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"Line Pattern"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 399件
Two dummy patterns 433 and the line pattern which is interposed between the foregoing and includes an actual pattern 432 together constitute a line pattern parallel running section which runs in parallel with equal intervals.例文帳に追加
2つのダミーパターン433と、これらに挟まれ且つ実パターン432を含むラインパターンとにより、同一間隔を空けて並走するラインパターン並走部が構成される。 - 特許庁
To surely and easily grasp the positional deviations between the respective line pattern groups with high accuracy in drawing a plurality of line pattern groups with different angle directions on a substrate.例文帳に追加
基材上に角度方向の異なる複数の直線パターン群を描画する際の各直線パターン群間の位置ずれ量を高精度で確実且つ容易に把握すること。 - 特許庁
A pattern (1) is made up of a horizontal line pattern 30 drawn by a beam from a light source LD0 and a diagonal line pattern 31 whose angle of inclination is 45° drawn by a beam from a light source LD1.例文帳に追加
パターン(1)は光源LD0からのビームで描く水平線パターン30と他の光源LD1からのビームで描く傾き45°の斜め線パターン31からなる。 - 特許庁
The terminal end 3b of the line pattern 3a and the start end 4b of the line pattern 4a are then electrically connected by being soldered on a land 9 provided on a substrate surface.例文帳に追加
そして、線路パターン3aの終端3bと、線路パターン4aの始端4bとは基板面に設けたランド9で半田付けされることで電気的に接続されている。 - 特許庁
Thus, a line pattern is transferred onto a positive photoresist film on a semiconductor wafer.例文帳に追加
これにより、半導体ウエハ上のポジ型のフォトレジスト膜にラインパターンを転写する。 - 特許庁
A photodetector array detects the line pattern light reflected by the object to be measured.例文帳に追加
受光素子アレイが、被測定物体より反射されたラインパターン光を検出する。 - 特許庁
Then, a bit line pattern is demarcated on the substrate, and besides a bit line is made.例文帳に追加
その後、基板上に一つのビット線パターンを画定し且つビット線を形成する。 - 特許庁
The dense line pattern 11a, 11b is a pattern whose pattern to space ratio does not exceed 1/3 and the isolated line pattern 11c is a pattern whose pattern to space ratio exceeds 1/3.例文帳に追加
また、密集ラインパターン11a,11bがパターン/スペースの比が1/3を越えないパターンであり、孤立ラインパターン11cがパターン/スペースの比が1/3を越えるパターンである。 - 特許庁
The amount of positional deviation is measured based on a pair of first moire patterns formed by the first pair of line pattern groups 114a, 114b and the third pair of line pattern groups 124a, 124b, and a second pair of moire patterns formed by the second pair of line pattern groups 115a, 115b and a fourth pair of line pattern groups 125a, 125b.例文帳に追加
一対の第1のラインパターン群114a、114bと一対の第3のラインパターン群124a、124bとにより形成される一対の第1のモアレパターン、及び一対の第2のラインパターン群115a、115bと一対の第4のラインパターン群125a、125bとにより形成される一対の第2のモアレパターンに基づいて位置ずれ量を測定する。 - 特許庁
To transfer a line pattern to a positive photoresist by an exposure method using a phase shifting mask.例文帳に追加
位相シフトマスクを用いた露光法によりポジ型のフォトレジストにラインパターンを転写する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a mask having an isolated line pattern in a desired shape.例文帳に追加
所望とする形状の孤立ラインパターンを有するマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
A transparent conductive material L is disposed on a translucent substrate 2 in a line pattern shape.例文帳に追加
透光性基材2上に透明導電性材料Lをラインパターン状に配置する。 - 特許庁
To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device, in which a photoresist pattern of a line pattern is formed, and by using a resist flow process, a further finer line pattern can be formed, wherein the photoresist pattern of the line pattern is formed by overlapping a plurality of contact hole patterns on a line.例文帳に追加
本発明は、複数のコンタクトホールパターンが重なりながら一列に形成されたラインパターンのフォトレジストパターンを形成することにより、レジストフロー工程時にさらに微細なラインパターンを形成することができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
A line pattern on a semiconductor device now measures several tens of nanometers in width. 例文帳に追加
半導体デバイス上の直線パターンは、今や幅 数10ナノメータと測定される(になっている)。 - 科学技術論文動詞集
Prior to lamination of a DFA layer 6 on a single-line pattern 3 and a solid pattern 4, only the solid pattern 4 is etched, and the thickness of the solid pattern 4 is made smaller than that of the line pattern 3.例文帳に追加
DFA層6を単独線パターン3およびベタパターン4上にラミネートする前に、ベタパターン4のみをエッチングして、ベタパターン4の厚さを単独線パターン3の厚さよりも薄くする。 - 特許庁
Accordingly, a bulge is produced on an intersection between the straight line pattern in the transverse direction and the straight line pattern in the longitudinal direction, and the bulge can be used as the light-shielding part of TFT in the black matrix.例文帳に追加
これにより、短手方向の直線パターンと長手方向の直線パターンとの交点にバルジが発生し、これをブラックマトリクスにおけるTFTの遮光部として用いることができる。 - 特許庁
The recorder calculates the gravity center position as to an orthogonal direction (main scanning direction) orthogonal to a conveying direction of the line pattern 71, based on a read result of the line pattern 71 by an image sensor 17.例文帳に追加
画像センサ17によるラインパターン71の読み取り結果に基づいて、ラインパターン71の搬送方向に直交する直交方向(主走査方向)に関する重心位置を算出する。 - 特許庁
The thick-line pattern 2C of the photomask 10 extends in parallel to the repetitive patterns 2a and 2b, and has a larger line width W1 than a line pattern 2a and a space pattern 2b.例文帳に追加
フォトマスク10の太線パターン2cは、繰り返しパターン2a、2bと並走するように延び、かつラインパターン2aおよびスペースパターン2bよりも太い線幅W1を有している。 - 特許庁
Since the three-dimensional structure line pattern is provided, the nanocarbon material formed on the surface of the substrate is formed along the form of the three-dimensional structure line pattern.例文帳に追加
本発明によれば、3次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は3次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。 - 特許庁
Thereafter, since a line-like resist pattern 8 is formed so as to cross the line pattern, the line pattern, mask by the electrode formation material 6 is etched with the resist pattern 8 as a mask and an electrode composed of the electrode formation material 6, is formed at a part where the line pattern and the resist pattern 8 cross.例文帳に追加
その後、該ラインパターンと交差するようにライン状のレジストパターン8を形成し、該レジストパターン8をマスクにして、電極形成材料6によるラインパターンをエッチングするで、該ラインパターンとレジストパターン8とが交差する部分に電極形成材料6からなる電極を形成する。 - 特許庁
To provide a metal mask, which is made of a metal layer and is employed for a fabric-free printing and which develops no tendency for becoming thickening from the end part of a line pattern to its central part in the line pattern made of printing material obtained by printing and consequently the line pattern with a desired line width can be formed.例文帳に追加
金属層からなる、紗を用いない印刷用のメタルマスクで、印刷して得られる印刷材料からなるラインパターンにおいて、ラインパターンの端部から中央部にかけて線太になる傾向が見られず、所望のライン幅のラインパターンを形成できるメタルマスクを提供する。 - 特許庁
The mold structure for the DTM includes, on the surface thereof, a plurality of line pattern forming concave portions which are positioned so as to be adjacent and substantially parallel to each other and a communicating concave portion which is positioned so as to intersect the adjacent line pattern forming concave portions and connects the plurality of line pattern forming concave portions.例文帳に追加
本発明のDTM用モールド構造体は、隣接状態で略平行に位置する複数のラインパターン形成用凹部と、隣接するラインパターン形成用凹部と交差して位置し、該複数のラインパターン形成用凹部を連通する連通凹部と、を表面に有することを特徴とする。 - 特許庁
A decision is made whether an interested pixel is included in a halftone part or not, and if it is not included, a decision is made whether a pattern of 3×3 matrix of 9 pixels including the interested pixel matches a level difference pattern, an oblique line pattern, a longitudinal line pattern or a lateral line pattern, previous prepared as a sample, or not.例文帳に追加
注目画素がハーフトーン部に含まれるか否かを判定し、含まれない場合には、注目画素を含む9個の画素よりなる3×3マトリクスのパターンが、あらかじめサンプルとして用意された段差パターン、斜め線パターン、縦線パターンまたは横線パターンと一致するか否かを判定する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SLIDE LINE PATTERN TRANSFER PAPER FOR CERAMIC ENGINEERING, AND CERAMIC PRODUCT MANUFACTURED BY USING THE METHOD例文帳に追加
窯業用スライド万線転写紙の製造方法とそれを用いて製造した窯業製品。 - 特許庁
To provide an object detection apparatus which detects a line pattern with high precision, while suppressing a processing load.例文帳に追加
処理負荷を抑えながら、高精度に線模様を検出する物体検出装置を提供する。 - 特許庁
The line pattern structure has reduced defects and may be formed through simple steps.例文帳に追加
前記ラインパターン構造物は不良が減少し、簡単な工程を通じて形成されてもよい。 - 特許庁
A "dot pattern" is used for one toner image, and a "line pattern" is used for two toner images.例文帳に追加
「ドットパターン」が1つのトナー像に使用されており、「ラインパターン」が2つのトナー像に使用されている。 - 特許庁
The second mask layer is formed in a pair of line pattern shape with the pair of the sidewall layers as a mask.例文帳に追加
一対のサイドウオール層をマスクにして第2マスク層を一対のラインパターン形状に成形する。 - 特許庁
To miniaturize an isolated space pattern and an isolated line pattern or a dense pattern at a time.例文帳に追加
孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。 - 特許庁
To simultaneously micronize an isolated space pattern and an isolated line pattern or a dense pattern.例文帳に追加
孤立スペースパターンと孤立ラインパターン又は密集パターンとを同時に微細化できるようにする。 - 特許庁
Each line pattern is imaged to obliquely cross at a predetermined angle to acquire a plurality of profile graphs indicating the variation of image signal values of a one-dimensional pixel row crossing each line pattern from the picked-up image.例文帳に追加
各ラインパターンを所定の角度で斜めに横切るように撮像し、当該撮像画像から各ラインパターンを横切る1次元画素列の画像信号値の変動を表すプロファイルブラフを複数取得する。 - 特許庁
The line pattern of each measurement mark region is disposed in such a manner that each line pattern does not overlap other patterns when the shots are transferred onto the substrate with each mark region completely overlaps others.例文帳に追加
各測定マーク領域のラインパターンは、各マーク領域が完全に重なる状態で基板上に転写されたときに、各ラインパターンが互いに重なることのない状態に配置されている。 - 特許庁
Secondly, the metal plate is heated and applied with the gas or liquid pressure in several stages to be tightly pressed against the surface of the forming die, and the first fine line pattern is pressed to obtain a second fine-line pattern.例文帳に追加
次に金属板を加熱して多段的に気圧または液圧をかけ、金属板を成形型の表面に密着させて成形するとともに、第一細線を押印して第二細線を取得する。 - 特許庁
A lower limit of an interval between the auxiliary pattern 13 and the isolated line pattern 11c corresponds to a minimum space of a design rule and an upper limit is three times the width of the isolated line pattern 11c.例文帳に追加
また、上記補助パターン13と上記孤立ラインパターン11cとの間隔は、その下限がデザインルールの最小スペース分であり、その上限が該孤立ラインパターン11cの幅の3倍である。 - 特許庁
Exposure value of a substrate is controlled to such a level as the resist image of a line pattern is resolved, in other words, to such a level as the contrast value of the resist image of a line pattern has a predetermined value or above.例文帳に追加
基板の露光量をラインパターンのレジスト像が解像する露光量以上になる大きさ、換言すれば、ラインパターンのレジスト像のコントラスト値が所定値以上になる大きさに制御する。 - 特許庁
Inside the respective rotary reels 40, as the back light 31, an on-line back light 32 for illuminating the on-line pattern 90 and an out-of-upper-line back light 33 for illuminating the out-of-upper line pattern 91 are provided.例文帳に追加
各回転リール40それぞれの内側に、バックライト31として、ライン上図柄90を照明するためのライン上バックライト32と、上ライン外図柄91を照明するための上ライン外バックライト33とを設ける。 - 特許庁
The photomask has a glass substrate 15, an isolated line pattern 11c disposed on the substrate 15 and an auxiliary pattern 13 of a phase shifter formed near the isolated line pattern 11c.例文帳に追加
本発明に係るフォトマスクは、ガラス基板15と、該基板15の上に配置された孤立ラインパターン11cと、該孤立ラインパターン11cの近傍に形成された位相シフタの補助パターン13と、を具備するものである。 - 特許庁
A wiring material 6 is connected to the termination of a line pattern conducting to the through hole of the printed board 5.例文帳に追加
プリント基板5のスルーホール51と導通する線パターン52の終端に配線材6を接続する。 - 特許庁
To provide an electromagnetic wave shielding material which comprises a transparent substrate and a fine line pattern formed thereon.例文帳に追加
透明基材及びその上に形成された細線パターンからなる電磁波シールド材を提供する。 - 特許庁
The parallel line pattern group 21 is constituted of four kinds of parallel line patterns 22, 23, 24 and 25 having different pitches.例文帳に追加
平行線パターン群21を、ピッチを変えた4種類の平行線パターン22,23,24,25から構成する。 - 特許庁
The width of the resist pattern 33 is thereby adjusted correspondingly to the width of a line pattern of an optical grating.例文帳に追加
これにより、レジストパターン33の幅を光学格子のラインパターンの幅と対応するように調整する。 - 特許庁
The development is further carried out to completely remove the auxiliary line patterns 4 to thereby form the line pattern 3.例文帳に追加
現像をさらに進めることにより、補助ラインパターン4を完全に除去してラインパターン3を形成する。 - 特許庁
To provide an electronic apparatus with a case embedded with a transmission line pattern, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加
本発明は、伝送線路パターンがケースに埋め込まれる電子装置及びその製造方法に関する。 - 特許庁
although the line pattern 132 for phase matching provided on the line pattern layer 125 for phase matching is extended around even onto a wire bonding pad layer 122 and a cavity layer 123a provided right below it in conventional constitution, the branching filter of the present invention does not have the line pattern for phase matching extended around.例文帳に追加
従来構成では、位相整合用線路パターン層125上に設けられた位相整合用線路パターン132が、ワイヤボンディングパッド層122およびその直下に設けられているキャビティ層123a上にも引き回されているのに対して、本発明の分波器ではかかる位相整合用線路パターンの引き回しがない。 - 特許庁
In a determination method of the density of the line pattern formed relative to each stripe, when the density of an adjacent stripe is higher than the density of the pertinent stripe, the line pattern having the lowest density is formed, and on the other hand, when the density of the adjacent stripe is lower than the density of the pertinent stripe, the line pattern having the highest density is formed.例文帳に追加
各々のストライプに対し形成するラインパターンの濃度の決定法は、該当するストライプの濃度に対し、隣接するストライプの濃度が高い場合には最低濃度のラインパターンを形成し、逆に、該当するストライプの濃度に対し、隣接するストライプの濃度が低い場合には最高濃度のラインパターンを形成する。 - 特許庁
To eliminate noise by processing a line pattern with an image generated by structured light.例文帳に追加
構造化光によって生成されたイメージでラインパターンを処理してノイズを除去することを目的とする。 - 特許庁
To provide a container decoration method of outputting a hair line pattern image to at least two or more films having different printing colors with the use of luster-image editing software being a personal computer software, and printing the hair line pattern on the container surface.例文帳に追加
パソコンソフトのラスター画像の編集ソフトを用いて、少なくとも2種類以上の異なる印刷色のヘアーライン模様の画像を出力し、容器表面にヘアーライン模様印刷を印刷する容器の加飾方法。 - 特許庁
To obtain a high frequency circuit board in which the capacitive line pattern can be downsized while enhancing the power handling capability of an inductive line pattern, without causing a discontinuity of the ground surface between connection ends of a strip conductor line.例文帳に追加
ストリップ導体線路の接続端間にグランド面の不連続を発生させず、かつ容量性線路パターンの小型化と誘導性線路パターンの耐電力の向上とが図れる高周波回路基板を得ること。 - 特許庁
When it is judged that the input position is included in any area, the line pattern is automatically switched to a vertical image (S215), and in the other case, the line pattern is switched to a horizontal image and displayed (S213).例文帳に追加
上記いずれかの領域に含まれる場合には、ライン模様を自動的に縦方向の画像に切替え(S215)、上記いずれの領域にも含まれない場合には横方向の画像に切替えて表示する(S213)。 - 特許庁
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