ga mとは 意味・読み方・使い方

The M^2 may be also at least one selected from rare-earth elements In, Pd, Sb, Ti, As, Al and Ga, and the M^3 may be also at least one selected from Si, Ge, Ti, Mo, W, Pt and Zr.例文帳に追加

Ｍ^２は希土類元素、Ｉｎ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ａｓ，Ａｌ，Ｇａの中から選ばれる少なくとも一種、Ｍ^３はＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一種からなるものであってもよい。 - 特許庁

Out of these, the positive electrode active material 153 is LiFe_(1-x)M_xPO_4(M is at least one of Mn, Cr, Co, Cu, Ni, V, Mo, Ti, Zn, Al, Ga, Mg, B, and Nb, 0≤x≤0.5).例文帳に追加

このうち、正極活物質１５３は、ＬｉＦｅ_(1-X)Ｍ_XＰＯ_4（Ｍは、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｍｇ，Ｂ，Ｎｂのうち少なくともいずれかであり、０≦Ｘ≦０．５）である。 - 特許庁

In chemical formula (1), M is at least one element selected from Al, Ga, In, Mg, Zn, Li, Na, K, Gd, Y and La; and x meets the relationship: 0≤x≤1.例文帳に追加

ここで、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｇｄ、Ｙ、およびＬａから選ばれた少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。 - 特許庁

Ln are elements comprising one or two or more of La, Y, Gd and Lu; and M are elements comprising one or two of Al and Ga.例文帳に追加

ここで、Ｌｎは、Ｌａ、Ｙ、ＧｄおよびＬｕのうちの１種または２種以上からなる元素であり、Ｍは、ＡｌおよびＧａのうちの１種または２種からなる元素である。 - 特許庁

In this manufacturing method of the ferromagnetic particles, an M_2(CO)_8 (in this case, M is a magnetic metal or alloy) gas is introduced, and a Ga^+ ion beam is applied to the gas by scanning, thus manufacturing the particles made of M.例文帳に追加

チェンバー内にＭ_2（ＣＯ）_8（Ｍは磁性金属または合金）ガスを導入し、該ガスにＧａ^+イオンビームをスキャンしながら照射することによりＭからなるパーティクルを作製することを特徴とする強磁性パーティクルの作製方法。 - 特許庁

The conductive material has transparency to visible light, is represented by chemical formula Ga_2-xM_xO_3(ZnO)_m (wherein m is a natural number; and M is an element capable of being substituted for Ga), and has a crystal structure shown in Fig.1.例文帳に追加

発明１は、可視光の透過性を有する導電性材料であって、化学式Ｇａ_２−ｘＭ_ｘＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは自然数。Ｍ：Ｇａに代替可能な元素）であらわされ、図１に示す結晶構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

The oxide semiconductor is InMO_3(ZnO)_n (M is one or plurality of elements selected from Ga, Fe, Ni, Mn, Co, and Al, n is a non-integer number greater than or equal to 1 and less than 50) and further contains hydrogen.例文帳に追加

ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。 - 特許庁

R=one or two kinds of Lu and Yb, M=one or two kinds of Ga and Al, 0.25≤w≤0.7, 0≤x≤0.05, and 0≤y≤0.24.例文帳に追加

化学式：（Ｂｉ_wＲ_1-wーxＰｂ_x）_3（Ｍ_yＦｅ_1-y）_5Ｏ_12 ただし、 Ｒ＝Ｌｕ、Ｙｂから選ばれる１種または２種 Ｍ＝Ｇａ、Ａｌから選ばれる１種または２種 ０．２５≦ｗ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．０５、 ０≦ｙ≦０．２４ - 特許庁