| 例文 |
"alignment pattern"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 91件
Curing of an alignment pattern 106 of a resist (curing by ultraviolet ray or heat) is performed after ion implantation, and a cured layer 107 is formed on its surface.例文帳に追加
イオン注入後に、レジストからなるアライメントパターン106の硬化(紫外線あるいは熱による硬化)を実施し、その表面に硬化層107を形成する。 - 特許庁
The processor 6 compares the received signal VO with the prescribed threshold to binarize the signal VO and compares this binarized signal VO with an alignment pattern that is previously inputted.例文帳に追加
画像処理装置6は入力された出力信号VOを予め定める閾値と比較して2値化し、予め入力された整列パターンと比較する。 - 特許庁
Thereafter, an alignment mark M1a is formed by performing flattening treatment for a substrate surface with an alignment pattern covered with the film material 3a.例文帳に追加
その後、上記膜材3aによりアライメントパターンが覆われた状態で基板表面に平坦化処理を施すことにより、アライメントマークM1aを形成する。 - 特許庁
A collector 10 is structured by forming protrusions 2 with at least tip parts not compressed in a given alignment pattern at least on one face of a metal foil 1.例文帳に追加
集電体10は、金属箔1の少なくとも一方の面に所定の配列パターンで少なくとも頂部が圧縮されていない突起2を形成して構成されている。 - 特許庁
In the alignment operation, the through-holes 1 are aligned with the alignment pattern 2 by confirming the pattern 2 through the through-holes 1 using a CCD camera.例文帳に追加
位置合わせ操作では、CCDカメラ装置により、アライメント用貫通孔1を介してアライメント用パターン2を確認することにより、これら貫通孔1とパターン2とを合致させる。 - 特許庁
A brazing-material pattern 13, which is used as an alignment pattern with the optical element 2 and whose width is narrower than the width of an electrode 12 for bonding, is formed on the surface of the electrode 12 at a submount substrate 11.例文帳に追加
サブマウント基体11の接合用電極12上面に、光素子2の位置合わせパターンとして使用される、接合用電極12幅より狭幅のロウ材パターン13を設ける。 - 特許庁
An LC material is then deposited on the substrate in direct contact with the photo-alignable material, so that an LC director is aligned according to the photo-induced vortex alignment pattern.例文帳に追加
次に、基板の上に、光配列可能材料と直接接触してLC材料が付着され、それにより、光誘導された渦配列パターンに従ってLCディレクタが配列する。 - 特許庁
An alignment pattern of the barrier rib layers 340 with attention paid to a certain column in the matrix alignment, is to be different from that of the barrier ribs 340 with attention paid to another column.例文帳に追加
そして、前記マトリクス状の配列における、ある列に着目した隔壁層340の配列パターンは、他の列に着目した隔壁層340の配列パターンとは異なる。 - 特許庁
The user calls a setting screen of an output paper setting part 22 of a printer driver 20 from a user interface of an application 10 and sets the size of each sheet of output paper and an alignment pattern.例文帳に追加
ユーザは、アプリケーション10のユーザインタフェースからプリンタドライバ20の出力用紙設定部22の設定画面を呼び出し、出力用紙1枚のサイズと配列パターンを設定する。 - 特許庁
Respective recesses 71 having predetermined small diameter and predetermined depth hardly visible the bottoms are formed almost whole surface of the front face of a front side flat plate part 64 of a front lid member 61 at a predetermined alignment pattern.例文帳に追加
前蓋部材61の前側平板部64の前面部のほぼ全面に所定小径及び所定深さの底部が見難い各凹部71が所定配列パターンで設けられている。 - 特許庁
This article group stacking device 1 is provided with a liftable/lowerable conveyance means 11 receiving an article group A in an alignment pattern from an article group formation means 3 and conveying the article group A to a conveyance direction.例文帳に追加
物品群積付け装置1は、物品群形成手段3から整列パターンの物品群Aを受け入れて搬送方向に搬送する昇降可能な搬送手段11を備える。 - 特許庁
After an alignment information 610 of a semiconductor chip having an alignment pattern is scanned and stored (620), the semiconductor chip in which a bump formation surface is coated with a curable under fill coating is generated.例文帳に追加
位置合わせパターンを有する半導体チップの位置合わせ情報610をスキャンし記憶620した後、硬化可能アンダーフィル・コーティングがバンプ形成面にコーティングされた半導体チップを生成する。 - 特許庁
A pattern forming section is formed on the side of each card 11 so that an alignment pattern for backside appears on the side of the card set 10 when the cards 11 are arranged and stacked in the sequence of the second numbers.例文帳に追加
第2の番号で各カード11が並んで積み重なったカードセット10の側面に裏面用整列模様が浮き出るように、各カード11の側面には模様形成部が形成されている。 - 特許庁
A pattern forming section is formed on the side of each card 11 so that an alignment pattern for surface appears on the side of the card set 10 when the cards 11 are arranged and stacked in the sequence of the first numbers.例文帳に追加
第1の番号で各カード11が並んで積み重なったカードセット10の側面に表面用整列模様が浮き出るように、各カード11の側面には模様形成部が形成されている。 - 特許庁
To increase the storage capacity and improve the data transfer speed by aligning an optical system to an optical light storage medium even if no alignment pattern is added signal light.例文帳に追加
信号光中に位置合わせ用パターンを付加しなくても、光学系と光記録媒体の位置合わせをすることができ、記録容量の増加およびデータ転送速度の向上を図ることができるようにする。 - 特許庁
Further, the lens assembly 40 located above the imaging device 14 is depressed in two-dimensional directions by the two-dimensional direction pressing springs 50a to 50c, pressed into contact with and fixed to the projective origin alignment pattern 30.例文帳に追加
さらに、撮像素子14の上方に配置されたレンズアセンブリ40が2次元方向押圧バネ50a〜50cによって2次元方向に押圧されて、原点位置決めパターン30に当接して固定されている。 - 特許庁
An offset between alignment marks and an alignment pattern transferred to a photosensitive resist is measured in advance with respect to some 10 to 20 wafers to obtain a correlation between the thickness of an interlayer insulating film and a wafer scaling value.例文帳に追加
予め、10乃至20枚程度のウェハについて、アライメントマークと感光性レジストに転写されたアライメントパターンとの位置ずれ量を測定し、層間絶縁膜の厚さとウェハスケーリングの値との相関関係を求めておく。 - 特許庁
An alignment pattern 10 is substantially formed in parallel to the scanning direction of the rays of light to scan in exposure in one scribe line 6 positioned at the rightmost end of the exposure region 4 of a semiconductor wafer 1.例文帳に追加
半導体ウェハ1の露光領域4の最右端に位置する1本のスクライブライン6に、露光時に走査される光の走査方向に対して実質的に平行にアライメントパターン10が形成されている。 - 特許庁
To provide a micromirror array and a method of manufacturing the array in which processes of forming an alignment pattern and an alignment mark are extremely simple and a process of attaching a micromirror is extremely simple to greatly improve productivity.例文帳に追加
整列パターン及び整列マーク形成工程が非常に簡単であり、マイクロミラーを固定させる工程も非常に簡単であって生産性が大きく向上したマイクロミラーアレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an alignment pattern and its forming method in which a peak can be read out readily by detecting a level difference surely through scanning even when planarization is performed by CMP without requiring any extra process.例文帳に追加
新たな工程を付加することなく、CMPによる平坦化を行った場合でも、スキャンにより段差を確実に検出して容易にピークを読み取ることができる目合わせパターン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In a step for forming a laminate 18, an alignment pattern 14a that can be visually recognized through an area 24 exposing along two continuous peripheries 26a, 26b on the upper surface of the laminate 18 is formed as a conductor pattern.例文帳に追加
積層体18を形成する工程において、積層体18の上面の連続する二つの周辺26a,26bに沿って露出した領域24を介して視認されるアライメントパターン14aを導体パターンとして形成する。 - 特許庁
The transmitting portion is composed of such a material as transmitting observation light reflected from an alignment pattern formed on the substrate and from a mark region including peripheral substrates to enter observation equipment, and intercepting ions.例文帳に追加
透過部は、基板上に形成された位置合わせ用パターンおよびその周囲の基板を含むマーク領域により反射されて観測装置に入射する観測光を透過させ且つイオンを遮断する材質から構成される。 - 特許庁
To make alignable an optical system to an optical storage medium even without adding an alignment pattern to all pages of signal light, and thereby increase the storage capacity and improve the data transfer speed.例文帳に追加
信号光の全てのページに位置合わせ用パターンを付加しなくても、光学系と光記録媒体の位置合わせをすることができ、これによって記録容量の増加およびデータ転送速度の向上を図ることができるようにする。 - 特許庁
The fiber arrangement of this invention is made by imparting a tension to fiber bundles arrayed in accordance with a predetermined alignment pattern, and filling a space between fibers of the fiber bundles with a resin, thus fixing the fiber bundles to be formed into a fiber arrangement.例文帳に追加
目的の配列パターンに従って配列させた繊維束に張力を与え、該繊維束の繊維間に樹脂を充填して該繊維束を固定し繊維配列体とすることを特徴とする繊維配列体の製造方法。 - 特許庁
First, signal light 5 of P polarization for retaining data information according to space intensity distribution and including an alignment pattern is obtained, and a hologram is recorded into an optical storage medium 10 by reference light 6 of P polarization.例文帳に追加
最初に、P偏光の信号光5として、空間強度分布によりデータ情報を保持し、かつ位置合わせ用パターンを含むものを得て、P偏光の参照光6によって、光記録媒体10中に第1のホログラムを記録する。 - 特許庁
The above alignment pattern is structured of a line direction X with the protrusions 2 linearly arrayed at equal intervals, and a column direction Y with line units 4 consisting of a group of protrusions 2 aligned in a line direction in parallel with each other at equal intervals.例文帳に追加
上記配列パターンは、突起2が等しいピッチで直線状に並ぶ行方向Xと、行方向Xに並ぶ一群の突起2からなる行単位4が互いに平行に所定間隔で配置される列方向Yとにより構成されている。 - 特許庁
By combining CMP of high flatness in which patterning for making the area of an SiO_2 film uniform is unnecessary, and regulating the trench width and film thickness of an alignment pattern part for alignment of a semiconductor mask, the number of times of exposure processing is reduced to one.例文帳に追加
SiO_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングが不要な高平坦性のCMPと組み合わせることと、半導体マスクの位置合わせ用アライメントパターン部の溝幅と絶縁膜の膜厚を規定することで、露光工程の回数を1回に低減する。 - 特許庁
A plurality of pattern-like apertures 30A for depictions are formed in a film 30B of the stencil mask 30, and the film thickness of its alignment pattern 30E used for aligning it with the wafer is made smaller than the film thickness of its film 30B having the formed pattern-like apertures for depictions.例文帳に追加
膜部30Bに複数のパターン状の描画用開口30Aが形成されるとともに、ウエハとの位置合わせに使用するアライメントパターン部分30Eの膜厚を、パターン状の描画用開口が形成されている膜部30Bの膜厚より小とする。 - 特許庁
A pattern, in which the gravity position does not change even if deformations are generated due to the approximity effect of pattern and coarse density, is selected at pattern formation as an alignment pattern from the areas near to the target pattern, and its center of gravity position is set to the reference coordinates of alignment (S12).例文帳に追加
ターゲット・パターンの近傍領域の中から、パターンの形成時に、パターンの近接効果や疎密が原因で変形が生じても、重心位置が変化しないパターンをアライメント・パターンとして選択し、その重心位置をアライメント基準座標に設定する(S12)。 - 特許庁
In the alignment method of a semiconductor device utilizing aluminium interconnect lines 30 on the uppermost layer of a semiconductor substrate 10 as an alignment pattern for trimming, thickness of an antireflection film 30a on the surface of the aluminium interconnect lines 30 is set in the range of 200-400 Å.例文帳に追加
半導体基板10上の最上層のアルミニウム配線30をトリミング用のアライメントパターンとして利用する半導体装置のアライメント方法において、上記アルミニウム配線30の表面の反射防止膜30aの膜厚を200Å〜400Åとする。 - 特許庁
By forming recesses and projections for constituting a diffraction grating having a two-dimensional shape in either the body of the mark for forming an alignment pattern or the periphery of the mark, diffracted light from the diffraction grating and non-diffracted light are used to enhance light intensity contrast.例文帳に追加
アライメントパターンを形成するマーク本体部と、マーク周辺部のいずれかに、二次元的な形状を有する回折格子を構成する凹凸を設けることにより、回折格子からの回折光と、非回折光とを利用して、光強度コントラストを大きくすることができる。 - 特許庁
A notch 52 is provided to both the widthwise positions of a resistor 1 at which a trimming operation starts respectively, the notch at the one lengthwise end of the resistor is formed into an L-shaped pattern that also serves as an alignment pattern, and furthermore a reflecting layer 54 is formed below the resistor 1.例文帳に追加
抵抗体1の幅方向の両側であってトリミングの開始位置と対応する位置にそれぞれ切込み52を形成するとともに、長さ方向の一端の切込みをL字状のパターンとしてアライメントパターンを兼用するようにし、さらに抵抗体1の下側に反射層54を形成する。 - 特許庁
A resin sealing part 24 is provided on a circuit board 10 and a circumferential part of a rectangular imaging device 14 mounted on the circuit board 10 and a projective origin alignment pattern 30 is provided onto the resin sealing part 24 in the vicinity of the outside of one corner of the imaging device 14.例文帳に追加
回路基板10上に実装された四角状の撮像素子14の周縁部上及び回路基板10上に樹脂封止部24が設けられ、撮像素子14の1コーナー部の外側近傍の樹脂封止部24上に凸状の原点位置決めパターン30が設けられている。 - 特許庁
Also, in the alignment apparatus, there is provided a photographing means for photographing the alignment marks provided in the wafer, and such a filter is provided in the optical path of the photographing means that it has a transmittance not smaller than a predetermined value in the wavelength wherein the transmittance of the spectral transmittance characteristic of the alignment pattern has a local-maximum value.例文帳に追加
また、アライメント装置において、ウエハに設けられた位置合わせ用のマークを撮像する撮像手段を備え、この撮像手段の光路中にフィルタを配置し、このフィルタをアライメントパターン部分の分光透過率特性における透過率の極大値となる波長において所定値以上の透過率を有するものとする。 - 特許庁
An alignment mark is constituted of at least two or more different light shielding films on a photomask consisting of a transparent substrate and the light shielding films, an alignment pattern is formed on one light shielding film layer out of the two or more light shielding films, and exposed light is shielded by the alignment mark part.例文帳に追加
透明基板および遮光膜からなるフォトマスクにおいて、少なくともアラメントマーク部が2層以上の異なる遮光膜から構成され、前記アライメントマーク部の2層以上の遮光膜の1層にアライメントパターンが形成されており、前記アライメントマーク部は露光光を遮光することを特徴とする。 - 特許庁
Each patch is constituted of a plurality of lines formed by putting line images Bk in black being a reference color and line images C in a color other than the reference color, for example, cyan, one over the other, and an alignment pattern Pm is constituted by continuously forming patches of which the relative positional relations between line images in two colors are shifted from one another by an arbitrary amount.例文帳に追加
位置合わせパターンPmは、基準色である黒のライン像Bkと該基準色以外の色、例えばシアンのライン像Cとを重ねて形成された複数ラインを1つのパッチとし、2色のライン像の相対的位置関係を任意量ずつずらしたパッチを連続的に形成して構成されている。 - 特許庁
In this state, data information is retained according to the space intensity distribution as the signal light 5 of P polarization, one without including the alignment pattern is obtained, and a second hologram is recorded by making multiplex the second hologram onto the first hologram in a region where the first hologram of the optical storage medium 10 is recorded by the reference light 6 of S polarization.例文帳に追加
この状態で、P偏光の信号光5として、空間強度分布によりデータ情報を保持し、かつ位置合わせ用パターンを含まないものを得て、S偏光の参照光6によって、光記録媒体10の第1のホログラムが記録されている領域中に第1のホログラムに多重させて第2のホログラムを記録する。 - 特許庁
In adjacent light-emitting units 160, each color element 92 of the light-emitting element 90, and a frequency 170 of a vibration added for formation of the ruggedness on the interface of a hole transport layer 54 are arranged in a given alignment pattern so that frequencies 170 of the vibration given at least one or more color elements of the same color are to be different.例文帳に追加
隣接する発光単位160において、少なくとも1つ以上の同一色の色要素92に与える振動の周波数170を異なるようにすべく、発光層90の各色要素92と、正孔輸送層54の界面に凸凹を形成すべく付加する振動の周波数170とを所定の配置パターンに従い配置する。 - 特許庁
The alignment pattern used for patterning wiring of an aluminum film 15 comprises a planar shape of an inclining face formed between the upper edge of an alignment hole 12 opened in a BPSG film 20 on a silicon substrate 18, and the surface of a tungsten plug 14 filling the alignment hole 12 wherein the alignment hole 12 is formed deeper than the thickness of the BPSG film 20.例文帳に追加
シリコン基板18上のBPSG膜20に開けられた目合わせ用ホール12の上端エッジと、目合わせ用ホール12に埋設されたタングステンプラグ14表面との間に形成される傾斜面の平面形状からなり、アルミニウム膜15の配線パターニングに用いられる目合わせパターンであって、目合わせ用ホール12の深さを、BPSG膜20の膜厚より深く形成した。 - 特許庁
Then, the signal light 5 is broken, reading light 6 of S polarization is applied to the optical storage medium 10, the first hologram is reproduced as diffraction light 8 of S polarization, its intensity is detected by a photo detector 53s, and the recording/reproducing head 20 is aligned to the optical storage medium 10 based on the detection signal of the alignment pattern included in the first hologram.例文帳に追加
次に、信号光5は遮断し、S偏光の読み出し光6を光記録媒体10に照射して、第1のホログラムをS偏光の回折光8として再生し、その強度を光検出器53sにより検出して、第1のホログラムに含まれている位置合わせ用パターンの検出信号に基づいて、記録再生ヘッド20と光記録媒体10の位置合わせをする。 - 特許庁
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