「ぼろぞーる」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

金属水素錯化合物例えば水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）のアルカリ水溶液を燃料とするボロハイドライド燃料電池と水素を燃料とする水素燃料電池とを組み合わせる。例文帳に追加

A borohydride fuel cell using alkaline aqueous solution of a metal hydride complex compound, for instance, potassium borohydride (NaBH4) as fuel and a hydrogen fuel cell using hydrogen as fuel are combined. - 特許庁

トリメチルホスフィン配位ニッケル触媒およびアルコキシド類を用いてジボロン類とクロロベンゼン誘導体を反応させて、一般式（３）（式中、Ａはメチル基で置換されていてもよいエチレン基等を、Ｒ^１はフッ素原子等を、ｍは０〜５の整数を表す。）で表されるフェニルボロン酸エステル類を製造する方法。例文帳に追加

In the method for producing phenylboronic acid esters represented by general formula (3), wherein A is an ethylene group or the like which may be substituted by a methyl group, R^1 is a fluorine atom or the like, and m is an integer of 0-5; diborons and a chlorobenzene derivative are reacted with each other by using a trimethylphosphine coordinated nickel catalyst and alkoxides. - 特許庁

低ボロン濃度の基板においても高いゲッタリング能力をもち重金属不純物濃度が低く結晶性に優れたエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを、高生産性でかつ簡単に作製する。例文帳に追加

To easily obtain in high productivity an epitaxial silicon single crystal wafer having high gettering ability, low in heavy metal impurity concentration and high in crystallinity even on a substrate of low boron concentration. - 特許庁

ゲート電極からのボロン漏れを抑制することができ、ゲート絶縁膜を薄膜化した場合でも、界面順位密度の増加及び膜中のプラスチャージの生成を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which boron leakage from a gate electrode can be inhibited, even when a gate insulating film is thinned, increase in interface rank density and generation of plus charge in the film can be restrained. - 特許庁

金属有機化合物を絶縁性基板上に塗布、乾燥させた後に波長４００ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより、５００℃以下の低温でペロブスカイト型Ｍｎ酸化物薄膜を結晶化して、電気抵抗の温度係数が大きいボロメータ用酸化物薄膜を製造する。例文帳に追加

An oxide film for a bolometer having a big temperature coefficient of electric resistance is produced by crystallizing a perovskite-type Mn oxide film at a low temperature of 500°C or less through irradiating a laser rays of 400 nm or less of wavelength after application of an organometallic compound onto an insulating substrate and drying. - 特許庁

金属ボロハイドライドおよびＸＢＨ_３（式中、Ｘは置換アミン；置換ホスフィン；またはテトラヒドロフランである）を組み合わせることにより、Ｍ_ｎＢ_１２Ｈ_１２（式中、Ｍは金属またはアンモニウムカチオンであり、ｎは１または２である）を製造する方法。例文帳に追加

The method for producing M_nB_12H_12(wherein, M is a metal atom or ammonium cation; n is 1 or 2) includes combining a metal borohydride and XBH_3(wherein, X is a substituted amine, substituted phosphine or tetrahydrofuran). - 特許庁

撮影指示がなされると、被写体に対するＡＥ制御、ＡＦ制御を行った後（ステップ１００、１０２）、ストロボ６２の点灯制御を開始し（ステップ１０４）、その後、撮像制御を開始する（ステップ１０６）。例文帳に追加

When a photography direction is made after performing AE control and AF control to the object to be photographed (Steps 100 and 102), the lighting control of a stroboscope 62 is started (Step 104), and then, the image pick-up control is started after that (Step 106). - 特許庁

構造式（１）で示されるボロンジピロメテン−カリックス［４］アレーンを下式に従い製造し、これとランタノイド系列希土類金属（Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｖ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ）のアセチルアセトナート化合物との混合液の吸収スペクトルから会合定数を算出し、この結果をふまえてこれらの金属をセンシングする方法。例文帳に追加

The method for sensing the lanthanoid-series rare earth metals (La, Ce, Sm, Ev, Gd, Tb and Dy) includes producing boron dipyrromethene-calix[4]arene represented by structural formula (1) according to the chemical reaction equation, calculating association constants from absorption spectra of mixed solutions of acetylacetonato compounds of the lanthanoid-series rare earth metals with the calixarene, and sensing the metals based on the results. - 特許庁

芳香族ボロン酸化合物と芳香族トリフラートエステルとを、パラジウム／炭素触媒の存在下にて湿式で鈴木−宮浦カップリングさせることを特徴とする、炭素−炭素結合生成によるカップリング生成物の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the coupling product by a carbon-carbon bond-producing reaction comprises subjecting an aromatic boric acid compound and an aromatic triflate ester to Suzuki-Miyaura coupling in a wet state in the presence of a palladium/carbon catalyst. - 特許庁

生成物との分離が容易な固体触媒を用いた、芳香族ボロン酸化合物と芳香族トリフラートエステルとの鈴木−宮浦カップリングによる炭素−炭素結合生成によりカップリング生成物を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a coupling product by a carbon-carbon bond-producing reaction by the Suzuki-Miyaura coupling of an aromatic boric acid compound and an aromatic triflate ester in the presence of a solid catalyst easily separated from a reaction product. - 特許庁

高分子フィルム４０と、高分子フィルム４０表面に形成されたターゲット層とからなり、ターゲット層は膜厚２〜１０μｍのアルミニウム層４１と膜厚０．１〜２０μｍのボロン層４２との二層構造をなす構造とした。例文帳に追加

Consisting of a polymer film 40 and a target layer formed on a surface of the polymer film 40, this X-ray generating target has a double- layer structure with the target layers having aluminum layer 41 of layer thickness from 2 to 10 μm and boron layer 42 of layer thickness from 0.1 to 20 μm. - 特許庁

ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the epitaxial wafer includes a step for pulling a single crystal from a boron-added silicon melt by a Czochralski method in a chamber and a step for forming an epitaxial layer on the surface of a silicon wafer obtained by slicing the single crystal. - 特許庁

２−［（１Ｒ）−１−メチル−２−トリチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−５−イソインドリル］−１,３,６,２−ジオキサアザボロカンの非溶媒和物は、Ｔ−３８１１の製造中間体として最適である。例文帳に追加

The non-solvate of 2-[(1R)-1-methyl-2-trityl-2,3-dihydro-1H-5- isoindolyl]-1,3,6,2-dioxaazaborocane is suitable as an intermediate for producing T-3811. - 特許庁

容易に実施でき、かつ費用のかからない産業化可能な製造方法を用いて、良好な感度を有し、信号対雑音比の点で最適化された機能的なボロメータ検出器を実現する。例文帳に追加

To provide a functional bolometric detector that has a high sensitivity and is optimized in respect of signal-to-noise ratio using a manufacturing method that can be easily performed and can be industrialized at a low cost. - 特許庁

ボロンドープシリコンゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム原料の使用量を抑制すると共に金属膜との結合力を強くし、生産性を向上することが可能となる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device of improved productivity by suppressing the amount of use of germanium material and enhancing bonding strength to a metal film in the case of forming a boron doped silicon germanium film along with a substrate processing apparatus. - 特許庁

この隊にはアメリカ人のアマチュア登山家であるベック・ウェザーズ(ジョシュ・ブローリン)や，世界の七大陸それぞれの最高峰｢七大陸最高峰｣に登ろうと試みている日本人女性の難(なん)波(ば)康(やす)子(こ)(森尚(なお)子(こ))がいる。例文帳に追加

The team includes Beck Weathers (Josh Brolin), an American amateur climber, and Namba Yasuko (Mori Naoko), a Japanese woman who is trying to climb the Seven Summits: the highest peaks on each of the world's seven continents. - 浜島書店 Catch a Wave

本発明の化粧用組成物は、蛍光色素として、有機EL色素から成る発色部を有し、該有機EL色素が、共役系を有し、１種以上のヘテロ原子、セレン原子又はボロン原子を含むアゾール誘導体又はイミダゾール誘導体を含んでいる。例文帳に追加

The cosmetic composition contains a chromophore moiety consisting of an organic EL coloring matter as a fluorescent coloring matter, wherein the organic EL coloring matter comprises an azole derivative or imidazole derivative having a conjugated system and containing one or more heteroatoms, selenium atoms or boron atoms. - 特許庁

不純物としてボロンを導入した複数のシリコン単結晶基板１を、９００℃〜１０５０℃の温度範囲に属する複数の温度でそれぞれ熱処理し、当該温度範囲における、不純物導入層１１のシート抵抗と熱処理温度との関係を取得する。例文帳に追加

A plurality of silicon single-crystalline substrates 1 containing boron as an impurity doped therein are thermally treated at a plurality of temperatures lying in a temperature range between 900°C to 1,050°C, and a relationship between the sheet resistance of an impurity doped layer 11 and the thermal treatment temperature is acquired. - 特許庁

第２の工程は、式Ｍ（ＡｌＨ_３ＯＲ^１）_ｙの化合物をボラート、ボロキシンもしくはボラジン化合物と一緒にして、アルカリ金属およびアルミニウムアリールオキシドを含む副生成物混合物、並びにＭ（ＢＨ_４）_ｙを生じさせる。例文帳に追加

A second process comprises mixing the compound of the formula: M(AlH_3OR^1)_y with a borate, boroxine or borazine compound to produce a by-product mixture containing the alkaline metal and an aluminum aryloxide, and M(BH_4)_y. - 特許庁

また、ポルフィリンダイマー誘導体の製造方法は、ブロモベンズアルデヒドと、4-アルキルベンズアルデヒドと、ピロールとからで示されるポルフィリン誘導体を合成し、続いて該ポルフィリン誘導体と9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジボロン酸とを反応させる。例文帳に追加

The method for producing porphyrin dimer derivative comprises synthesizing the shown porphyrin derivative from bromobenzaldehyde, 4-alkylbenzaldehyde and pyrrole, and then reacting the porphyrin derivative with 9,9-dihexylfluorene-2,7-diboronic acid. - 特許庁

はじめから水を１０−３０ｗｔ％添加した反応溶剤中、アミン及び強酸（硫酸、濃塩酸など）を混合し、次いでナトリウムボロヒドリドを加え反応させることを特徴とするアミンボランの製造方法。例文帳に追加

The method for producing the amine borane includes mixing the amine and a strong acid (sulfuric acid, conc. hydrochloric acid or the like) in a reaction solvent containing 10-30 wt.% water previously added thereto, and carrying out the reaction by adding sodium borohydride. - 特許庁

製造工程の増加及び長時間化を招くことなく、短チャネル効果を抑制し、オフ電流を低減させ、ゲート電極の空乏化を抑制し、ボロンのゲート絶縁膜突抜けを防止する高性能で高信頼性を有する微細化したデュアルゲート型ＣＭＯＳトランジスタを製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which allows manufacturing of a high-performance and very reliable dual gate CMOS transistor reduced in size, wherein a short channel effect is suppressed and off-state current is reduced and depletion a gate electrode is suppressed and penetration of boron through a gate insulation film is prevented, without increasing the number and the time of manufacturing processes. - 特許庁

ゲート絶縁膜とＳｉ基板の界面特性とゲート電極からのボロン拡散のバリア性の両立ができるような、２ｎｍ以下のシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を実現する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a gate insulation film consisting of a silicon oxynitride film having a thickness of 2 nm or less and can achieve a good interfacial characteristic between the gate insulation film and an Si substrate, and has a barrier property that makes it difficult for boron to be diffused from a gate electrode. - 特許庁

そこで、ボロン添加に対するマトリックス中のＣｒ減少量の関係から、貯蔵密度を高めるために必要な添加Ｂ量（Ｍ_B ）によって、使用材料の耐食性を確保するために必要な最低Ｃｒ量（Ｍ_Cr）を以下の式によって決定する。例文帳に追加

From a relationship of a Cr decreasing amount in the matrix to boron addition, the minimum Cr amount (MCr) required for ensuring the corrosion resistance of use material by addition B amount (MB) required for enhancing storage density is decided by a following expression; MCr>16+3MB. - 特許庁

水酸基とアルキレンオキサイド鎖とを有し、アルカノールアンモニウム塩部を有しないアクリル系樹脂（Ａ）、 水酸基と反応し得る官能基を有する化合物（Ｂ）、及び アンモニウム塩もしくはアルカリ金属塩であるボロン系帯電防止付与剤（Ｅ）を含む、制電性アクリル系樹脂組成物。例文帳に追加

The antistatic acrylic resin composition comprises (A) an acrylic resin having a hydroxy group and an alkylene oxide chain and not having alkanol ammonium salt part, (B) a compound having a functional group capable of reacting with the hydroxy group and (E) a boron-based antistatic property-imparting agent which is an ammonium salt or an alkali metal salt. - 特許庁

４，４−ジメチル−２−フェニル−オキサゾリンのグリニャール試薬でのメタル化により、４，４−ジメチル−２−フェニル−オキサゾリンマグネシウムクロライドを製造し、次いで該化合物にホウ酸トリエステルを反応させ、さらに加水分解することにより、オキサゾール環の開環、エステルの加水分解を行い、４，４−ジメチル−２−フェニル−オキサゾリンボロン酸誘導体を調製する。例文帳に追加

A 4,4-dimethyl-2-phenyl-oxazoline boronic derivative is prepared by performing metallation of 4,4-dimethyl-2-phenyl-oxazoline with a Grignard reagent to prepare 4,4-dimethyl-2-phenyl-oxazoline magnesium chloride, subsequently reacting the compound with a boric acid triester and further performing hydrolysis to perform ring-opening of an oxazole ring and hydrolysis of an ester. - 特許庁

電解液は、γ−ブチロラクトンあるいはγ−バレロラクトンなどの環式カルボンエステルと、リチウムジシュウ酸ボロキサイドあるいはジフルオロ［オキソラト−Ｏ，Ｏ’］ホウ酸リチウムなどのＢ−Ｏ結合を有する金属塩とを含んでいる。例文帳に追加

The electrolyte solution contains a cyclic carboxylate such as γ-butyrolactone or γ-valerolactone and a metal salt having B-O bonding, such as lithium boroxide dioxalate or difluoro[oxolate-O,O']lithium borate. - 特許庁

酸化ほう素と酸化鉄に助燃材、還元材及びフラックスを加えてテルミット反応により低炭素フェロボロンを製造するに際し、還元材としてＭｇを１０〜３０％含有するAl-Mg合金あるいはこれに加えてＡｌ−Ｍｇ分金の８０％以下のアルミニウムを使用する。例文帳に追加

When adding a combustion improver, a reducer and a flux to boron oxide and iron oxide and producing low carbon ferroboron by thermite reaction, as the reducer, an Al-Mg alloy containing 10 to 30% Mg, or, in addition to it, aluminum of ≤80% of the Al-Mg alloy is used. - 特許庁

このとき、電流狭窄層１４には、マスクパターン２５の領域に開口部１４ａが形成され、該開口部１４ａの壁面の基板面はＧａＮの成長速度の面方位依存性により、基板面に対する傾斜角βの値はほぼ６０°となる。例文帳に追加

In this regard, an opening 14a is made in the region of the mask pattern 25 and the wall face of the opening 14a is inclining about 60° of angle β with respect to the substrate surface because of face orientation dependency of GaN growing speed. - 特許庁

安定化温度は、設計者またはユーザが広い温度範囲にわたって選択することが可能であるが、主として室温の利用が期待されるもので、受動素子であるマイクロボロメータ・アレイに対して、持続時間の短いパルス状の、高レベルのバイアス電流でもって、掃引を行う。例文帳に追加

A designer or a user can select a stabilization temperature over a wide temperature range, use of room temperature is mainly expected, and using a high level bias current consisting of pulses with a short duration time sweeps the microbolometer array being a passive element. - 特許庁

安定化温度は、設計者またはユーザが広い温度範囲にわたって選択することが可能であるが、主として室温の利用が期待されるもので、受動素子であるマイクロボロメータ・アレイに対して、持続時間の短いパルス状の、高レベルのバイアス電流でもって、掃引を行う。例文帳に追加

A micro bolometer array of a passive element is swept with a high level of pulse-like bias current having a short duration, because a stabilized temperature is expected to be used mainly at an ambient temperature, although the stabilized temperature is selectable over a wide temperature range by a designer or a user. - 特許庁

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。例文帳に追加

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive. - 特許庁

本発明は、ボロン量が１０ａｔ％以下のナノ結晶材料用Ｆｅ基アモルファスリボンの製造において、金属溶湯を冷却ロール上に注湯し、凝固したＦｅ基アモルファスリボンの温度が、１００〜３００℃の範囲で前記冷却ロールから剥離させるナノ結晶材料用Ｆｅ基アモルファスリボンの製造方法である。例文帳に追加

In the production of the Fe-base amorphous ribbon for nano- crystal material, having ≤10 atomic % boron content, molten is poured on a cooling roll and the solidified Fe-base amorphous ribbon in the temperature range of 100-300°C is detached from the cooling roll. - 特許庁

オーレオバシディウム属、バチルス属、サッカロミセス属、チゴサッカロミセス属、シゾサッカロミセス属、ピチア属、ハンセヌラ属、クルイベロミセス属、ブレラ属、クロエケラ属、ロドトルラ属、及びスポロボロミセス属にに属する微生物から選ばれる一種又は二種以上の微生物をアルコール水溶液にて抽出して得られる抽出物を有効成分として含む、保湿・整髪作用とを有する皮膚及び毛髪用化粧料とその製造方法を提供することにより前記課題を解決する。例文帳に追加

A hair and skin cosmetic having moisture retention and hair dressing activity and containing, as active ingredients, extracts extracted from microorganism with an alcohol aqueous solution, is provided, wherein the microorganism is one or more selected from microorganisms belonging to genuses Aureobacidium, Bacillus, Saccharomyces, Zygosaccharomyces, Schizosaccharomyces, Pichia, Hansenula, Kluyveromyces, Bullera, Kloeckera, Rhodotorula and Sporobolomyces, and a method for producing the cosmetic is also provided. - 特許庁

３５〜８０重量％のニッケル（Ｎｉ）、１０〜６０重量％のコバルト（Ｃｏ）及び１〜１０重量％のボロン（Ｂ）からなる金属元素成分と、還元剤と、錯化剤と、純水とを含むメッキ溶液を用いてメッキ処理を行うようにした。例文帳に追加

Plating treatment is performed using a plating solution comprising: metal element components composed of, by weight, 35 to 80% nickel (Ni), 10 to 60% cobalt (Co) and 1 to 10% boron (B); a reducing agent; a complexing agent; and pure water. - 特許庁

含窒素を配位子を有するパラジウム錯体を、連結基を通じて多孔質無機担体に固定化した触媒の存在下で、９−ハロアントラセン化合物をアリールボロン酸化合物と反応させることを特徴とする９−アリールアントラセン化合物の製造方法。例文帳に追加

In the preparation method of the 9-arylanthracene compound, a 9-haloanthracene compound is reacted with an arylboronic acid compound in the presence of the catalyst wherein the palladium complex having a nitrogen-containing ligand is fixed onto a porous inorganic carrier via a linking group. - 特許庁

Ｙを含む希土類元素Ｒの水素化物粉末、フェロボロン粉末、鉄粉末に、更にＲ_２Ｆｅ_１４Ｂ粉末を混合し、得られた混合粉末を磁場中で圧粉成形した後、脱水素処理を行なうことを特徴とする希土類異方性磁石の製造方法が提供される。例文帳に追加

The method of manufacturing the rare earth anisotropic magnet is characterized by further mixing R_2Fe_14B power to hydride powder of a rare earth element R including Y, ferroboron powder, and iron powder; and performing dehydrogenation after compacting the obtained mixed powder in a magnetic field. - 特許庁

イオン注入時のボロン汚染の影響によるデバイスの電気特性の劣化が発生せず、ＳＯＩ層のｎ^＋層中に転位の発生もなく、さらに製造コストも廉価となる貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated SOI substrate and a method for manufacturing it for preventing the generation of the deterioration of the electric characteristics of a device due to the effect of boron contamination when injecting ions, and for preventing the occurrence of dislocation in the n^+ layer of an SOI layer, and for reducing the manufacturing costs. - 特許庁

冷間鍛造時には冷間加工性に優れ、浸炭時に粗大粒の発生と表面から深さ０．２〜０．７ｍｍに生成する不完全焼入れ組織の生成を防止することができる肌焼きボロン鋼とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To produce case hardening boron steel excellent in cold workability at the time of cold forging and capable of preventing the generation of coarse grains and the formation of a slack-quenched region formed to a depth of 0.2 to 0.7 mm from the surface at the time of carburizing and to provide its producing method. - 特許庁

洗浄時にファンテンロール１２や壺ロール１１Ａから剥離して洗浄液と共に流れ出るインキの塊状浮遊物を洗浄液とよく混練し、インキの塊状浮遊物が洗浄液の排液に浮遊して排液溝や排液管の目詰まりを起こさないようにする。例文帳に追加

To knead well ink lumpy suspended matters released from a fountain roll and a pot roll and flowed out together with a cleaning liquid at the time of cleaning, and prevent clogging of a waste liquid channel and a waste liquid tube caused by the suspension of ink lumpy suspended matters in a waste liquid of the cleaning liquid. - 特許庁

電気モータに脱調を生ずることなく、且つ、電気モータにロータマグネットとは別体のネオジム−鉄−ボロン系磁石の組み付けを必要とすることなく、電気モータに磁気誘導方式のクラッチ操作力取出機構を組み込んだ、新規な構造のギヤードモータ及びその製造方法を提供することを、目的とする。例文帳に追加

To provide a geared motor having a new structure obtained by incorporating a magnetic induction type clutch operating force takeout mechanism in an electric motor without causing step-out in the electric motor, and also without requiring assembly of neodymium-iron-boron system magnet separate from a rotor magnet to the electric motor, and also to provide a method of manufacturing the geared motor. - 特許庁

このような二層構造とすることにより、アルミニウム層で発生するＸ線とボロン層で発生するＸ線との相互作用によって、波長６ｎｍと１６ｎｍに大きなピークを有し狭帯域化されたスペクトルをもつＸ線を発生させることができる。例文帳に追加

With this double-layer structure, by correlation of the X-rays generated at the aluminum layer and at the boron layer, the X-ray having a narrow band spectrum can be generated with big peaks at wavelengths of 6 nm and 16 nm. - 特許庁

溶媒中、アルカリ金属炭酸水素塩、溶媒不溶性のパラジウム触媒及びホスフィンの存在下、芳香環に電子供与性置換基及びハロゲン原子を有するハロゲン置換アリール化合物を、アリールボロン酸、その誘導体又はジアルキル−アリールボランと反応させて電子供与性置換基を有するビアリール化合物を製造する。例文帳に追加

This method for producing the biaryl compound having the electron-donating substituent comprises reacting the halogen-substituted aryl compound of which the aromatic ring has the electron-donating substituent and the halogen atom with an arylboronic acid, its derivative or dialkylarylborane in a solvent in the presence of an alkali hydrogen carbonate, a palladium catalyst insoluble in the solvent, and a phoshine. - 特許庁

出力を０．５Ｗ〜５００Ｗで７７０ｎｍよりも長い波長を有するレーザーを原料粉末に照射することにより、ボロン粉末、アルミニウム粉末、シリコン粉末を、それぞれ、１０気圧以下、２気圧以下、３０気圧以下の窒素雰囲気で燃焼合成反応を開始させて、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ_3 Ｎ_4 を製造するようにした。例文帳に追加

The combustion synthesis is initiated by irradiating the starting boron powder, aluminum powder or silicon powder with the laser of a wavelength longer than 770 nm with the output power of 0.5-500 watts in a nitrogen atmosphere under ≤10, ≤2 and ≤30 atmospheric pressure, individually, thereby producing BN, AlN or Si3N4. - 特許庁

シリコンウェーハの製造装置１は、ジボランからボロンへ熱分解させる過程の途中で生成されるジボラン中間体を反応容器２内のシリコン単結晶基板配置領域Ｒに導入できるようにジボランを加熱するための加熱装置７を備える。例文帳に追加

The manufacturing apparatus 1 for the silicon wafer is equipped with a heating device 7 which heats diborane so that an intermediate body produced halfway in a stage of thermal decomposition from diborane to boron can be introduced in a silicon single-crystal substrate arrangement area R in the reaction container 2. - 特許庁