ｐ－ｖの英語

In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加

(２)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式（ｉ）：T＝(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁

The surface roughness R_P-V at the recessed and projected surface is favorably 0.01-50 μm.例文帳に追加

ここで、凹凸表面における表面粗さＲ_P-Vは０．０１μｍ〜５０μｍであることが好ましい。 - 特許庁

Resistivity p (Ω.cm) of a voltage base layer of a longitudinal semiconductor with a dielectric strength V_br (V) lies in the range such that -5.34+0.0316 V_bf<ρ<-1.86+0.0509 V_br.例文帳に追加

耐圧Ｖ_br（V ）の縦型半導体装置の電圧支持層の抵抗率ρ（Ω・cm）を、 -5.34 ＋0.0316Ｖ_br＜ρ＜-1.86 ＋0.0509Ｖ_br で定まる範囲とする。 - 特許庁

The potential V_MID is determined so as to satisfy V_DIM-V_p<V_MID≤V_DIM, where V_DIM is the potential of the signal electrode converged by causing the constant current to flow, and V_p is the light emission start voltage.例文帳に追加

定電流を流して電位が収束した信号電極の電位をＶ_ＤＩＭとし、発光開始電圧をＶ_ｐとしたときに、Ｖ_ＤＩＭ−Ｖ_ｐ＜Ｖ_ＭＩＤ≦Ｖ_ＤＩＭが成立するように電位Ｖ_ＭＩＤを定める。 - 特許庁

A conveying speed of transfer paper P is represented by V.例文帳に追加

転写紙Ｐの搬送速度をＶとする。 - 特許庁

The measuring of the transfer unevenness of the transfer brush 1 is performed by using the equation I=V*Ip/(V-Rp*Ip) when an application voltage at the time of measuring resistance unevenness and the resistance value of a protective resistance 4 and partial current flowing at that time are defined respectively as V, Rp and Ip.例文帳に追加

この転写ブラシ１の転写ムラ測定は、抵抗ムラを測定する際の印加電圧Ｖ、保護抵抗４の抵抗値Ｒ（保）、その時に流れる部分電流Ｉ_pのときに、Ｉ＝Ｖ＊Ｉ_p／（Ｖ−Ｒ_p＊Ｉ_p）として行う。 - 特許庁

The material of the electrode 20 is an ohmic metal to a p-type group III-V compound semiconductors.例文帳に追加

裏面電極２０の材料は、ｐ型のIII−V族化合物半導体に対するオーミック金属である。 - 特許庁

Thus, the voltage division circuit 61 sets an optimum threshold voltage V_T to the comparison voltage V_P.例文帳に追加

これにより、分圧回路６１では、比較電圧Ｖ_Ｐに対して、最適な閾値電圧Ｖ_Ｔが設定される。 - 特許庁