Drift Awayとは 意味・読み方・使い方

An improvement is described that turns made during the continuous descent approach that may cause a drift away from the desired ground speed when the approach is not used, namely cause a gap in arrival time are explained.例文帳に追加

ここに開示される改善点は、このアプローチを使用しない場合には所望の対地速度からのドリフトを生じ、つまり到着時間にずれを生じるような、連続降下アプローチ中に行われる旋回について説明する。 - 特許庁

Execution of an orbit control changes a semimajor axis of the orbit, and causes drift velocity with respect to the Earth when purturbed away from a geosynchronous orbit value.例文帳に追加

軌道修正の実行は、軌道の長軸半径を変化させ、静止軌道値から外れて摂動を受けた際に、地球に対するドリフト速度を生じさせる。 - 特許庁

The distribution of the impurity concentration of the n-type drift region 112 is so set that the concentration is reduced both in the lateral direction and in the longitudinal direction of the n-type semiconductor layer 3 as it goes away from the n++-type drain region 104.例文帳に追加

ｎ形ドリフト領域１１２の不純物濃度の濃度分布は、ｎ形半導体層３の横方向および縦方向いずれもｎ^++形ドレイン領域１０４から離れるにしたがって低くなるように設定してある。 - 特許庁

So, the number of carbon air holes is reduced at a relatively deep point being away from the surface of the drift layer 23 as the grown-up SiC crystal growth layer.例文帳に追加

これにより、成長後のＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３の表面から離れている比較的深い箇所での炭素空孔を減少させることができる。 - 特許庁

Thereby, the high-concentration N-type drift layer 5 formed in the vicinity of the field oxide film corner part 19 can be moved away from the P-type body layer 4 without increasing a device area.例文帳に追加

これにより、デバイス面積を拡大することなく、Ｐ型ボディ層４から、フィールド酸化膜コーナー部１９の近傍に形成される高濃度Ｎ型ドリフト層５を遠ざける事ができる。 - 特許庁

From this, it can be seen that the decline in self-employed proprietors in young and middle-aged groups is due more to the accelerated drift away from self-employment among the young and middle-aged for some reason than to trends in the age mix of the labor force population.例文帳に追加

これを見ると、やはり若・中年層における自営業主の減少は労働力人口の年齢構成の動向によるというよりも、何らかの理由で若・中高年層の自営業離れが加速したことが大きい様子がうかがえる。 - 経済産業省

In a field emission type electron source 10, a strong electric field drift region 6 made of oxidized porous polycrystalline silicon and a conductive region 8 made of n-type polycrystalline silicon are spaced away from each other and placed in parallel with each other in a plane of an undoped polycrystalline silicon layer 3 as a semiconductor layer that is formed on one surface of an insulation board 11 of a glass board.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、ガラス基板よりなる絶縁性基板１１の一表面上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層３に、酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト領域６とｎ形多結晶シリコンよりなる導電性領域８とが面内方向に並んで所定距離だけ離間して形成されている。 - 特許庁