（例えば大型のＨｅ−Ｎｅレーザ）を用いることなく、干渉強度測定点に対応する移動鏡１５の位置Ｘｅを求めることができる。 - 特許庁

This external electrode fluorescent lamp comprises a glass tube 7, provided with a phosphor coating 8 on the inner wall surface and enclosing a discharge medium including at least Xe gas, and a pair of meandering band-like electrode layers 9a, 9b provided on the peripheral surface of the glass tube 7 over nearly the entire length in the pipe axial direction.例文帳に追加

内壁面に蛍光体被膜８が形成され、かつ少なくともXeガスを含む放電媒体が封入されたガラス管７と、前記ガラス管７の外周面に、管軸方向ほぼ全長に亘って添設された一対の蛇行帯状電極層9a，9bとを有することを特徴とする外面電極蛍光ランプである。 - 特許庁

The gas electric panel is constituted of introducing an auxiliary gas, that consists of at least one kind chosen from carbon dioxide gas, steam, oxygen gas, and nitrogen gas, to the discharge space 30, which has been evacuated, until the residual gas pressure is set to 0.02 mPa or lower, and after that, introducing the gas base body of a He-Xe system or a Ne-Xe system.例文帳に追加

これを解決するために、本発明のガス放電パネルでは、残存ガス圧が０．０２ｍＰａ以下になるまで真空排気された放電空間３０に対して、炭酸ガス、水蒸気、酸素ガス、窒素ガスの中から選ばれる少なくとも一種類からなる補助ガスが導入され、その後にＨｅ−Ｘｅ系あるいはＮｅ−Ｘｅ系のガス基体が導入されてなる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁

Prior to depositing the electrode film, ion implantation may be performed in order to render the surface amorphous by Ar ions, Ge ions or Xe ions.例文帳に追加

また、電極膜を成膜する前に、ＡｒイオンやＧｅイオンやＸｅイオンによって表面を非晶質化するためのイオン注入をおこなってもよい。 - 特許庁

The electroconductive thin film 103 may be formed by sputtering a target made from ruthenium with the use of ECR plasma including argon (Ar) gas, xenon (Xe) gas and nitrogen gas.例文帳に追加

導電薄膜１０３は、ルテニウムよりなるターゲットを、アルゴンガス（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）ガス、窒素ガスからなるＥＣＲプラズマを用いてスパッタリングして形成すればよい。 - 特許庁

A first display cell includes first and second display electrodes (Xo, Yi) and a second display cell includes the second display electrodes and third display electrodes (Yi, Xe).例文帳に追加

第１の表示セルは第１及び第２の表示電極（Ｘｏ，Ｙｉ）を含み、第２の表示セルは第２の表示電極及び第３の表示電極（Ｙｉ，Ｘｅ）を含む。 - 特許庁

To provide a magnesium oxide powder that can emit UV rays with high efficiency when excited by UV rays produced by Xe gas discharge.例文帳に追加

Ｘｅガスのガス放電により生成した紫外光により励起されると、高い効率で紫外光を放出する酸化マグネシウム粉末を提供する。 - 特許庁

To provide magnesium oxide powder emitting the ultraviolet light having around 250 nm wavelength in high efficiency when excited by the ultraviolet light generated by a gas discharge of Xe gas.例文帳に追加

Ｘｅガスのガス放電により生成した紫外光により励起されると、高い効率で波長２５０ｎｍ付近の紫外光を放出する酸化マグネシウム粉末を提供する。 - 特許庁

To provide magnesium oxide powder in which ultraviolet rays having peak wavelength in the vicinity of 250 nm is emitted with high efficiency when excited by the ultraviolet rays formed by gas discharge of Xe gas.例文帳に追加

Ｘｅガスのガス放電により生成した紫外光により励起されると、波長２５０ｎｍ付近にピーク波長を有する紫外光を高い効率で放出する酸化マグネシウム粉末を提供する。 - 特許庁

This is the plasma display panel in which a mixed gas containing xenon (Xe) and krypton (Kr) as discharge gas is sealed and the ratio between a mixing ratio of krypton and that of xenon is 1/600 or more and 1/3 or less.例文帳に追加

放電ガスとしてキセノン（Ｘｅ）およびクリプトン（Ｋｒ）を含む混合ガスを封入し、クリプトンの混合率とキセノンの混合率との比率を、１／６００以上１／３以下としたプラズマディスプレイパネルである。 - 特許庁

The phosphor can be excited by vacuum ultraviolet rays (VUV), especially by Xe-excimer discharge and an UV-radiation lamp free from mercury can be produced by the method.例文帳に追加

本発明の燐光体は真空紫外線（ＶＵＶ）放射によって励起可能であり、特に、Ｘｅ-エキシマー放電によって励起されてもよく、それによって水銀を使用しないＵＶ放射ランプを提供する。 - 特許庁

As a result, in a reprocessing facility of an atomic fuel, for example rare gases such as xenon (Xe) and krypton (Kr) contained in an off-gas 10 of the reprocessing process can be efficiently and reliably recovered.例文帳に追加

この結果、たとえば、原子力燃料再処理設備において、再処理操作工程中のオフガス１０中に含まれているキセノン（Ｘｅ）やクリプトン（Ｋｒ）などの希ガスを効率よくかつ確実に回収することができる。 - 特許庁

The light source 5 is provided with a plurality of long arc xenon lamps 6 in which a xenon (Xe) gas is encapsulated in a straight tube, in parallel in a width direction in a plane along the target surface 4.例文帳に追加

光源５は、直管形の管内にキセノン（Ｘｅ）ガスが封入されたロングアーク形キセノンランプ６を、対象面４に沿う面内で幅方向に複数本並設することで構成される。 - 特許庁

The trigger switch SW2 receives an on/off signal from a control circuit CN1 in a certain cycle and lights the xenon arc lamp Xe by the on/off cycle.例文帳に追加

トリガスイッチＳＷ２は制御回路ＣＮ１から一定の点滅周期で点滅信号を受け、キセノンランプＸｅを点滅周期で発光させる。 - 特許庁

To provide a local heating apparatus and a reworking method for printed boards whereby excellent local heating is obtained even without using such an expensive light source as a laser and a Xe lamp.例文帳に追加

レーザーやキセノンランプなど高価な光源装置を用いなくても、優れた局所加熱性が得られる局所加熱装置ならびにプリント基板のリワーク方法を提供する。 - 特許庁

Mixture gas containing xenon (Xe) and argon (Ar) is sealed as discharge gas in the plasma display panel, with a ratio of mixture ratio of argon to that of xenon of 1/1,000 or more and less than 1/5.例文帳に追加

放電ガスとしてキセノン（Ｘｅ）およびアルゴン（Ａｒ）を含む混合ガスを封入し、アルゴンの混合率とキセノンの混合率との比率を、１／１０００以上１／５未満としたプラズマディスプレイパネルである。 - 特許庁

To provide a method for producing fluorine-containing fired magnesium oxide powder capable of emitting ultraviolet light having a peak on around 250 nm wavelength in high efficiency when excited by the ultraviolet light generated by discharging Xe gas.例文帳に追加

Ｘｅガスのガス放電により生成した紫外光により励起されると、波長２５０ｎｍ付近にピーク波長を有する紫外光を高い効率で放出する酸化マグネシウム焼成物粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a part of surface of the insulated layer 18 and region, where Xe ions passed through are removed by etching and the upper electrode 20 is formed on the insulated layer 18 after that.例文帳に追加

次いで、エッチングにより、絶縁層１８の表面の一部およびＸｅイオンが通過した領域が除去され、その後、絶縁層１８の表面上に、上部電極２０が形成される。 - 特許庁

Furthermore, 0.3 to 3.5 kPa (at room temperature) of at least one kind of rare gas selected from among argon(Ar), xenon(Xe), and krypton(Kr) is sealed as a buffer gas for a startup in the discharge container.例文帳に追加

さらに、前記放電容器には、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）から選ばれる少なくとも１種の希ガスが、０．３ｋＰａ〜３．５ｋＰａ（常温において）始動用バッファガスとして封入されたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a multi-layer film reflecting mirror comprising a high reflectivity for soft X-ray region, especially laser plasma X-ray which uses Xe as a target comprising peak wavelength of 10.9 nm.例文帳に追加

軟Ｘ線領域、特に、ピーク波長10.9nmを有するターゲットにＸｅを用いたレーザープラズマＸ線において高い反射率を有する多層膜反射鏡の提供。 - 特許庁

The mutual intersection angles between the spatial vectors Xm, Ym and Zm are calculated respectively, and the mutual intersection angles between the spatial vectors Xe, Ye, and Ze, are calculated respectively (S6).例文帳に追加

空間ベクトルＸｍ、Ｙｍ，Ｚｍについて、ベクトル間の互いの交角をそれぞれ計算すると共に、空間ベクトルＸｅ、Ｙｅ，Ｚｅについて、ベクトル間の互いの交角をそれぞれ計算する（Ｓ６）。 - 特許庁

To provide a blue light-emitting phosphor powder increased in emission intensity to vacuum ultraviolet rays with a wavelength of 172 nm equivalent to a Xe_2 molecular beam emitted from Xe gases in particular.例文帳に追加

特にＸｅガスから放出されるＸｅ_2分子線に相当する波長ｌ７２ｎｍの真空紫外線に対する発光強度が向上した青色発光蛍光体粉末を提供する。 - 特許庁

Parallel electrodes 7 formed of an Al or carbon plate are formed on the upper and lower surfaces inside a frame 4 made of an insulation material such as an epoxy resin, and Xe gas is filled and enclosed under normal pressure.例文帳に追加

エポキシ樹脂などの絶縁物で出来ているフレーム４の内部に、上面と下面にＡＬまたはカーボン板による平行な電極７が設けられ、内部にＸｅガスが常圧で封入され、密閉されている。 - 特許庁