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"Line Pattern"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 399件
When the density of a interested pixel G0 is within a specified range (tha to thb) and larger than those of two pixels G1 and G2, and G0 and G3 have density larger than (the minimum value of density among the four pixels), a line pattern having an arbitrary density is detected.例文帳に追加
注目画素G0がある所定の範囲内(tha〜thb)の濃度を持ち、且つ、2つの画素G1、G2以上の濃度で、且つ、G0とG3とが(4画素の濃度の最小値)以上の濃度を持っている場合に、任意の濃度を保持する万線パターンの検出を行う。 - 特許庁
This non-contact data carrier 42 has 1st and 2nd antenna coils composed of a circulating line pattern formed on one surface 39A of an insulating substrate 39 and an IC chip 38 connected to one end of the inner circumferential side of the 1st antenna coil and one end of the inner circumferential side of the 2nd antenna coil.例文帳に追加
非接触式データキャリア42は、絶縁基材39の一方の面39Aに形成された周回する線パターンからなる第1および第2のアンテナコイルと、第1のアンテナコイルの内周側の一端と第2のアンテナコイルの内周側の一端とに接続されたICチップ38とを有する。 - 特許庁
To provide a positive type photosensitive resin composition excelling in PED stability and prifile, significantly improved in the developing faulty problems and free from any shortening on the line pattern end (lengthwise direction), when using far ultraviolet rays, especially ArF excimer laser beam as its exposure illuminant.例文帳に追加
露光光源として、遠紫外線、特にArFエキシマレーザー光を用いた場合、PED安定性及びプロファイルに優れ、現像欠陥の問題を著しく改善され、更にラインパターン端部(長手方向)のショートニングが生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁
The convolution A(I, J) is calculated by selecting a plurality of pixels in a range of magnitude corresponding to each line pattern, multiplying the luminance of each the selected pixel by a first or second coefficient having a different code correspondingly to a white or black pattern, and finding a total value thereof.例文帳に追加
このコンボリュ−ションA(I,J)は、各ラインパターンに対応する大きさの範囲の複数の画素を選択し、この選択した各画素の輝度に、白又は黒のパターンに対応して符号の異なる第1または第2の係数を乗じ、その合計値を求めることによって算出される。 - 特許庁
The length La of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a longer direction Y of the line pattern 121 is not less than four times as large as the width Da of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a direction X of the width.例文帳に追加
しかも、ライン状パターン121の長手方向Yにおいて集電体層11表面と接するライン状パターン121の長さ寸法Laが、幅方向Xにおいて集電体層11表面と接するライン状パターン121の幅寸法Daの4倍以上となっている。 - 特許庁
A ribbon 1 for bonding is constituted, by arranging first ground wire patterns 4 in parallel at an interval of a gap G1 on both sides of a signal line pattern 3, and sticking an insulating resin tape 2 fast onto it, thus it is in such form that it can be wound on a spool 7 and supplied to a bonder.例文帳に追加
ボンディング用リボン1は、信号線パターン3の両側に第1のグランド線パターン4をギャップG1の間隔をおいて平行に配置し、その上に絶縁性樹脂テープ2を密着させて構成してあり、スプール7に巻き取ってリボンボンディング装置に供給できる形態としてある。 - 特許庁
The mask includes a mask pattern formed in front side of a transparent panel following the layout (layout) of a slanted line pattern extending in the direction turned in a certain direction from the axis of a rectangular coordinate system, and a phase grating of lines (line) extending at the back side of the panel in parallel with the extending mask pattern.例文帳に追加
透明基板の前面に直交座標系の軸から一定方向に回転した方向に延びる斜線パターンのレイアウト(layout)に従って形成されたマスクパターンと、基板の背面にマスクパターンの延長方向に並ぶ方向に延びたライン(line)形態の位相格子と、を含むマスクを提供する。 - 特許庁
The setting of the length of the optical path of an illumination light IL at this parallel flat board 47 is changed, by changing the said parallel flat board 47 into the one of different thickness, based on the difference of line width between the image of an isolated line pattern Pa and the image of an L/S pattern Pb being measured in advance.例文帳に追加
予め計測された孤立線パターンPaの像とL/SパターンPb像との線幅差に基づいて、前記平行平面板47を異なる厚さのものに変更することにより、この平行平面板47における照明光ILの光路長を設定変更する。 - 特許庁
Extreme value positions corresponding to the density center of each line pattern, and first edge positions and second edge positions corresponding to both right and left edges of the line patterns, are computed from the respective profile graphs, and a line-center approximation line, a first edge approximation line and a second edge approximation line are obtained by a least-square method.例文帳に追加
各プロファイルグラフから各ラインパターンの濃度中心に対応する極値位置と、当該ラインパターンの左右両エッジに対応する第1エッジ位置及び第2エッジ位置を算出し、最小二乗法により、ライン中心近似直線、第1エッジ近似直線、第2エッジ近似直線を得る。 - 特許庁
Protruded picture lines 7 of intaglio printing with a line pattern in which a picture pattern is expressed by partly changing the angles are printed on the surface of a base material 5, and lines pattern 10 expressing a picture pattern by changing the widths are printed on the protruded picture lines 7 of the intaglio printing of this base material 5.例文帳に追加
基材5の表面に、部分的に角度を異にすることによって図柄を表した万線模様の凹版印刷隆起画線7を印刷し、この基材5の凹版印刷隆起画線7の上から幅を変化させることで図柄を表した万線画線10を印刷する。 - 特許庁
To provide a positive photoresist composition having an improving effect on a margin for exposure (particularly a margin for exposure through a repetitive pattern, a so-called dense pattern) in the production of a semiconductor device, that is, suppressing the variation of the line width of the isolated lines of a dense line pattern when light exposure amounts are varied.例文帳に追加
半導体デバイスの製造において、露光マージン(特に繰り返しパターン、いわゆるdenseパターンの露光マージン)に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、denseラインパターン孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a translucent electromagnetic wave shielding film that forms a thin line pattern of an electromagnetic wave shielding material exhibiting high EMI shieldability and high transparency simultaneously, and can be employed in inexpensive mass production of translucent electromagnetic wave shielding film.例文帳に追加
高いEMIシールド性と高い透明性とを同時に有する電磁波シールド材料を細線のパターンに形成可能であり、かつ安価に大量生産できる透光性電磁波シールド膜の製造方法及びその製造方法により得られたモアレの問題のない透光性電磁波シールド膜の提供。 - 特許庁
Second index faces S2.S2, each of which comprises a line pattern where lines in parallel with the main scanning direction are formed with intervals providing roughness and fineness, are provided to areas P2.P2 at both outsides of the area P1 on the upper side of the 2nd reference white board 68 in the main scanning direction.例文帳に追加
第2基準白板68の上面の領域P1より主走査方向両外側の領域P2・P2に、ライン同士が主走査方向に平行となるラインパターンをライン同士の間隔に疎密を持たせた状態で形成した第2指標面S2・S2を設ける。 - 特許庁
A zero-order moment computing unit and a first-order moment computing unit find a zero-order moment and a first-order moment in a direction perpendicular to a direction in which the line pattern light is extended in respective positions in the direction, in such a way that digital signals corresponding to the output signals obtained in nearly the same time by the photodetector array are integrated.例文帳に追加
0次モーメント演算器と1次モーメント演算器とが、ラインパターン光が延びる方向における各位置での該方向に対して垂直の方向での0次、1次モーメントを、受光素子アレイにて略同時刻に得られた出力信号に相当するデジタル信号を積分して求める。 - 特許庁
In a half wavelength (λ/2) resonator composed of a microstrip line or a strip line, line pattern parts 4-1 to 4-n are located symmetrically with respect to a reference line Rx, connected to be mutually L-shaped, and formed into closed loop to have open terminals 4A and 4B.例文帳に追加
マイクロストリップ線路又はストリップ線路で構成される半波長(λ/2)共振器であって、線路パターン部4−1〜4−nが基準線Rxに関して対称に配置され、互いにL字型を成すように連結されて開放端4A、4Bを有するように開ループ状に形成されている。 - 特許庁
Uneven picture lines 7 with a line pattern in which a picture pattern is expressed by partly changing the angles are formed by plowing or embossing on the surface of a base material 5 and printed picture lines 10 expressing the picture pattern by changing the widths are printed on the uneven picture lines 7 of this base material 5.例文帳に追加
基材5の表面に、部分的に角度を異にすることによって図柄を表した万線模様の凹凸画線7をすき入れ又はエンボスにより形成し、この基材5の凹凸画線7の上から幅を変化させることで図柄を表した印刷画線10を印刷する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition having high sensitivity and high resolving power in the production of a semiconductor device, having a rectangular shape, ensuring low edge roughness of a line pattern and causing a small size shift, in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加
半導体デバイスの製造において、高感度であって高解像力を有し、しかも矩形形状を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁
The word line pattern is formed by patterning a floating gate pattern 57a covering the first active region 53a, a first gate interlayer insulating film 64a formed on the whole surface of a cell array region having the floating gate pattern and a second conducting film 69 formed on the first gate interlayer insulating film 64a.例文帳に追加
ワードラインパターンは第1活性領域53aを覆う浮遊ゲートパターン57a、浮遊ゲートパターンを有するセルアレイ領域の全面に形成された第1ゲート層間絶縁膜64a及び第1ゲート層間絶縁膜64aの上に形成された第2導電膜69をパターニングして形成する。 - 特許庁
This resist pattern measuring method acquires two resist pattern images, measures an inner dimension and an outer dimension of the resist pattern in each resist pattern image, determines which resist pattern is the remaining part (line pattern) or the cut-out part (space pattern), by comparing measured values, and calculates the shrinkage amount, based on a difference between the measured values.例文帳に追加
2枚のレジストパターン画像を取得し、各レジストパターン画像においてレジストパターンの内側寸法と外側寸法を測定し、測定値の比較によってレジストパターンが残し部(Lineパターン)と抜き部(Spaceパターン)のどちらであるかを判定するとともに、測定値の差分からレジストのシュリンク量を算出する。 - 特許庁
To provide an image forming device mounted with a dividing optical scanner to divide and expose plurally by a plurality of laser beams, which can prevent a line pattern or turbulence of an image which is generated in a joint paying attention to a kind of information in a near area including an overlap area.例文帳に追加
複数のレーザビームによって、複数に分割露光する分割光走査装置を搭載した画像形成装置において、オーバーラップ領域を含むその近傍の領域における情報の種類に着目し、当該つなぎ目で発生する筋模様や画像の乱れを防止することができる画像形成装置の提供を目的とする。 - 特許庁
To obtain a radiation sensitive resin composition effectively sensitive to various radiations, having high sensitivity, also having satisfactory resolution and focus latitude in various patterns including dense lines, isolated lines and contact holes, particularly in a line pattern and capable of forming a minute pattern with low surface roughness.例文帳に追加
各種の放射線に有効に感応し、高感度であり、かつ密集ライン、孤立ライン、コンタクトホール等を含む種々のパターンで、とりわけライン系パターンにおいて、十分な解像度とフォーカス余裕度を有し、さらに膜面荒れの小さい微細パターンを形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an excellent positive photoresist composition for exposure to far UV rays and having a wide defocus latitude of an isolated line pattern.例文帳に追加
遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、孤立ラインパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁
To provide a positive photoresist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, having evaluation with the same light exposure near the margin of resolution by which the size in which a nondense pattern vanishes and the marginal resolution size of a dense pattern show approximate values closer to each other and ensuring low surface roughness of a line pattern.例文帳に追加
半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも解像限界あたりにおいて、同一露光量の評価で、疎パターンが消失してしまう寸法と密パターンの限界解像寸法の二者がより近い近似値を示し、更にラインパターンの表面ラフネスが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
Also, when the rotation of all the rotary reels is stopped by the stop control means and it is determined by the effective line pattern determination means that the shift pattern combination is displayed on the effective line, the slot machine shifts to one special game on the basis of the effective line on which the shift pattern combination is displayed.例文帳に追加
また、スロットマシンは、停止制御手段によりすべての回転リールの回転が停止され、且つ有効ラインに移行図柄組み合わせを表示していると有効ライン図柄判定手段により判定された場合に、移行図柄組み合わせの表示された有効ラインに基づき一の特殊遊技に移行させる。 - 特許庁
Information area read while directing the longitudinal direction of lines (92) on a measuring line pattern including a plurality of lines (92) formed of dot rows corresponding to recording elements respectively to a sub-scanning direction of an image reading apparatus, and reducing the read resolution of the sub-scanning direction of the image reading apparatus as compared to the reading resolution of a main scanning direction.例文帳に追加
各記録素子に対応したドット列による複数のライン(92)を含んだ測定用ラインパターン上のライン(92)の長手方向を画像読取装置の副走査方向に向け、当該画像読取装置の副走査方向の読取解像度を主走査方向の読取解像度に比べて低解像度として読み取りを行う。 - 特許庁
Following patterns are found in decorated tombs; geometric and abstract chokko-mon (arc and straight-line pattern), warabite-mon (bracken-shaped, scroll-like pattern), kaginote-mon (hook pattern), en-mon (circular pattern), doshinen-mon (concentric pattern), renzoku sankaku-mon (consecutive triangular pattern), hishigata-mon (diamond pattern), sokyakurinjo-mon (circular pattern with two legs), kukaku-mon (vertical running patterns), and so on; however, those are inscrutable. 例文帳に追加
装飾古墳に描かれた文様には幾何学的・抽象的な直弧文(ちょっこもん)・蕨手文(わらびてもん)・鍵手(かぎのてもん)文・円文・同心円文・連続三角文・菱形文・双脚輪状文(そうきゃくりんじょうもん)・区画文などがあるが、何を表しているのか分からない文である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A land 112 to connect a connection pin 110 of an RJ 45 connector 102 and a land 116 for connection of a connection pin 114 of a transmission line connector 106 are formed on the transmission line pattern 108 and connection pins 110, 114 are connected to the lands respectively by soldering.例文帳に追加
伝送線路パターン108上には、RJ45コネクタ102の接続ピン110を接続するためのランド112や伝送線路接続用コネクタ106の接続ピン114を接続するためのランド116が形成されており、これに接続ピン110、114が半田付けなどにより各々接続されている。 - 特許庁
To provide a positive photoresist composition for exposure to a far ultraviolet ray in which bridging for forming a developing defect or particularly line pattern and a trench pattern is reduced so as to perform a subject in a technique for improving an original performance of a microphotofabrication used for a far ultraviolet ray or particularly an ArF excimer laser beam.例文帳に追加
遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を達成すべく、現像欠陥、特にラインパターン及びトレンチパターン形成におけるブリッジングを低減した遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
The delay circuit is provided with a ceramics substrate 1 containing ceramics, and phase delay circuits each including a pair of transmission lines 21 formed on the ceramics substrate by a strip line pattern, and in the circuit, the porosity of the ceramics substrate 1 is not lower than 20% and the ratio of closed pores to all pores is not lower than 50%.例文帳に追加
本発明の遅延回路は、セラミックスを含むセラミックス基板1と、それぞれがストリップラインパターンによりセラミックス基板上に形成された1対の伝送線路21を含む位相遅延回路とを備え、セラミックス基板1の気孔率が20%以上であり、全気孔中の閉気孔の割合が50%以上であることを特徴とするものである。 - 特許庁
To provide a resist pattern measuring method capable of determining automatically and measuring correctly a remaining part (line pattern) and a cut-out part (space pattern) as to a measuring-objective pattern in an image, and capable of measuring a true resist pattern corrected in a shrinkage amount, when measuring a resist pattern by a CD-SEM.例文帳に追加
CD−SEMによるレジストパターンの測定において、画像中の測定対象パターンが残し部(Lineパターン)と抜き部(Spaceパターン)を自動的に判定して正しく測定すると共に、レジストのシュリンク量を補正した真のレジストパターン寸法を測定することを可能にするレジストパターン測定方法及びレジストパターン測定装置を提供する。 - 特許庁
A film or a laminated film formed of simple substance or composite compound of Si oxide, AlN, or Al_2O_3 is formed as an electrical insulating inorganic compound film 6 on both the upper and lower surface of a polyimide film 1, respectively, a Cu layer 4 is formed at least on the upper inorganic compound film 6, and the Cu layer 4 is formed into a prescribed interconnect line pattern.例文帳に追加
ポリイミドフィルム1の両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜6として、Siの酸化物、AlN、Al_2O_3単体又はこれらの複合化合物あるいは積層膜を形成し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜6上にCu層4を形成し、該Cu層を所定の配線パターンに形成する。 - 特許庁
In this mouse pad having a line pattern for detecting the moving direction and distance of an optical mouse, the surface sheet is formed of transparent synthetic resin, and provided with an upper face whose static friction coefficient is not more than 0.38, and line patterns are formed of polymer layers and air layers like grid stripes at the lower side of the surface sheet.例文帳に追加
光学式マウスの移動方向と距離を検出するためのラインパターンを備えたマウスパッドにおいて、その表面シートが透光性の合成樹脂で形成されて静摩擦係数0.38以下の平滑な上面を備え、この表面シートの下側に上記のラインパターンがポリマー層と空気層とによって格子縞状に形成される。 - 特許庁
By an imaging method using the lithography system, a desired pattern printed onto a substrate is decomposed into at least two constituting subpatterns that can be decomposed optically by the lithography system, and the piled-up body of two sacrifice hard masks is applied onto the substrate at the upper portion of a target layer patterned by a desired dense line pattern.例文帳に追加
リソグラフィ・システムを使用するイメージング方法は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィ・システムによって光学的に分解することが可能な少なくとも2つの構成サブパターンに分解すること、所望の密なライン・パターンでパターニングされる標的層の上部において、2つの犠牲ハード・マスクの積重体を基板にコーティングすることを含む。 - 特許庁
An image enhancing mask 6 for pattern formation includes a transmissive substrate which transmits exposure light and a semi-light-shielding portion 8 which is formed on the transmissive substrate and has transmittance allowing the exposure light to be partially transmitted and corresponds to an isolation line pattern, and a phase shifter 9 which is provided at an opening in the semi-light-shielding portion 8.例文帳に追加
パターン形成用のイメージ強調マスク6は、露光光に対して透過性を有する透過性基板7と、透過性基板7上に形成され、露光光の一部分を透過させる透過率を持ち且つ孤立ラインパターンと対応する半遮光部8と、半遮光部8の内部の開口部に設けられた位相シフター9とを備えている。 - 特許庁
A slip format is registered by performing filtering for weakening the feature in the prescribed part of inputted document information (1), extracting the feature values of a ruled line pattern from filtered document information (2) and registering the extracted featured values of the ruled line s format information of the document.例文帳に追加
帳票フォーマットの登録は、(1)入力された帳票情報の所定部分に、特徴を弱めるフィルタリングを実行し、(2)前記フィルタリングを実行した帳票情報から罫線パターンの特徴量を抽出し、(3)抽出された罫線パターンの特徴量を当該帳票のフォーマット情報として登録することにより行う。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive composition giving good pattern profile particularly free of a defective trailing shape of a line pattern on a glass substrate (SOG substrate) and an overhang shape of a contact hole and having a wide side lobe margin.例文帳に追加
遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、良好なパターンプロファイル、特に、ガラス基板(SOG基板)上でのラインパターンの裾形状不良、コンタクトホールの庇形状を生じない、また、広いサイドローブマージンを有するポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁
The robot system which performs autonomous navigation determines the direction on the basis of previous decision on the course and arrangement of reflecting line patterns 44 and 48 obtained during the projection of a line pattern by a laser projector in a different known direction in environment according to the current laser projection line patterns 44 and 48 photographed by a camera.例文帳に追加
自律的にナビゲーションするロボットシステムにおいて、カメラによって撮影された現在のレーザ投射ラインパターン44、48に基づき、及び環境における異なる既知の方向のレーザプロジェクタによるラインパターンの投射中に得られた反射ラインパターン44、48の進路及び配置の予めの判定に基づいて方向決めが行われる。 - 特許庁
Furthermore, since ink dots 8 of the printed layer 2 are irregularly positioned during FM screen printing, even when formed by the light reflective metal layer 1 overlapping the printed layer 2, interference becomes hard to occur between the line pattern-like pattern 3 in the light reflective metal layer 1 and the print pattern of the printed layer 2, thereby interference patterns such as moire patterns become hard to emerge on the ornament member A.例文帳に追加
また、FMスクリーン印刷では印刷層2のインクドット8は不規則に配置されるため、光反射性金属層1に印刷層2を重ねて形成しても、光反射性金属層1における万線状の凹凸パターン3と印刷層2における印刷パターンとの間に干渉が生じにくくなり、装飾部材Aにモアレ模様等の干渉模様が現れにくくなる。 - 特許庁
The method includes a step of decomposing a desired pattern to be printed on a substrate into at least two constituent sub-patterns that are capable of being optically resolved by the lithography system, and a step of coating the substrate with a first positive tone resist layer and a relatively thin second positive tone resist layer on top of a target layer of the substrate which is to be patterned with a desired dense line pattern.例文帳に追加
本発明は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィシステムによって光学的に分解することができる少なくとも二つの成分サブパターンに分解する工程、所望の高密度ラインパターンでパターンを形成させる基板のターゲット層の上に、第一のポジ型レジスト層と比較的薄い第二のポジ型レジスト層とを塗布する工程を含む。 - 特許庁
The phase shift mask is provided with a shielded region having a line pattern formed therein and first and second transparent regions disposed on both sides of the shielded region on a substrate transparent to irradiated light, wherein a phase shifter is formed below the first transparent region and a side wall of the phase shifter has a curved portion convex to the outside.例文帳に追加
照射光に対して透明な基板上に、ラインパターンが形成された遮蔽領域と、前記遮蔽領域の両側にそれぞれ配置された第一の透明領域および第二の透明領域とを有し、前記第一の透明領域の下方には位相シフタが形成されており、前記位相シフタの側壁が、外側に凸の湾曲部を有している位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁
The transparent material for forming the lattice structure is formed of a silicon nitride film and has a thickness of 800 nm or less, and provides a wide band quarter-wave plate which has a thin film thickness and is easily processed, and accordingly can enhance accuracy of a required phase difference and high transmissivity, by making a cross-sectional shape of each line pattern into a trapezoidal shape according to required characteristics.例文帳に追加
本発明は、格子構造を形成するための透明性材料は、窒化シリコン膜からなり、その厚さは800nm以下であり、要求特性に応じ各ラインパターンの断面形状を台形形状とすることにより、薄い膜厚で加工しやすく、従って必要な位相差と高い透過率の精度を向上することができる広帯域1/4波長板を提供する。 - 特許庁
The transfer pattern 200c includes: first and second transfer line patterns 201c and 202c arranged in a straight line having their ends opposing with each other at a predetermined interval; third and fourth transfer line patterns 203c and 204c which are in parallel with the respective transfer line patterns 201c and 202c; and a connection portion 212 connecting the ends of second and third transfer line pattern 202c and 203c with each other.例文帳に追加
転写パターン200cは、所定間隔を開けて端部同士が対向して直列に並ぶ第1及び第2の転写ラインパターン201c及び202cと、これらに各々並列する第3及び第4の転写ラインパターン203c及び204cと、第2及び第3の転写ラインパターン202c及び203cの端部同士を接続する接続部212とを含む。 - 特許庁
The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.例文帳に追加
エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁
In a circuit board including a detection signal processing circuit which performs an angle operation by taking out a signal from a magnetism detection elements forming a pair by being attached to a position opposite to each other to an rotating axis, which detect the magnetic field of a permanent magnet attached to a rotating body, the conductor line pattern linking the magnetism detection elements and a signal processing part is formed in a concentric circle shape centered around the rotating axis.例文帳に追加
回転体に取り付けられた永久磁石の磁界を検出する回転軸に対して対向する位置に取り付けられて対となる磁気検出素子の信号を取り出し、角度演算を行う検出信号処理回路を含む回路基板において磁気検出素子と信号処理部を連結する導線パターンを回転軸中心として同心円状に形成する。 - 特許庁
The interlock notice notices a player of that three-line pattern elements are brought into a combination of jackpot in any of a plurality of Pachinko game machines, and the Pachinko game machine stops the interlock notice by commanding the stoppage of the interlock notice from the other game machine, when the stoppage of the interlock notice is commanded from the other game machine before an image of a specified decorative pattern game is determined to be stopped.例文帳に追加
連動予告は複数台のパチンコ遊技機のいずれかで3列の図柄要素が大当りの組合せになることを遊技者に予告するものであり、パチンコ遊技機は特定の装飾図柄遊技の映像が停止すると判断するより前に他の遊技機から連動予告の停止が指令された場合には他の遊技機から連動予告の停止が指令されることで連動予告を停止する。 - 特許庁
When a test pattern for confirming the recording characteristics of each recording element is recorded in a serial recorder having a recording head arranged with a plurality of recording elements, a plurality of straight line patterns (patterns 1-10) having a specified length in the scanning direction are recorded by driving three adjacent recording elements in parallel such that all recording elements are used for recording at least one straight line pattern.例文帳に追加
複数の記録素子が配列された記録ヘッドを有するシリアル型の記録装置において、各記録素子の記録特性を確認するためのテストパターンを記録する際に、隣接する3つの記録素子を並列に駆動して走査方向に所定の長さを有する直線パターン(パターン1〜パターン10)を、全ての記録素子が少なくとも1つの直線パターンの記録に使用されるように、複数記録する。 - 特許庁
Concerning the branching filter device using two surface acoustic wave(SAW) filters having different band center frequencies, a circuit for phase matching for matching the phases of two SAW filters is formed from line patterns, at least one line pattern is formed while being divided over the plural inner layers of a multi-layer package, and the forms of the line patterns formed over adjacent layers are different at least.例文帳に追加
異なる帯域中心周波数を有する2つの弾性表面波フィルタを用いた分波器デバイスにおいて、2つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路が線路パターンで形成され、かつ少なくとも1つの線路パターンが多層パッケージの複数の内層にわたって分割して形成され、少なくとも隣接する層に形成された前記線路パターンの形状が異なっていることを特徴とする。 - 特許庁
A ruled line pattern comprised of a combination of a plurality of ruled lines almost directed to the first direction is printed to a plurality of points on the printing medium spaced by an interval in a second direction orthogonal to the first direction, by delivering the ink from predetermined nozzle arrays.例文帳に追加
複数のノズルを第一の方向に並べたノズル列を複数並列させたインク吐出部を備える印刷装置を用いて、当該インク吐出部のノズルから印刷媒体に対してインクを吐出することにより所定のパターンを印刷する印刷方法であって、所定のノズル列からインクを吐出することにより、上記第一の方向を略向いた複数の罫線の組み合わせからなる罫線パターンを、上記第一の方向に直交する第二の方向において間隔を空けた印刷媒体上の複数箇所に印刷することを特徴とする。 - 特許庁
A ruled line pattern comprised of a combination of a plurality of ruled lines which are expressed in the ink delivered from nozzles by delivering the ink from the nozzles that belong to different nozzle arrays and which are nearly directed to a second direction orthogonal to the first direction is printed onto a plurality of points on the printing medium.例文帳に追加
複数のノズルを第一の方向に並べたノズル列を複数並列させたインク吐出部を備える印刷装置を用いて、当該インク吐出部のノズルから印刷媒体に対してインクを吐出することにより所定のパターンを印刷する印刷方法であって、異なるノズル列に属する各ノズルからインクを吐出することにより、当該各ノズルから吐出されるインクで表される複数の罫線であって上記第一の方向に直交する第二の方向を略向いた複数の罫線の組み合わせからなる罫線パターンを、印刷媒体上の複数箇所に印刷することを特徴とする。 - 特許庁
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