「V process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

PROCESS FOR FABRICATING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体光装置を作製する方法 - 特許庁

In the reference voltage determination process, an inspection reference voltage V_L is determined.例文帳に追加

基準電圧決定行程では、検査基準電圧Ｖ_Lが決定される。 - 特許庁

A method for manufacturing a wrapped V-belt includes a molding process and vulcanization process.例文帳に追加

ラップドＶベルト製造方法には、成形工程と、加硫工程とが含まれる。 - 特許庁

The cage for the needle roller bearing is formed through a pocketing process after a V-type form molding process.例文帳に追加

針状ころ軸受の保持器は、Ｖ型フォーム成型工程の後に、ポケット抜き工程を行っている。 - 特許庁

Here, the pocketing process is implemented after the V-form shaping process.例文帳に追加

ここで、Ｖ型フォーム成型工程を行った後に、ポケット抜き工程を行う。 - 特許庁

The process for producing an Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v substrate comprises the steps of providing a dissimilar substrate (11) and growing a Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer having a main surface on the dissimilar substrate (11).例文帳に追加

本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁

is set, then the child and the calling process share a single list of System V semaphore undo values (see semop (2)). 例文帳に追加

がセットされると、子プロセスと呼び出し元プロセスは一つのSystem V セマフォのアンドゥ値リスト( semop (2) 参照) を共有する。 - JM

Unix95 standardized the incompatible System V version of this function, which removes only the specified signal sig from the process's signal mask. 例文帳に追加

Unix95 では BSD 版と互換性のない System V 版のこの関数が標準化された。 Unix95 版は、指定されたシグナルsigをプロセスのシグナルマスクから削除するだけである。 - JM

HEATING APPARATUS AND PROCESS FOR III-V GROUP WAFER, AND ANNEALING III-V GROUP SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族ウェーハの加熱装置およびプロセス、ならびにアニールＩＩＩ−Ｖ族半導体単結晶ウェーハ - 特許庁

In an ultrasonic diagnostic device 200, a CFM process section 14a calculates a blood flow velocity V and the variance σ of the blood flow velocity V.例文帳に追加

超音波診断装置２００において、ＣＦＭ処理部１４ａは、血流速度Ｖと、当該血流速度Ｖの分散σを算出する。 - 特許庁

Additionally, there is another method through which the group IVb, III-V or II-VI impurities are doped during growing process of a silicon nanostructure on a semiconductor substrate.例文帳に追加

更に別法として半導体基板上でシリコン・ナノ構造が成長するときにIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を添加する方法がある。 - 特許庁

To facilitate high-precision measurement of a V-groove by simplifying the method for measuring the V-groove as well as an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスを簡素化すると共に、Ｖ溝の測定方法を簡素化してＶ溝の高精度測定が容易になるようにする。 - 特許庁

In the epitaxial growth of a III-V group compound semiconductor thin film laminate wafer using an organic metallic material, the semiconductor thin film is epitaxially grown at a low temperature by a highly efficient V group material decomposition process by the mutual chemical reaction process of ammonia and triethylamine (ETA).例文帳に追加

有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 - 特許庁

(v) The standard operation process from the commencement to the termination of the certified dispute resolution procedures 例文帳に追加

五　認証紛争解決手続の開始から終了に至るまでの標準的な手続の進行 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In June next year, Japan will hold the TICAD V meeting in Yokohama to mark the 20th anniversary of the TICAD process. 例文帳に追加

明年6月には、TICADプロセス20周年の節目の会合となるTICADⅤを横浜で開催します。 - 財務省

PROCESS FOR MANUFACTURING DOPED SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND GROUP III-V SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ドープ半導体単結晶及びＩＩＩ−Ｖ族半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING NITRIDE BASED III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING IT例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびそれを含む半導体装置 - 特許庁

A voltage measurement unit 20 measures a power supply voltage V_DD in the calibration process.例文帳に追加

電圧測定部２０は、キャリブレーション工程において、電源電圧Ｖ_ＤＤを測定する。 - 特許庁

Properties of the phase correction process part 11 is variably established according to vehicle speed V and steering torque T.例文帳に追加

位相補償処理部１１の特性は、車速Ｖおよび操舵トルクＴに応じて可変設定される。 - 特許庁

To provide a speed meter capable of displaying maximum speed V_MAX in each acceleration process in real time.例文帳に追加

各加速過程での最高速度値Ｖ_ＭＡＸをリアルタイムで表示できる速度計の提供。 - 特許庁

FORMATION PROCESS OF AS-GROWN-P-TYPE ACTIVE GROUP III-V NITRIDE COMPOUND例文帳に追加

ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物の形成工程 - 特許庁

To provide a process for fabricating a III-V compound semiconductor optical device in which light emitting characteristics can be improved.例文帳に追加

発光特性を改善可能なIII−Ｖ化合物半導体光装置を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To enable dry machining of a lens rim including V-edge forming without using process water.例文帳に追加

加工水を使用せずに、ヤゲン形成を含むレンズ周縁のドライ加工を可能とする。 - 特許庁

The method includes a material preparing process I, a cold plastic working process II for performing plastic working for at least an outer peripheral surface of the material W, a heat treatment process III for performing heat treatment, an end face grinding process IV, and a peripheral surface grinding process V for grinding outer peripheral surface and inner peripheral surface of the material W after the end face grinding.例文帳に追加

この製造方法は、素材準備過程I と、この素材Ｗの少なくとも外周面を冷間で塑性加工する塑性加工過程IIと、熱処理する熱処理過程III と、端面研削過程IVと、この端面研削後の素材Ｗの外周面および内周面を研削する周面研削過程V とを含む。 - 特許庁

An electrophotographic process is performed, the surface of the photoreceptor 1 is charged uniformly, to about -570 V by the charging device 2 to which -600 V is applied, and -600 V is also applied to the core bar of the lubricant application brush 8a.例文帳に追加

電子写真プロセスを行い、−６００Ｖが印加された帯電装置２により感光体１の表面を−５７０Ｖ程度に一様に帯電させ、潤滑剤塗布ブラシ８ａの芯金にも−６００Ｖを印加しておく。 - 特許庁

In the first process, the margin part 175a at the recessed surface side of the V-groove surface is polished by slipping the V-groove top position 176 of the finished lens 76 from the V-groove center position 183 of the V-groove polishing groove 83a of the polishing wheel 83, to the lens recessed surface side.例文帳に追加

第一の工程で仕上げレンズ７６のヤゲン頂点位置１７６を砥石８３のヤゲンポリッシュ溝８３ａのヤゲン溝センタ位置１８３からレンズ凹面側にずらしてヤゲン面の凹面側の取代部１７５ａを研磨する。 - 特許庁

This method for manufacturing the carrier for ligand binding, which includes gelatine and gum arabic, is characterized by comprising a process for preparing the carrier for ligand binding by mixing the gelatine and gum arabic in a water solution containing water-soluble organic solvent at a concentration of 20 to 40 (v/v)%.例文帳に追加

ゼラチンおよびアラビアゴムを含むリガンド結合用担体の製造方法であって、水溶性有機溶媒を２０〜４０（v/v）％の濃度で含む水溶液中でゼラチンおよびアラビアゴムを混合し、リガンド結合用担体を調製する工程を含むことを特徴とする方法。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a first process of exposing to temperatures of 200°C or more, a second process of over-discharging until the voltage becomes less than 2.0 V after the first process, and a third process of charging after the above second process.例文帳に追加

２００℃以上の温度に晒す第一工程と、前記第一工程の後、電圧が２．０Ｖ未満になるまで過放電する第二工程と、前記第二工程の後、充電する第三工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In a process following this process, a groove 18 (preferably a V-shaped) is formed in the surface of the wafer 1 along the boundary line between the semiconductor elements.例文帳に追加

これに続く工程で、各半導体素子の境界線に沿って、上記ウェハの表面に溝１８(好ましくはＶ字状のもの)を形成する。 - 特許庁

To provide a production process of V-ribbed belt, allowing just a single process production without polishing a rib portion so as to reduce tension deterioration.例文帳に追加

リブ部を研磨せずに一つの工程のみで成形でき、張力低下も少ないＶリブドベルトの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation process of an as-grown-p-type active group III-V nitride compound layer, which does not require a separate activating process.例文帳に追加

本発明は別個の活性化工程を必要とせずにａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物層の形成工程を提供する。 - 特許庁

A method for quantifying an annexin V is used and has the process (1) and a process (2) for immunologically measuring the annexin V contained in the plasma.例文帳に追加

また、工程（１）と、血漿に含まれるアネキシンＶを免疫測定する工程（２）とを有することを特徴とするアネキシンＶの定量方法を用いる。 - 特許庁

The Ti-V alloy target material for vapor deposition is a Ti-V alloy target material used for dry process vapor deposition and having a part where Ti and V are allowed to enter into solid solution, in an amount of ≥5% by surface area ratio of a mirror polished specimen, and also having 95-100% relative density.例文帳に追加

ドライプロセス蒸着用として用いられるＴｉ−Ｖ合金製ターゲット材であって、ＴｉとＶが固溶した部分を鏡面研磨試料の表面面積率で５％以上有し、且つ相対密度が９５〜１００％である蒸着用Ｔｉ−Ｖ合金製ターゲット材。 - 特許庁

In a manufacturing process of the nonaqueous electrolyte secondary battery of the 5 V class, the initial charge is carried out after assembling a battery, and a battery after the charge is left as it is for 3 to 720 hours in a state that an open circuit electric potential of a positive electrode becomes 3.90 V to 4.88 V (vs. Li/Li^+).例文帳に追加

５Ｖ級の非水電解質二次電池の製造工程において、電池を組み立てた後に初期充電を行い、充電後の電池を、正極の開回路電位が３．９０Ｖ〜４．８８Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ^＋）となる状態で３〜７２０時間放置する。 - 特許庁

To provide a crystal growth method that enables to expand a process window for growing a group III-V compound semiconductor including nitrogen as a group V.例文帳に追加

Ｖ族として窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するためのプロセスウインドウを広げることが可能な結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high quality group III-V nitride semiconductor laminated substrate, a group III-V nitride semiconductor free-standing substrate, and a high performance semiconductor element without necessitating a complicated process.例文帳に追加

複雑な工程を必要とせず、高品質の３−５族窒化物半導体積層基板、３−５族窒化物半導体自立基板及び高性能の半導体素子を容易に得ること。 - 特許庁

To provide a solar cell structure and a method of manufacturing a solar cell wherein the surface electrode forming process for a group III-V compound solar cell can be simplified.例文帳に追加

III-V族化合物太陽電池セルの表面電極形成プロセスを簡略化できる太陽電池セル構造及び太陽電池セル作製方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing an alcoholic drink containing the jelly comprises the following production process of storing (A) the small piece parts of the jelly, containing a gelling agent containing a deacylated type gellan gum in (B) an alcoholic liquid part having 1 to 25 v/v% alcohol concentration.例文帳に追加

以下の製造工程：（Ａ）脱アシル型ジェランガムを含むゲル化剤を含有するゼリー細片部を、（Ｂ）アルコール濃度が１〜２５ｖ／ｖ％のアルコール液部中で貯蔵する、ゼリー入りアルコール飲料の製造方法。 - 特許庁

Since V-grooves and optical waveguides are formed on separate substrates according to a conventional technique, a process for fixedly sticking an optical waveguide substrate to a V-groove substrate using an alignment mark has been required.例文帳に追加

従来技術では、Ｖ溝と光導波路とを別々の基板に形成していたことにより、位置置合わせマークを使ってＶ溝基板に光導波路基板を接着固定する工程が必要であった。 - 特許庁

Even after the fusion splicing process is completed and the optical fibers are taken out of a fusion splicing apparatus, the alignment V-shaped grooves of the V-shaped groove substrate (3) are cleaned with the optical fiber stick cleaner (11).例文帳に追加

融着接続工程が終了し、光ファイバを装置外に取出した後においても、Ｖ溝基板（３）の整列用Ｖ溝を光ファイバスティッククリーナ（１１）によりクリーニングを行う。 - 特許庁

To form crystal in defect-free area in good yield by changing pulling velocity V and temperature gradient G of a single crystal grown by the Czochralski process according to dopant concentration and keeping V/G value in crystal interface within a prescribed range in the radial direction of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成において、結晶中のドーパント濃度が変化した場合でも、無欠陥領域の結晶を、歩留良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

The conductive membrane 2 has a V-shape with a bent portion 7 and in a process in which a space 5 is formed, the space 5 is formed with a point B as a base point by concentrating a current on the point B inside of the V-shape with a low consumption power.例文帳に追加

導電性膜２を屈曲部７を有するＶ字形状とし、間隙５を形成する工程においてＶ字の内側の点Ｂに電流を集中させてより低消費電力で、該点Ｂを基点に間隙５を形成する。 - 特許庁

When relative rotation between the V-gear 18 and a spool 14 occurs, the guide pin 16h moves from the first hole portion 60 to the second hole portion 62, and in this process, the V-gear 18 is thrust by the guide pin 16h and reversed for unlocking operation.例文帳に追加

Ｖギヤ１８とスプール１４との間に相対回転が生じると、ガイドピン１６ｈは第１孔部６０から第２孔部６２へ至り、この過程でＶギヤ１８がガイドピン１６ｈに押圧されて反転し、ロック解除となる。 - 特許庁