V. P.とは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 往診医師; ビンクリスチン‐プレドニゾロン療法; ヴァソプレッシン; バゾプレッシン; 出張医師
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該当件数 : 594件
R. S. V. P.（＝répondez s'il vous plaît）.発音を聞く 例文帳に追加
御返事待上候 - 斎藤和英大辞典
The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加
アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁
A verifier calculates K=H1(W) and m= DKs(C) to obtain the plain text m and calculates V=gavbmod p and verifies whether H3(W VjWimod p gjeimod p m)=i is true or not.例文帳に追加
検証者はK=H_1(W), m=D_K^s(C)を計算して平文mをもとめ、V=g^ay^bmod p,を計算し、H_3(W‖V^jW^imod p‖g^je^imod p‖m)=iが成立するかを検証する。 - 特許庁
P is also suitable for group V element.例文帳に追加
Ｖ族元素にはＰもよい。 - 特許庁
The point P' is placed on a lightness plane V equal to that of the point P.例文帳に追加
点Ｐ’は、点Ｐと等しい明度平面Ｖ上にある。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「V. P.」の意味 |
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VP
| human | 遺伝子名 | VP |
| 同義語（エイリアス） | PPOX; variegate porphyria; protoporphyrinogen oxidase; Protoporphyrinogen oxidase; MGC8485; PPO; V290M | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P50336 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:5498 | |
| その他のDBのID | HGNC:9280 |
| human | 遺伝子名 | VP |
| 同義語（エイリアス） | Vasopressin-neurophysin 2-copeptin precursor; AVP-NPII; AVRP; AVP; antidiuretic hormone; diabetes insipidus; ADH; ARVP | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P01185 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:551 | |
| その他のDBのID | HGNC:894 |
| mouse | 遺伝子名 | Vp |
| 同義語（エイリアス） | AVP-NPII; Vasopressin-neurophysin 2-copeptin precursor; Avp; Vsp; arginine vasopressin | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P35455 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:11998 | |
| その他のDBのID | MGI:88121 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Wiktionary英語版での「V. P.」の意味 |
vp
出典:『Wiktionary』 (2017/03/27 19:12 UTC 版)
副詞
vp (not comparable)
- obsolete typography of up
- 16th century, Edmund Spenser, An Hymne Of Heavenly Love, section 260:
- With ſence whereof whileſt ſo thy ſoftened ſpirit
- Is inly toucht, and humbled with meeke zeale,
- Through meditation of his endleſſe merit,
- Lift vp thy mind to th’ author of thy weale,
- And to his ſoueraine mercie doe appeale;
- Learne him to loue, that loued thee ſo deare,
- And in thy breſt his bleſſed image beare.
- 16th century, Edmund Spenser, An Hymne Of Heavenly Love, section 260:
Weblio例文辞書での「V. P.」に類似した例文 |
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vp
uj
a jacket
a rope
the batter's box
the top
the east
「V. P.」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 594件
The maximum voltage V(P) of the short pulse P (based on voltage V0) is higher than the maximum voltage V(TP) of the tailing pulse TP (based on voltage V0).例文帳に追加
短パルスＰの最大電圧V(P)（電圧V0を基準とする）は、テーリングパルスＴＰの最大電圧V(TP)（電圧V0を基準とする）より高くなっている。 - 特許庁
In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加
(２)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式（ｉ）：T＝(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁
The surface roughness R_P-V at the recessed and projected surface is favorably 0.01-50 μm.例文帳に追加
ここで、凹凸表面における表面粗さＲ_P-Vは０．０１μｍ〜５０μｍであることが好ましい。 - 特許庁
Resistivity p (Ω.cm) of a voltage base layer of a longitudinal semiconductor with a dielectric strength V_br (V) lies in the range such that -5.34+0.0316 V_bf<ρ<-1.86+0.0509 V_br.例文帳に追加
耐圧Ｖ_br（V ）の縦型半導体装置の電圧支持層の抵抗率ρ（Ω・cm）を、 -5.34 ＋0.0316Ｖ_br＜ρ＜-1.86 ＋0.0509Ｖ_br で定まる範囲とする。 - 特許庁
The potential V_MID is determined so as to satisfy V_DIM-V_p<V_MID≤V_DIM, where V_DIM is the potential of the signal electrode converged by causing the constant current to flow, and V_p is the light emission start voltage.例文帳に追加
定電流を流して電位が収束した信号電極の電位をＶ_ＤＩＭとし、発光開始電圧をＶ_ｐとしたときに、Ｖ_ＤＩＭ−Ｖ_ｐ＜Ｖ_ＭＩＤ≦Ｖ_ＤＩＭが成立するように電位Ｖ_ＭＩＤを定める。 - 特許庁
A conveying speed of transfer paper P is represented by V.例文帳に追加
転写紙Ｐの搬送速度をＶとする。 - 特許庁
The measuring of the transfer unevenness of the transfer brush 1 is performed by using the equation I=V*Ip/(V-Rp*Ip) when an application voltage at the time of measuring resistance unevenness and the resistance value of a protective resistance 4 and partial current flowing at that time are defined respectively as V, Rp and Ip.例文帳に追加
この転写ブラシ１の転写ムラ測定は、抵抗ムラを測定する際の印加電圧Ｖ、保護抵抗４の抵抗値Ｒ（保）、その時に流れる部分電流Ｉ_pのときに、Ｉ＝Ｖ＊Ｉ_p／（Ｖ−Ｒ_p＊Ｉ_p）として行う。 - 特許庁
The material of the electrode 20 is an ohmic metal to a p-type group III-V compound semiconductors.例文帳に追加
裏面電極２０の材料は、ｐ型のIII−V族化合物半導体に対するオーミック金属である。 - 特許庁
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