The field emission element includes a metal layer formed on a substrate, a current limiting layer formed on the metal layer, and a carbon nanotube emitter formed on the current limiting layer.例文帳に追加

本発明による電界放出素子は、基板上に形成された金属層と、上記金属層上に形成された電流制限層と、上記電流制限層上に形成された炭素ナノチューブエミッタとを含む。 - 特許庁

The alignment property providing layer 12 is an alignment layer having alignment limiting force for providing alignment property to the refractive index anisotropic layer 13, and is made of an alignment layer composition capable of expressing the alignment limiting force.例文帳に追加

配向性付与層１２は、屈折率異方性層１３に配向性を付与する配向規制力を有する配向膜であり、配向規制力を発現させることが可能な配向膜用組成物から形成されている。 - 特許庁

To tightly hold a terminal portion to an insulating layer without limiting a wire routing space.例文帳に追加

配索スペースを制限することなく端子部を絶縁層に強固に保持する。 - 特許庁

The biaxially oriented laminated film is composed of at least two layers and is characterized in that the layer constituting at least one surface layer is composed of polyester having a limiting viscosity ≥0.65 and that a polyester layer having a limiting viscosity number less than that of the surface layer is adjacent to the surface layer.例文帳に追加

少なくとも２層からなる二軸配向積層フィルムであって、少なくとも一方の表層を構成する層が極限粘度０．６５以上のポリエステルからなり、当該表層の極限粘度の値未満であるポリエステル層が当該表層に隣接することを特徴とする二軸配向積層フィルム。 - 特許庁

The current limiting layer limits the current flowing into the carbon nanotube emitter from the metal layer to a prescribed value.例文帳に追加

上記電流制限層は、上記金属層から上記炭素ナノチューブエミッタに流れる電流を所定値に制限する。 - 特許庁

The current limiting part 10 is provided with a conductor layer aggregating a plurality of superconducting wires forming an Re system superconducting layer film on a metal board.例文帳に追加

限流部10は、金属基板上にRe系超電導層を成膜した超電導線を複数本集合した導体層を持つ。 - 特許庁

A biaxially oriented laminated film is characterized in that it is composed of at least two layers, where the layer composing at least one side surface layer is made of polyester having a limiting viscosity of less than 0.45, and which is made of polyester having a limiting viscosity of 0.45-0.65 of the layer adjacent to the surface layer.例文帳に追加

少なくとも２層からなる二軸配向積層フィルムであって、少なくとも一方の表層を構成する層が極限粘度０．４５未満のポリエステルからなり、当該表層と隣接する層が極限粘度０．４５〜０．６５のポリエステルからなることを特徴とする二軸配向積層フィルム。 - 特許庁

By limiting an additional element amount of the core material and by limiting the area ratio of the copper or copper alloy coating layer, a Cu/Al composite wire excellent in extensibility and conductivity is provided.例文帳に追加

芯材の添加元素量の限定と銅または銅合金被覆層の面積比を限定することで、伸線性と導電性に優れたＣｕ／Ａｌ複合線を得ることができる。 - 特許庁

The display device, wherein light-emitting elements EL holding an organic light-emitting layer between electrodes are arranged, is provided with a brightness limiting circuit 7a for limiting the maximum brightness of the light-emitting elements EL.例文帳に追加

電極間に有機発光層を挟持してなる発光素子ＥＬを表示領域１に配列してなる表示装置において、発光素子ＥＬの最大輝度を制限する輝度制限回路７ａを設けた。 - 特許庁

To provide an air supply type ventilation device capable of limiting a ventilation flue, limiting a face kept into contact with a supply air flow, and reducing generation of dew condensation water by sufficiently exerting the function of an air heat insulating layer.例文帳に追加

通風路を限定し、給気流と接する面を限定するとともに、空気断熱層の機能を十分発揮して結露水の発生を抑制できる給気型換気装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The capping layer 20 covering a waste material 12 comprises a gas removal layer 21, a permeation limiting layer 22, a drainage layer 23 and a corrosion preventing layer 24 formed by banking.例文帳に追加

廃棄物１２を覆うキャッピング層２０は、ガス排除層２１、浸透制限層２２、排水層２３、及び盛り土によって形成された侵食防止層２４を含んでいる。 - 特許庁

The current limiting layer can be composed of a ceramic material or a polymer material having positive temperature coefficient characteristics.例文帳に追加

上記電流制限層は正温度係数特性を有するセラミック物質またはポリマー物質から成り得る。 - 特許庁

The limiting permeation layer 24 contains a polymer in which a pendant group is bonded to the main chain formed with carbons.例文帳に追加

制限透過層２４は、炭素から形成される主鎖にペンダント基が結合された高分子を主成分として含んでいる。 - 特許庁

Processes from a first process for forming the organic layer to a sealing process for forming a sealing means are performed in the atmosphere limiting the water amount.例文帳に追加

有機層を形成する最初の工程から、封止手段を形成する封止工程までを、水分量を制限した雰囲気中で行う。 - 特許庁

The limiting permeation layer 34 contains a polymer in which a pendant group is bonded to a main chain formed with carbon, as a main chain.例文帳に追加

制限透過層３４は、炭素から形成される主鎖にペンダント基が結合された高分子を主成分として含んでいる。 - 特許庁

The permeation limiting layer 22 is formed out of a sheet material and a coefficient of permeability in the perpendicular direction is subject to an order of 10^-5 cm/s.例文帳に追加

浸透制限層２２は、シート材でできており、その垂直方向の透水係数は、１０^−５ｃｍ／ｓのオーダーとされている。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device suppressing characteristic degradation by limiting formation of a conductive layer.例文帳に追加

導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The junction A is structured to generate a depletion region B for limiting a flow of carriers to the active layer 3.例文帳に追加

接合部Ａは、活性層３へのキャリアの流れを制限する空乏領域Ｂを生成する構成となっている。 - 特許庁

A current limiting part 11 having a critical current value smaller than that of another part (base part) is arranged on the superconductor layer of respective cable cores 10.例文帳に追加

各ケーブルコア10の超電導層において、臨界電流値が他の全ての部分(基部)よりも小さい限流部11を設けている。 - 特許庁

To provide a diode capable of preventing occurrence of the phenomenon in which a field limiting innermost peripheral layer is broken at reverse biasing.例文帳に追加

逆バイアス時において、フィールドリミティング最内周層が破壊される現象の発生を防止し得るダイオードを提供する。 - 特許庁

The scraper roller 21 is made in a state of bringing into contact with a cake layer 20 formed in the inner periphery of the filter 4 until the tip end 803a of the scraper blade 803 reaches a limiting position and provided so as to keep a state of bringing into contact with the cake layer after the tip end of the scraper blade reaches the limiting position.例文帳に追加

掻取ローラ２１は、掻取刃８０３の先端８０３ａが限界位置に達するまでの間にフィルタ４の内周に形成されているケーキ層２０に接する状態になって、掻取刃の先端が限界位置に達した後もケーキ層に接触した状態を保つように設けられている。 - 特許庁

Since the epitaxial growth layer 14 remaining above a p+ type field limiting 20 specified by the recessed part 15B is separated from the silicon substrate 11, a depletion layer 30 expands beyond the field-limiting ring to assure a high forward breakdown strength.例文帳に追加

凹部１５Ｂにより画成されるｐ^＋形のフィールドリミッティングリング２０の上部に残存するエピタキシャル成長層１４はシリコン基板１１とは分離されているので、空乏層３０はフィールドリミッティングリングを越えて拡がり、高い順方向耐圧が確保される。 - 特許庁

The SOI element includes a substrate including a base layer, a buried oxidized film, and a semiconductor layer; and an element separating film formed in a trench limiting the active area of the semiconductor layer.例文帳に追加

基層、埋込み酸化膜及び半導体層を含む基板、並びに半導体層の活性領域を限定するトレンチに形成された素子分離膜を含むＳＯＩ素子である。 - 特許庁

The angle limiting filter 40 is formed by at least a first plug corresponding to a first insulating layer and a second plug corresponding to a second insulating layer which is above the first insulating layer.例文帳に追加

角度制限フィルター４０は、少なくとも、第１の絶縁層に対応する第１のプラグと、第１の絶縁層よりも上層の第２の絶縁層に対応する第２のプラグにより形成される。 - 特許庁

To improve the in-plane distribution of MTF (modulation transfer function)occurring due to a fluorescent substance layer as a scintillator layer by limiting the light reflected by a light reflection layer without exerting an influence over the formation of an image, so that the reflection light quantity has an in-plane distribution.例文帳に追加

像形成に影響を与えることなく光反射層から反射した光を制限し反射光量に面内分布を持たせ、シンチレータ層である蛍光体層に起因するMTFの面内分布を改善する。 - 特許庁

To prevent an interlayer dielectric including an SOG (Spin On Glass) film from cracking without providing a slit in a wiring layer or limiting the ratio of a line width and a space interval of a wiring layer positioned as a lower layer.例文帳に追加

配線層にスリットを設けたり、下層に位置する配線層にライン幅及びスペース間隔の比率を制限したりすることなく、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

To provide an organic EL light-emitting device capable of preventing peeling-off between an organic EL layer and an electrode effectively without limiting a material constituting the organic EL layer.例文帳に追加

有機ＥＬ層を構成する材料を限定することなく、有機ＥＬ層と電極間の剥離を効果的に防ぐことができる有機ＥＬ発光装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the parasitic capacity of a semiconductor device including a current constriction layer for limiting a current flow in an active layer, without degrading the reliability of the device.例文帳に追加

活性層の電流の流れを制限する電流狭窄層を備えた半導体レーザ素子の寄生容量を、素子の信頼性を低下させることなく低減する。 - 特許庁

To provide a method of forming a compound semiconductor layer in which a compound semiconductor layer with low dislocation can be formed epitaxially while limiting increase in the number of steps and the time of manufacturing process.例文帳に追加

工程数の増大及び工程の長時間化が抑制された、転位の少ない化合物半導体層をエピタキシャル成長できる化合物半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surplus soil disposal structure which can be adopted without limiting to a land form, and can neutralize effectively acid water oozing out from excavating shear, and a method of setting the layer thickness of a neutralizing layer.例文帳に追加

地形形状に限定されず採用することが可能で、かつ、掘削ずりから滲出する酸性水を効果的に中和することを可能とした残土処分構造および中和層の層厚設定方法を提案する。 - 特許庁

Then in a soaking area, the internal temperature is raised by heat transfer from the surface layer side to the interior side while limiting a heating temperature to the extent of suppressing a sudden drop of the surface layer temperature.例文帳に追加

次いで、均熱域において表層温度の急降下を抑制する程度に加熱温度を制限して表層側から内部側への伝熱により内部温度を上昇させる。 - 特許庁

In addition, a black light reducing layer 15 is provided in the dot state in the other area than the light dimming layer 7 on the rear surface of the substrate 2 for limiting the quantity of light transmitted to the displaying section 3.例文帳に追加

また、表示部３への透過光量を制限するために調光層７を除いた範囲に黒色の減光層１５を網点状に設ける。 - 特許庁

That is to say, the conductive film pattern parts 21 constituting the current limiting resistance are formed in a part of the conductive film layer 20, and have a structure without needing a separate resistance member other than the conductive film layer 20.例文帳に追加

すなわち、電流制限抵抗を構成する導電膜パターン部２１は、導電膜層２０の一部に形成されており、導電膜層２０以外の別途の抵抗部材を必要としない構成である。 - 特許庁

To improve the current driving performance of a thin-film transistor by improving contact performance between source-drain electrodes and an oxide semiconductor thin-film layer, and to suppress generation of current rate limiting by suppressing resistance in a film thickness direction of the oxide semiconductor thin-film layer from the source-drain electrodes to a channel in a top gate type structure.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極と酸化物半導体薄膜層のコンタクト性を向上させ、薄膜トランジスタの電流駆動能力を向上させることを解決課題とする。 - 特許庁

The light absorption layer 5 as a reflection light limiting means is formed by surface-treating the scintillator layer by use of a light source of which the light irradiation intensity has an in-plane distribution.例文帳に追加

反射光制限手段としての光吸収層５は、シンチレータ層に光照射強度に面内分布を持つ光源により表面処理されて形成されている。 - 特許庁

The inkjet recording head manufacturing method decreases stress on a membrane by mitigating the concentration of the stress on the shoulder portion of a sacrifice layer of the thickness of an etching stopping layer 103 accumulated on the sacrifice layer by limiting the thickness of the sacrifice layer 102 to 200 to 2,500 Å.例文帳に追加

犠牲層１０２の膜厚を２００〜２５００Åに限定することによって、その上に堆積されるエッチングストップ層１０３の膜厚の、犠牲層の肩部での応力集中を緩和し、メンブレンへの応力を低下させる。 - 特許庁

A transfer layer composed of a release layer 22, a mask metal pattern 24, the alignment layer 26, a buffer layer 28, an electrode 30, a protective layer 32, and a color filter layer 34 is formed on a temporary substrate 20 without limiting manufacturing conditions and thereafter, the transfer layer is transferred/formed via an adhesive layer 36 on the plastic film 10.例文帳に追加

仮基板２０の上に、剥離層２２、マスク金属パターン２４、配向膜２６、バッファ層２８、電極３０、保護層３２及びカラーフィルタ層３４から構成される転写層を製造条件が制限されることなく形成した後に、プラスチックフィルム１０の上に接着層３６を介して転写層を上下反転した状態で転写・形成する。 - 特許庁

A P-type anode diffusion layer 2 is provided on an N-base layer 1, P-type field limiting rings 3a to 3m are provided continuously in ring form surrounding the anode diffusion layer 2, and a silicon oxide film 5 is provided on the rings 3a to 3m.例文帳に追加

Ｎ^-ベース層１上にＰ型のアノード拡散層２を設け、これを取り囲むように連続してリング状にＰ型のフィールド・リミッティング・リング３ａ〜３ｍを設け、このリング３ａ〜３ｍ上には、シリコン酸化膜５を設ける。 - 特許庁

To facilitate processing without limiting a number of LED elements produced from a wafer and a binder of a phosphor layer while improving the accuracy of the phosphor layer form with machine work in a manufacturing method of an LED device including the phosphor layer only around the LED element.例文帳に追加

ＬＥＤ素子の周囲だけに蛍光体層を備えるＬＥＤ装置の製造方法において、機械加工で蛍光体層の形状を精度良くしながら、ウェハーからの取り個数や蛍光体層のバインダを制限せず加工を容易にする。 - 特許庁

The catalyst-elution inhibiting layer 5 supports sulfonic groups as ion exchange groups, and the sulfonic groups form an ion migration path limiting the migration of the catalyst ions while allowing the migration of protons.例文帳に追加

触媒溶出抑制層５は、イオン交換基としてスルホン酸基を担持しており、そのスルホン酸基が、プロトンの移動を許容しつつ触媒イオンの移動を制限するイオンの移動経路を形成する。 - 特許庁

This measuring chip comprises a metal film or strip metal growing on the substrate, and a dielectric for limiting the refraction ratio on the upper and lower surfaces and a dielectric buffer layer.例文帳に追加

下地の上に成長した金属薄膜またはストリップ状金属を有し、その上下表面に屈折率を限定する誘電体と誘電体バッファ層を有する測定チップに関する。 - 特許庁

The oxidant electrode 7 is equipped with a proton conductive material 33 capable of conducting protons, a catalyst 32 accelerating chemical reaction synthesizing water with proton and oxygen, and a limiting permeation layer 34.例文帳に追加

このとき、酸化剤極７は、プロトンを伝導することができるプロトン伝導性材料３３と、プロトンと酸素とから水を合成する化学反応を進める触媒３２と、制限透過層３４とを備えている。 - 特許庁

The vehicular battery system has a first insulating layer 8 for limiting thermal conduction from the battery cell 1 to the cooling plate 7 between the battery cell and the cooling plate 7.例文帳に追加

車両用のバッテリシステムは、電池セル１と冷却プレート７との間に、電池セル１から冷却プレート７への熱伝導を制限する第１の断熱層８を設けている。 - 特許庁

The sound quality of the steel wire can be improved when used for a stringed instrument by at least limiting those chemical components or controlling the decarburized layer thickness.例文帳に追加

これら化学成分の限定と脱炭層深さの制御の少なくとも一方を行うことで、弦楽器に用いた際に、その音質を改善することができる。 - 特許庁