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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ふていひせいに関連した英語例文

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ふていひせいの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3240



例文

薬液塗布二次原反ロールユニット及び薬液塗布ティシュペーパー製品の製造方法例文帳に追加

CHEMICAL APPLICATION SECONDARY ORIGINAL FABRIC ROLL UNIT AND METHOD FOR MANUFACTURING CHEMICAL APPLICATION TISSUE PAPER PRODUCT - 特許庁

保護膜用熱硬化性組成物、硬化物、TFTアクティブマトリックス基板、及び液晶表示装置例文帳に追加

HEAT CURABLE COMPOSITION FOR PROTECTIVE FILM, CURED PRODUCT, TFT ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE - 特許庁

低いMFTを有し、優れた凍結−融解安定性をもち、低温成膜性に優れ、且つ耐温水白化性、光沢、耐候性、耐雨筋汚染性等に優れた塗膜を形成し得る水性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To obtain an aqueous resin composition that has a low minimum film-forming temperature, excellent freezing-melting stability and an excellent low-temperature film-forming property and forms a film having excellent warm water-whitening resistance, luster, weather resistance, rain streak stain resistance, etc. - 特許庁

軽油燃料として使用できる程度に腐食性の低いFT軽油ベースの軽油燃料組成物用基材と、FT軽油をベースとしながら腐食性の低い軽油燃料組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a FT (Fischer-Tropsch) light oil-based light oil fuel composition base material which has sufficiently low corrosivity so as to be usable as light oil fuel, and a light oil fuel composition which has low corrosivity while it is based on FT light oil. - 特許庁

例文

すなわち、支持バネ11の変位の低周波成分を制御目標量F_Tとし、この低周波成分をゼロに近づけるように制御する。例文帳に追加

That is, the low-frequency component of the displacement of the support spring 11 is set as a control target amount F_T, and the low-frequency component is controlled so as to approximate zero. - 特許庁


例文

デジタルデータにより駆動TFT2−1〜2−3のオンオフを制御して、有機EL素子EL1〜3のオンオフを制御して、輝度制御を行う。例文帳に追加

Moreover, luminance control is performed by controlling ON/OFF of organic EL elements EL1 to 3 while controlling ON/OFF of diving TFT 2-1 to 2-3 with digital data. - 特許庁

電子部品を形成する際、水溶性ポリマー層を水等で除去して露出したガラス面にTFT等の電子部品を形成する。例文帳に追加

In forming the electronic component, the electronic component such as a TFT (thin film transistor) is formed on the glass surface exposed by eliminating the water-soluble layer with water or the like. - 特許庁

光リーク電流を抑制した高い耐光性を有するTFTを、製造工程を簡素化することにより低コストで実現する。例文帳に追加

To obtain a TFT with high light resistance in which an optical leak current is restrained at low cost by simplifying manufacturing processes. - 特許庁

適切なと畜日以前に生産されるすべての製品は、不適格な製品と考えられ、対日輸出適格とはならない。例文帳に追加

All product produced prior to the appropriate harvest date will be considered nonconforming product and will not be eligible to be exported to Japan. - 厚生労働省

例文

その後、均一性の良いPoly−Si膜上にTFTを、表面積の大きなPoly−Si膜上に容量をそれぞれ作製する。例文帳に追加

After that, a TFT and capacity are created on the Poly-Si film with superior uniformity and the Poly-Si film with large surface area, respectively. - 特許庁

例文

更年期及び成熟期不定愁訴症候群の予防又は治療を目的とする食品または医薬品例文帳に追加

FOOD OR MEDICINE PURPOSING PREVENTION OR TREATMENT OF UNIDENTIFIED CLINICAL SYNDROME IN MENOPAUSE AND MATURATION PERIOD - 特許庁

TFT基板及びその製造方法、これを用いた表示装置、並びに層間絶縁膜の評価方法例文帳に追加

TFT SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE USING IT AND EVALUATION METHOD OF INTERLAYER INSULATION FILM - 特許庁

光ディスクに記録された映像音声データを再生する際に、ユーザが不適切とする台詞の再生出力を制限することができるようにする。例文帳に追加

To permit a user to restrict reproducing/outputting of improper words when video audio data recorded in an optical disk is reproduced. - 特許庁

清掃部材表面に球形粒子および不定形粒子を含有突出させ、研磨性と円滑性を兼ね備えた清掃を行う。例文帳に追加

Spherical particles and undefined particles contained are made to project over the surface of the cleaning member, consequently, cleaning with a polishing performance and smoothness is achieved. - 特許庁

そして、TFT4、5を介してデータ線DLからの電流をカレントミラー回路を構成するL−TFT及びD−TFTに供給し、L−TFT及びD−TFTのゲート−ソース間電圧として容量Cに保持する。例文帳に追加

A current from a data line DL is supplied to transistors L-TFT and D-TFT forming a current mirror circuit through TFT4 and TFT5, and a voltage between gate and source terminals of L-TFT and D-TFT is retained in a capacitor C. - 特許庁

高いgm(高いオン電流)を発揮し、比較的簡素な構成でSi−MOSFETに匹敵する特性を有するTFTを実現する。例文帳に追加

To realize a TFT which shows a large gm (large ON-current) and has characteristics comparable to those of Si-MOSFET with its relatively simple constitution. - 特許庁

光センサ部(150)は、赤外光を検出可能な受光素子(192)、蓄積容量(152)、リセットTFT(163)、信号増幅用TFT(154)、及び出力制御用TFT(155)を備えて構成されている。例文帳に追加

An optical sensor section (150) comprises a photodetector (192) capable of detecting IR light, a storage capacitance (152), a reset TFT (163), a TFT (154) for signal amplification, and a TFT (155) for output control. - 特許庁

OFDM変調部A2,B2はクロック生成部A3,B3からのIFFTサンプリングクロックCK−A,CK−Bに基づいてIFFTを施してOFDM変調信号を生成する。例文帳に追加

The OFDM modulation parts A2, B2 respectively generate OFDM modulation signals to which IFFT is applied on the basis of IFFT sampling clocks CK-A, CK-B outputted from respective clock generation parts A3, B3. - 特許庁

1つの表記についての表記バリエーションを生成する際、不適切な表記バリエーションの生成を抑制した異表記展開方法を提供する。例文帳に追加

To provide a different notation development method for restraining generation of an improper notation variation, when generating a notation variation on one notation. - 特許庁

ランドとグルーブの比がどのような場合にでも、OFTRK信号を生成することのできるオフトラック信号生成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an off-track signal producing device which produces an OFTRK signal even when a ratio of a land to a groove is any. - 特許庁

比較的低温の焼成温度でTFT素子上に低誘電率の平坦化膜を形成することが可能なTFT平坦化膜形成用組成物、及びそのような平坦化膜を有する表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming TFT flattening film with which a flattening film having a low dielectric constant can be formed on a TFT element at relatively low firing temperature, and to provide a display having such a flattening film. - 特許庁

不適正な向きによる商品の投入を確実に規制することのできる自動販売機の商品投入規制装置を提供する。例文帳に追加

To provide a commodity charging restriction device of a vending machine which can surely restrict the charging of a commodity in an inappropriate direction. - 特許庁

FFTで分析処理された脳波のα波等の成分波形を表示器2で表示する。例文帳に追加

Component waveforms of α-waves of the brain waves analyzed by the FFT are shown on a display 2. - 特許庁

実パネルのTFTの作製工程のうち、特性のばらつきの原因となりやすい工程、及びTFTを作製するのに最低限必要な工程を用いて、実パネルのTFTとは異なる基板上にTEGのTFTを作製する。例文帳に追加

A TFT in the TEG is manufactured on a substrate different from that for a TFT on a real panel by using steps, liable to generate variation of characteristics, and selected from the manufacturing steps for the TFT on the real panel and the minimally required steps for manufacturing a TFT. - 特許庁

結晶性半導体膜を備え、光リーク電流の発生が抑制され、トランジスタ特性が良好なTFTを提供する。例文帳に追加

To provide a TFT having a crystalline semiconductor film in which transistor characteristics are improved by minimizing generation of optical leakage current. - 特許庁

この構成のTFT液晶表示装置において、TFTのソース電極11とドレイン電極12とを互いに平行に配置する。例文帳に追加

In this case, a source electrode 11 and a drain electrode 12 are arranged in parallel with each other. - 特許庁

実効回生トルクT(t)と目標摩擦制動トルクF(t)の和を目標減速度G(t)となるように制御する。例文帳に追加

The sum of an effective regeneration torque T(t) and a target friction braking torque F(t) is controlled to be a target deceleration G(t). - 特許庁

薄膜トランジスタ(TFT)の活性層へ向かう光を効果的に遮断して、TFTの光リーク電流を低減させる。例文帳に追加

To reduce an optical leakage electric current of a TFT by effectively interrupting light going toward an active layer of the thin film transistor (TFT). - 特許庁

RAFT剤の製造方法、RAFT剤を用いるポリマー粒子の水性分散液の製造方法およびその方法により得た水性分散液から得られる製品例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF RAFT AGENT, MANUFACTURING METHOD OF AQUEOUS DISPERSION OF POLYMER PARTICLE USING RAFT AGENT AND PRODUCT OBTAINED FROM AQUEOUS DISPERSION PROVIDED ACOORDING TO THE METHOD - 特許庁

セラミックス製品に適用される不定形耐火物に関し、特に、低膨張のセラミックス製品の表面を保護・改質する目的で使用される低膨張、高強度、耐クラック伸展性を有する不定形耐火物を提供する。例文帳に追加

To provide a monolithic refractory applied to a ceramic product, particularly used for protecting and reforming the surface of a ceramic product having low expansion, and having low expansion, high strength and crack extension resistance. - 特許庁

処理槽の液面から引き上げた印画紙の不適正な処理の進行を抑制して適正な処理を行う現像処理装置を構成する。例文帳に追加

To constitute a developing processor which performs proper processing by suppressing improper processing of a photographic paper lifted from the surface of a liquid in a processing tank. - 特許庁

TFTの活性層7の下層側には、活性層7に侵入する光を遮光する、導電性を有する遮光膜3が形成される。例文帳に追加

A light shielding film 3 having conductivity is formed under an active layer 7 of the TFT to shield the light entering the active layer 7. - 特許庁

基体の製造方法、TFT基板の製造方法、多層構造基板の製造方法、表示装置の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD OF TFT SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD OF MULTILAYERED STRUCTURAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY DEVICE - 特許庁

通常表示から静止画表示への切替の際にデジタルメモリの記憶内容の不定による表示ムラの発生を防止する。例文帳に追加

To prevent display unevenness due to unsettled storage contents of a digital memory in switching from normal display to still picture display. - 特許庁

誤径サイズの商品のみならず不適正な向きの商品の通過をも阻止することができる自動販売機の商品投入規制装置を提供する。例文帳に追加

To block passing-through of not only an article of an erroneous diametric size but also an article laid in an improper direction. - 特許庁

TFT駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルにおいて、TFTの下側からの光に対する遮光性能とTFTのスイッチング特性とを改善する。例文帳に追加

To improve light shielding performance to light from below a TFT and switching characteristics of the TFT as to a TFT-driven active matrix drive type liquid crystal display panel. - 特許庁

TFT駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルにおいて、TFTの下側からの光に対する遮光性能とTFTのスイッチング特性とを改善する。例文帳に追加

To improve light shielding performance against the beam from the lower side of a TFT and switching characteristics of the TFT in a liquid crystal display panel of an active matrix driving system by TFT driving. - 特許庁

監査人は、内部統制報告書において、経営者が決定した評価範囲、評価手続、及び評価結果に関して著しく不適切なものがあり、内部統制報告書が全体として虚偽の表示に当たると判断した場合には、内部統制報告書が不適正である旨の意見を表明しなければならない。例文帳に追加

When external auditors identify remarkably inappropriate parts in the Internal Control Report regarding the scope, procedures and results of the assessment determined by the management and judge that the Report is misstated as a whole, they must express an opinion that the Internal Control Report is not fairly stated.  - 金融庁

強誘電性液晶用基板、強誘電性液晶用TFT基板、液晶表示素子、および、液晶表示素子の製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE FOR FERROELECTRIC LIQUID CRYSTAL, TFT SUBSTRATE FOR FERROELECTRIC LIQUID CRYSTAL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT - 特許庁

サブマウント20に引張り力Ftを作用させることにより、引張り応力Stを発生させる。例文帳に追加

A tensile stress St is produced by applying a tensile force Ft to a sub-mount 20. - 特許庁

特にTFT−LCDスクリーンの被覆用の管状ターゲット並びにその製造方法例文帳に追加

TUBULAR TARGET PARTICULARLY FOR COVERING TFT-LCD SCREEN, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

表示装置を構成する透明基板1上に、ドライバ回路CMOSトランジスタのn−chTFTを形成するための活性層ポリシリコン膜2、同p−chTFTを形成するための活性層ポリシリコン膜3、画素・サンプリングn−chTFTを形成するための活性層ポリシリコン膜4を形成する。例文帳に追加

An active layer polysilicon film 2 to form the n-chTFT of a CMOS transistor of a driver circuit, an active layer polysilicon film 3 to form the p-chTFT of the same element, and an active layer polysilicon film 4 to form a pixel and sampling n-chTFT are formed on a transparent substrate 1 which constitutes the display device. - 特許庁

この光センサ内蔵表示装置は、TFT(TFT:薄膜トランジスタ)アレイ基板40aの各画素部に、微結晶シリコンTFTで構成された画素駆動用TFT22と、微結晶シリコンTFTで構成された第1の光電変換用TFT20と、非晶質シリコンTFTで構成され、第1の光電変換用TFT20と並列接続された第2の光電変換用TFT21とを備える。例文帳に追加

In the display device including the optical sensor, each pixel part of a TFT (TFT: thin film transistor) array substrate 40a is provided with: a pixel driving TFT 22 composed of a fine crystal silicon TFT; a first photoelectric conversion TFT 20 composed of fine crystal silicon TFT; and a second photoelectric conversion TFT 21 composed of an amorphous silicon TFT and connected to the first photoelectric conversion TFT 20 in parallel. - 特許庁

無機n−チャネル薄膜TFTと有機p−チャネルTFTを有する相補型回路は、従来の相補型無機TFT又は相補型有機TFTの欠点を被ることなく、優れた特性を示す。例文帳に追加

A complementary circuit having an inorganic n-channel TFT (thin film transitor) and an organic p-channel TFT shows outstanding properties, without suffering from disadvantages of a conventional complementary inorganic TFT or complementary organic TFT. - 特許庁

液晶表示装置のTFTのチャネルに侵入する光によるTFTの特性劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the deterioration of characteristics of a TFT due to light entering a channel of the TFT of a liquid crystal display. - 特許庁

スイッチTFTのソース・ドレイン電極27間において、n+膜25、a−Si膜26をエッチングしてTFTギャップ部を形成する。例文帳に追加

The n+ film 25 and the a-Si film 26 are etched between the source/drain electrodes 27 of the switch TFT to form a TFT gap part. - 特許庁

また、偏光板8は、平面的に見て、TFT基板1aおよびTFT基板1bの大きさ以上の大きさに形成されている。例文帳に追加

Also, the polarizing plate 8 is formed in a size of the TFT substrate 1a and the TFT substrate 1b or larger in planar view. - 特許庁

ファクトリ70は、モジュール生成部44を呼び出すと共に引数型不定のポインタ形式で指定された引数をモジュール生成部44で使用可能な引数型で且つ形式でモジュール生成部44に渡す。例文帳に追加

The factory 70 calls a module generation unit 44 and delivers an argument which is designated in the argument type undefined pointer form to the module generation unit 44 in accordance with an argument type and form available for the module generation unit 44. - 特許庁

ピクセル口径比を増大し、静電容量性クロストークが殆どないTFTアレイを提供する。例文帳に追加

To provide a TFT array which increases a pixel aperture ratio and hardly causing capacitive crosstalk. - 特許庁

例文

円板形状の記録媒体に対して不適正な印刷を行ってしまうのを回避する。例文帳に追加

To avoid inappropriate printing on a disc-like recording medium. - 特許庁

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