「ぼろぞーる」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

パラジウム触媒及び塩基の存在下において、芳香族ハロゲン化物と芳香族ボロン酸とを反応させてビアリール系化合物を製造するに際し、パラジウム触媒として、［１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム］ＰＦ_６に溶解した酢酸パラジウムをジエチルアミノプロピル残基で表面修飾した無定形アルミナの空孔内に固定化させてなるパラジウム触媒を用いた。例文帳に追加

The palladium catalyst to be used in producing the biaryl-based compound by reacting an aromatic halide and an aromatic boronic acid in the presence of a palladium catalyst and a base is prepared by fixing palladium acetate dissolved in [1-butyl-3-methylimidazolium]PF_6 in a vacancy of amorphous alumina subjected to surface modification with a diethylaminopropyl residue. - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｓを製造する製造方法は、単結晶製造装置１において、坩堝６中の溶融されたシリコン原料Ｆに１０００ガウス以上５０００ガウス以下の磁界を印加し、かつシードの回転速度を８ｒｐｍ以下に制御して単結晶Ｓの成長を実行する。例文帳に追加

The method for producing a silicon single crystal S by Czochralski method includes growing the single crystal S in a single crystal production apparatus 1 by applying a magnetic field of 1,000 Gauss or more and 5,000 Gauss or less to a silicon raw material F molten in a crucible 6 and controlling the rotation speed of a seed to not more than 8 rpm. - 特許庁

［式中、ＲはＣ_３−Ｃ_６シクロアルキルまたはＣ_１−Ｃ_６ハロアルキルである］のｏ−アミノフェニルケトン類の製造方法であって、該当するニトリル（Ｒ−ＣＮ）をボロントリハライドと反応させて錯体を形成し、ルイス酸の存在下でアニリンと反応させることにより、煩わしい単離工程を必要とせず、高い収率で目的物を得ることができる。例文帳に追加

A production method of o-aminophenyl ketones of formula I [wherein, R is a 3-6C alkyl group or a 1-6C haloalkyl group] is provided, wherein, a corresponding nitrile (R-CN) is reacted with borontrihalide to form a complex and the complex is reacted with aniline in the presence of a Lewis acid to obtain the objective substance at a high yield without requiring a complex isolation step. - 特許庁

トリフェニルボロン含有ポリマーおよびその用途に関し、腔腸動物、貝類、管棲多毛類等の水棲汚損生物に対する優れた付着防止効果を示す防汚成分、並びに当該成分を含有し、長期にわたって効果が持続する汚損防止剤を提供。例文帳に追加

To obtain both a triphenylboron-containing polymer as an antifouling component exhibiting an excellent adhesion inhibitory effect on aquatic fouling organisms such as a coelepterate, shellfish, polychaete of tubicola order and an antifouling agent as its use comprising the antifouling component and keeping the effect for a long period of time. - 特許庁

並びに、ＰＢＮ（パイロリティック窒化ボロン）容器を製造する方法であって、少なくとも、ＰＢＮを積層して本体を形成し、該形成した本体の層断面を、該層断面に接する少なくとも１つの壁面とのなす角度が２０度〜８０度となるように加工し、該加工した本体の表面に、導電性膜を被覆することを特徴とするＰＢＮ容器の製造方法。例文帳に追加

In the PBN container manufacturing method, at least PBN is laminated to form the body, the layer section of the formed body is machined so that the angle formed between the layer section and at least one wall surface in contact with the layer section is 20-80°, and the machined body is covered with a conductive film. - 特許庁

混合体１４は、第一の材料を主成分として構成される領域１１（柱状構造体）と、該領域１１を取り囲み、第二の材料を主成分として構成される領域１２とを有し、ボロン、窒素、水素、カーボンのうち少なくとも一つ以上の元素を成分として含む。例文帳に追加

The mixture 14 comprises regions 11 (columnar structures) mainly containing first material and a region 12 surrounding the regions 11 and mainly containing second material, and contains as a component at least one or more elements of boron, nitrogen, hydrogen and carbon. - 特許庁

下式に示すように、式３で表されるナフタレンエノールシリルエーテル化合物と有機リチウム化合物を反応させた後、トリアルキルボレートと反応させ、さらに酸と反応させることによって、式１で表される１−アシルナフタレン−２−イルボロン酸化合物を効率よく、且つ高選択的に製造することができる。例文帳に追加

A naphthalene enol silyl ether compound represented by formula (3) is caused to react with an organolithium compound, then with a trialkyl borate and further with an acid as is shown in the chemical reaction formula to give a 1-acylnaphthalen-2-yl boronic acid compound represented by formula (1) efficiently and highly selectively. - 特許庁

炭素量が０．３０１〜０．５０重量％の中炭素ボロン鋼からなる材料を所定形状に成形して素材とする工程と、該素材に焼入れのみからなり焼もどしを省略して熱処理を施す工程と、からなる熱処理部材の製造方法。例文帳に追加

This method for producing a heat-treated member comprises a process in which a material consisting of medium carbon boron steel containing 0.301 to 0.50 wt.% carbon is formed into a prescribed shape to form a stock, and a process in which the stock is subjected to heat treatment consisting of only quenching with tempering obviated. - 特許庁

シリコン基板１０１にシリコン酸化膜で素子分離領域（ＳＴＩ）１０８を形成し、このＳＴＩ１０８で区画される素子形成領域にしきい値電圧調整のための不純物を導入し、かつ前記素子形成領域内にチャネル領域を有するＭＯＳトランジスタを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の素子分離領域との境界領域に、しきい値電圧調整のための不純物と同一導電型の不純物（ボロン）を注入してボロン注入層１０５を形成する。例文帳に追加

An impurity (boron), which is of the same conductivity type as the impurity used for adjusting the threshold voltage, is implanted into the boundary region between the channel region of the MOS transistor and the isolation region, so as to form a boron-implantated layer 105. - 特許庁

異種のプラスチックを混合し溶融して成形するプラスチック混合材の製造方法であって、混合したポリプロピレンおよびポリエチレンをほぼ６０％、ポリスチレンをほぼ２５％、ポリエチレンテレフタレートをほぼ１５％の割合で配合する工程と、配合したプラスチックを１５０〜２５０℃で溶融する工程と、溶融した筒状の成形管に充填する工程とを含むプラスチック混合材の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the plastic mixed material includes a process for compounding about 60% of a polypropylene and polyethylene mixture, about 25% of polystyrene and about 15% of polyethylene terephthalate, a process for melting the compounded plastics at 150-250°C and a process for filling a cylindrical molding pipe with the molten plastics. - 特許庁

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、ボロンのドープ源としてＢ（ＯＣＨ_３）_３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にダイヤモンド膜を析出させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the diamond film comprises at least introducing a source gas and producing the diamond film on a base material by a gas phase reaction, wherein B(OCH_3)_3 gas is contained in the source gas as a dope source of boron, and this source gas is used to deposit the diamond film on the base material by the gas phase reaction. - 特許庁

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。例文帳に追加

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11. - 特許庁

本発明のキャパシタ素子は、少なくとも上面が第一の窒化金属からなる第一電極と、酸化ジルコニウム膜からなる容量絶縁膜と、ボロン、アルミニウム、ガリウムのいずれかが不純物としてドープされた酸化亜鉛膜からなる第一のバリア膜と、少なくとも下面が第二の窒化金属からなる第二電極と、がこの順で積層されてなることを特徴とする。例文帳に追加

A capacitor element is formed by laminating a first electrode with at least the upper surface comprising a first metal nitride, a capacitance insulating film comprising a zirconium oxide film, a first barrier film comprising a zinc oxide film doped with one of boron, aluminum and gallium as an impurity, and a second electrode with at least the lower surface comprising a second metal nitride in this order. - 特許庁

少なくとも２つのメソ位にボロン酸基Ｂ(ＯＨ)_2が存在するポルフィリン環が、金属に配位してサンドイッチ構造の２量体を形成しているか、または、メソ位−メソ位連結して２量体を形成している、２量体化ポルフィリン誘導体から成り、ルイス糖を認識してこれに結合するルイス糖の認識剤。例文帳に追加

The recognizing agent for Lewis sugar is comprised of a dimerized porphyrin derivative in which a porphyrin ring in which a boron acid radical B(OH)2 is present at at least two mesopositions is coordinated to metal to form a dimer of a sandwich structure or forms a mesoposition- mesoposition link to form a dimer, recognizes Lewis sugar, and is bonded to it. - 特許庁

繊維状炭素を基材に接合した電子源において、該繊維状炭素中は窒素，ボロン，リン，硫黄の少なくとも１種類を１〜５原子％含有し、ラマン分光強度のＩＧ／ＩＤ比（ＩＧ；グラファイト構造における炭素の伸縮運動に対応するラマン散乱強度、ＩＤ；結晶格子乱れに対応するラマン散乱強度）が０.７５ 以上であることを特徴とする。例文帳に追加

In the electron source joining the fibrous carbon to the base material, 1 to 5 atom% of at least one kind out of nitrogen, boron, phosphorus, and sulfur is contained in the fibrous carbon, and the IG/ID ratio (IG means Raman scattering intensity corresponding to expanding and contracting motion of carbon in a graphite structure, and ID means Raman scattering intensity corresponding to crystal lattice disorder) is 0.75 or more. - 特許庁

使用済み核燃料貯蔵用ラックを構成する角パイプ１を、ボロンを１．８ｗｔ％含有した４枚のステンレス板１０を溶接して組み立て、この角パイプ１の上部周方向に筒体２を設け、さらに、角パイプ１の上端に外側に開いたラッパ体３を設けた。例文帳に追加

A square pipe 1 for constituting this spent nuclear fuel storage rack is assembled by welding four stainless steel plates 10 containing 1.8 wt.% of boron, a tubular body 2 is provided on the upper circumference of the square pipe 1, and a trumpet-shaped body 3 opened outward is provided on the upper end of the square pipe 1. - 特許庁

ガラス転移温度が−６０〜０℃であって、Ｍｗが１６０万以上２８０万未満であり、特定組成のアクリル系ポリマー（Ａ）と、水酸基もしくはカルボキシル基と反応し得る官能基を有する化合物（Ｂ）と、特定構造のボロン系化合物（Ｄ）とを含有する帯電防止性アクリル系感圧式接着剤。例文帳に追加

The antistatic acrylic pressure-sensitive adhesive comprises an acrylic polymer (A) of a specific composition having a glass transition temperature of -60 to 0°C and an Mw of 1,600,000 to <2,800,000, a compound (B) having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group or a carboxyl group, and a boron compound (D) of a specific structure. - 特許庁

ｎチャネル型ＴＦＴのゲッタリング領域には、ｎ型不純物元素（代表的にリン）を添加し、ｐチャネル型ＴＦＴのゲッタリング領域には、ｐ型不純物元素（代表的にボロン）および希ガス元素（代表的にはアルゴン）を添加して半導体膜中に残留している触媒元素をゲッタリングするための加熱処理を行う。例文帳に追加

Heat treatment for gettering catalytic element remaining in a semiconductor film, by adding n-type impurity element (typically phosphorus) to the gettering region of an n-channel type TFT and adding a p-type impurity element (typically boron) and a rare gas element (typically argon) to the gettering region of a p-channel type TFT. - 特許庁

ブロモフェニルボロン酸類と、式（２）（式中、ｋは０〜４の整数、ｍは１〜５の整数を表す。Ｒ^2はアルキル基等を表し、Ｒ^3はアルキル基を表す。）で示されるアシルブロモベンゼン類とを、パラジウム化合物の存在下で反応させることにより、式（３）で示されるブロモビフェニル類を製造する。例文帳に追加

This method for producing the bromobiphenyl compound represented by formula (3) [wherein, (k) is an integer of 0 to 4; (m) is an integer of 1 to 5; R^2 is an alkyl or the like; R^3 is an alkyl] is characterized by reacting a bromophenylboronic acid with an acylbromobenzene compound represented by formula (2) in the presence of a palladium compound. - 特許庁

有機ＥＬ表示装置の支持基板上に配置された薄膜状の配線電極であって、モリブデン、クロムおよびボロンを含む非晶質合金膜からなることを特徴とする表示装置用配線電極、該配線電極を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置、および、前記配線電極をウェットエッチングにより、絶縁膜のエッチングをドライエッチングにより行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。例文帳に追加

This is the manufacturing method of the organic EL display device carrying out etching of the wiring electrode by wet etching and etching of the insulating film by dry etching. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１に素子を分離するためのトレンチ５を形成する工程と、トレンチ５を途中まで埋め込むように、高密度プラズマＣＶＤ法を用いて酸化膜７ａを形成する工程と、その後、トレンチ５の側壁上部に位置する素子形成領域にボロンを注入する工程とを備えている。例文帳に追加

This method for manufacturing this semiconductor element comprises a process for forming a trench 5 for separating an element on a silicon substrate 1, a process for forming an oxide film 7a by using a high density plasma DVD method in order to bury the trench 5 to the middle, and a process for injecting boron to an element forming region positioned at the upper part of the side wall of the trench 5. - 特許庁

相変化層と、この相変化層に一端が接触する電極と、この電極の他端に接続するコンタクトプラグと、このコンタクトプラグにソースまたはドレインが電気的に接続された電界効果型トランジスタとを備えた相変化メモリ装置であって、前記電極がジルコニウムボロンナイトライドにより形成されている。例文帳に追加

The phase change memory device includes a phase change layer, an electrode whose one end contacts the phase change layer, a contact plug connected to the other end of the electrode, and a field-effect transistor in which a source or drain is electrically connected to the contact plug, wherein the electrode is formed of zirconium boron nitride. - 特許庁

ボロンを高濃度でドープした導電性ダイヤモンド電極を作用電極として用い、参照電極に対する電位を負電位方向にスイープし、所望の堆積時間で前記導電性ダイヤモンド電極の表面に被分析対象となる溶液中の電気化学的活性物質(例えば、金属)を電着させて電着物質を形成する。例文帳に追加

A conductive diamond electrode formed by doping boron at high concentration is used as a working electrode, a potential relative to a reference electrode is swept in the negative potential direction, and an electrochemical active material (e.g. metal) in the solution to be an analysis object is electrodeposited on the surface of the conductive diamond electrode by a prescribed deposit time so as to form an electrodeposited material. - 特許庁

この発明のガラスコートおよびその製造方法は、液化したフッ化珪素に、粉粒状のシリカバルーンまたは水砕スラグを混入し、飽和点まで溶解してからコロイド状態の過飽和溶液となし、高周波磁場を印可しながらボロシロキサンを添加してポリマーアロイ状態にしたことを特徴とする。例文帳に追加

The glass coat and the method for manufacturing it are characterized in that powdery and granular silica balloons or water-granulated slag are added to liquified silicon fluoride, after dissolving up to the saturation point, the resulting solution is made into a colloidal supersaturated solution, and then borosiloxane is added while impressing a high frequency magnetic field to make resulting mixture into a polymer alloy state. - 特許庁

本発明は、ポリ塩化ビニルが塗布加工され床材として使用される裏打ち用抄合わせガラス繊維不織布の製造方法に関し、配合物であるＮＢＫＰのよれたボロ異物等の欠点を減少し、平坦性の良好な塩化ビニル塗布加工面が得られる裏打ち材の抄合わせガラス繊維不織布を提供する事を目的とする。例文帳に追加

To provide a method for the production of a filled glass fiber nonwoven cloth for backing use, coated with a polyvinyl chloride resin and used as a flooring material decreasing the defect of kinked old rug of compounded NBKP (softwood pulp) and giving a backing material having a surface coated with a vinyl chloride resin and having excellent flatness. - 特許庁

基体１上に、少なくともアルミニウムにニッケルとボロンとを含有する導体層５ｂとモリブデンまたはモリブデン合金を含有するキャップ層５ｃとをこの順に積層形成してなる積層体５を備え、電極６，１０の少なくとも一方と積層体５とがその少なくとも一部で電気的に接続されてなることを特徴とする。例文帳に追加

The organic EL panel includes a layered product 5 which is formed by laminating a conductor layer 5b of aluminum containing at least nickel and boron, and a cap layer 5c containing molybdenum or a molybdenum alloy in this order on the substrate 1, wherein at least one of the electrodes 6 and 10 and the layered product 5 are connected electrically at least in a part thereof. - 特許庁

画像取得部１は、太陽光の影響を殆ど受けない位置に配置されてパンタグラフ擦り板をやや下方から撮影するカメラ４ａ〜４ｄと、カメラ４ａ〜４ｄの撮影個所に向けて投光するストロボ６ａ〜６ｄと、前記撮影個所に車両が到達したことを検知する検知センサ８とを備えている。例文帳に追加

The image obtaining portion 1 is provided with cameras 4a to 4d disposed at positions hardly affected by sunlight so as to shoot the pantograph slider from a somewhat lower side, stroboscopes 6a to 6d flooding light toward shooting spots of the cameras 4a to 4d, and a detecting sensor 8 detecting the arrival of a vehicle at the shooting spots. - 特許庁

Ｘ(ＢＨ_４)_ｍ（ｍは、元素Ｘのイオンの価数）で表される１種又は２種以上のボロハイドライドと、Ｙ(ＮＨ_２)_ｎ（ｎは、元素Ｙのイオンの価数）で表される１種又は２種以上のアミドとを機械的混合プロセスで複合化することにより得られる水素化物複合体及びその製造方法。例文帳に追加

The composite of hydrides is obtained by compounding in a mechanically mixing process one or more kinds of borohydrides represented by X(BH_4)_m (wherein m is a valence number of the element X) and one or more kinds of amides represented by Y(NH_2)_n (wherein n is a valence number of the element Y) and the manufacturing method thereof is provided. - 特許庁