「低ドリフト化」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電流リークパスを低減可能であると共に、ドリフト層におけるオン抵抗を低減可能な窒化物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor element that can reduce a current leak path and also reduce ON resistance of a drift layer. - 特許庁

このため、高温環境下で使用してもドリフト層２３の表面のグラファイト化が抑制され、低損失化を図ることが可能となる。例文帳に追加

Consequently, graphiting of a surface of the drift layer 23 is suppressed even during use in a high-temperature environment, and the loss is reduced. - 特許庁

オフ状態で空乏化するドリフト領域の構造を改良することにより、高耐圧で、オン抵抗の低減した半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having high breakdown-strength and reduced on-resistance by improving the structure of a drift region depleted in off state. - 特許庁

オフ状態で空乏化するドリフト領域の構造を改良することにより、高耐圧で、オン抵抗の低減した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device whose on-resistance is reduced with high breakdown strength by improving the structure of a drift region which is depleted in an OFF mode. - 特許庁

スペックルパターンの明暗の差を小さくしてスペックルパターンが変化したときの電気信号のドリフトを低減し正確なガス検出を行う。例文帳に追加

To perform accurate gas detection by reducing a drift of an electric signal when a speckle pattern changes by reducing the brightness difference of the speckle pattern. - 特許庁

第２ドリフト領域の完全空乏化による高耐圧と低オン抵抗とを両立させることができる、半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that strikes a balance between the high breakdown voltage and the low on-resistance owing to complete depletion in a second drift region. - 特許庁

ｎ型分割ドリフト経路域１とｐ型仕切領域２との幅が１μm以下になると劇的な低オン抵抗化が可能である。例文帳に追加

When widths of the n-type divided drift path region 1 and the p-type compartment region 2 are turned to be 1 μm or less respectively, drastic low on-resistance can be obtained. - 特許庁

大気中の特定ガス成分の濃度変化を測定する赤外線分析装置など、ゼロ点ドリフト等を定期的に校正しながら運転される連続測定装置において、各校正時の間でのドリフト量の変化に伴う測定精度の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent decrease in measurement accuracy, in association with the change in drift amount, between respective calibration times in a continuous measuring apparatus to be driven, while periodically calibrating zero point drift or the like, such as an infrared analyzer or the like for measuring a concentration change of a specific gas component in the atmosphere. - 特許庁

ゲート電極とドリフト領域の重なり面積を確実に確保して低オン抵抗化を図り、且つ、低帰還容量化を図ることで低スイッチング損失化を図ることができるＭＩＳ型半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a MIS type semiconductor device whose switching loss can be made low by making on-resistance small by certainly securing the area of an overlap between a gate electrode and a drift area and also making a feedback capacity small. - 特許庁

噴霧ノズル周りの機械的構造の単純化，小型化及び低コスト化に寄与するとともに、耐久性及び信頼性の向上、更には、効果的なドリフト低減を図る。例文帳に追加

To simplify, miniaturize and make inexpensive the mechanical structure around a spray nozzle, to improve durability and reliability and to effectively reduce drift. - 特許庁

多階層に解像度や画質を可変可能なスケーラブル符号化に於てドリフトによる画質劣化や符号化効率低下の無い動画像符号化・復号化装置を得る。例文帳に追加

To provide an image encoding/decoding apparatus in which a high quality image can be encoded/decoded and encoding efficiency can be maintained without causing mismatching even when a resolution on an encoding side is different from that on a decoding side. - 特許庁

また、チャネル領域が、高電界のドリフト領域から引き離され、低オン低抵抗化を図るとともに、横型接合型電界効果トランジスタ１００の小型化を図ることが可能となる。例文帳に追加

A channel region is located away from a high field drive region to make a low on-resistance and to downsize the lateral junction field effect transistor 100. - 特許庁

耐圧を確保しながら、高速化・低損失化とソフトリカバリー化の間のトレードオフが改善できる薄いドリフト層を有する半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with a thin drift layer which allows the trade-off between faster speed and reduced loss and soft recovery to be improved ensuring withstand voltage. - 特許庁

小型化と高抵抗値化の双方を同時に達成でき、また低消費電力と温度が変化したときの歪みによる抵抗値のドリフトが少なく測定精度の高い温度センサを提供する。例文帳に追加

To attain both miniaturization and a high resistance value at the same time, to reduce electric power consumption and a drift of the resistance value caused by a strain when a temperature is changed, and to enhance measuring precision. - 特許庁

Ｃｕ配線および低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、低誘電率絶縁層中に拡散するＣｕのイオン化、並びにＣｕ^+イオンのドリフトを抑制する。例文帳に追加

To ionize Cu diffused into a low-permittivity insulating layer and reduce the drift of Cu^+ ions in a semiconductor device having Cu wires and the low-permittivity insulating layer. - 特許庁

半導体基板上に、低耐圧ＭＯＳＴｒと、前記低耐圧ＭＯＳＴｒよりも高い電圧で動作しかつドリフト拡散領域を有する高耐圧ＭＯＳＴｒとを備える半導体装置の製造方法を簡略化する。例文帳に追加

To simplify a method of manufacturing a semiconductor device, having a low withstand voltage MOSTr and a high breakdown voltage MOSTr operating at a higher voltage than a low breakdown voltage MOSTr and including a drift diffused region on a semiconductor substrate. - 特許庁

中耐圧を確保しながらもドリフト抵抗を低減し、かつ製造が容易で低価格化が実現できる縦型ＭＯＳＦＥＴとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vertical MOSFET for reducing drift resistance while ensuring middle breakdown strength, and for enabling simple manufacturing and cost reduction. - 特許庁

ドリフトの低減、安定性の向上、及び回路の簡略化が図れ、Ａ／Ｄコンバータによるデジタル階調が損なわれず、低価格の部品を使用することのできる映像信号処理回路を提供する。例文帳に追加

To obtain a video signal processing circuit which reduces drift, improves stability, simplifies a circuit, does not damage the digital gradation supplied by an A/D converter and can use inexpensive parts. - 特許庁

ドリフト領域の寸法を大きくすることなく、必要な耐圧を確保することができ、あるいはさらに、耐圧の低下がなく、低オン抵抗化を図ることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein a necessary withstanding voltage can be secured without increasing the dimension of its drift region and further the lowering of its on-resistance can be achieved without lowering the withstanding voltage. - 特許庁

半導体基板層と、半導体基板層の上方に設けられて半導体基板層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するドリフト層と、を有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて半導体基板層とドリフト層との間に半導体基板層の不純物濃度よりも低く且つドリフト層の不純物濃度よりも高い不純物濃度範囲において、その深さ位置に応じて不純物濃度が順次変化しているバッファー層を設ける。例文帳に追加

The vertical MOSFET which has a semiconductor substrate layer and a drift layer, provided above the semiconductor substrate layer and having a lower impurity concentration than the semiconductor substrate layer is provided with a buffer layer which continuously varies in impurity concentration, with the depth position within an impurity range being lower than the impurity concentration of the semiconductor layer and higher than the impurity concentration of the drift layer between the semiconductor substrate layer and drift layer. - 特許庁

したがって、強電界ドリフト層６への水素の混入が少ないことにより水素の分布の経時変化による電子放出効率の低下が少なく、また、酸化膜が緻密になるので、絶縁耐圧が高い。例文帳に追加

Thus, the amount of hydrogen entering the drift layer 6 becomes less to prevent degradation of the electron emission efficiency caused by the aging change of the hydrogen distribution as well as enhancing the withstand voltage because of the dense oxide layer. - 特許庁

本発明は、スループットの低下要因である温度変化に伴う像ドリフトを抑制しつつ、高い分解能を維持した状態にて、炭化水素系の分子等の除去が可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a charged particle beam device capable of removing hydrocarbon-based molecules and the like with high resolution kept while suppressing image drift associated with temperature change being a throughput lowering factor. - 特許庁

隣接する低濃度のドリフト層及び高濃度層を有する半導体装置において、高耐圧化を図るとともにリーク電流の増大及び耐圧の劣化を防ぐことである。例文帳に追加

To realize high withstand voltage, and to prevent the increase of leak current and deterioration of withstand voltage in a semiconductor device having adjacent drift layer of low concentration and high concentration layer. - 特許庁

複数のベイン３の形状を変更することにより、陽極空胴共振器を小型化及び軽量化し、製造コストを低減するとともに特性ドリフトを少なくすることが可能なマグネトロン陽極空胴共振器を提供する。例文帳に追加

To make an anode cavity resonator small and light-weight to reduce production cost by changing the shape of a plurality of vanes, and provide a magnetron anode cavity resonator capable of decreasing characteristic drift. - 特許庁

符号化動画像データを復元する際に、ドリフト雑音を抑制し、かつ復号する解像度をなるべく低減させずに、フレームメモリサイズのみを削減することが可能な符号化動画像再生装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an encoded moving picture reproducing apparatus which suppresses a drift noise when encoded moving picture data are restored and reduces only frame memory size by minimizing reduction of the decoding resolution. - 特許庁

符号化動画像データを復元する際に、ドリフト雑音を抑制し、かつ復号する解像度をなるべく低減させずに、フレームメモリサイズのみを削減することが可能な符号化動画像再生装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an encoded moving image reproducer capable of suppressing a drift noise and reducing only a frame memory size without reducing decoding resolution as much as possible in reproducing encoded moving image data. - 特許庁

加速度の検出感度の低下、オフセット電圧の増加、温度ドリフトの悪化などが発生して電気的特性が劣化するのを抑制することができる加速度センサ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an acceleration sensor device capable of suppressing deterioration of an electric characteristic caused by occurrence of decline of acceleration detection sensitivity, increase of an offset voltage, deterioration of a temperature drift or the like. - 特許庁

バッファ層を利用することなく、瞬間的なＤＣドリフトによって発生するサージ現象を低減し、薄板化された基板の破損を防止することが可能な光導波路素子を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical waveguide device capable of reducing a surge phenomenon generated due to instantaneous DC drift without utilizing a buffer layer and capable of preventing a thinned substrate from being damaged. - 特許庁

環境温度が変化してもブルー光の波長ドリフトやモードホップがなく、また、温度制御素子が破損しない低ノイズの固体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a low noise solid-state laser where no wavelength drift of blue light or mode hopping exist, even if ambient temperature changes, and a temperature control element does not break. - 特許庁

低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるＤＭＯＳ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region. - 特許庁

圧電素子における発生電荷量を最大領域まで増加させ、圧電素子の感度、更にはＳ／Ｎ比を高めるとともに、圧力センサ全体の小型コンパクト化やコストダウン、更には温度ドリフトの低減を図る。例文帳に追加

To increase the sensitivity and S/N ratio of a piezoelectric element and reduce the size, costs, and temperature drift of the entire pressure sensor by increasing the amount of generated charge in the piezoelectric element up to its maximum area. - 特許庁

ロータ軸角度をデジタル演算して求めるので、従来技術で必要とされた温度ドリフトの補償回路が不要となり、その分、全体構成が簡易になり、ひいては低廉化を図ることができる。例文帳に追加

The rotor shaft angle is found through digital operation, so the need for a compensating circuit for a temperature drift which was needed before for the conventional technology is eliminated, and consequently the whole constitution is therefore simplified to lower the cost. - 特許庁

黒化またはアニーリング工程におけるマスクの引張り力の減少を防止し、マスクが膨脹することにより生じる電子ビームドリフト現象とマスク振動によるハウリング現象とを低減させる。例文帳に追加

To protect it from being blackened or mask pull force being exposed to reduction in annealing process and to lessen occurrence of electron beam drift phenomena originated from swelled mask and hauling phenomena due to mask vibration. - 特許庁

また、ｎ型の高抵抗領域３，１３をドリフト領域１により互いに接続することによって、双方向に電流を流せるようにするとともに低オン抵抗化を図る。例文帳に追加

The n-type high-resistance regions 3 and 13 are connected each other with the drift region 1, for current flow in both directions as well as for low on-resistance. - 特許庁

隣接する不純物が低濃度のドリフト層及び不純物が高濃度の高濃度層を有する半導体装置において、ｐｎ接合の露出によるリーク電流の増大及び耐圧の劣化を防ぐことである。例文帳に追加

To prevent an increase in a leakage current and deterioration in a withstand voltage caused by the exposure of a pn junction in a semiconductor device, having a drift layer where adjacent impurities are at low concentration and a high-concentration layer where impurities are at high concentration. - 特許庁

これにより筐体振動面の外周部１０ｄにおける振動を低減できるため、振動吸収体をしなくとも、残響特性の劣化が抑制されたドリフトの小さい超音波センサを得ることができる。例文帳に追加

Since the vibration at the outer circumferential part 10d of the enclosure vibrating face can be reduced thereby, the ultrasonic sensor with a small drift can be obtained, wherein the deterioration in the reverberation characteristic is suppressed without the need for provision of a vibration absorbing body. - 特許庁

素子特性のドリフトを抑圧し、送受信の超音波ビームの劣化を抑え、画像の方位分解能やダイナミックレンジの低下を防止する電気・音響変換素子を提供する。例文帳に追加

To provide an electroacoustic transducing element for preventing reduction in the azimuth resolution of an image or a dynamic range by suppressing a drift of the element characteristic so as to suppress deterioration in a transmission/reception ultrasonic wave beam. - 特許庁

光ファイバによる二酸化炭素（ＣＯ_2）の純度を測定する方法において、ＣＯ_2ガスの温度、圧力、及び密度のばらつきによる光吸収のばらつきを抑えて基準値ドリフト及び精度低下を防ぐ。例文帳に追加

To prevent reference value drift and accuracy deterioration by suppressing the dispersion of light absorption due to the dispersion of the temperature, pressure, and density of CO_2 gas in a method for measuring the purity of carbon dioxide (CO_2) by an optical fiber. - 特許庁

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層からなるドリフト層を有する超接合半導体素子において、低オン抵抗でありながら高速な動作を可能にする。例文帳に追加

To enable a rapid operation of a super junction semiconductor device with a low on resistance and having a drift layer made of a parallel p-n layer allowing a current to flow in a on state and depleted in an off state. - 特許庁

これによりフォースコイル１の吸湿・放湿によるフォースコイルユニット３全体の質量の変化を可能な限り低減し、電子天秤としてのゼロ点のドリフトを防止する。例文帳に追加

As a result, the variation of the mass of the force coil unit 3 as a whole, caused by the moisture absorption and moisture release to/from the force coil 1 can be reduced, as much as possible, and the drift of the zero point as an electronic balance is prevented. - 特許庁

オシロスコープ等に使用される差動直流増幅器において、温度変化などによる出力側直流電位値のドリフトを低減することを目的とする。例文帳に追加

To reduce drift in the output DC potential caused by the temperature change or the like concerning a differential DC amplifier to be used for an oscilloscope or the like. - 特許庁

ＳＢＤの逆方向特性の劣化やチップ面積の増大を伴わずに、ドリフト層の抵抗を下げ、オン電圧を低減できる電力用半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device which lowers resistance of a drift layer and which enables a reduction of on-voltage, without deterioration of reverse direction characteristic of a SBD and an increase of chip area. - 特許庁

温度や湿度変化によるノイズ、ガスセンサ信号のドリフトによる誤検出を防ぐとともに、ガスセンサの特性のバラツキを低減し、誤差の少ない検知ができるガス検出装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To prevent a noise caused by a temperature or humidity change, and erroneous detection caused by drift of a gas sensor signal, to reduce the dispersion of a gas sensor characteristic, and to allow the detection of reduced error. - 特許庁

電気的接続のための端子部を備える振動子を支持するための支持構造であって、振動子を小型化することが可能であり、かつ広い温度範囲にわたって駆動インピーダンスを一定とし、温度ドリフトを低減できるようにする。例文帳に追加

To achieve a compact oscillator, make a drive impedance constant over a wide temperature range, and reduce temperature drifts in a support structure for supporting the oscillator provided with terminals for electrical connection. - 特許庁

これにより、空気圧が低下していく過程において、車速が高くなり、トレッドリフトの影響によってタイヤ空気圧が低下していない側に補正後車輪速度偏差値Ｄ′_AVEが変化したとしても、警告予定時刻になると的確にタイヤ空気圧低下を検出することができる。例文帳に追加

In the course of the drop in air pressure, even if a vehicle speed is increased and a tread lift influences the corrected wheel speed deviation value D'AVE to change to a side causing no tire air pressure drop, the tire air pressure drop can be detected accurately when it is the warning prediction time. - 特許庁