In the vacuum chamber 2, there are arranged n cathodes 7-10 and n+1 anodes 28-32, each of the anodes adjacent to a cathode 7-10.例文帳に追加

真空チャンバ２には、ｎ個のカソード７−１０と、各々カソード７−１０に隣接したｎ＋１個のアノード２８−３２と、が配置される。 - 特許庁

n=(P2.V2-P1.V1)/RT...(1) In the expression, R is a gas constant, and T is an absolute temperature in the vacuum container.例文帳に追加

ｎ＝（Ｐ２・Ｖ２−Ｐ１・Ｖ１）／ＲＴ…（１） 式中、Ｒは気体定数であり、Ｔは真空容器内の絶対温度である。 - 特許庁

A shared vacuum chamber 17 communicates with the p-layer formation chamber 11, the i-layer formation chambers 13 and the n-layer formation chamber 15.例文帳に追加

共用真空チャンバー１７は、ｐ層生成チャンバー１１、ｉ層生成チャンバー１３及びｎ層生成チャンバー１５に連絡している。 - 特許庁

When the pressure in the vacuum container (7) exceeds the ion pump actuation pressure because of long-period disuse, the gas in the vacuum container (7) is adsorbed by charging liquid nitrogen (N) in the liquid nitrogen trap (9) or connecting an external freezer to lower the pressure in the vacuum container (7) below the ion pump actuation pressure.例文帳に追加

長期間の不使用により、真空容器（７）内の圧力がイオンポンプ起動圧力より上昇してしまった時は、液体窒素トラップ（９）に液体窒素（N）を入れる方法、あるいは外部から冷凍機をつなぎこみ、真空容器（７）内のガスを吸着させ、真空容器（７）内の圧力をイオンポンプ起動圧力以下にする。 - 特許庁

The vacuum generation device comprises the condenser to carry out a reduced-pressure distillation of a gas containing ammonia, and is characterized in that a plurality of magnets are arranged outside the water supply piping to the condenser so as to allow an N polarity and an S polarity to face each other.例文帳に追加

アンモニアを含むガスを、減圧蒸留するためのコンデンサーを備えた真空発生装置において、該コンデンサーへの水供給配管の外側にＮ極性とＳ極性を対向するように複数個の磁石を配列させたことを特徴とする真空発生装置。 - 特許庁

To provide an AC generator with a vacuum pump which can stably generate an output even if a natural vibration frequency of its rotor coincides with the n-th order vibration frequency of rotation whose vibration source is the vacuum pump, while the shaft diameter of the rotor is not increased.例文帳に追加

回転子の軸径を大きくすることなく、回転子の固有振動数と真空ポンプを加振源とする回転ｎ次振動数が一致しても安定した発電機出力が得られる真空ポンプ付交流発電機を提供することにある。 - 特許庁

In the rubber-coated cloth for the vacuum bag for laminated glass manufacture, a base cloth is a jersey, a rubber layer is provided on one surface of the base cloth, 10% modulus is ≤50 N/cm and elongation in breakage is ≥50%.例文帳に追加

合わせガラス製造用の真空バッグ用ゴム引布において、基布がジャージであり、基布の片面にゴム層を有し、１０％モジュラスが５０Ｎ／ｃｍ以下であり、切断時伸びが５０％以上であることを特徴とする真空バッグ用ゴム引布。 - 特許庁

A titanium oxide powder is subjected to heating treatment of exhaust gas in a glass vacuum system at 400°C for 1 hour to dehydrate it, and reacts with n-octyltriethoxysilane to provide the white powdered catalyst.例文帳に追加

二酸化チタン粉末をガラス真空系中で、４００℃で１時間、排気加熱処理を施して脱水した後、n-オクチルトリエトキシシランと反応させて白色粉末状の触媒を得た。 - 特許庁

To provide an optical chopper capable of acquiring a high S/N ratio even to an electric noise by suppressing high-order light, stray light or the like even in a short wavelength band such as a far ultraviolet region or a vacuum ultraviolet region, and a spectroscopic device with the same.例文帳に追加

遠紫外域や真空紫外域のような短波長帯においても高次光や迷光等を抑制し、電気的なノイズに対しても大きなS/N比を得ることができる光チョッパ及びそれを備えた分光装置を提供する。 - 特許庁

A heat treatment is performed to the back of an n^+ type SiC substrate 10 in a vacuum, at 1,000°C for one minute, the exposed rear surface of an n-type SiC substrate 10 is cleaned, and a drain electrode 100 is formed.例文帳に追加

ｎ^+型ＳｉＣ基板１０の裏面に、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行って、ｎ^+型ＳｉＣ基板１０の露出された裏面表面を清浄化した後、ドレイン電極１００を形成する。 - 特許庁

Cyanoacetamide is dehydrated by using cyanuric chloride in the presence of a catalytic amount of N,N-dimethylformamide in a polar solvent removable by vacuum distillation at ≥100°C to industrially produce malonitrile.例文帳に追加

触媒量のN,N-ジメチルホルムアミドの存在下に且つ100℃以下の温度で真空蒸留により除去される極性溶剤中で塩化シアヌルを用いてシアノアセトアミドを脱水することによりマロンニトリルを工業的に製造する改良方法に関する。 - 特許庁

To efficiently emit electrons from a semiconductor to the outside (vacuum) without their losing energy by generating hot electrons, while generating avalanche breakdown phenomenon without a P-N junction.例文帳に追加

ＰＮ接合なしで雪崩降伏現象を起こして熱い電子を生じせしめてエネルギーを失うことなく半導体から外部（真空）への電子の放出を効率よく行う。 - 特許庁

A single layer film composed of TiAlN is formed on the surface of a mold for forming glass by vacuum depositing, sputtering, or ion plating Ti, Al and N at the same time.例文帳に追加

Ｔｉ、Ａｌ、Ｎを同時に真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることによりＴｉＡｌＮの単層膜をガラス成形金型の表面に形成する。 - 特許庁

The electrons injected from the n-type Si-semiconductor substrate 1 are accelerated by the strong electric field, and thus electrons having energy exceeding the work function of the thin-film electrode 4 are emitted into a vacuum.例文帳に追加

ｎ型Si半導体基板１から注入された電子は、この強電界で加速を受け、薄膜電極４の仕事関数を越えるエネルギーを有する電子が真空中へ放射される。 - 特許庁

Moreover, the thickness of the second clad layer is set to become λ/2n or more wherein a luminescence wavelength in vacuum is λ and the refractive index of the second clad layer is set to n.例文帳に追加

また、第２クラッド層の厚さは、真空中での発光波長をλ、第２クラッド層の屈折率をｎとしたときに、λ／２ｎ以上となるように設定する。 - 特許庁

This Cr-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and the content of B is preferably controlled to 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method simply enabling to reduce S concentration and N concentration in a steel by injecting desulfurizing agent for short time with a uniprocess using an RH type vacuum-degassing apparatus.例文帳に追加

ＲＨ式真空脱ガス装置を用いた単一処理で短時間の脱硫剤吹き付けによって鋼中のＳ濃度およびＮ濃度を簡便に低減できる方法を提供する。 - 特許庁

The PZT film wherein a PZT film which contains an additive which is at least one of V, Nb, Re, C, N and BN (boron nitride), is vacuum molded on a substrate.例文帳に追加

基板上に添加物を含んだＰＺＴ系膜を真空成膜したＰＺＴ系膜体であって、前記添加物は、Ｖ，Ｎｂ，Ｒｅ，Ｃ，Ｎ，ＢＮの少なくとも１種類であることを特徴とするＰＺＴ系膜体である。 - 特許庁

A plurality of permanent magnets 1a, 1b are arranged in a rotor 1 surrounding the evacuated metallic container 2 in which an eddy current can be produced, so that the N-and S-poles of the magnets are arranged alternating with each other.例文帳に追加

渦電流が発生可能な真空引きされる金属製容器２を取り囲む回転体１に複数の永久磁石１ａ，１ｂをＮ極とＳ極が交互に位置するように配置した渦電流発熱による加熱装置。 - 特許庁

Specifically, a vacuum annealing treatment is carried out after the TaXN thin film is formed into a film, and a protecting film is fabricated on it, thereby determining an optimum annealing condition while observing a change of Ta-N coupling by the X-ray diffraction method.例文帳に追加

具体的には、ＴａＸＮを成膜してその上に保護膜を製作した後、真空アニール処理を行い、Ｘ線回折法によりＴａーＮ結合の変化を観察しながら、最適なアニール条件を決める方法がある。 - 特許庁

Then, a transparent electrode 3 and a p-side electrode 4 are formed on the surface of the p-type contact layer 10 through a vacuum vapor deposition method or the like, and an n-side electrode 5 is formed on the oxygen polar plane 1b of the ZnO substrate 1.例文帳に追加

次いで、真空蒸着法等によりｐ形コンタクト層１０の表面に透明電極３及びｐ側電極４を形成し、また、ＺｎＯ基板１の酸素極性面１ｂ上にｎ側電極５を形成する。 - 特許庁

The sealing agent for vacuum panel basal plate containing an epoxy resin expressed by formula (1), a curing agent expressed by formula (2) wherein n in formula (1) represents a positive number and m in formula (2) represents a positive number.例文帳に追加

下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、下記式（２）で表される硬化剤、硬化促進剤及び充填剤を含有する真空パネル基板用シール剤。 - 特許庁

By an RTA apparatus, a heat treatment is performed in a vacuum, at 1,000°C for one minute, the exposed surface of the n-type epitaxial layer 20 is cleaned, and a gate oxide film 50 and a gate electrode 60 are formed.例文帳に追加

ＲＴＡ装置で、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行い、ｎ型エピタキシャル層２０の露出された表面を清浄化し、ゲート酸化膜５０、ゲート電極６０を形成する。 - 特許庁

The Ti-Al-N film contains titanium, aluminum and nitrogen, and is deposited on a substrate in such a way that particulates composed of nitrogen, titanium and/or aluminum produced in plasma are jetted into a vacuum chamber 30 from a supersonic nozzle 34 in a state of being carried on the gas flow of an supersonic free jet, and are physically vapor-deposited on a substrate 33 arranged in the vacuum chamber 30.例文帳に追加

チタン、アルミニウムおよび窒素を含有して、基板に形成されたＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜であって、プラズマ中で生成された窒素とチタンおよび／またはアルミニウムからなる微粒子を超音速ノズル３４から超音速フリージェットの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置した基板３３上に物理蒸着させて形成した膜とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of an alkaline chitosan gel by which a macromolecular alkaline chitosan gel is obtained by alkali treatment at a low alkali concentration and a low temperature without conducting vacuum treatment, a manufacturing process of chitosan which does not necessitate a vacuum process and a manufacturing process of the fiber of a chitin the various polymers of which are partially and uniformly N-deacetylated.例文帳に追加

低アルカリ濃度、低温でのアルカリ処理にて、高分子のアルカリキトサンゲルを得ることができかつ真空処理が不要なアルカリキトサンゲルの製造方法の提供、キトサンを真空プロセスを要せず得ることのできる製造方法の提供、及びいろいろな均一に分布した高分子の部分Ｎ−脱アセチル化キチン糸の製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent the formation of solid materials in a vacuum pump or a vacuum line of a purification process or recovery process to perform vacuum distillation in a conventional process to produce aziridines or N-vinyl amides from alkanolamines or alkanol amides and composed of a reaction step, a collection step, a purification step and a recovery step.例文帳に追加

反応工程、捕集工程、精製工程および回収工程からなる一般に知られている方法により、アルカノールアミンまたはアルカノールアミドから、それぞれ、アジリジン類またはＮ−ビニルアミド類を製造するにあたり、減圧蒸留を行う精製工程および回収工程における真空ポンプや真空ラインなどの内部での固形物の生成を防止する。 - 特許庁

The refining method includes a process for selectively preparing N-type scrap silicon lumps containing only specified impurity elements, a process for crushing the prepared scrap silicon lumps, a process for placing the crushed silicon in a vacuum vessel, a process for melting the crushed silicon placed in the vacuum vessel by irradiating it with an electron beam, so as to evaporate the impurity elements, and a process for solidifying the obtained molten silicon.例文帳に追加

特定の不純物元素のみを含有するＮ型スクラップシリコン塊を選択的に準備する工程と、この準備したスクラップシリコン塊を破砕する工程と、この破砕されたシリコンを真空容器内に置く工程と、真空容器内に置かれた破砕シリコンに電子ビームを照射して溶融させ、不純物元素を蒸発させる工程と、得られた溶融シリコンを凝固させる工程とを含む。 - 特許庁

As a result, accumulation of the ammonia (NH_3) in the ultrahigh vacuum container is alleviated, so that the concentration of nitrogen (N) in a crystal growth layer on the ZnO substrate can be set to a desired concentration, and in addition the concentration of nitrogen (N) can be formed uniformly from the surface along the depth direction.例文帳に追加

その結果、超高真空容器内におけるアンモニア（ＮＨ_３）の蓄積が緩和されて、ＺｎＯ基板上の結晶成長層内の窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能となった。 - 特許庁

A raw material is photodecomposed by an optical excitation method using vacuum ultraviolet rays so as to obtain the low-resistance n-type semiconductor diamond by a diamond vapor phase synthetic method, and a lithium material is irradiated with excimer laser rays so as to scatter lithium atoms for feeding.例文帳に追加

該低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドを得るためには、ダイヤモンドの気相合成法において、真空紫外光を用いた光励起方法で原料を光分解し、リチウム原料はエキシマレーザーを照射してリチウム原子を飛散させて供給することにより得ることができる。 - 特許庁

This method for purifying an organic silane comprises cooling the organic silane {represented by the general formula: RnSiH4-n [(n) is 1, 2 or 3; R is an alkyl group or an aryl group]} containing impurities consisting mainly of low boiling point components, evacuating in the solidified state, and further repeating the processes.例文帳に追加

低沸点成分を主たる不純物として含有する有機シラン類［一般式Ｒ_ｎＳｉＨ_４−ｎ（式中ｎは１、２または３であり、Ｒはアルキル基もしくはアリール基を表す）］を冷却し、固化した状態で真空排気する、更にもう一度この操作を繰り返し行う。 - 特許庁

A contact hole is formed in an interlayer film 80, a heat treatment is performed in a vacuum, at 1,000°C for one minute by using the RTA apparatus, the exposed surface of an n^+ type source region 40 is cleaned, and a source electrode 90 is formed inside the contact hole.例文帳に追加

層間膜８０にコンタクトホールを形成し、ＲＴＡ装置を用いて、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行い、ｎ^+型ソース領域４０の露出された表面を清浄化し、コンタクトホール内にソース電極９０を形成する。 - 特許庁

At this time, the Cr-V-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and, preferably, the content of V is 0.1 to 30 wt.%, and the content of B is 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このとき、Ｃｒ−Ｖ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｖ含有量が０．１〜３０重量％およびＢ含有量が０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

Thereby, the baking time of an entire corpuscular beam device is shorten to make it efficient, and noise contamination caused by deterioration in the degree of vacuum in the electromagnetic lens compartment and instability of the electron beam is prevented, in order to obtain a scanning image with an excellent S/N ratio.例文帳に追加

これにより、従来長時間かかっていた粒子線装置全体のベーキング時間を短縮し、効率化するとともに、電磁レンズ室の真空度劣化に伴うノイズ混入や電子ビームの不安定を防止し、Ｓ／Ｎのよい走査像を得る。 - 特許庁

The surface of the glass is coated with 3-aminopropyl trimethoxysilane and after that, 6-(N-allyl-1,1,2,2-tetrahydroperfluorodecylamino)-1,3,5-triazine-2,4-dithiol is film-formed on the surface of the glass kept at 25°C by a vacuum deposition method.例文帳に追加

ガラス表面に３−アミノプロピルトリメトシシシランを塗布し、その後真空蒸着法によりガラス表面温度を２５℃にて６−（Ｎアリル−１、１、２、２−テトラヒドロパーフルオロデシルアミノ）−１、３、５−トリアジン−２、４−ジチオールを成膜する。 - 特許庁

When a resist layer is patterned in a prescribed shape by selective exposure with vacuum UV, a polymeric material having at least one saturated alicyclic n-membered ring (the number (n) of carbon atoms constituting the ring being an even number) and containing fluorine substituents introduced to two or more carbon atoms, constituting the ring and arranged with every other position being used as a polymeric material constituting the resist layer.例文帳に追加

真空紫外線でレジスト層を選択的に露光して所定の形状にパターニングするに際し、レジスト層を構成する高分子材料として、飽和ｎ員環（但し、環を構成する炭素原子数ｎは偶数である。）である脂環を少なくとも１つ有し、当該脂環を構成し且つひとつ置きに配置される少なくとも２以上の炭素原子にフッ素置換基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁

The method for producing favorably flavored corn powder comprises the following process: heating corn kernels or corn paste so as to have a cooking value of 18-60 followed by subjecting the heated corn kernels or corn paste to vacuum freeze drying or to drying with a vacuum dram dryer, and pulverizing the dried corn kernels or corn paste so as to have a n-hexanal content of <2.0 ppm.例文帳に追加

コーンカーネル或いはコーンペーストをクッキング・バリューが１８〜６０となるように加熱処理後、真空凍結乾燥或いは真空ドラムドライヤー乾燥させ粉末化しｎ−ヘキサナール含量２．０ｐｐｍ未満とすることを特徴とする茹でとうもろこし風味の付与された風味良好なコーンパウダーの製造方法；前記方法により得られる茹でとうもろこし風味の付与された風味良好なコーンパウダー；並びに前記方法により得られる茹でとうもろこし風味の付与された風味良好なコーンパウダーを用いた食品を提供する。 - 特許庁

A measuring head MH falls down towards a substrate surface 3a under the flowing condition of an air from a vacuum switching valve mechanism to a suction nozzle 61 inside an air passage 67, and an output value from a flow sensor 68 is compared with a threshold value TH (N) during the fall of the head to obtain the height position of the substrate surface 3a.例文帳に追加

空気経路６７内を空気が真空切替バルブ機構から吸着ノズル６１に流通した状態で測定ヘッドＭＨが基板面３ａに向けて降下していき、そのヘッド降下の間に流量センサ６８からの出力値と閾値ＴＨ（Ｎ）とを対比して基板面３ａの高さ位置を求めている。 - 特許庁

In this field emission electron source 10, an electron injected from the n-type silicon substrate 1 is drift in the strong electric field drift part 6 and is emitted through the surface electrode 7 by disposing the surface electrode 7 in a vacuum and applying a direct current voltage to the surface electrode 7 treated as a positive electrode relative to the ohmic electrode 2.例文帳に追加

この電界放射型電子源１０では、表面電極７を真空中に配置し、表面電極７をオーミック電極２に対して正極として直流電圧を印加することにより、ｎ形シリコン基板１から注入された電子が強電界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

Each screw element 4 (n) formed in the peripheral surface 30 of a rotor 3 for screw groove type vacuum pump is provided with a rotor blade type pump element part 41 formed into the geometric shape on the basis of the design theory of a turbo-molecular pump, and a transiting screw element part 42 and a screw groove type pump element 43 are continuously formed to the pump element 41.例文帳に追加

ねじ溝式真空ポンプにおけるロータ３の外周面３０に形成したねじ要素４（ｎ）のそれぞれは、吸気側に、ターボ分子ポンプの設計理論に基づき幾何学的形状が決定された動翼型ポンプ要素部分４１を備え、これに連続して、遷移用ねじ要素部分４２および、ねじ溝型ポンプ要素部分４３が形成されている。 - 特許庁