Abd.とは 意味・読み方・使い方

In the formula (1), θ indicates a water droplet contact angle and ΔB indicates an absolute value of a difference between a basicity Bx of the first oxide (X) abd a basicity By of the second oxide (Y).例文帳に追加

ｌｏｇ_10Ｓ_1＝−０．０１５×（θ×ΔＢ）−０．２５ （１） 式（１）中、θは水滴接触角を示し、ΔＢは第１酸化物（Ｘ）の塩基度Ｂｘと第２酸化物（Ｙ）の塩基度Ｂｙとの差の絶対値を示す。 - 特許庁

The board mounting hardware S comprises a body part 1 to which the boards W1 abd W2 are fixed, and an engagement member 2 protruding from at least one of an upper end side and lower end side of the body part 1.例文帳に追加

本発明に係るボード取付金物Ｓは、ボードＷ１，Ｗ２が固定される本体部１と、この本体部１の上側端辺及び下側端辺のうち少なくとも一方から突出する係止部２とを有して構成される。 - 特許庁

The wire bond part 53a is disposed outside (B1 side) of the infrared semiconductor laser element 35 and before (A1 side) the PD 60, and the wire bond part 54a is disposed on the B1 side of the PD 60 abd behind the wire bond part 53a.例文帳に追加

ワイヤボンド部５３ａは、赤外半導体レーザ素子３５の外側（Ｂ１側）かつＰＤ６０より前方（Ａ１側）に配置され、ワイヤボンド部５４ａは、ＰＤ６０のＢ１側かつワイヤボンド部５３ａより後方に配置される。 - 特許庁

This compound metal oxide catalyst contains Mo-V-Nb-Te(Sb) base compound metal oxide and SiO_2 of ≤25 wt.% (of total catalyst) and, therein, the apparatus bulk density(ABD) is ≥1.20 g/ml.例文帳に追加

Ｍｏ−Ｖ−Ｎｂ−Ｔｅ（Ｓｂ）系複合金属酸化物と２５重量％以下（全触媒に対して）のＳｉＯ_2を含む触媒であり、且つ、見かけ嵩密度（ＡＢＤ）が１．２０ｇ／ｍｌ以上であることを特徴とする複合金属酸化物触媒。 - 特許庁

The exhaust gas purifying catalyst includes: a carrier obtained by firing a composite oxide precursor containing, in ammonium dawsonite, Al as a first metal element, and a second metal element selected from Zr, Mg, Zn abd Ca; and substance having a catalytic activity dispersed on the surface of the carrier.例文帳に追加

上記課題は、アンモニウムドーソナイト中に、第１の金属元素であるＡｌの他に、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、及びＣａから選ばれる第２の金属元素を含有することを特徴とする複合酸化物前駆体を焼成して得られるを担体として含んでなり、且つ、当該担体の表面上に分散された、触媒活性を有する物質を含んでなる排ガス浄化触媒によって達成される。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁