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こつずいいけいせいしょうこうぐんの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 17



例文

重水素減少水(スーパーライトウォーター)の生理食塩水による再生不良性貧血(骨髄異形成症候群)の治療方法例文帳に追加

THERAPY FOR APLASTIC ANEMIA (MYELODYSPLASTIC SYNDROME) WITH PHYSIOLOGICAL SALINE SOLUTION OF DEUTERIUM-REDUCED WATER (SUPER LIGHT WATER) - 特許庁

重水素減少水(スーパーライトウォーター)による再生不良性貧血(骨髄異形成症候群)の治療方法例文帳に追加

THERAPY FOR APLASTIC ANEMIA (MYELODYSPLASTIC SYNDROME) WITH DEUTERIUM-REDUCED WATER (SUPER LIGHT WATER) - 特許庁

1)定盤、第一昇降ピン及び第二昇降ピン、排気パイプで構成されるステージ11、2)減圧チャンバーを形成する減圧カバー12、3)基板上に塗布液を塗布するスリットノズル13を具備すること。例文帳に追加

This slit coater possesses (1) a stage 11 composed of a surface plate, a 1st elevating pin, a 2nd elevating pin and an exhausting pipe, (2) a pressure reducing cover 12 for forming a pressure reducing chamber and (3) a slit nozzle 13 for applying the coating liquid to a base material. - 特許庁

タイヤTを昇降治具4に取付け、透明平板1上に黄色乃至橙色の染料を含む有色水膜2を形成する。例文帳に追加

A tire T is mounted to a lifting jig 4, and a colored water film 2 containing yellow to orange colored dye on a transparent flat plate 1. - 特許庁

例文

負磁歪材料1は、負の磁歪を示すMg_2Cu型結晶構造を持つ希土類合金の熱間押出成形材1aを具備し、この熱間押出成形材1aには押出方向に異方性が付与されている。例文帳に追加

The negative magnetostrictive material 1 comprises a hot extrusion forming member 1a composed of the rare-earth alloy having a Mg_2Cu-type crystal structure which manifests negative magnetostrictive characteristics, and in the hot extrusion forming member 1a, anisotropy is added in the extruding direction. - 特許庁


例文

回折光学面を用いることにより、色収差を良好に補正し、1群1枚の最小構成のレンズ系であって、広帯域光でかつ、広画角の物体を撮影するために最適な撮像レンズを提供する。例文帳に追加

To provide an imaging lens which can excellently correct chromatic aberration by using a diffraction optical surface, a lens system having a minimum one-group one-lens configuration, has broadband light and a wide angle of view, and is suitable for photographing an object. - 特許庁

神経因性、炎症性、および他の痛覚過敏の症候群において疼痛認知を制御するのに十分に強力であり、重大な副作用を有さず、または患者を中毒にしない鎮痛剤を提供する。例文帳に追加

To provide an anodyne which is strong enough to control anodyne cognition in neuropathic, inflammatory and other hyperalgesic syndromes, does not have any significant side effect, or does not make a patient addictive. - 特許庁

第1加熱ヒータ35は高周波コイルを備えた誘導加熱式の加熱手段であり、成形サイクルに応じて設定温度を昇降させることにより、成形材料3の射出後にノズル先端部32内にコールドプラグが形成される。例文帳に追加

The first heater 35 is an induction heating type heating means provided with a high frequency coil and a cold plug is formed in the nozzle apex part 32 after a molding material 3 is injected by elevating/lowering the set temperature in accordance with the molding cycle. - 特許庁

従来白血病との差別化が困難であったために最適な治療が難しかった骨髄異形成症候群(MDS)を分子的に検出すると共に、新規な治療剤を提供する。例文帳に追加

To molecularly detect a myelodysplastic syndrome(MDS) conventionally having hardness of an optimum treatment due to difficulty in differentiation from leukemia and to obtain a new therapeutic agent. - 特許庁

例文

昇降治具4を降下させて透明平板1に所定圧で押圧させたタイヤTと、有色水膜2を形成させた透明平板1と、を相対的に水平移動させる。例文帳に追加

The tire T pressed against the transparent flat plate 1 at predetermined pressure by descending the lifting jig 4 and the transparent flat plate 1 formed with the colored water film 2 are relatively moved to each other in the horizontal direction. - 特許庁

例文

上下対称構造を有するリングゲートパターン122の穴中に一定距離離隔して補助パターン124を追加することによって、隣り合うパターン間で生じるレンズ収差によるCDが一致しなければならない1対の上下対称構造を有するリングゲートパターン間の臨界寸法変化を減らし、微細化パターンを正確に形成することができる。例文帳に追加

By adding the subsidiary pattern in the hole as separated by a designated distance from the ring gate pattern 122 having a vertical symmetric structure, variation of critical dimensions (CD) in a pair of ring gate patterns having a vertical symmetric structure is reduced, where CD due to lens aberration between adjacent patterns must be the same, and a fine pattern is precisely formed. - 特許庁

従って、本発明疼痛疾患治療剤は、例えば、三叉神経痛、帯状疱疹後神経痛、絞扼性神経障害、複合性局所痛症候群、糖尿病性ニューロパチー、外傷による神経障害、幻肢痛、脊髄損傷後や脳卒中後の中枢痛、並びに薬物療法や放射線療法によるニューロパチー等の神経因性疼痛疾患等の非炎症性疼痛疾患を治療するための薬剤として有用である。例文帳に追加

Therefore, this curative agent is useful for treating non-inflammatory pain diseases including neurogenic pain diseases such as trigeminal neuralgia, postherpetic neuralgia, entrapment neuropathy, complex local pain syndrome, diabetic neuropathy, neuropathy responsible for externally caused injury, phantom limb pain, central pain after spinal cord injury or stroke, and neuropathy responsible for drug therapeutics or radiotherapy. - 特許庁

重水素減少水(スーパーライトウォーター)と海洋深層水を混合した飲用水(海洋深層超軽水)を使用してガン、再生不良性貧血、糖尿病、白血病、重症急性呼吸器症候群(Severe Acute Respiratory Syndrome=SARS)等の治療、予防および免疫力の強化、睡眠不足の解消、時差ぼけ、NK細胞を増強することによる皮膚の若返り、アンチエイジングを行う。例文帳に追加

Drinking water (superlight deep seawater) produced by mixing deuterium-decreased water (superlight water) and deep seawater is used for the treatment and prevention of cancers, hypoplastic anemia, diabetes, leukemia and severe acute respiratory syndrome (SARS), the enhancement of immunological competence, the treatment of sleep deficit and jet lag, and the rejuvenescence and anti-aging of the skin by strengthening NK cell. - 特許庁

もちろん商工ローンに関係されていたところは苦しい立場になりますけれども、それに関しては、政府系金融機関の貸出、あるいは政府の保証制度を是非活用していただきたいと思うし、また、市町村の窓口、東京都庁の窓口等にそういう方々はご相談に行くということがまず第一にやっていただきたいことだと思っています。例文帳に追加

Of course, companies involved inshokoloans will face difficulties. However, I hope that such companies will utilize loans by government financial institutions and the government guarantee scheme. Also, what I hope they will do first is make use of the consultation services at the municipal and Tokyo Metropolitan government levels.  - 金融庁

負のバイアス電圧をフロントパネル20に印加しつつ、プラズマCVD法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち1種類以上よりなる保護層242を作製し、当該保護層242の結晶構造中に2個の自由電子がトラップされた酸素欠陥(F中心)を形成する。例文帳に追加

A protective layer 242 comprising at least one of magnesium oxide, aluminum oxide, and spinel is produced by a method selected from among a plasma CVD method, a sputtering method, and an ion plating method while applying a negative bias voltage to a front panel 20, and in a crystal structure of the protective layer 242, oxygen defectives (F-centers) where two free electrons are trapped are formed. - 特許庁

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor. - 特許庁

例文

第十条 意匠登録出願人は、自己の意匠登録出願に係る意匠又は自己の登録意匠のうちから選択した一の意匠(以下「本意匠」という。)に類似する意匠(以下「関連意匠」という。)については、当該関連意匠の意匠登録出願の日(第十五条において準用する特許法(昭和三十四年法律第百二十一号)第四十三条第一項又は第四十三条の二第一項若しくは第二項の規定による優先権の主張を伴う意匠登録出願にあつては、最初の出願若しくは千九百年十二月十四日にブラッセルで、千九百十一年六月二日にワシントンで、千九百二十五年十一月六日にヘーグで、千九百三十四年六月二日にロンドンで、千九百五十八年十月三十一日にリスボンで及び千九百六十七年七月十四日にストックホルムで改正された工業所有権の保護に関する千八百八十三年三月二十日のパリ条約第四条C(4)の規定により最初の出願とみなされた出願又は同条A(2)の規定により最初の出願と認められた出願の日。以下この項において同じ。)がその本意匠の意匠登録出願の日以後であつて、第二十条第三項の規定によりその本意匠の意匠登録出願が掲載された意匠公報(同条第四項の規定により同条第三項第四号に掲げる事項が掲載されたものを除く。)の発行の日前である場合に限り、第九条第一項又は第二項の規定にかかわらず、意匠登録を受けることができる。例文帳に追加

Article 10 (1) Notwithstanding Article 9(1) or (2), an applicant for design registration may obtain design registration of a design that is similar to another design selected from the applicant's own designs either for which an application for design registration has been filed or for which design registration has been granted (hereinafter the selected design is referred to as the "Principal Design" and a design similar to it is referred to as a "Related Design"), if the filing date of the application for design registration of the Related Design (or when the application for design registration of the Related Design contains a priority claim under Article 43(1), 43-2(1) or 43-2(2) of the Patent Act (Act No. 121 of 1959) as applied mutatis mutandis under Article 15 of this Act, the filing date of the earliest application, the filing date of an application that is deemed to be the earliest application under Article 4.C(4) of the Paris Convention for the Protection of Industrial Property of March 20, 1883, as revised at Brussels on December 14, 1900, at Washington on June 2, 1911, at Hague on November 6, 1925, at London on June 2, 1934, at Lisbon on October 31, 1958, and at Stockholm on July 14, 1967, or the filing date of an application that is recognized as the earliest application under Article 4.(A)2 of the Paris Convention, hereinafter the same shall apply in this paragraph) is on or after the filing date of the application for design registration of the Principal Design and before the date when the design bulletin in which the application for design registration of the Principal Design is published under Article 20(3) (except for a design bulletin in which the matters listed in Article 20(3)(iv) were published under Article 20(4)) is issued.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
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