「ぼろぞーる」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

医薬、農薬等の有機合成における、炭素−炭素結合の生成反応及び官能基化の反応中間体として有用である、アリルシラン構造とボロンエノラート構造を一分子内に有するα−（シリルメチル）ボロンエノラート、及びそれらの効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain an α-(silylmethyl)boron enolate containing both an allylsilane structure and a boron enolate structure in one molecule useful as a reaction intermediate for a formation reaction of carbon-carbon bond and a functional group formation in an organic synthesis of medicine, agrochemical, etc., and to provide a method for efficiently producing the α-(silylmethyl)boron enolate. - 特許庁

製造過程での強化繊維のダメージを少なくし、品質の優れたボロン繊維強化金属基複合材料を提供する。例文帳に追加

To provide a boron-fiber-reinforced metal-matrix composite material having superior quality, by reducing damage to be formed on a reinforcing fiber in a manufacturing process. - 特許庁

大きな抵抗温度係数を有するとともに制御が容易で、大きな動作（受光）面積を有し、活性素子ボロメータ（スペクトル選択性ボロメータ）として吸収スペクトルの制御が容易で、かつ製造技術の簡素化による製造コストの低減を図ることが可能な光放射エネルギー強度測定装置（ボロメータ）を提供する。例文帳に追加

To provide a luminous radiation energy intensity measuring device (bolometer) with a large operating (light receiving) area having a high resisting temperature coefficient, easily controllable, and capable of easily controlling the absorbing spectral as an active element bolometer (spectral selecting bolome ter), and reducing the manufacturing cost by simplifying the manufacturing technique. - 特許庁

希土類−鉄−ボロン型磁性相（Ｒ_２Ｆｅ_１４Ｂ型磁性相）と、少なくとも欠陥構造２とを内部組織に有している。例文帳に追加

The rare earth permanent magnet alloy comprises a rare earth-iron-boron type magnetic phase (R_2Fe_14B type magnetic phase) and at least a defect structure 2 in an internal structure. - 特許庁

ラボ６Ａ〜６Ｃにおいては転送された注文情報Ｃに基づいて画像データＳをプリント出力する。例文帳に追加

In each of laboratories 6A-6C, the image data S are printed out on the basis of the transferred order information C. - 特許庁

トライボロジー特性を改善するための潤滑油用添加剤、これらの添加剤を含有する新規潤滑油、それらの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide additives for lubricant for improving tribologic properties, to provide novel lubricants containing the additives, and to provide a process for the preparation thereof. - 特許庁

ボロンの突き抜けの問題とＮＢＴＩの問題とをともに解消することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where problems of boron's piercing and NBTI(negative bias temperature instability) can be broken up, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

減圧ＣＶＤ装置におけるボロンドープポリシリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファスシリコンゲルマニウムを成膜する半導体装置の製造方法および基板処理装置において、良好なボロン濃度均一性の実現をを可能とする半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for achieving superior boron concentration uniformity, and to provide a substrate treatment apparatus in the manufacturing method of the semiconductor device for film-forming boron-doped polysilicon germanium or boron-doped amorphous silicon germanium in a reduced pressure CVD apparatus, and to provide a substrate treatment apparatus. - 特許庁

アリルアルコール化合物とボロン酸化合物またはボラン化合物とを遷移金属触媒の存在下に反応させる。例文帳に追加

An allyl alcohol compound is reacted with a boronic acid compound or a borane compound in the presence of metal catalyst. - 特許庁

モータ用磁石に好適な低保磁力、高角型比を有する希土類—鉄—ボロン系磁石およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a rare earth-iron-boron magnet having a low coercive force and a high squareness ratio suitable for the magnet for a motor, and the production process of the same. - 特許庁

モータ用磁石に好適な低保磁力、高角型比を有する希土類—鉄—ボロン系磁石およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a rare earth-iron-boron based magnet which includes a low coercive force and a high squareness ratio suitable as the magnet for motor, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

特にアロマターゼ阻害剤としては、アミノグルテチミド；フォルメスタン；アタメスタン；アナスタゾール；ファドロゾール；フィンロゾール；レトロゾール；ボロゾール；4-[N-(4-ブロモベンジル)-N-(4-シアノフェニル)アミノ]-4H-1,2,4-トリアゾール又はエキセメスタン又はその薬学的に許容し得る塩から選択される。例文帳に追加

Particularly, the aromatase is selected from aminoglutethimide, formestane, atamestane, anastrozole, fadrozole, finrozole, letrozole, vorozole, 4-[N-(4-bromobenzyl)-N-(4-cyanophenyl)amino]-4H-1,2,4-triazole, exemestane, and pharmaceutically acceptable salts thereof. - 特許庁

水素貯蔵材料は、水素化マグネシウム（ＭｇＨ_２）とスカンジウムボロハイドライド（Ｓｃ（ＢＨ_４）_３）とを含み、これらの反応により水素が放出される。例文帳に追加

The hydrogen storage material contains magnesium hydride (MgH_2) and scandium hydride (Sc(BH_4)_3), and desorbs hydrogen by their reaction. - 特許庁

窒化ボロンをフッ素油に分散させることで、送給性、連続溶接性に優れたアーク溶接用ワイヤの潤滑剤を作成する。例文帳に追加

This lubricating agent for an arc welding wire excellent in feeding speed and continuous welding property is prepared by dispersing boron nitride into fluorine oil. - 特許庁

半導体デバイス用に製造された汎用性のあるボロンドープシリコン単結晶を、太陽電池用に転用する。例文帳に追加

A boron-doped general purpose single-crystal silicon substrate 41 manufactured for semiconductor device is turned over to a solar battery cell. - 特許庁

自己発熱による温度ドリフトを抑制し、かつ、ノイズによる特性劣化の無い構造のボロメータ型赤外線検出素子の提供。例文帳に追加

To provide a bolometer type infrared detector capable of restraining a temperature drift caused by self-heating, and free from characteristic deterioration by a noise. - 特許庁

廃線と同時に、ホテルなどの観光施設もすべて閉鎖され自然に還ることとなり、愛宕山地区のリゾート施設は幻と消えてしまった。例文帳に追加

With the abandonment of the railway, hotels and other tourist facilities soon disappeared afterwards allowing the area to be return to its natural state, and leaving Atagoyama resort facilities as a vague memory in people's minds.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ステンレス鋼板を格子状に溶接して構成されるセルを有する使用済燃料貯蔵ラックにおいて、ステンレス鋼板に１％を超える高ボロン濃度のボロン添加ステンレス鋼板を取付けた構造を有することを特徴とする使用済燃料貯蔵ラックを提供する。例文帳に追加

The spent fuel storage rack including cells constituted by welding the stainless steel plates like a lattice is provided which is characterized in that the rack has a structure where the boron-loaded stainless steel plate of a high boron concentration exceeding 1% is mounted on the stainless steel plates. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴの基板領域からＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４中へのボロンの外方拡散が抑制され、ＭＯＳＦＥＴの基板領域のボロン濃度の低下によるしきい値電圧の低下に起因するキンク特性を抑えることができる。例文帳に追加

In such a constitution, the outer diffusion of boron from the substrate region of MOSFET to the STI structured buried-in oxide films 34 is suppressed, thereby making feasible of obviating the kink defect due to the decline in the threshold value by the decrease in the boron concentration in the MOSFET substrate region. - 特許庁

ボロメータ検出器、そのような検出器を使用して赤外線を検出するための装置、およびこの検出器の製造方法例文帳に追加

BOLOMETER DETECTOR, DEVICE FOR DETECTING INFRARED RAY USING THIS DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THIS DETECTOR - 特許庁

複合材プライ（１２）の強化ファイバはカーボンおよびボロンから選択され、ファイバは連続的であり、各プライ内で平行に配向される。例文帳に追加

The reinforcing fibers of the composite plies (12) are selected from carbon and boron, and the fibers are continuous and parallel oriented within each ply. - 特許庁

本発明は、式（１）で表されるチエニルを包含するボロン-ジピリン化合物、この化合物の製造方法、及び式（１）の化合物が金属イオンと反応して色相変化と蛍光変化を表すことのできるチエニルを包含するボロン-ジピリン化合物が包含された化学センサーによって課題を達成する。例文帳に追加

A thienyl-containing boron-dipyrin compound represented by formula (1), a production method of the compound and a chemical sensor containing a thienyl-containing boron-dipyrin compound, expressing color change and fluorescence change by reacting the compound of formula (1) with a metal ion, are provided. - 特許庁

シリコン層３と、シリコン層３上に形成されたゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７上に形成された金属ボロン化合物層８と、金属ボロン化合物層８上に形成された少なくともシリコンを含むゲート電極９とを具備する半導体装置。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a silicon layer 3, a gate insulating film 7 formed on the silicon layer 3, a metal-boride layer 8 formed on the gate insulating film 7, and a gate electrode 9 formed on the metal-boride layer 8 and containing at least silicon. - 特許庁

容器本体２と蓋体５とに防幻領域１０をそれぞれ部分的に形成して防幻効果を発揮させるので、例え容器本体２や蓋体５が透明でも、識別コード２０の影部が識別コード２０と共にリーダに読み取られてしまうおそれがない。例文帳に追加

An anti-glare effect is exhibited by forming the area 10 partially in each of the body 2 and the cover body 5 and, therefore, even if the body 2 and the cover body 5 are transparent, there is no chance of the shadow of the code 20 to be read by the reader with the code 20. - 特許庁

ワイヤー１をロー材等の金属材用ルツボ５、ダイヤモンド用ルツボ６に連続的に通過させ、ワイヤー１にロー材等でなる金属層３を介してダイヤモンド２を固着させるようにした。例文帳に追加

A wire 1 is allowed to continuously pass through a crucible 5 for a metallic material such as a brazing material, and a crucible 6 for diamond, and diamond 2 is stuck to the wire 1 through a metal layer 3 formed of the brazing material or the like. - 特許庁

シリコン基板上にブリッジ部で支持された受光部を形成するボロメータ型の赤外線検知素子の製造方法において、受光部を形成する工程が、電極上に電極保護層、ボロメータ層を順次形成する工程を含み、かかる電極保護層の形成温度がボロメータ層の形成温度より低い。例文帳に追加

According to this method for manufacturing the bolometer-type infrared detection element wherein a light receiving part supported by bridge parts is formed on a silicon substrate, the process for forming the light receiving part comprises processes for sequentially forming an electrode protection layer and the bolometer layer over the electrodes, and the temperature for forming the protection layer is lower than the temperature for forming the bolometer layer. - 特許庁

ベンゾニトリル、リチウム２，２，６，６−テトラメチルピペリジドおよびトリアルコキシボランを反応させ、得られた２−シアノフェニルボロン酸を含む反応液に酸性水溶液を加えて、水に非混和性の有機溶媒の存在下ｐＨ７未満で接触処理した後、有機層から２−シアノフェニルボロン酸を得ることを特徴とする高純度２−シアノフェニルボロン酸の製造方法。例文帳に追加

The method of synthesizing high purity 2-cyanophenylboronic acid comprises reacting benzonitrile, lithium 2,2,6,6-tetramethylpiperidide, and a trialkoxyborane, adding an acidic aqueous solution to the reaction fluid containing the obtained 2-cyanophenylboronic acid to perform contact treatment at a pH of less than 7 in the presence of an organic solvent immiscible with water, and thereafter obtaining 2-cyanophenylboronic acid from the organic layer. - 特許庁

エチレン−ビニルアルコール系共重合体層（Ａ）および熱可塑性樹脂層（Ｃ）を、ボロン酸基または水の存在下でボロン酸基に転化しうるホウ素含有基を有する熱可塑性樹脂からなる層（Ｂ）を介して積層した積層構造体。例文帳に追加

In a laminate structure, an ethylene-vinyl alcohol copolymer layer (A) and a thermoplastic resin layer (C) are laminated with a layer (B) comprising a thermoplastic resin having a boron-containing group which can be transformed into a boronic acid group under the presence of the boronic acid group or water. - 特許庁

ボロンドープシリコンウェーハにＭＯＳキャパシタを形成し、該ＭＯＳキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記ＭＯＳキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価するようにした。例文帳に追加

In the method for evaluating a boron doped silicon wafer by measuring the breakdown voltage characteristics of an oxide film using an MOS capacitor formed therein, a state not irradiated with light and a state irradiated with light are formed at least the measuring electrode part, the breakdown voltage characteristics of the oxide film are measured under respective states and the measurements are compared thus evaluating a boron doped wafer. - 特許庁

シリコン単結晶ウェーハにボロンをイオン注入・拡散して製造される拡散ウェーハの製造方法において、抵抗値が、ばらつきの小さい安定した測定結果となる拡散ウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a diffusion wafer, fabricated by implanting and diffusing boron ions into a silicon single crystalline wafer, where a measured resistance value is stable, showing only little variation. - 特許庁

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から４０時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a diffusion wafer where boron ions are implanted into a principal plane of a silicon single-crystal wafer, and then drive-in oxidation is conducted on the principal plane to diffuse the boron ions into the silicon single-crystal wafer, the drive-in oxidation is conducted for 40 or longer hours, immediately after the ion implantation of boron, and then a resistance value is measured. - 特許庁

不純物元素としてボロンを含有する領域の表面に、１００ｎｍ以上の厚さのゲート絶縁膜がＬＰＣＶＤ法により形成されるＭＯＳ構造を有する半導体装置の製造方法とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device having the MOS structure where the gate insulating film with thickness of 100 nm or thicker is formed by LPCVD process on the surface of a region containing boron as a dopant element. - 特許庁

ＩＶ族半導体にボロンを浅くイオン注入する方法に関し、ＩＶ族半導体基板に浅いｐ型不純物ドープ領域を容易に作成することができる半導体装置の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of easily preparing a shallow p-type impurity doped area on a IV group semiconductor substrate with regard to a method of shallow ion implantion of boron into a IV group semiconductor. - 特許庁

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。例文帳に追加

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron. - 特許庁

（Ｒ）−ムスコンをトリ−セカンダリー−ブチルボロハイドライドアルカリ金属塩により還元することを特徴とする式Ｉで示される（１Ｒ，３Ｒ）−ムスコールの製造方法。例文帳に追加

This method for producing (1R,3R)-muscol represented by the formula I comprises reducing (R)-muscone with an alkali metal salt of tri- secondary butylborohydride. - 特許庁

シリコン、ボロン、カーボン等のIIIＢ族又はIVＢ族元素からなるナノサイズの柱状結晶体を効率良くかつ確実に製造することが可能な方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of efficiently and surely manufacturing a nano-sized columnar crystal body comprising a group IIIB or IVB element such as silicon, boron or carbon. - 特許庁

この異元素は、周期表第IIIＢ族及び／又は第ＶＢ族の元素であり、とくにIIIＢ族元素がボロン、ＶＢ族元素が窒素であることが好ましい。例文帳に追加

This different element is an element of a group IIIB and/or a group VB of a periodic table, and in particular, the element of the group IIIB is boron and the element of the group VB is nitrogen, preferably. - 特許庁

トリフェニルボロン化合物とテトラエチルチウラムジスルフィドとを含有する防汚塗料組成物であって、沈殿物を生じない手段によりトリフェニルボロン化合物の分解が抑制され、長期保存時にも防汚活性が維持される漁網用クリアー型防汚塗料組成物。例文帳に追加

To provide a clear type antifouling paint composition for a fishing net, the antifouling paint composition containing both a triphenylboron compound and tetraethylthiuramsulphide, in which the decomposition of the triphenylboron compound is controlled by a means for generating no precipitation, and the antifouling activity of the composition remaining even in a long term storage. - 特許庁

透過型スクリーンシートＳ１と防幻フィルムＳ２は、それぞれ、内側飾りフレームＦ１および外側飾りフレームＦ２の磁力によってガラス板の面に取り付けられる。例文帳に追加

The transmission type screen sheet S1 and the antiglare film S2 are fitted to the surface of the glass plate with magnetic force of an inside decoration frame F1 and an outside decoration frame F2. - 特許庁

シリコンウェーハの結晶欠陥が存在せず、シリコンウェーハ表面でボロン濃度が一定で均一な比抵抗値を持つ高品質なアニールウェーハを製造することができ、シリコンウェーハの熱処理效率が高く、製造元価を低減させることができるアニールウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an annealed wafer for manufacturing a high-quality annealed wafer in which crystal defects do not exist in the silicon wafer and boron concentration is constant yielding uniform specific resistivity, for giving high heat treatment efficiency, and for reducing the manufacturing cost. - 特許庁

ヒータ１６は壺ローラ１の中空部１ａと端軸２の中空部２ａ内を遊挿され、一端がメタル７に固定された支持プレート１４に固定されている。例文帳に追加

A heater 16 is loosely inserted into a hollow part 2a of the roller 1 and a hollow part 2a of the shaft 2, and fixed at its one end to a support plate 14 fixed to a metal 7. - 特許庁

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、ドナーとなるボロン及びアルミニウム等の３族の元素からなるｎ型不純物が、約１．０×１０^１６ｃｍ^−３以下の濃度となるように構成されている。例文帳に追加

Further, the p-type MgZnO-based thin film 1 is designed so that the concentration of an n-type impurity of a group 3 element such as boron and aluminum, which serve as a donor, is not more than about 1.0×10^16 cm^-3. - 特許庁

また、装置本体７０の固定フレーム７１〜７３にそれぞれ切り欠き７１ａ〜７３ａ、当接部７１ｂ〜７３ｂを設け、各フレーム６２〜６４のダボ６２ａ、６３ａ、６３ｂ、６４ａ、６４ｂ又は軸受８を、付勢ばね６７の付勢力によりそれぞれ係合又は当接させる。例文帳に追加

Notches 71a to 73a and contact parts 71b to 73b are provided in the fixed frames 71 to 73 of the apparatus body 70 respectively, and the dowels 62a, 63a, 63b, 64a and 64b of the frames 62 to 64 or a bearing 8 is engaged or abutted by the pressing force of the pressing spring 67. - 特許庁

ボロンドープウェーハの酸化膜耐圧特性を測定するだけで、そのウェーハの評価を行うことができ、特に製造プロセスにおけるＦｅ汚染の有無を判断することができる評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for evaluating a boron doped silicon wafer by simply measuring the breakdown voltage characteristics of its oxide film in which a decision can be made whether Fe contamination is present or not in the production process. - 特許庁

プログラムは、画像のにじみに関連する機能的限界に基づいてステージ速度，ストロボ光パワー，ストロボ露光時間のような各種の画像取得パラメータを決定する。例文帳に追加

The program determines various image acquisition parameters, such as stage rate, strobe optical power, or strobe exposure time based on functional limitation associated with image bleeding. - 特許庁