「"secondary-electron image"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the image acquisition section 114, the secondary electron intensity is subjected to brightness modulation for obtaining a secondary electron image.例文帳に追加

画像取得部１１４では、二次電子強度を輝度変調して二次電子画像を得る。 - 特許庁

To determine a coordinate position of a pixel without positional deviation in a secondary electron image.例文帳に追加

二次電子イメージにおいてピクセルの座標位置を位置ずれすることなく求める。 - 特許庁

To provide a high-sensitive X-ray detector capable of suppressing movement of a secondary electron image and distortion of the secondary electron image caused by astigmatism or the like even if bringing the detector close to a sample inside an electron microscope.例文帳に追加

電子顕微鏡内の試料に近接させても２次電子像の移動および非点収差等による２次電子像の歪みの低い，高感度なＸ線検出器を提供する。 - 特許庁

Secondary electrons are more generated at the edge 15 than at the other region, so that the secondary electron image of the edge 15 becomes brighter on a CRT, and the electron-beam exposure system is focused on the pattern of the reticle 10 at a position where the secondary electron image of the edge 15 becomes brightest.例文帳に追加

エッジ１５での二次電子の発生効率が高いため、エッジの部分の二次電子像がＣＲＴ上で明るく見え、エッジ１５の二次電子像が最も鮮明に見える位置でパターンのフォーカスも合うことになる。 - 特許庁

When a secondary electron image of a position recognition pattern 16 is not displayed with a first magnification, a secondary electron image is displayed with a second magnification lower than the first magnification while registered position recognition pattern data 17 are converted with the second magnification, and the secondary electron image with the second magnification is compared with the pattern data 17 obtained by the conversion, thereby recognizing the position of the recognition pattern 16.例文帳に追加

第１の倍率で位置認識パターン１６の二次電子画像が表示されないとき、第１の倍率より低い第２の倍率で二次電子画像を表示するとともに、登録された位置認識パターンデータ１７を第２の倍率に変換し、第２の倍率の二次電子画像と変換した位置認識パターンデータ１７とを比較することによって位置認識パターン１６の位置を認識する。 - 特許庁

To realize a scanning electron microscope, in which secondary electrons can be detected even under a low vacuum, and an observation of a secondary electron image can be performed.例文帳に追加

低真空下でも２次電子を検出でき、２次電子像の観察を行うことができる走査電子顕微鏡を実現する。 - 特許庁

The extracted and transformed pattern of alignment is made to conform with the pattern 6 of the secondary electron image or secondary ion image.例文帳に追加

上記の抽出・変換した位置合わせパターンを二次電子像または二次イオン像の該当するパターン6に合わせ込む。 - 特許庁

To eliminate a color fading phenomenon and enable simultaneous observation with a secondary electron image in the observation of a cathode luminescence image of a living thing sample.例文帳に追加

生物試料のカソードルミネッセンス像観察において褪色現象を無くし、２次電子像との同時観察を可能とする。 - 特許庁

The secondary electrons from the sample 4 are detected and converted into an electric signal by a secondary electron detector 5, and displayed on a secondary electron image display means 8.例文帳に追加

試料４からの２次電子は２次電子検出器５により検出され電気信号に変換されて、２次電子像表示手段８に表示される。 - 特許庁

An electron-beam exposure system is focused while the stepped pattern 11 is irradiated with a drawing electron beam and the secondary-electron image of the edge 15 is observed.例文帳に追加

電子線描画のフォーカス合わせを、段差状パターン１１に描画電子ビームを当ててエッジ１５の二次電子像を観察しながら行う。 - 特許庁

Hereby, the secondary electron image and the X-ray spectrum in the measuring range can be acquired together, when first-time scanning is finished.例文帳に追加

これにより、１回の走査が終了した時点で、測定範囲の二次電子画像とＸ線スペクトルとを共に得ることができる。 - 特許庁

The surface potential Vs of the photoreceptor sample S is measured by discriminating a boundary (|Vacc|=|Vs|) between a secondary electron image and an inverted electron image.例文帳に追加

２次電子像と反転電子像の境界（｜Ｖａｃｃ｜＝｜Ｖｓ｜）を識別することにより感光体試料Ｓの表面電位Ｖｓを計測する。 - 特許庁

To provide an adjusting method for a clear secondary electron image by optimizing the focal point control and astigmatism control more quickly.例文帳に追加

より速く焦点制御値及び非点収差制御値を最適化し、明瞭な二次電子像に調整する方法を提供する。 - 特許庁

By the constitution, the energy of the charged particle can be distinguished according to a contrast when observing the conductor 101 by a secondary electron image.例文帳に追加

導体１０１を二次電子像で観察したときのコントラストによって荷電粒子のエネルギーを判別することが可能である。 - 特許庁

The kind of the defect is determined based on the acquired secondary electron image to display a wafer 18 in-plane distribution.例文帳に追加

取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ１８面内分布を表示する。 - 特許庁

To provide an apparatus of producing a work function image that can convert and produce the work function image on the basis of secondary electron image.例文帳に追加

二次電子像に基づいて仕事関数像を容易に変換生成できるようにした仕事関数像生成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for inspecting defects capable of inspecting defects with high accuracy, by acquiring a secondary electron image with the noise components suppressed, and to provide a device for the method.例文帳に追加

ノイズ成分を抑制した２次電子画像を得て、高精度の欠陥検査を可能とする欠陥検査方法ないし欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

The next focal point control and astigmatism control are obtained and set to make the secondary electron image clear based on the flow, direction and articulation of the secondary electron image by referring to the result 5.例文帳に追加

その結果５を参照し、二次電子像の流れと方向及び明瞭度に基づいてより二次電子像を明瞭なものにするような次の焦点制御値及び非点収差制御値に変更し、焦点制御値及び非点収差制御値を設定する。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope capable of preventing charge-up and contamination in the midst of observation without executing special preprocessing and stably obtaining a secondary electron image.例文帳に追加

特別な前処理をすることなく観察中のチャージアップや汚染を防ぐことができ、安定して２次電子像が得られる走査電子顕微鏡を提供する。 - 特許庁

To provide a TTL-mode scanning electron microscope capable of giving high resolution to a secondary electron image and effectively providing a reflected electron image with good contrast.例文帳に追加

二次電子像での高分解能化が可能であり、かつＴＴＬ方式の走査型電子顕微鏡にてコントラストの良い反射電子像を効果的に得ることが課題である。 - 特許庁

When a sample 5 processed by an FIB apparatus is inserted into a body tube of the electron microscope, the microscope is automatically set into a scanning secondary electron image acquisition mode.例文帳に追加

ＦＩＢ装置で加工された試料５は、電子顕微鏡鏡筒内に挿入されると、装置は走査２次電子像取得モードに自動的に設定される。 - 特許庁

By the above mechanism, a processing by using an ion beam, and observation of secondary electron image in optional direction through an electron microscope are made possible without taking out a fine piece of sample from the sample stand.例文帳に追加

このような構成によれば、微小試料片を試料台から取り外すことなく、イオンビームによる加工および任意の方向からの二次電子像および電子顕微鏡観察が可能となる。 - 特許庁

A secondary image is acquired 2 based on the set focal point and astigmatism control 1, and the flow, direction and articulation of the secondary electron image are evaluated 4 for the data 3.例文帳に追加

設定した焦点及び非点収差制御値１により二次電子像取得２を行い、そのデータ３に対し、二次電子像の流れと方向及び明瞭度を評価する操作４を行う。 - 特許庁

To provide a highly sensitive X-ray detector prevented from generating distortion of a secondary electron image caused by an astigmatism and the like, even when getting close to a sample inside an electron microscope.例文帳に追加

電子顕微鏡内の試料に近接させても非点収差等による２次電子像の歪みを起こさない高感度なＸ線検出器を提供することである。 - 特許庁

This secondary electron image observation device 10 is provided with an irradiation system 15 having a structure for observing a sample while scanning it with an electron microscope and capable of irradiating the sample with at least either of an ultraviolet ray and an X-ray.例文帳に追加

試料に対して電子顕微鏡を走査しながら観察を行う構成を有し、紫外光、Ｘ線の、少なくともいずれかを照射可能な、照射系１５を具備している二次電子像観察装置１０を提供する。 - 特許庁

The insulator inside this assembly is arranged completely out of the route of the secondary electron so as to avoid generation of arc that will give a bad influence on the FIB secondary electron image forming.例文帳に追加

また、この組立体の中の絶縁体を、ＦＩＢ二次電子画像形成に悪影響を及ぼすアークの発生を避けるように、二次電子の経路から完全に外して配置する。 - 特許庁

The number of the secondary electrons that pass through the second electrode 20 is sufficient to obtain the secondary electron image, and the damage received by the fluorescent face 4 is small even though such number of secondary electrons are incident thereon.例文帳に追加

この第２電極２０を通過する２次電子の量は、２次電子像を得るのに十分な量であり、このような２次電子が蛍光面４に入射しても、蛍光面の受けるダメージは少ない。 - 特許庁

The signals stored in the image memory 10 are read out and supplied to a cathode-ray tube 12 via an analog-to-digital converter 11, thereby a scanning secondary electron image of the sample 4 is displayed on the cathode-ray tube 12.例文帳に追加

画像メモリー１０に記憶された信号は読み出され、ＡＤ変換器１１を介して陰極線管１２に供給されることから、陰極線管１２上には試料の走査２次電子像が表示される。 - 特許庁

The apparatus for analysis of the semiconductor device includes a function of irradiating a charged particle beam on a sample and displaying a secondary electron image according to a detected secondary electron intensity.例文帳に追加

半導体装置の解析装置は、荷電粒子ビームを試料に照射し、検出した２次電子強度に応じた２次電子像を表示する機能を備える。 - 特許庁

In the pattern inspection method, the circuit pattern is partitioned using the brightness of a reflected electron image to correlate an area in the reflected electron image belonging to each partition with an area in a secondary electron image.例文帳に追加

パターン検査方法は、反射電子像の輝度を用いて回路パターンを区分し、各区分に属する反射電子像内の領域と、２次電子像内の領域とを対応付ける。 - 特許庁

Moreover, it is desirable that at least ten particulate compounds 15 are observed in 20 μm length and 24 μm breadth observation visual field in a secondary electron image observation of the surface of the sintered compact.例文帳に追加

また、前記焼結体の表面の２次電子像観察において、縦２０μｍ×横２４μｍの観察視野内に、１０ヶ以上の粒状の化合物１５が観察されることが好ましい。 - 特許庁

Although the comparison of pattern is usually effected employing a secondary electron image, the profile of pattern is extracted employing a reflective electron image which is said that it is suitable for the observation and inspection of the solid form of the pattern.例文帳に追加

パターン比較は通常２次電子像を用いて行うが、パターンの立体形状の観察及び検査に適すると言われている反射電子像を用いて、パターンの輪郭を抽出する。 - 特許庁

The display control means 11 generates an image signal for each of the picture elements according to a predetermined rule, and displays a secondary electron image of a sample on a display means 15.例文帳に追加

表示制御手段１１は、予め決められた規則にしたがって各画素における像信号を作成し、試料の２次電子像を表示手段１５に表示させる。 - 特許庁

The secondary electron image appears gradually following progression of scanning, and the intensity of the X-ray spectrum is enhanced gradually, and thereby both images are displayed in real time in the same window on a screen of a display part 25.例文帳に追加

走査の進行に伴って徐々に二次電子画像が現れ、徐々にＸ線スペクトル強度が上昇するから、表示部２５の画面上で同一ウインドウ内に両者をリアルタイムで表示する。 - 特許庁

To make it possible to easily match a rate of enlargement of a secondary electron image and focusing conditions in the case where multi-beams are used in an electron beam system for detecting an image on the surface of a sample.例文帳に追加

試料表面の画像を検出する電子線装置において、マルチビームを用いる場合の二次電子像の拡大率及び合焦条件を容易に合わせることを可能にする。 - 特許庁

To provide a device which automates a means that adjusts the light ness and contrast of a display device, when an acquired secondary electron image is displayed on the display device for improving the efficiency and speed of failure analysis, etc., using an electron beam tester.例文帳に追加

電子ビームテスタを用いた不良解析等を効率化、高速化するため、２次電子像の取得においてディスプレイ装置における明度・コントラストを調整する手段を自動化する装置を提供する。 - 特許庁

Noise characteristics of the secondary electron image which is caused by an image detection system is determined and optimal parameters for image processing are decided based on the noise characteristics according to the object to be tested.例文帳に追加

画像検出系に起因した２次電子画像のノイズ特性を求め、この特性をもとに被検査対象に応じて最適な画像処理パラメタを決定する。 - 特許庁

To increase response speeds of an electric current signal, and improve yield of an ion electric current in a gas amplifying method ion electric current detection type SEM in which a secondary electron image can be obtained even in a low vacuum condition by utilizing an electron avalanche by a residual gas in a sample room.例文帳に追加

試料室内の残留ガスによる電子なだれを利用することで、低真空条件でも二次電子像を取得できるガス増幅式イオン電流検出型SEMにおいて、電流信号の応答速度の高速化およびイオン電流の収量の向上を図る。 - 特許庁

To further improve response speed by shortening a drift hour of ions, to raise efficiency in gas amplification caused by an electron avalanche, to improve the efficiency of ion detection, and to improve the image quality of a low-vaccum secondary electron image.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題は、イオンのドリフト時間の短縮による更なる応答速度の向上、電子なだれによるガス増幅の高効率化とイオン検出効率の向上、および低真空二次電子像の像質改善である。 - 特許庁

To provide a stereoscopic shape measuring method by a scanning electron microscope (SEM) and its device capable of highly-accurate stereoscopic shape measurement even in the case of a flat surface or a nearly vertical surface, by utilizing tilt angle dependency of a secondary electron image signal quantity.例文帳に追加

ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

To enable high-speed, stable, and accurate inspection of circuit pattern having insulating materials in a method for inspection by detecting a defect, contamination, residue, or the like appearing on the circuit pattern of a semiconductor-device wafer, by radiating an electron beam onto the wafer and comparing the secondary electron image with a reference image.例文帳に追加

半導体装置等基板上で発生した回路パターンの欠陥、異物、残渣等を電子線をウエハに入射して二次電子像を比較することにより検査する方法において、絶縁材料を有する回路パターンを高速に且つ安定して高精度に検査可能とする。 - 特許庁

The region on the sample 4 that should be observed is scanned two-dimensionally with an electron beam from an electron gun 1, and a secondary electron image in the observation is displayed in a display device 34 by a signal based on a secondary electron from the observation region inspected at a secondary electron inspection device 31 by this scanning.例文帳に追加

電子銃１からの電子ビームで試料４上の観察すべき領域を二次元的に走査し、この走査により二次電子検出器３１で検出された観察領域からの二次電子に基づく信号により表示装置３４に観察領域の二次電子像を表示させる。 - 特許庁

A correction similar to the correction of irradiated region with respect to the pattern matching processing from the usual secondary ion image or secondary electron image of the ion beam defect correcting device is performed and a defect region 3b which is extracted by the AFM and is subjected to fine adjustment by the conformation of the pattern for alignment is corrected by ion beams 8.例文帳に追加

イオンビーム欠陥修正装置の通常の二次イオン像もしくは二次電子像からのパターンマッチング加工に対する照射領域の補正と同様な補正を行い、AFMで抽出し、位置合わせ用のパターンの合わせ込みで微調整された欠陥領域3bをイオンビーム8で修正する。 - 特許庁

The optical axis direction position of the sample face is detected on the basis of the deflection voltage ratio of the deflection systems 19, 20 when the left and right of a secondary electron image of the marker obtained while a primary electron beam is deflected by the electrostatic deflection systems 19, 20 to scan on the marker 18, are just reversed, or the magnification substantially becomes infinite.例文帳に追加

静電偏向器１９及び２０により一次電子線を偏向してマーカ１８上を走査する間に得られた該マーカの二次電子画像の左右が丁度反転するとき又はその倍率が実質的に∞になるときの偏向器１９及び２０の偏向電圧比に基づいて、試料面の光軸方向の位置を検出する。 - 特許庁

Thereafter, thickness or resistance value of the unwanted film remaining at the bottom surface of the contact hole of the test object is estimated by measuring potential contrast of the secondary electron image of the test object, by radiating the electron beam to the contact hole as the test object, and then comparing the potential contrast of the standard sample 1 for test with potential contrast of the test object.例文帳に追加

その後、被検査対象のコンタクトホールへ電子線を照射して被検査対象の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料１の電位コントラストと被検査対象の電位コントラストとを比較することにより、被検査対象のコンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を推定する。 - 特許庁