「低ドリフト化」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ライトパルサの光パルスと測定用シンチレータの光パルスに対する光電面の感度比が経時的に変化し、その結果としてドリフト補償精度が低下するという従来の現象を抑制し、長期間安定した特性が得られ、放射線検出器の寿命が長くなるようにする。例文帳に追加

To lengthen service life of a radiation detector by having secular change of a sensitivity ratio of a photoelectric face to an optical pulse of a light pulser and an optical pulse of a measuring scintillator, and suppressing the conventional phenomena in which drift compensation precision deteriorates as the result to obtain stable characteristics for a long period. - 特許庁

ゲート幅方向端部Ｅを取り囲むフィールド酸化膜コーナー部１９近傍の活性領域１４に形成された、高濃度Ｎ型ドリフト層５の部分で絶縁破壊することにより、ＤＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間絶縁破壊電圧ＢＶＤＳが低下することを防止する。例文帳に追加

To prevent a dielectric breakdown voltage BVDS between a source and a drain of a DMOS transistor from being lowered owing to occurrence of dielectric breakdown in a part of a high-concentration N-type drift layer 5 formed in an active region 14 in the vicinity of a field oxide film corner part 19 surrounding an end E in a gate width direction. - 特許庁

シール部材を用いずに気密が取れ、被検出ガスのサンプル量に応じた最適なガス検出が行え、被検出ガスとの温度差に伴うガス容器の変形を減少させてスペックルパターンの変化を抑えて電気信号のドリフトを低減する。例文帳に追加

To provide a gas detector capable of securing airtightness without using any seal member, capable of performing optimal gas detection according to the amount of a detected gas, and having an electric signal with a reduced drift by reducing deformation of a gas container due to the temperature difference between the container and the detected gas and thereby suppressing a change in a speckle pattern. - 特許庁

温度上昇によりレーザ光源からのレーザ放射角がドリフトした場合でも、レーザパワーを正確にモニタし、光ディスクの高倍速記録、高速記録を安定して行うことができ、且つ低消費電力化に寄与し、安価な受光素子回路及び光ピックアップ装置を提供する例文帳に追加

To provide an inexpensive photodetector circuit and optical pickup system capable of accurately monitoring laser power even when a laser radiation angle from a laser beam source is drifted by temperature rise, stably performing the high multiple speed recording and high speed recording of an optical disk and contributing to power consumption reduction. - 特許庁

油温の変動（温度ドリフト）に影響されない正確で安定した圧力制御を実現するとともに、油温が高くなるに従って成形品の質量が低下する現象を解消し、成形品の均質化、更には品質向上に寄与する。例文帳に追加

To conduct exact, stable pressure control without being affected by the variation of an oil temperature (temperature drift), to eliminate a phenomenon in which the mass of a molding decreases as the oil temperature rises, and to contribute to the homogenization and quality improvement of the molding. - 特許庁

１０ＧＨｚ以上の高周波帯域で低誘電率・低誘電正接性、低吸湿性、低誘電ドリフト性及び金属箔の剥離強さが良好なプリント配線板を製造できる熱硬化性組成物の製造方法、この組成物を用いた熱硬化性複合シート及び金属張積層板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a thermosetting composition producible of a printed wiring board having low dielectric constant and low dielectric loss tangent in a high frequency region of ≥10 GHz, low moisture absorption, low dielectric drift properties and good peeling strength of metal foil; and a thermosetting composite sheet and a metal-clad laminate using the composition. - 特許庁

１液溶剤型のシール樹脂の選定、表示装置初動期間中に両方向のパルス電圧を印加して、シール樹脂中不純物のイオン化成分の電界ドリフトを低下させて、高い誘電率異方性液晶を使用したＯＣＢ型液晶表示装置の比抵抗低下による表示むらを低下させる。例文帳に追加

Display unevenness due to the reduction of specific resistance in the OCB type liquid crystal display device using a liquid crystal having high dielectric anisotropy is reduced by selecting a one solvent type sealing resin and applying pulse voltage in both polar directions in the initial stage for driving the display device to reduce electric field drift of an ionized component of an impurity in the sealing resin. - 特許庁

エポキシアクリレート樹脂を含有している封口剤４８０の選定、ＯＣＢ型液晶表示パネル（装置）１００の初動期間中に両方向のパルス電圧を印加して、封口剤４８０中の不純物イオン化成分の電界ドリフトを低下させて、誘電率異方性の高い液晶の比抵抗低下による表示むらを低下させる。例文帳に追加

Display unevenness due to reduction of specific resistance of a liquid crystal having high dielectric anisotropy is reduced by selecting a sealant 480 containing an epoxy acrylate resin and applying pulse voltage in both polar directions in an initial stage for driving an OCB type liquid crystal display panel (device) 100 to reduce electric field drift of an ionized component of an impurity in the sealant 480. - 特許庁

ｎ型バッファ層の不純物濃度の低濃度化を可能にしてエピタキシャル層の抵抗率プロファイルの劣化を防止し、かつｐ型半導体基板からｎ^−型ドリフト層に供給される少数キャリアの制御をも可能にした電力用半導体装置の製造方法を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a power semiconductor device that makes an impurity concentration of an n-type buffer layer low to prevent a resistivity profile of an epitaxial layer from deteriorating, and enables minority carriers supplied from an p-type semiconductor substrate to an n^--type drift layer to be controlled. - 特許庁

ダイオードによる直接半波整流ではなく、同期検波による全波整流を行うことにより、低電圧の正弦波駆動で静電容量の変化量のみ検出することができ、回路規模を簡略化可能で、信号処理回路自身の直流オフセット電圧，温度ドリフトの影響を受けることのない差動容量型トランスデューサの信号処理回路を提供する。例文帳に追加

To provide a signal processing circuit for a differential capacitive transducer, capable of detecting only an amount of variation in electrostatic capacitance by sine wave drive at a low voltage by not performing direct half wave rectification with a diode but performing full wave rectification with synchronous detection, and capable of simplifying a circuit scale, and not being influenced by a dc offset voltage of the signal processing circuit itself and the temperature drift thereof. - 特許庁

圧電振動子の共振周波数の変化から当該圧電振動子表面への物質の吸着量を検出するＱＣＭセンサーにおいて、センサーあるいはバッファー溶液の温度変化や、その他さまざまな原因によってもたらされる圧電振動子の変形および、その結果もたらされる周波数ドリフトを低減することにある。例文帳に追加

To reduce deformation of a piezoelectric vibration element and frequency draft resulted therefrom caused by the temperature change of a sensor or a buffer solution, or a variety of another reasons in a QCM sensor which detects the amount of adsorbed material on the surface of the piezoelectric vibration element from the change of the resonance frequency of the piezoelectric vibration element. - 特許庁

熱型赤外線固体撮像素子において２次元画素アレイの画素数を多画素化にともない発生する、水平走査回路の動作速度低減、駆動線での電圧降下によるオフセット分布の問題の解決、及び素子温度変動による温度ドリフト抑制を同時に実現可能な熱型赤外線固体撮像素子を提供する。例文帳に追加

To provide a thermal infrared solid-state imaging device simultaneously solving a problems of offset distribution by operation speed reduction of a horizontal scanning circuit and voltage drop on a drive line, occurring when the number of pixels of a two-dimensional pixel array is increased in the thermal infrared solid-state imaging device, and suppressing temperature drift by variation in element temperature. - 特許庁

それぞれのウェル領域１０３からデバイスのドリフト領域１０２の中に延長するウェル領域延長部４３２、４３４を有するパワーMOSFETのようなMOSゲートデバイス１００において、このウェル領域延長部４３２、４３４は、半導体基板にトレンチが形成された後、そのトレンチの側壁に形成され、更にトレンチを低温酸化物のような絶縁体４３０で充填する製造工程で構成される。例文帳に追加

In manufacturing a MOS-gated device 100 such as a power MOSFET comprising well region extensions 432, 434 extending from respective well regions 103 into a drift region 102 of the device, the well region extensions 432, 434 are formed on sidewalls of trenches formed on a semiconductor substrate, and then the trenches are filled with an insulator 430 such as low temperature oxide. - 特許庁

周波数補償電圧によりＶＣＯの周波数温度ドリフトを補償し、温度に依存しない一定のＤＣ成分を持つ変調電圧によりＦＭ動作させることにより、温度による変調感度の変動を低減し、出力信号の変調直線性を得るための変調補正電圧の温度データを大幅に簡素化し、試験、調整時間を大幅に削減することができる。例文帳に追加

A frequency temperature drift of the VCO is compensated by a frequency compensation voltage, and an FM operation is carried out, by using a modulation voltage having a constant DC component independent of temperature, thereby reducing fluctuation in modulation sensitivity due to the temperature, significantly simplifying the temperature data of the modulation compensation voltage for obtaining modulation linearity in the output signal, and significantly shortening the testing and adjustment period of time. - 特許庁

Ｑ値を劣化させる原因となる支持部から外部への振動漏れが少ない３脚音叉型振動体を用い、高い駆動検出振動のＱ値を実現し、また、その足幅を個々に調整することにより、駆動振動により変位せず、検出振動においてのみ変位する検出部を実現することで、互いの振動の直交性に関わり無く高いＳ／Ｎと低ドリフトを実現する。例文帳に追加

As a result, a detection section that is displaced merely in detection vibration without being displaced by drive vibration is achieved, thus achieving high S/N and low drift, regardless of the orthogonal properties of mutual vibration. - 特許庁