Abdとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 外転位; 腹側; 外転; 腹
「Abd」を含む例文一覧
該当件数 : 13件
SHADOW MASK FOR COLOR PICTURE TUBE ABD MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
カラー受像管用シャドウマスクおよびその製造方法 - 特許庁
SOLAR WATER HEATER ABD HOT WATER-COLLECTING PIPE例文帳に追加
太陽熱温水器及びその採湯管 - 特許庁
INFORMATION PROCESSING DEVICE ABD METHOD OF POWER SOURCE CONTROL ON INFORMATION PROCESSING DEVICE例文帳に追加
情報処理装置および情報処理装置の電源制御方法 - 特許庁
WIRING LEAD-IN TOOL ABD WIRING LEAD-IN STRUCTURE FOR ROOF-INSTALLED APPARATUS例文帳に追加
屋上設置機器の配線引き込み具及び配線引き込み構造 - 特許庁
A plurality of IGBTs 2a, 2b and 2c are mounted on the bus bars 11u, 11v abd 11w, respectively.例文帳に追加
バスバー11u,11v,11w上には、それぞれ複数のIGBT2a,2b,2cが実装されている。 - 特許庁
METHOD ABD DEVICE FOR RECORDING PROGRAM, HOST PROCESSING METHOD, HOST PROCESSING DEVICE, DATA SERVICE METHOD AND INFORMATION STORAGE MEDIUM例文帳に追加
番組記録方法および装置、上位処理方法および装置、データサービス方法、情報記憶媒体 - 特許庁
A tetrahedron 1 viewed from a second horizontal direction orthogonal to a first horizontal direction which maximizes the area in an opening includes a downside inverted triangle abd arranged downward having a vertex a located at an installation surface A, and two upside triangles bfc and dce arranged upward so as to form a triangle opening bcd with the downside inverted triangle abd.例文帳に追加
開口部の面積が最大となる第1の水平方向に直交する第2の水平方向から見た四面体1の形状が、設置面Aに位置させられる頂点aを有し下側に配置された下側逆三角形部abdと、下側逆三角形部abdとの間に三角形の開口部bcdを形成するように上側に配置された2つの上側三角形部bfcおよびdceとからなる。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「Abd」の意味 |
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Wiktionary英語版での「Abd」の意味 |
ABD
名詞
ABD (uncountable)
- (academics) Abbreviation of all but dissertation (“A description of the status of a doctoral student who has completed all Ph.D. degree requirements except the doctoral dissertation.”).
- 2001, Siegfried, John; Stock, Wendy, “So You Want to Earn a Ph.D. in Economics?: How Long Do You Think It Will Take?”, in The Journal of Human Resources, volume 36, number 2, page 366:
- The most common reason for such episodes is that a student takes a job before completing a thesis, usually after attaining ABD (all but dissertation) status.
上位語
参照
abd.
Weblio例文辞書での「Abd」に類似した例文 |
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abd
uj
a mortgage
schismatic sects
a jacket
a rope
「Abd」を含む例文一覧
該当件数 : 13件
In the formula (1), θ indicates a water droplet contact angle and ΔB indicates an absolute value of a difference between a basicity Bx of the first oxide (X) abd a basicity By of the second oxide (Y).例文帳に追加
log_10S_1=−0.015×(θ×ΔB)−0.25 (1) 式(1)中、θは水滴接触角を示し、ΔBは第1酸化物(X)の塩基度Bxと第2酸化物(Y)の塩基度Byとの差の絶対値を示す。 - 特許庁
The board mounting hardware S comprises a body part 1 to which the boards W1 abd W2 are fixed, and an engagement member 2 protruding from at least one of an upper end side and lower end side of the body part 1.例文帳に追加
本発明に係るボード取付金物Sは、ボードW1,W2が固定される本体部1と、この本体部1の上側端辺及び下側端辺のうち少なくとも一方から突出する係止部2とを有して構成される。 - 特許庁
The wire bond part 53a is disposed outside (B1 side) of the infrared semiconductor laser element 35 and before (A1 side) the PD 60, and the wire bond part 54a is disposed on the B1 side of the PD 60 abd behind the wire bond part 53a.例文帳に追加
ワイヤボンド部53aは、赤外半導体レーザ素子35の外側(B1側)かつPD60より前方(A1側)に配置され、ワイヤボンド部54aは、PD60のB1側かつワイヤボンド部53aより後方に配置される。 - 特許庁
This compound metal oxide catalyst contains Mo-V-Nb-Te(Sb) base compound metal oxide and SiO_2 of ≤25 wt.% (of total catalyst) and, therein, the apparatus bulk density(ABD) is ≥1.20 g/ml.例文帳に追加
Mo−V−Nb−Te(Sb)系複合金属酸化物と25重量%以下(全触媒に対して)のSiO_2を含む触媒であり、且つ、見かけ嵩密度(ABD)が1.20g/ml以上であることを特徴とする複合金属酸化物触媒。 - 特許庁
The exhaust gas purifying catalyst includes: a carrier obtained by firing a composite oxide precursor containing, in ammonium dawsonite, Al as a first metal element, and a second metal element selected from Zr, Mg, Zn abd Ca; and substance having a catalytic activity dispersed on the surface of the carrier.例文帳に追加
上記課題は、アンモニウムドーソナイト中に、第1の金属元素であるAlの他に、Zr、Mg、Zn、及びCaから選ばれる第2の金属元素を含有することを特徴とする複合酸化物前駆体を焼成して得られるを担体として含んでなり、且つ、当該担体の表面上に分散された、触媒活性を有する物質を含んでなる排ガス浄化触媒によって達成される。 - 特許庁
The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加
製品エッチング(工程S1:Ti材料を含む試料の処理)後に、処理室表面に堆積するTi反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電(工程S2)と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とTiを除去する塩素系放電(工程S3)とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁
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