One end of the plurality of first-layer n^+-type resistor layers 9 is connected with a gate electrode 6, and the other end is connected with the external gate electrode terminal 11.例文帳に追加

複数の１層目のＮ＋型抵抗層９の一方の端はゲート電極６と、他方の端は外部ゲート電極端子１１と接続する。 - 特許庁

To accurately detect an end point of plasma etching in a process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film, in a method of manufacturing a mask for extreme ultraviolet exposure including the process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film by performing plasma etching using a gas containing carbon (C) to the extreme ultraviolet absorption film using a substrate having the extreme ultraviolet absorption film formed of a material containing Ta and N.例文帳に追加

ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。 - 特許庁

To reduce occurrence of SBS, restrict occurrence of distortion and prevent deterioration in C/N brought about by a radical drop in the optical modulation degree of an optical signal, reduction in the chirping of a wavelength spectrum and an extreme narrowing down of line width when analog broadcasting is terminated following a transition to digital broadcasting.例文帳に追加

デジタル放送への移行に伴うアナログ放送終了時の光信号の光変調度の極端な低下、光波長スペクトルのチャーピングの減少、線幅の極端な狭幅化に伴うSBSの発生の軽減、歪発生の抑制、C/Nの悪化を防止する。 - 特許庁

An Li/(CF)_n based coin type battery has a metal lithium of a negative electrode 2 compression bonded to inside of a cover 1 of a stainless steel which serves also as a negative electrode terminal.例文帳に追加

Ｌｉ／（ＣＦ）_n系のコイン型電池として負極端子を兼ねるステンレス鋼製の蓋１の内側に負極２の金属リチウムが圧着されている。 - 特許庁

A unidirectional anti-fuse element comprises: a cathode electrode layer 1 connected with a cathode electrode terminal K; a semiconductor layer 2 consisting of a p-type impurity layer 21 and an n-type impurity layer 22; an insulation layer 3; an anode electrode 4 connected with an anode electrode layer A by a bonding wire 5; and a sealing resin layer 6.例文帳に追加

１はカソード電極端子Ｋに接続されたカソード電極層、２はｐ型不純物層２１及びｎ型不純物層２２よりなる半導体層、３は絶縁層、４はボンディングワイヤ５によってアノード電極端子Ａに接続されたアノード電極層、６は封止樹脂層である。 - 特許庁

The Hall effect device 100 comprises supports 11 to 14 formed on a first semiconductor substrate 10 made of n-type single crystal silicon, a Hall device part 15, a space 16, current electrode terminals 21a to 22a, sensor electrode terminals 23a to 24a, wirings 21b to 24b, and bonding pads 21c to 24c.例文帳に追加

ホール効果素子１００は、Ｎ型単結晶シリコンからなる第１の半導体基板１０に形成される支持部１１〜１４、ホール素子部１５、空間部１６、電流電極端子２１ａ〜２２ａ、センサ電極端子２３ａ〜２４ａ、配線２１ｂ〜２４ｂ、ボンディングパッド２１ｃ〜２４ｃなどを備える。 - 特許庁

Specifically, the breakdown preventing circuit (30) includes a resistor (R) with a high resistance, of which one end is connected with a positive terminal (21) of the portable electronic device (20) and an n-channel field effect transistor (FET), connected in between the other end of the resistor and a negative terminal (22) of the portable electronic device (20).例文帳に追加

具体的には、電子機器破壊防止回路（３０）は、携帯電子機器（２０）の正極端子（２１）に一端が接続された高抵抗を持つ抵抗器（Ｒ）と、この抵抗器の他端と携帯電子機器（２０）の負極端子（２２）との間に接続されたｎチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とから構成される。 - 特許庁

In the cylindrical alkaline manganese battery, in which the opening of a cylindrical positive can 2 is sealed with a negative terminal 8, a negative terminal material is a steel plate having a thickness of 0.5-1.0 mm, a tensile strength of 370-500 N/mm^2, and a hardness of 130-190 Hv.例文帳に追加

筒状正極缶２の開口部を負極端子８にて封口した筒型アルカリマンガン電池１において、負極端子材は、板厚が０．５〜１．０ｍｍ、且つ、抗張力が３７０〜５５０Ｎ／ｍｍ^2 、且つ、硬度が１３０〜１９０Ｈｖの鋼板を使用する。 - 特許庁

For controlling the potential of a neutral point N of a three-phase field winding provided in the motor 30 and a current flowing in the neutral point N to proper values, a converter 34 is connected between a positive-electrode terminal of the secondary battery 10 and the neutral point N.例文帳に追加

モータ３０が備える３相界磁巻線の中性点Ｎの電位、および中性点Ｎに流れる電流を適切な値に制御するため、二次電池１０の正極端子と中性点Ｎとの間にはコンバータ３４が接続される。 - 特許庁

N channel MOS TRs are newly added to the conventional level shift circuit so as to always bring the gate potential for the N channel MOS TRs in cross connection a Vtn or over when it is turned on, independently of the capability of the MOS TRs so as to permit state transition even when P channel MOS TRs with an extremely high capacity are not employed.例文帳に追加

レベルシフト回路にNチャネル型MOSトランジスタを新たに追加することにより、たすきがけになるNチャネル型MOSトランジスタがONになる際のゲート電位をMOSトランジスタの能力に関係なく、必ずVtn以上にすることにより、Pチャネル型MOSトランジスタを極端に大きくしなくても、状態を遷移することができる。 - 特許庁

The method for measuring an electric resistance of a GaN substrate comprises a step (S10) of preparing a GaN substrate whose surface is at least partially an N surface, a step (S20) of contacting a plurality of electrode terminals on the N surface of the GaN substrate, and a measuring step (S30).例文帳に追加

この発明に従ったＧａＮ基板の電気抵抗測定方法は、表面の少なくとも一部がＮ面となっているＧａＮ基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ＧａＮ基板のＮ面に複数の電極端子を接触させる工程（Ｓ２０）と、測定工程（Ｓ３０）とを備える。 - 特許庁

When fitting the connector 1, respective electrode terminals 5 of both connectors 2, 6 contact with each other as the connector 2, 6 closely contact with each other by the magnetic attraction generated between the N-pole and an S-pole of the first connector and the N-pole and an S-pole of the second connector.例文帳に追加

コネクタ１が嵌合するとき、第１コネクタ２のＮ極及びＳ極と、第２コネクタ６のＳ極及びＮ極との間に生じる引力によって、第１，第２両コネクタ２，６は密着するので、両コネクタ２，６の各電極端子５は接触する。 - 特許庁

Each pole end part 33 is formed to face the inner circumferential surface of the N pole magnet 1 and the S pole magnet 2 through a specified air gap 11.例文帳に追加

各磁極端部３３は、Ｎ極マグネット１及びＳ極マグネット２の内周面と所定の空隙１１をもって対面するように形成されている。 - 特許庁

To provide an Fe-Cr alloy excellent in weldability and initial rust generation resistance without extremely increasing the amounts of elements such as Ni, Cu, Cr and Mo and further requiring the excessive reduction of C and N.例文帳に追加

Ni，Cu，Cr，Moなどの元素を極端に増量することや、Nb，Tiの添加、さらにはＣ，Ｎの過度の低減を必要とすることなしに、溶接性や耐初期発錆性に優れたFe−Cr合金を提供する。 - 特許庁

One end of the plurality of first-layer n^+-type polycrystalline silicon regions 14 is connected with an external gate electrode terminal 11, and the other end is connected with a source electrode 7.例文帳に追加

複数の１層目のＮ＋型多結晶シリコン領域１４の一方の端は外部ゲート電極端子１１と、他方の端はソース電極７と接続する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flowmeter which does not require an extremely slim outer shape and does not lower a reception level and an S/N ratio with exerting a high measurement accuracy.例文帳に追加

極端な細長形状の外形を必要とせず、また、受信レベルとＳ／Ｎ比の低下を生じない高い測定制度の超音波流量計を提供する。 - 特許庁

Between a negative terminal N' of the dry cell B' inversely put into and the first contact point terminal 131, a gap S is made to be formed by the partition part 121a.例文帳に追加

逆入れされた乾電池Ｂ′の負極端子Ｎ′と第１接点端子１３１との間に、仕切部１２１ａにより空隙Ｓが形成されるようにする。 - 特許庁

A battery cell 10 has a stacked electrode body 100 in which separators S, T of which the thickness are different at a side of a positive electrode terminal part 101 where a positive electrode core PB is protruded and at a side of a negative electrode terminal part 102 where a negative electrode core PB is protruded are held and stacked between a positive electrode plate P and a negative electrode plate N.例文帳に追加

電池セル１０は，正極芯材ＰＢが突出している正極端部１０１の側と負極芯材ＰＢが突出している負極端部１０２の側とでその厚みが異なっているセパレータＳ，Ｔを，正極板Ｐと負極板Ｎとの間に挟んで積層した積層電極体１００を有するものである。 - 特許庁

An n-channel MOSFET 27a constituting the semiconductor switch connected between both ends of the solar cell 21 becomes off while the light emitting element 11 is lit and becomes on while the light emitting element 11 is put out, with its drain and source connected to the positive electrode terminal and negative electrode terminal, respectively, of the solar cell 21 and with its gate terminal connected to the cathode of the photodiode 25.例文帳に追加

太陽電池２１の両端間に接続される半導体スイッチを構成するｎチャネルＭＯＳＦＥＴ２７ａは、太陽電池２１の正極端子および負極端子にそれぞれドレインおよびソースが接続され且つフォトダイオード２５のカソードにゲート端子が接続されており、発光素子１１が点灯している間はオフとなり発光素子１１が消灯している間はオンとなる。 - 特許庁

To provide a diode chip in which direct high-dense mounting on a circuit board without using wires and deterioration can be performed and variation in impedance characteristics in an electrode terminal is suppressed, by providing a pair of electrode terminals each corresponding to a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region on one surface of a silicon substrate.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域及びＮ型半導体領域にそれぞれ対応する一対の電極端子をシリコン基板の一の面に設けることによって、ワイヤを介さずに直接回路基板上への高密度実装を可能とすると共に、電極端子におけるインピーダンス特性の低下及びバラツキを抑えたダイオードチップを提供することである。 - 特許庁

The diode chip 21 is provided with a silicon substrate 22 having the n-type region 23; the p-type region 24 formed in the n-type region 23; and the pair of electrode terminals 25, 26 formed on any one of the upper surface and the lower surface of the silicon substrate 22, and corresponding to the n-type region 23 and the p-type region 24.例文帳に追加

Ｎ型領域２３を有するシリコン基板２２と、前記Ｎ型領域２３内に形成されるＰ型領域２４と、前記シリコン基板２２の上面又は下面のいずれか一方の面に形成され、前記Ｎ型領域２３及びＰ型領域２４のそれぞれに対応する一対の電極端子２５，２６とを備えたダイオードチップ２１を形成した。 - 特許庁

With such a constitution, the sound pressure can be prevented from becoming insufficient when reducing the S/N ratio by extremely reducing a pulse width of the PWM output such as when controlling a sound pressure level only by the pulse width of the PWM output.例文帳に追加

このようにすれば、ＰＷＭ出力のパルス幅のみによって音圧レベルを制御する場合のように、ＰＷＭ出力のパルス幅が極端に小さくなることでＳ／Ｎ比が低下して音圧が不十分になることを防止することができる。 - 特許庁

Since a region, doped very lightly and emitting light at a p-n junction through quantum restraint effect, is provided and a structure resonating only with light in a specified wavelength band is added, superior efficiency is attained, while significantly enhancing wavelength selectivity.例文帳に追加

これにより、極端に浅くドーピングされてそのｐ−ｎ接合部位で量子拘束効果により発光を起こるドーピング領域を備え、特定波長帯域の光のみを共振させる共振器構造が付加されているので、効率に優れ、かつ波長選択性が大きく向上される。 - 特許庁

In the inverter-type level shift circuit 10, the size of an n-channel transistor 112 of a CMOS inverter circuit 11 of a first stage is set to an extreme size difference that is (a) times (for example, a hundred times) as large as the size of a p-channel transistor 111 or more.例文帳に追加

インバータ型のレベルシフト回路１０において、初段のＣＭＯＳインバータ回路１１のｎチャネルトランジスタ１１２のサイズを、ｐチャネルトランジスタ１１１のサイズのａ倍（例えば、１００倍）以上の極端なサイズ差に設定する。 - 特許庁

The electric heater having a heating element capable of heating by feeding current, provides a plurality of electrodes to feed power to the heater, and makes electrode terminals connected to the electrodes removable to enable the change of the number of the electrodes from two pieces to n pieces (n: any integer of three or larger).例文帳に追加

本発明の通電発熱ヒータは、通電発熱が可能な発熱体を有するヒータにおいて、該発熱体に給電するための電極が複数個設けられており、該電極に接続される電極端子を着脱可能とすることにより、電極数を２個からｎ個（ｎは３以上の任意の整数）まで変更可能とする。 - 特許庁

Thus skip reproduction of compressed video and sound data of one frame for every several frames corresponding to the n-fold speed and normal reproduction of compressed video and sound data of the required number of frames are consecutively performed to realize not extreme frame skip playback like in a conventional system but frame skip reproduction giving continuity in some degree to reproduced frames, so that the user can recognize consecution.例文帳に追加

これにより、ｎ倍速に対応する数フレーム毎に１フレームの圧縮映像音声データの飛び越し再生と、所要フレーム数の圧縮映像音声データの通常再生とを連続して行い、従来のような極端なコマ飛ばし再生ではなく、ある程度連続性のあるコマ飛ばし再生を実現し、前後のつながりの把握を可能にする。 - 特許庁