Ga-bとは 意味・読み方・使い方
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Ga-bの学習レベル | レベル:13 |
「Ga-b」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 68件
NON-POLAR (A1, B, In, Ga)N QUANTUM WELL, HETEROSTRUCTURE MATERIAL, AND DEVICE例文帳に追加
非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス - 特許庁
The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加
コーティング元素は、Mg,Al,Co,K,Na,Ca,Si,Ti,Sn,V,Ge,Ga,B,As,Zrから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁
The silicon crystal is added Ga and B as a doping agent.例文帳に追加
シリコン結晶であって、ドープ剤としてGaとBが添加されたものであるシリコン結晶。 - 特許庁
As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加
軟磁性薄帯は、組成式:Fe_100-x-yCu_xX_y(但し、XはB,Si,S,C,P,Al,Ge,Ga,Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素)で表され、原子%で、0≦x≦5、10≦y≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁
Mean values Ra, Ga, Ba of R, G, B signal values of each pixel on the full display screen are calculated.例文帳に追加
各画素のR、G及びB信号値の、表示画面全体の平均値Ra、Ga、Baを算出する。 - 特許庁
The thermoelectric transducing material comprises a compound oxide containing Zn, Al, Ga and B.例文帳に追加
Zn、Al、GaおよびBを含有する複合酸化物からなることを特徴とする熱電変換材料。 - 特許庁
Furthermore, one kind or two kinds selected from Al, B, and Ga are added to the transparent conductive film.例文帳に追加
上記透明導電膜には、さらにAl、B、Gaから選定された1種又は2種以上が添加されている。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「Ga-b」の意味 |
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GAB
| human | 遺伝子名 | GAB |
| 同義語(エイリアス) | Alpha-1-B glycoprotein; A1B; alpha-1-B glycoprotein; DKFZp686F0970; HYST2477; A1BG; ABG; Alpha-1B-glycoprotein precursor | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P04217 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:1 | |
| その他のDBのID | HGNC:5 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Wiktionary英語版での「Ga-b」の意味 |
-gab-
出典:『Wiktionary』 (2025/03/22 20:22 UTC 版)
別の表記
- gab-
語源
From GABA (“γ-aminobutyric acid”).
発音
- IPA: /ɡæb/, /ɡəb/
派生語
GAB
Weblio例文辞書での「Ga-b」に類似した例文 |
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「Ga-b」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 68件
A molar amount of B is 0.0001 or more to 0.01 or less when total molar amount of Zn, Al, Ga and B is 1, in the thermoelectric transducing material.例文帳に追加
Zn、Al、GaおよびBの総モル量を1としたときの、Bのモル量が0.0001以上0.01以下である前記熱電変換材料。 - 特許庁
The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.例文帳に追加
金属イオンは、In,Ga,Al,B,Si,Ge,Sn,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Sb,Bi,W,Mo,Cr、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁
A rolling step is performed a plurality of times stepwise from the thickness (a) to the thickness b (a>b) such that a Cu-Ga alloy plate becomes thinner gradually while regulating the surface temperature of the Cu-Ga alloy plate to be within a range of 380-520°C.例文帳に追加
Cu−Ga合金板の表面温度を380℃〜520℃の範囲内に調節しながら、Cu−Ga合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さaから厚さb(a>b)まで段階的に複数回、圧延工程を行う。 - 特許庁
The total amount of Mn, Mg, Cr, Ti, B, V and Ga in the unavoidable impurities is desirably controlled to 50 ppm or less.例文帳に追加
不回避不純物中におけるMn、Mg、Cr、Ti、B、V、Gaの総和量を50ppm以下とするのが望ましい。 - 特許庁
A gallate composite oxide of perofskite structure ABO_3-δ, including Ga in a B site is used as a solid electrolyte.例文帳に追加
固体電解質として、ペロブスカイト型構造ABO3−δを示し、BサイトにGaを含むガレート複合酸化物を用いる。 - 特許庁
To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加
非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁
In an image extraction part 21, each time input for each line is present for the divided images A and B, image parts Ga and Gb of the overlap area of the divided images A and B are extracted.例文帳に追加
画像抽出部21では、分割画像A,Bについて1ラインごとの入力がある度に、分割画像AとBとの重複領域の画像部分Ga,Gbを抽出する。 - 特許庁
The window layer 20 is a Zn_1-xMg_xO film doped with at least one doping element selected from Ga, Al, and B.例文帳に追加
窓層20が、Ga、Al及びBから選ばれる少なくとも1種のドーピング元素によってドープされたZn_1−xMg_xO膜である。 - 特許庁
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