au cとは 意味・読み方・使い方

A hypochlorite salt is continuously added to a metal cyanidecontaining solution in which cyanides of Ni, Cu, Zn and Au and/or Ag are dissolved, under alkaline conditions within the temperature range from 60°C to a temperature below the boiling point of the solution to precipitate Ag as a chloride and Ni, Cu and Zn as oxides or hydroxides and to dissolve Au as chloroaurate in the solution.例文帳に追加

Ni,Cu,Zn,Au及び/又はAgのシアン化合物を溶解したシアン系金属含有液にアルカリ性かつ６０℃から沸点未満の温度範囲の条件で次亜塩素酸塩を連続添加し、Agは塩化物として析出させ、Ni,Cu及びZnは酸化物もしくは水酸化物として析出させ、かつAuは塩化金酸塩として溶液中に溶解させる。 - 特許庁

In this sensor, a working electrode W which is composed of Au or Pt containing Au, a reference electrode R which is composed of Pt, and a counter electrode C which is composed of Pt are formed on a gas diffusion membrane 3, and the distance between the working electrode W and the counter electrode C is separated at 1 mm or higher.例文帳に追加

ガス拡散膜３上に、ＡｕまたはＡｕ含有Ｐｔからなる作用極Ｗと、Ｐｔからなる参照極Ｒと、Ｐｔからなる対極Ｃとを形成し、作用極Ｗと対極Ｃの電極間距離を１ｍｍ以上に離す。 - 特許庁

The addition of low-quantity Ga allows the liquidus temperatures of both Au and Sn to be fairly lowered for the purpose of lowering a melting point (lowering it by 10°C or more, by approximately 27°C under normal conditions, in comparison with Au-Sn eutectic solder) and reinforcing the temperature sensitivity of the creep resistance of the solder.例文帳に追加

少量のＧａを添加することで、ＡｕおよびＳｎ双方の液相線温度を相当に下げ、したがって融点を下げる（共晶Ａｕ—Ｓｎはんだよりも少なくとも１０℃、通常約２７℃下がる）とともに、はんだの耐クリープ性の温度敏感性も強化する。 - 特許庁

A method for improving the wettability of an Au surface 4 formed on the surface of a substrate 1 includes bringing the Au surface 4 into contact with ozonized water 3 containing carbonic acid in an amount of 100 ppm or more and having a temperature of 50°C or more.例文帳に追加

基板１の表面に形成されたＡｕ表面４のぬれ性を改善する方法であって、前記Ａｕ表面４を、オゾン濃度が１００ｐｐｍ以上の炭酸を含む５０℃以上のオゾン水３と接触させる。 - 特許庁

The bonding surface between an IC chip and a lead frame die pad is formed of Cu, Ni or Au, and thermal treatment at 150-250°C after resin molding is preferable.例文帳に追加

ＩＣチップとリードフレームアイランド部の接合面がＣｕ，Ｎｉ又はＡｕであり、かつ樹脂成形後１５０〜２５０℃で熱処理することが好ましい。 - 特許庁

The electrodes 5 and 6 including the layer 11 containing Au and the layer 9 containing Al are provided in contact with the nitride semiconductor 3 and a metal layer 10 of ≥2,000°C in fusion point is interposed between the layer 11 containing Au and the layer 9 containing Al.例文帳に追加

窒化物半導体３に接するようにＡｕを含む層１１とＡｌを含む層９とを含む電極５、６を設け、このＡｕを含む層１１とＡｌを含む層９との間に融点が２０００℃以上の金属層１０を介在させる。 - 特許庁

An element value specifying part 32 specifies element values C corresponding to image data Din of respective pixels P on the basis of positions of respective pixels P in each unit areas Au when the plurality of pixels P are divided into unit areas Au having line-symmetrical or point-symmetrical concave polygon-shape.例文帳に追加

要素値特定部３２は、複数の画素Ｐを線対称または点対称の凹多角形の単位領域Ａuに区分したときの各単位領域Ａuにおける各画素Ｐの位置に基づいて当該画素Ｐの画像データＤinに応じた要素値Ｃを特定する。 - 特許庁

Moreover, a metallic plating film of Au is made, with the temperature of the plating liquid used in the plating process of growing the metallic plating film on the surface of the semiconductor substrate at 60°C or over.例文帳に追加

また、半導体基板表面に金属メッキ膜を成膜するメッキ工程において用いるメッキ液の温度を６０℃以上にしてＡｕの金属メッキ膜を形成する。 - 特許庁