「V process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Since silicide reaction advances through the opening 6a, a void V is formed in a film forming process of a polycrystalline silicon film 12 and silicide reaction can be suppressed.例文帳に追加

この開口部６ａを介してシリサイド反応が進行するので、多結晶シリコン膜１２の成膜過程でボイドＶを形成してシリサイド反応を抑制できる構成とする。 - 特許庁

(v) In the case where the Internal Audit Division detects an obvious or suspected illegal act during the process of internal audits, does the division immediately report it to the Compliance Control Division? 例文帳に追加

（ⅴ）内部監査部門は、内部監査の過程で法令違反行為又はそのおそれのある行為を認識した場合、速やかにコンプライアンス統括部門 5に報告しているか。 - 金融庁

The third related invention relates to a process for manufacturing the product of the first related invention, and hence satisfies the provision of Patent Law section 37(v) in relation to the specified invention. 例文帳に追加

また第3 の関連発明は、第1 の関連発明に対して、物とその製法の関係にあるから、特定発明に対し第37 条第5 号の関係を満たす。 - 特許庁

In the period from when the grooves are buried until the top face of the convex portion is covered and flattened (3.D), the process is carried out under reduced pressure while controlling the V/III ratio to be low (by reducing the supplying amount of ammonia to 1/5).例文帳に追加

溝部が埋まり、凸部の上面がほぼ覆われて平坦化する（３．Ｄ）までは、減圧で、Ｖ／III比を低く（アンモニアの供給量を１／５と）した。 - 特許庁

In a push-in process for a cable W, the coating Wb is given a notching C by a one-plate cutter 27 and then opened by a V-shaped contact portion 23.例文帳に追加

電線Ｗの押込み過程では、被覆Ｗｂが、一枚板状の切刃２７により切れ目Ｃを入れられた後、Ｖ字形の接触部２３で切開される。 - 特許庁

The first state transition probability and prescribed first reward are used to obtain a state value function V^π(s) on the basis of dynamic programming in a Markov decision process.例文帳に追加

第一状態遷移確率及び所定の第一報酬を用いて、マルコフ決定過程における動的計画法に基づき、状態価値関数Ｖ^π（ｓ）を求める。 - 特許庁

The spectacles store 100 is previously capable of confirming whether the lens processing including the V-block process is possible or not and the processing to place and receive the orders may be rapidly and smoothly carried out.例文帳に追加

これにより、眼鏡店１００は、事前にヤゲン加工を含めたレンズ加工の可否の確認ができ、レンズの受発注を迅速・正確に行うことができる。 - 特許庁

The pores H are formed by mixing water as a pore forming agent in the vitrifies bond V and vaporizing the water in a post process of sintering.例文帳に追加

気孔Ｈは、ビトリファイドボンドＶ中に気孔形成剤として水を混合し、後工程である焼結の際に水を蒸発させて気孔を生成させたものである。 - 特許庁

This processor performs a clamp process using a sink chip by a 1st detecting circuit 8 and a 1st clamp circuit 10 on an analog video signal V including a sink chip.例文帳に追加

ビデオ信号処理装置はシンクチップを含むアナログビデオ信号Ｖを第１検出回路８及び第１クランプ回路１０でシンクチップを用いたクランプ処理を行う。 - 特許庁

Further, when the source voltage V falls below the second reference voltage V2 (step S303), a function stopping process is carried out (step S306) and the reception of the different-frequency signal is stopped.例文帳に追加

さらに、電源電圧Ｖが第２の基準電圧Ｖ２より低くなると（ステップＳ３０３）、機能停止処理を行い（ステップＳ３０６）、他周波信号の受信を停止する。 - 特許庁

To facilitate a method of incorporating tape-like optical fibers in an optical fiber array fabrication process where bare fibers of tape-like coated optical fibers are arrayed and fixed on a V groove substrate.例文帳に追加

テープ状光ファイバ心線の裸ファイバをＶ溝基板上に配列固定する光ファイバアレイ製造工程のテープ状光ファイバ組込み方法を容易にする。 - 特許庁

This deposited metal catalyst that is carried and useful for fluorination process is composed of one or more metal components selected from the group consisting of antimony(V), titanium(IV), tin(IV), niobium(V) and tantalum(V) and a support body is activated carbon that is treated by fluorination treatment and free of water and the catalyst is activated using hydrofluoric acid before use.例文帳に追加

フッ素化プロセスにおいて有用な担持された金属触媒であって、前記金属がアンチモンＶ、チタンＩＶ、スズＩＶ、ニオブＶ及びタンタルＶからなる群のうち１種以上から選択されたものであり、支持体はフッ素化処理された水分のない活性炭であり、前記触媒は使用前にフッ化水素を用いて活性化するもの。 - 特許庁

In a process of feeding V material gas containing a nitrogen element and group III material gas formed of a compound containing Ga and halogen to the surface of a substrate, a group V/III ratio specified by the ratio of the feed flow rate of the group III material gas to that of the group V material gas is set at 0.1 to below 10.例文帳に追加

窒素元素を含むＶ族原料ガスと、Ｇａおよびハロゲンを含む化合物からなるＩＩＩ族原料ガスとを基板表面に供給する工程において、ＩＩＩ族原料ガスの供給流量に対するＶ族原料ガスの供給流量の比により規定されるＶ／ＩＩＩ比を、０．１以上１０未満とする。 - 特許庁

The process for growing the III-V compound semiconductor layer 5 comprises processes of: heating the substrate 1 so that the temperature of the substrate 1 becomes a value Tsub (2) which is higher than the first value Tsub (1) at formation start time of the III-V compound semiconductor layer 5; and lowering the temperature of the substrate 1 as the III-V compound semiconductor layer 5 grows.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層５を成長させる工程は、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長開始時に、基板１の温度が第１の値Ｔｓｕｂ（１）よりも高い第２の値Ｔｓｕｂ（２）になるように基板１を加熱する工程と、III−Ｖ族化合物半導体層５の成長と共に、基板１の温度を低下させる工程とを含む。 - 特許庁

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。 - 特許庁

In this invention, a trench T is formed by using photoresist patterns PR1 and PR2 having a via hole V while forming wiring in a dual damascene process, thereby allowing metal wiring 82 to be easily formed without forming another photoresist pattern for forming the trench T.例文帳に追加

本発明ではデュアルダマシンで配線を形成しながらビアホールVを形成した感光膜パターンPR1,PR2を利用してトレンチTを形成することによって、トレンチTを形成するための感光膜パターンを別途に形成せずに金属配線82を容易に形成することができる。 - 特許庁

Accordingly, even when the increasing rate of the I/V value of the TFD by the annealing process at the center area of the initial circuit board 200 is small, the I/V characteristic does not fluctuate since a thick insulating film is formed to the first metal layer 222 formed in such a region.例文帳に追加

従って、元基板２００の中心領域でのアニール処理によるＴＦＤのＩ／Ｖ値のアップ度合いが小さい場合でも、このような領域に形成されている第１金属層２２２には厚い絶縁層が形成されるので、Ｉ／Ｖ特性がばらつかない。 - 特許庁

When the angle error of the V-groove falls within the distance-adjustable range, a process of a change in the edge point distance to the x-axis as an angle adjustment to the tool edge point, and grooving work is repeated until the angle error of the V-groove falls within a tolerance (step S101 to S109).例文帳に追加

Ｖ溝の角度誤差が距離で調整可能な範囲内になると、Ｘ軸との刃先距離を変化させて工具の刃先の角度調整を行って、溝加工する処理をＶ溝の角度誤差が公差内になるまで行う（ステップＳ１０１〜Ｓ１０９）。 - 特許庁

The method for producing yeast richly containing taurine comprises the following process: suspending yeast in a solution containing taurine at a concentration of ≤9% (w/v); and nonproliferatively steering or shaking the solution so as to contain the taurine at a concentration of 12% (w/w) based on a dry fungus body.例文帳に追加

タウリンを９％（ｗ／v）以下の濃度で含有する溶液中に酵母を懸濁し、非増殖的に攪拌又は振とう処理することにより、乾燥菌体当りタウリンを１２％（ｗ／ｗ）以下の濃度で含有するタウリン高含有酵母を製造する方法。 - 特許庁

This manufacturing method comprises adjusting substrate voltage applied between a vacuum chamber and a substrate by lowering and then increasing it in a range of -20 V to -300 V continuously and/or stepwisely in a process of forming the TiAl alloy film.例文帳に追加

ＴｉＡｌ化合物膜形成工程中に該真空容器と該基材間に印加する基材電圧を−２０Ｖ〜−３００Ｖの範囲で連続的および／または段階的に降下させたのち上昇させるという調整を行いＴｉＡｌ化合物膜を被覆した。 - 特許庁

The first process element group(DEMUX, V-DEC) is periodically executed by, for example, a first processor VPU0, and the second element group(A-DEC, TEXT, PROG, BLEND) is periodically executed by, for example, a second processor VPU1 in a timing delayed behind the first process element group(DEMUX, V-DEC) by one cycle.例文帳に追加

第１処理要素グループ（ＤＥＭＵＸ、Ｖ−ＤＥＣ）は例えば第１のプロセッサＶＰＵ０によって周期的に実行され、第２処理要素グループ（Ａ−ＤＥＣ、ＴＥＸＴ、ＰＲＯＧ、ＢＬＥＮＤ）は第１処理要素グループ（ＤＥＭＵＸ、Ｖ−ＤＥＣ）よりも１周期遅れたタイミングで例えば第２のプロセッサＶＰＵ１によって周期的に実行される。 - 特許庁

There are provided a process for preparing a substrate which consists of groups III-V compound semiconductor (S10), and a process for washing the substrate with cleaning fluid which is added by an oxidizer while adjusting pH to 2 or more and 6.3 or less acidity (S20).例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、基板を、ｐＨを２以上６．３以下の酸性に調整するとともに酸化剤を添加した洗浄液により洗浄する洗浄工程（Ｓ２０）とを備える。 - 特許庁

(v) A Certified Overseas Manufacturer, etc., Certified Overseas Production Process Manager or Certified Overseas Distribution Process Manager who violates the provisions of paragraph (6) or (7) of Article 14 as applied mutatis mutandis in paragraph (1) of Article 19-6 in Japan; 例文帳に追加

五　本邦において第十九条の六第一項において準用する第十四条第六項又は第七項の規定に違反した認定外国製造業者等、認定外国生産行程管理者又は認定外国流通行程管理者 - 日本法令外国語訳データベースシステム

In a developing process, the same information as vender unique information V in a chip of a CPU 11 is used to encrypt the developed firmware and to generate a hash value, and the hash value is added to the encrypted firmware, which is transferred to the manufacturing process.例文帳に追加

開発工程では、ＣＰＵ１１のチップ内のベンダー固有情報Ｖと同じ情報を用いて、開発したファームウェアの暗号化を行うと共にハッシュ値を生成し、暗号化されたファームウェアに該ハッシュ値を付加し、製造工程へ引き渡す。 - 特許庁

By previously performing a grooving process from the face plate side to be the outer peripheral surface and burying and adhering a flexible edge material therein, or by connecting a base material by the flexible edge material at the V-cut position, flexibility can be provided only to the V-cut and folded portions.例文帳に追加

予め外周面となる面板側から溝加工を行いここに可撓性材料のエッジ材を埋めこみ接着しておくか、あるいはＶカット位置で基材を可撓性材料のエッジ材にて接合することにより、Ｖカットや折り曲げ部位にのみ可撓性を付与することができる。 - 特許庁

In the method for producing a solution containing ethanol from biological materials by fermentation, carbohydrates in the biological materials are converted into ethanol by using Candida glabrata (C. glabrata) in the presence of sodium chloride of a concentration equal to or higher than 2% (W/V) in a process of the fermentation.例文帳に追加

生物由来原料から発酵によりエタノール含有溶液を製造する方法であって、発酵工程においてカンジダ・グラブラータ（C. glabrata）を用いて２％（W/V）以上の濃度の塩化ナトリウムの存在下で生物由来原料中の糖質をエタノールに変換することを特徴とする製造方法。 - 特許庁

The Codec unit 62 extracts an image-processed image V'1a from the SD images of the image size fed from the image processor 61, applies a specified compression process to the extracted image V'1a, and feeds the recording medium 15 with coded data obtained from the result.例文帳に追加

コーディック部６２は、画像処理部６１から供給されたＳＤ画像の画サイズの画像から、画像処理が施された画像Ｖ'１ａを抽出するとともに、抽出した画像Ｖ'１ａに対して、所定の圧縮処理を施し、その結果得られた符号化データを記録媒体１５に供給する。 - 特許庁

A cotton fiber (M fiber) and a water-soluble vinylon staple fiber (V fiber) having a fiber length longer than that of the M fiber are quantitatively measured (e.g. M fiber: 85 wt.%, V fiber: 15 wt.%), respectively, and mixed well in a beating process using a mix bin to produce a sliver.例文帳に追加

綿繊維（Ｍ繊維）に当該Ｍ繊維よりも繊維長が長い水溶性ビニロン短繊維（Ｖ繊維）を、それぞれ定量計量して（例えばＭ繊維：８５重量％、Ｖ繊維：１５重量％）ミックスビンを使用した混打綿工程で良く混綿することにより、スライバーを作る。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device by a process simpler than that for a conventional lateral trench power MOSFET having a withstand voltage of 80 V at a device pitch shorter than that of a conventional lateral power MOSFET having a withstand voltage lower than 80 V while decreasing on-resistance per unit area.例文帳に追加

従来の耐圧８０Ｖ用の横型トレンチパワーＭＯＳＦＥＴよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、かつ従来の８０Ｖよりも低い耐圧用の横型パワーＭＯＳＦＥＴよりもデバイスピッチが小さくて単位面積当たりのオン抵抗が小さいこと。 - 特許庁

If the angle error of the V-groove is outside the range, before an angle adjustment by the edge point distance, a process of an angle adjustment by an adjustment to a rake face height, regrooving work, and angle measurement is repeated until the angle error of the V-groove falls within the range.例文帳に追加

Ｖ溝の角度誤差が範囲外であると、刃先距離による角度調整を行う前に、すくい面高さの調整により角度調整を行い、再度溝加工を行った後、角度測定を行う処理をＶ溝の角度誤差が上記範囲内になるまで行う。 - 特許庁

To manufacture easily and in a simple process nitride based III-V compound semiconductor substrates on which nitride based III-V compound semiconductor layers exhibiting a low defect density and a high quality can be grown, and to manufacture high-performance and long-life semiconductor devices by using them.例文帳に追加

欠陥密度が低い高品質の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を簡単なプロセスで容易に製造し、これを用いて高性能かつ長寿命の半導体装置を製造する。 - 特許庁

The device for detecting background level 11 employs operational amplifiers (IC1-IC5) applied with a supply voltage in the range of 0 V to 5 V, carries out a process of full-wave rectification or the like using an offset potential BL as reference applied to an offset potential line VMM, and thereby detects the background level.例文帳に追加

バックグランドレベル検出装置１１は、０［Ｖ］〜５［Ｖ］の電源電圧が印加された演算増幅器（ＩＣ１〜ＩＣ５）を備えるとともに、オフセット電位ラインＶＭＭに印加されているオフセット電位ＢＬを基準として全波整流処理等を実行することで、バックグランドレベルを検出する。 - 特許庁

To manufacture in a process simpler than that for a conventional horizontal trench power MOSFET breakdown voltage of up to 80 V, while a device pitch is smaller and on resistance per unit area is smaller compared with the conventional horizontal trench power MOSFET having the breakdown voltage lower than 80 V.例文帳に追加

従来の耐圧８０Ｖ用の横型トレンチパワーＭＯＳＦＥＴよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、かつ従来の８０Ｖよりも低い耐圧用の横型パワーＭＯＳＦＥＴよりもデバイスピッチが小さくて単位面積当たりのオン抵抗が小さいこと。 - 特許庁

An injection pressure of the non-oxidizing fluid during the high pressure fluid process is set to 30 to 150 MPa, and dynamic viscosity v of the non-oxidizing fluid should be ≤30 mm^2/s.例文帳に追加

高圧流体加工の際の非酸化性流体の噴出圧力は、３０〜１５０ＭＰａとし、そのために非酸化性流体の動粘度νは３０ｍｍ^2／ｓ以下とする。 - 特許庁

Then the top wall 3 of inverted V shape in cross section is flattened, and the deformed metallic pipe having specified cross-sectional shape is produced through sizing process to make the top wall horizontal and straight.例文帳に追加

ついで横断面逆Ｖ形の頂壁３を平坦化して水平一直線の頂壁14とするサイジング工程を経て所定の横断面形状を有する金属製異形管T2をうる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a low cost V-ribbed belt, by which belts of various peripheral lengths can be formed by a biaxial molding, preventing the generation of scraps by eliminating a cutting process of a rib.例文帳に追加

リブ部の研削工程を削除してスクラップの発生を阻止し、２軸成形によって種々の周長のベルトも成形できる低コストのＶリブドベルトの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a folding process of the roof weir A, V notches are not generated, a consecutively accurate flow rate can be adjusted, and a riverbed and a face of slope not need to reinforced against erosion.例文帳に追加

起伏堰Ａの倒伏過程においてＶノッチが発生せず、連続した正確な流量調整ができ、侵食に備えて河床や法面を補強しておく必要もない。 - 特許庁

In a fourth process, by performing a molecular beam epitaxial growth method using a solid growth material, a group III-V compound semiconductor crystal 5 is selectively grown at part of the dimple 4.例文帳に追加

第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 - 特許庁

The diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductor containing Ga indispensably as a group III element is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

また、発光層部２４の上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを必須とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a power-on reset circuit capable of outputting a normal reset signal during a process when a power supply voltage rises even if the power supply voltage is as low as about 1.0 V.例文帳に追加

電源電圧が１．０Ｖ程度の低い電圧でも、電源電圧が立ち上がる過程で正常なリセット信号を出力することの可能なパワーオンリセット回路を提供する。 - 特許庁

To provide a vertical TFT transistor (V-TFT) structure which has a short channel length and is used in order to make a transistor without the limitation related with the photolithography, and its process flow.例文帳に追加

短いチャネル長を有し、フォトリソグラフィに関連づけられた制限のないトランジスタを作るために用いられる縦型ＴＦＴ（Ｖ—ＴＦＴ）トランジスタ構造およびプロセスフローを提供すること。 - 特許庁

To control an effective voltage V' effectively applied to a gap 7 at a predetermined value during "an activation process", in order to suppress the variations of electron emission characteristics.例文帳に追加

電子放出特性のばらつきを抑制するために、「活性化工程」中において間隙７に実効的に印加される実効電圧Ｖ’を所望の値になるように制御する。 - 特許庁

For the intended wall section 82, a ripple forming process is performed which forms a number of ripples with a near V-shaped cross section having a recessed valley 72 between a pair of peaks 71.例文帳に追加

壁予定部８２に対し，一対の山部７１の間において窪んだ谷部７２を有する断面略Ｖ字状の皺形状部を多数形成する皺形成工程を行う。 - 特許庁

(2) TiCl_4 is sampled, the concentration of the metal impurity (especially, V) in TiCl_4 is measured in the method of (1), the measurement result is fed back to the producing process, and the producing process is controlled so that the concentration of the metal impurity in the product is a predetermined value or lower.例文帳に追加

（２）ＴｉＣｌ_4をサンプリングし、（１）の方法でＴｉＣｌ_4中の金属不純物（特に、Ｖ）濃度を測定し、その測定結果を製造工程へフィードバックして製品中の金属不純物が所定濃度以下となるように製造工程を制御する。 - 特許庁