P ＣＭの英語

(2) Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14≥0.34; and (3) P_CM=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10+5B≥0.17.例文帳に追加

−{119.6Mn＋18.4Ni＋278.3Mo}＋{292.1Si＋142.6Cu＋2615.1Ｖ｝≦−80 …（１）Ｃeq=Ｃ＋Mn/６＋Si/24＋Ni/40＋Cr/５＋Mo/４＋Ｖ/14≧0.34 …（２）Ｐ_CM＝Ｃ＋Si/30＋Mn/20＋Cu/20＋Ni/60＋Cr/20＋Mo/15＋Ｖ/10＋５Ｂ≧0.17 …（３） - 特許庁

A p-side electrode 114 is formed over a p^+-GaAs contact layer 113 having a doping concentration of ≥1×10^18 cm^-3 and a p-AlGaAs second upper cladding layer 109 having a doping concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上のｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０^17ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。 - 特許庁

The impurity density of the p-type body regions 14 is 5×10^16 cm^-3 or more.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域１４における不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上となっている。 - 特許庁

The helical protrusion 58a has a rising angle θ1 of about 63° and a pitch P of 30 cm.例文帳に追加

らせん状突起５８は、立ち上がり角度θ１が約６３°であり、ピッチＰは３０ｃｍである。 - 特許庁

At this time, the washing is preferably executed under such conditions under which p×t attains a range of 2,000 to 15,000 when the pressure of the pad is defined as p (g/cm2) and the washing time as t (sec).例文帳に追加

このとき、パッドの圧力をｐ(g/cm^2) 、洗浄時間をｔ(sec) としたとき、ｐ×ｔが２０００〜１５０００の範囲となる条件が望ましい。 - 特許庁

The p-type impurity density in the p-type body regions 4 is more than or equal to 5×10^16 cm^-3.例文帳に追加

そして、ｐ型ボディ領域４におけるｐ型不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

The p-type GaN layer 12 is doped with p-type impurities, i.e., Mg (magnesium) and O (oxygen), by about 1×10^20 cm^-3 and 3×10^19 cm^-3, respectively.例文帳に追加

ここで、ｐ型ＧａＮ層１２は、ｐ型不純物のＭｇ（マグネシウム）とＯ（酸素）が、それぞれ、Ｍｇは１×１０^20ｃｍ^-3程度、Ｏ（酸素）は３×１０^19ｃｍ^-3程度ドーピングされている。 - 特許庁

Fiber occupation ratio (%) (A)=0.106×n×√(D)/(P-T), and n means the number of thread to be put in one reed, D means fineness (dtex) of polyhexamethylene adipamide, P means reed wire pitch (cm), and T means thickness (cm) of the reed wire.例文帳に追加

繊維占有率（％）(Ａ)＝０．１０６×ｎ×√（Ｄ）/（Ｐ−Ｔ）ｎ：筬1羽に入れる糸本数 、Ｄ：ポリヘキサメチレンアジパミドの繊度（ｄｔｅｘ）Ｐ：筬羽ピッチ（ｃｍ） 、Ｔ：筬羽厚（ｃｍ） - 特許庁