「"導通時"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このため、導通時においてバックゲートの電位が入力されるアナログ信号の電位となる。例文帳に追加

Accordingly, when the analog switch is on, the potential at the back gates becomes the potential of the inputted analog signal. - 特許庁

半導体領域５は導通時のオン抵抗を減少させることができる。例文帳に追加

The semiconductor regions 5 can reduce the on-resistance of the semiconductor device, when the device is conducted. - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果トランジスタの導通時および還流ダイオードの導通時のいずれにおいても良好なオン電圧を得ることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can obtain an excellent on-voltage not only during a conduction time of an insulated gate field effect transistor but also during a conduction time of a reflux diode. - 特許庁

そして、回路導通時の音響信号の電圧値が不揮発メモリ１６２に記憶され、その後は、ＤＳＰ１５２が、出力するアナログ音響信号の電圧値を当該回路の導通時の音響信号の電圧値未満となるように制御する。例文帳に追加

Then a DSP 152 controls so that the voltage value of outputted acoustic analog signal is lower than the voltage value of the acoustic signal at the circuit turning on. - 特許庁

直流電源回路３の出力段に設けられたコンデンサＣ＿２は、ダイオードＤ＿１の導通時に充電され、コンデンサＣ＿３にはダイオードＤ＿２の導通時にコンデンサＣ＿２の蓄積電荷が移送される。例文帳に追加

A capacitor C-2 installed at the output stage of a D.C. power circuit 3 is charged when a diode D-1 is carrying a current, and the stored charge of the capacitor C-2 is transferred to a capacitor C-3 when a diode D-2 is carrying a current. - 特許庁

加熱コイル２に電力を供給する交流電源５を整流平滑手段６により整流平滑し、スイッチング手段４の導通時間を導通時間設定手段１２により設定する。例文帳に追加

The AC power supply 5 for supplying electricity to the heating coil 2 is rectified and smoothed by a rectifying and smoothing means 6, and the conduction time of the switching means 4 is set by a conduction time setting means 12. - 特許庁

そして、受信部が、スイッチによりアンテナと非導通時に、送信部とのアイソレーションを取るための位相調整回路を有する。例文帳に追加

The reception section then includes a phase adjusting circuit for obtaining isolation with the transmission section during non-conduction with the antenna by the switch. - 特許庁

装置の大型化を招くことなく、導通時の損失が少ない炭化珪素半導体装置を再現性よく得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain a silicon carbide semiconductor device, having a small amount of loss in continuity with satisfactory reproducibility without causing enlargement of the device. - 特許庁

したがって、ＩＧＢＴ１００の導通時に、ｎ型低濃度ドリフト領域６表面に蓄積される多数キャリアの量が多くなる。例文帳に追加

Therefore, when the IGBT 100 is turned ON, majority carrier accumulated on the surface of the N-type low-concentration drift region 6 is increased in amount. - 特許庁

画素スイッチング素子および信号線スイッチング素子の導通・非導通時の電位の変動による影響を抑える。例文帳に追加

To suppress an adverse effect caused by the fluctuation in the potentials of pixel switching elements and signal line switching elements during conducting and no conducting states. - 特許庁

スイッチング回路の導通時にスイッチング回路を流れる電流が電流制限素子によって制限される。例文帳に追加

A current flowing through the switching circuit when the switching circuit is turned on is limited by the current limiting element. - 特許庁

２端子のダイオードとの置き換えが容易であると共に、導通時の損失が低減された高効率の整流装置を提供する。例文帳に追加

To provide a highly efficient rectifier which can easily be replaced by a two-terminal diode and is reduced in loss during conduction. - 特許庁

終端トレンチ１２ａ〜１２ｃは、回路素子の非導通時に空乏層がつながる間隔を隔てて配置されている。例文帳に追加

The termination trenches 12a-12c are disposed at an interval, where a depletion layer is connected in discontinuity of a circuit element. - 特許庁

本発明によれば、維持放電電圧を印加するスイッチの導通時間を調節して単位光の階調を低くする。例文帳に追加

The grayscale value of the unit light is lowered, by controlling the time for turning on a switch for applying a sustain discharge voltage. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタを使用したアナログスイッチの導通時の抵抗を増加させることなくサブスレッショルド電流の影響を抑える。例文帳に追加

To suppress the influence of sub-threshold current without increasing resistance in electrical continuity of an analog switch employing an MOS transistor. - 特許庁

補助巻線１０２の端子間電圧が、ダイオード１３１の非導通時にバッテリの電圧に固定され、ダイオード１３０の非導通時にアクティブクランプ回路１２１を構成するコンデンサ１２１ａの端子間電圧に固定される。例文帳に追加

Inter-terminal voltage of the auxiliary winding 102 is fixed to battery voltage during non-conductive state of the diode 131 and is fixed to inter-terminal voltage of a capacitor 121a which constitute the active clamp circuit 121 during non-conductive state of the diode 130. - 特許庁

制御ユニット４０は、電力変換器１０の各スイッチの構成と、共通母線（負極母線１１）の位置とに基づいて、出力電圧指令値ｖu*〜ｖw*に応じた出力電圧を具備する各スイッチの導通時間に関する制御パターンの範囲において各スイッチの導通時間を決定する。例文帳に追加

A control unit 40 determines the conduction time of each switch, in the range of a control pattern related to the conduction time of each switch that has an output voltage according to output voltage commands vu*-vw*, based on the configuration of each switch of the power converter 10 and the position of a common bus (a negative electrode bus 11). - 特許庁

そうすると、ＰＬＳ１と一方のエッジとＰＬＳ２の一方のエッジとの時間差によってこの導通時間を設定できるため、短い導通時間を設定可能となり、チャージポンプ回路の電流量を高精度に制御可能となる。例文帳に追加

Thus, since the conduction time can be set by a time lag between one edge of the pulse signal PLS1 and one edge of the pulse signal PLS2, a short conduction time can be set and the current amount of the charge pump circuit can be highly accurately controlled. - 特許庁

導通時間設定手段１２は、交流電源５の入力電流を設定する電流設定手段１０と交流電源５の入力電流の包絡線を検知する包絡線検知手段１１の出力に応じて、導通時間を設定するよう構成する。例文帳に追加

The conduction time setting means 12 sets the conduction time according to the outputs of a current setting means 10 for setting input current from the AC power supply 5 and an envelope detection means 11 for detecting the envelope of input current from the AC power supply 5. - 特許庁

前記導通制御手段に、前記直列接続体の電力用半導体スイッチング素子の非導通時には該電力用半導体スイッチングの両端の電圧をコンデンサに充電しておき、導通時には前記コンデンサの電圧が所定値以上で前記電力用半導体スイッチング素子を導通させるヒシテリシス特性手段を設ける。例文帳に追加

In the above conducting control means, when the power semiconductor switching of the tandem connection body is not conducted, voltages at both ends of the power semiconductor switching element is charged in a capacitor, and when it is conducted, a hysteresis characteristic means is set to conduct the power semiconductor switching element more than a prescribed value of the capacitor voltage. - 特許庁

スイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆方向で、スイッチング素子に並列接続されるダイオードと、スイッチング素子又はダイオードの少なくとも一方の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の検出温度に応じて、スイッチング素子の逆方向導通時に流れる電流を制御する制御手段を有する。例文帳に追加

The switching control circuit includes the diode which is connected in parallel to a switching element in a reverse direction of current flowing during forward conduction of the switching element, a temperature detection means for detecting a temperature of at least the switching element or the diode and a control means for controlling current flowing during reverse conduction of the switching element in accordance with a detection temperature of the temperature detection means. - 特許庁

スイッチ制御部３は、アナログスイッチＳ１０〜Ｓ１７およびアナログスイッチＳ２０〜Ｓ２５のそれぞれにおいて接地電位から見て最も低インピーダンスを出力するアナログスイッチの導通時間が他のアナログスイッチの導通時間よりも長くなるようにアナログスイッチＳ１０〜Ｓ１７およびアナログスイッチＳ２０〜Ｓ２５の各スイッチの導通を制御する。例文帳に追加

A switch control part 3 controls the conduction of each of analog switches S10-S17 and analog switches S20-S25 so that the conduction time of the analog switch which outputs the lowest impedance in the view from the grounding potential may become longer than the conduction time of the other analog switches in each of the analog switches S10-S17 and the analog switches S20-S25. - 特許庁

特定の出力ラインに半導体スイッチを設けた省エネルギー対応の電源装置において、平滑コンデンサの容量を大きくすることなく半導体スイッチの導通時のピーク電流を抑制して、出力電圧の低下をなくすこと、および半導体スイッチの導通時、遮断時の異常動作を解消し、負荷の形態に関わらず使用可能とすること。例文帳に追加

To prevent dropping in output voltage by suppressing the peak current at electrical continuity of a semiconductor switch, without enlarging the capacity of a smoothing capacitor, and to make it useable, regardless of the form of load, by eliminating abnormal operation at the electrical continuity and break of the semiconductor switch, in a power unit for coping with energy saving where a specified output line is provided with a semiconductor switch. - 特許庁

スイッチ回路３１及びショートスイッチＳＷ１，ＳＷ２の導通時には、それらのオン抵抗により画素電圧を生成するための分圧回路が形成される。例文帳に追加

At the time of conduction of switching circuit 31 and the short-circuiting switches SW1, SW2, a voltage dividing circuit for generating pixel voltages is formed by those on-resistances. - 特許庁

最も外側に位置する終端トレンチ１２ｃと分断トレンチ１２ｄとの間隔は、回路素子の非導通時に空乏層がつながらない間隔である。例文帳に追加

The interval between the termination trench 12c positioned at an outermost place and the dividing trench 12d is an interval, where the depletion layer is not connected in the discontinuity of the circuit element. - 特許庁

電源と直列に可変抵抗を設けさらに複数の導通時の順方向動作電圧Vfが異なる複数の発光ダイオード４１、４２を、並列に接続する。例文帳に追加

A variable resistor is provided in series with a power source, and the plurality of light emitting diodes 41 and 42 different in forward operation voltage Vf in electrical continuity are connected in parallel. - 特許庁

ダイオードDｃ１の非導通時に、ダイオードDｃ１の端子間に加わる逆電圧により静電容量を生じるので、この容量分を同調容量に使用する等して内蔵アンテナ３を小型化する。例文帳に追加

When the diode Dc1 is non-conductive, since capacitance is generated by a counter voltage added between the terminals of the diode Dc1, the capacitance is used for tuning capacitance or the like and the built-in antenna 3 is miniaturized. - 特許庁

プラズマディスプレイパネルへの電力の供給を制御するためのＩＧＢＴは縮小された安全作動領域を犠牲に、大きい電流導通能力および小さい導通時の損失を有する。例文帳に追加

The IGBT for controlling power supply to a plasma display panel has large current conduction capability and small loss during the time of conduction at the sacrifice of a reduced safe operating region. - 特許庁

シートスイッチ１１０が検出したシートスイッチ１１０上での指の移動方向とシートスイッチ１１０を構成するライン端子同士の導通時間とが制御部２２により算出される。例文帳に追加

The finger moving direction on a sheet switch 110 detected by the sheet switch 110 and electrically continuing time of mutual line terminals for constituting the sheet switch 110 are calculated by a control part 22. - 特許庁

一方向のみの導通作用を得ることができ、導通時の順方向の電圧降下が小さく、電圧損失及び電力損失が小さい整流を可能とする。例文帳に追加

To obtain a conductive action only in one direction, a small voltage drop in a forward direction upon conduction, small voltage and power losses. - 特許庁

検出回路５１は音声ＩＣへの電源供給停止時に非導通状態となるフォトカプラ５３で構成され、その非導通時に入力回路５２がミュート信号を出力する。例文帳に追加

The detection circuit 51 is constituted of a photocoupler 53 which becomes a non-conduction state in the stop of the power supply to the sound IC, and the input circuit 52 outputs the mute signal in its non-conduction state. - 特許庁

また、導通時に点灯可能な発光ダイオードＤ１１，Ｄ１２，…が、４極用プラグ部９（２極用プラグ部１１）の各極に、かつ、接触部及び端子部の１次側及び２次側に接続されている。例文帳に追加

During conduction, light emitting diodes D11, D12, etc, capable of being lighted are connected to each pole of the 4-pole plug part 9 (2-pole plug part 11) and to the primary side and secondary side of a contact part and terminal part. - 特許庁

形状・材質が異なる負荷を加熱する場合、スイッチング素子の導通時間の増減幅あたりの電力変化量が変わるために、電力調整が粗くなるのを解決することを目的とする。例文帳に追加

To solve a problem of coarse power adjustment because of change of power change quantity per increase/decrease width of on-time of a switching element in heating loads of different forms and materials. - 特許庁

UMOSFETＴｒｐの非導通時、このベース領域６の横方向接合面６２から第１主電極領域（n型ドリフト領域１０２）側に空之層２０Ｃを伸ばしてトレンチ２底面下を完全に空之化することができる。例文帳に追加

When the UMOSFET Trp not conducting, the portion under the bottom faces of the trenches can be depleted completely, by extending depletion layers from the lateral joint surfaces 62 of the base region 6 of a first main electrode region (n-type drift region 102) side. - 特許庁

ＦＥＴ１の非導通時においてＦＥＴ２、３のしきい値電圧を比較器１８で比較して膜中電荷・界面電荷によるしきい値電圧変動分を検出する。例文帳に追加

The fluctuation in the threshold voltage due to the elctrical charges in the film and/or the interface is detected by comparing the threshold voltages of the FET 2, 3 with a comprator 18 at the time of non-conductive condition of the FET 1. - 特許庁

例えば、素子耐圧が高いことが要求されるPDPのサステイン回路に、素子耐圧にあまり依存せずに導通時の電圧降下を小さくできるIGBTの欠点を、AC型PDPと組み合わせることで補うことができる。例文帳に追加

For example, although a PDP sustain circuit requires a high element breakdown voltage, because the IGBT can reduce the voltage drop at the time of conduction with little dependence of the element breakdown voltage, the defect of the IGBT can be compensated by combining the sustain circuit with the AC-type PDP. - 特許庁

動作確認時に突入電流用と定常電流用の各電気的経路の導通時刻を計測可能となり、その時間差を調整して不良品を低減させることができる。例文帳に追加

Conduction times of respective electrical paths for a rush current and a stationary current can be measured in operation confirmation, and defective products can be reduced by adjusting the time difference between them. - 特許庁

接点の開閉方向他方側は、導通時に、入力接点1、中間接点31、出力接点2を順次直列につなぐ複数個の連結接点41、42を具える。例文帳に追加

A plurality of coupling contacts 41, 42 for sequentially coupling the input contact 1, the intermediate contact 31 and the output contact 2 in series at conduction are provided in the other of the opening/closing directions of the contacts. - 特許庁

スイッチＳＷ１は制御回路３によるトランジスタＴｒの導通時に充電用コンデンサＣ１の充電エネルギをトランジスタＴｒのベース端子Ｂに供給する。例文帳に追加

The switch SW1 supplies the charging energy of the capacitor C1 for charging to the base terminal B of the transistor TR at the time of the conducting of the transistor TR by the control circuit 3. - 特許庁

これにより、電圧Ｖｅａにより定まるスイッチング素子の導通時間を制限して、インダクタ電流のピーク値や平均値が大きくならないようにする。例文帳に追加

Hereby, it limits the conduction time of a switching element determined by the voltage Vea so that the peak value and the average value of the inductor current may not be large. - 特許庁

電力変換装置において、スイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）の非導通時に印加される印加電圧値（V）に対応した、スイッチング素子（Su,Sv,Sw,Sx,Sy,Sz）のオン電圧降下（Vs）を求める電圧降下演算部（52）を設ける。例文帳に追加

A power conversion device includes a voltage-drop computing unit (52) calculating an on-voltage drop (Vs) of switching elements (Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz) corresponding to an application voltage value (V) applied during non-conductive periods of the switching elements (Su, Sv, Sw, Sx, Sy, Sz). - 特許庁

その結果、遮断時には遮断性能を向上することができるとともに、導通時には特定の部分のホットスポットの発生を防ぎ、特定部分の劣化を抑えることができるため長期信頼性を確保することができる。例文帳に追加

As a result, an cutoff performance can be improved at the time of cutoff, and at the same time, generation of any hot spot at a specific portion is prevented at the time of conduction to suppress deterioration in a specific portion, thus ensuring a long-term reliability. - 特許庁

逆方向動作時の漏れ電流特性を向上すると共に、さらに、製造方法が容易で順方向導通時の損失低減が可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which leakage current characteristic at the time of reverse direction operation is improved and, further, a manufacturing method is easy and a loss reduction at the time of forward direction conduction is possible, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

アップコンバータにおいては、スイッチング素子の導通時間をＶｏｕｔ ／Ｖｉｎ^２ に比例させることにより、出力電流のフィードフォワード制御を実行する。例文帳に追加

In an up converter, the output current is feedforward controlled by making the conduction period of the switching element proportional to Vout/Vin^2_. - 特許庁

この増圧ブロックＵ１内の充電回路ＣＨ１は、スイッチング素子の遮断時に増圧コンデンサＣ１を充電し、スイッチング素子の導通時に増圧コンデンサＣ１に反転電圧を生じさせる。例文帳に追加

A charging circuit CH1 in the boost block U1 charges a boost capacitor C1 when the switching element is cut off and generates a reversal voltage in the boost capacitor C1 when the switching element is on. - 特許庁