k alとは 意味・読み方・使い方

The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加

コーティング元素は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｋ，Ｎａ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｂ，Ａｓ，Ｚｒから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁

Further, a low-k interlayer insulating film 11 having a dielectric constant not higher than 4 is formed on the Al wiring 10, and an Al wiring 13 for a second layer is formed on the low-k interlayer insulating film 11.例文帳に追加

さらに、Ａｌ配線１０の上に誘電率４未満からなるｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１１を形成し、このｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１１に第２層のＡｌ配線１３を形成する。 - 特許庁

A preform 18 has ≥1,150 ppm OH content, ≤5 nm/cm stress birefringence, ≥1×10^18 molecule/cm^3 H_2 content, ≤20 ppm Cl content and max. 500 ppb content of trace impurities of Cr, Co, Fe, Ni, Cu, V, Zn, Al, Li, K and Na and contains no layered structure.例文帳に追加

OH含有量≧1150ppm、応力複屈折≦5nm/cm、H_2含有量≧1×10^18分子/cm^3、Cl含有量≦20ppm、微量不純物元素Cr、Co、Fe、Ni、Cu、V、Zu、Al、Li、K、Na含有量最大500ppbであり、且つ、実質的に層状構造を含まないプリフォーム１８とする。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

The flux ingredient preferably comprises one kind of flux, or two or more kinds of mixed fluxes, selected among from a K-Al-F based flux, a Na-Al-F based flux, a K-Si-F based flux, and a Na-Si-F based flux.例文帳に追加

フラックス成分は、Ｋ−Ａｌ−Ｆ系、Ｎａ−Ａｌ−Ｆ系、Ｋ−Ｓｉ−Ｆ系、及び、Ｎａ−Ｓｉ−Ｆ系、から選択される１種のフラックス、又は２種以上の混合フラックスからなることが、望ましい。 - 特許庁

The metal is, e.g. Ca, Ag, Na, K, Ba, Al, Zr, Zn or Mg.例文帳に追加

金属は、例えばカルシウム、銀、ナトリウム、カリウム、バリウム、アルミニウム、ジルコニウム、亜鉛、マグネシウムなどである。 - 特許庁

A part of the Fe may be replaced with an another metal ingredient M selected from Na, K, Ca, Mg, Cr, Mn, Co, Mo, V, Ti, Ni, Al and Si.例文帳に追加

Ｆｅの一部を他の金属成分Ｍ（Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔｉ，Ｎｉ，ＡｌおよびＳｉから選んだもの）で置き換えることが可能である。 - 特許庁