「半透過膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

遷移金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させた転写用マスクを提供する。例文帳に追加

To provide a transfer mask improved in the light resistance of a translucent film or a light-shielding film containing a transition metal and silicon against exposure light at a wavelength of 200 nm or less. - 特許庁

金属の筒を半導体薄膜の付いた基板に接触または近づけて空洞を作り、空洞に光を照射しながら高周波を放射すると光導電膜の特性に応じて高周波の電力透過率が変る。例文帳に追加

A metal cylinder is brought into contact with or close to a substrate having the semiconductor thin film attached thereto to form a cavity, and a high frequency is radiated, while irradiating light into the cavity, and thereby a power transmittance of the high frequency is changed corresponding to a characteristic of the photoconductive film. - 特許庁

Ｌiを０.０１〜１０原子％含有するＡg基合金であることを特徴とする光情報記録媒体用Ａg基合金半透過反射膜、反射膜及び光情報記録媒体用Ａg基合金スパッタリングターゲット。例文帳に追加

Each of a semi-reflective film or a reflective film for an optical information recording medium and an Ag based alloy sputtering target includes an Ag based alloy containing 0.01 to 10 atomic percent of Li. - 特許庁

そして、凸状配列群１８の膜厚を０．４〜２．０μｍに設定するとともに、半透過膜１９の光通過孔２６を形成した部位に対応する凸状配列群１８の樹脂部分を切欠いて切欠部ｐを設ける。例文帳に追加

The film thickness of the projecting array group 18 is set to be 0.4-2.0 μm and, at the same time, notched parts p are formed by notching resin parts of the projecting array group 18 corresponding to the parts where the light-through holes 26 of the semitransmissive film 19 are formed. - 特許庁

この発明のＯＣＢ型液晶を用いた半透過型の液晶表示装置は、配向膜形成工程２１にて、ポリイミド系の配向膜をアレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＦに印刷する。例文帳に追加

The method of manufacturing the transflective liquid crystal display device employing the OCB mode liquid crystal comprises an alignment layer forming step 21 and an ultraviolet backside irradiation step 22. - 特許庁

反射率が高く、且つ耐湿熱性および耐光性に優れた光情報記録媒体のＡｇ基合金反射膜または半透過反射膜を提供すること。例文帳に追加

To provide an Ag-based alloy reflective film or semi-transmissive reflective for optical information recording media, which has high reflectance and excellent wet heat resistance and light resistance. - 特許庁

金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a photomask blank that can improve light resistance against an exposure light with a wave length less than 200 nm in a light translucent film or a light-shielding film containing a metal and silicon, and increase a longevity of a photomask. - 特許庁

透明基板１上に半透過板４、カラーフィルター３、保護膜５、ストライプ状のＩＴＯからなる透明電極７とポリイミド等からなる配向膜８を順次形成する。例文帳に追加

On a transparent substrate 1, a semi-transmissive plate 4, a color filter 3, a protective film 5, a transparent electrode 7 composed of ITO in a stripe shape, and an oriented film 8 composed of polyimide or the like are successively formed. - 特許庁

本発明は、導電粒子を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の構造および製造方法に関し、特に、反射式または半透過式薄膜トランジスタ液晶表示装置に関する。例文帳に追加

This invention relates to the structure of the thin film transistor liquid crystal display device containing conductive particles and the manufacturing method therefor, especially, relates to a reflective or semi-transmissive thin film transistor liquid crystal display device and a manufacturing method therefor. - 特許庁

ガス透過性が異なる膜を含む多層膜において、パターン差を低減し均一な加工を行うプラズマ処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method that decreases pattern difference and that performs uniform processings, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the same, in a multilayered film containing a number of films having different gas permeabilities. - 特許庁

従来用いられているＩＴＯ電極膜は発光した光の透過率は高いものの、ＩＴＯ電極膜とｐ型ＧａＮ系半導体層との間でショットキー型コンタクトとなり、電流が均一に流れなくなる。例文帳に追加

To improve the light emission efficiency and output efficiency of a GaN based semiconductor light emitting device by forming a transparent electrode on an outputting side of the device instead of an ITO film electrode. - 特許庁

露光光を遮るための遮光膜２と、露光光の透過率を制御するための半透明膜３との両方が、透明基板１上に直接形成されている。例文帳に追加

A light shielding film 2 for shielding an exposure lights and a translucent film 3 for controlling the trasmissivity of the exposure lights are directly formed on a transparent substrate 1. - 特許庁

半透過液晶表示装置において、バックライトからの入射光が反射膜により反射され、スイッチング素子に入射することを防ぐ反射膜構成を実現する。例文帳に追加

To realize a reflection film configuration for preventing an incident light from a back light from entering into a switching element by being reflected on the reflection film. - 特許庁

また、本発明の第二の外面拡散半透過型反射板は、金属膜に加えて樹脂膜にも導光路が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

Further, a second external diffusion semi-transmitting reflecting plate of this invention is characterized in that the light guide path is formed also to the resin film in addition o the metallic film. - 特許庁

半導体デバイスの多層構造の検査に用いて好適であり、取り扱いが容易な走査透過電子顕微鏡用薄膜試料作製方法および薄膜試料の観察方法を実現する。例文帳に追加

To realize a method of manufacturing a membrane sample for a scanning transmission electron microscope which is suitable for being used in the inspection of a multilayer structure in a semiconductor device and which is handled easily, and to realize an observation method for the membrane sam ple. - 特許庁

Ｈｆを０．０５〜０．８原子％含有するＡｇ基合金からなることを特徴とする光情報記録媒体の反射膜または半透過反射膜。例文帳に追加

The Ag-based alloy reflective film or semi-transmissive reflective for optical information recording media is composed of an Ag-based alloy containing 0.05-0.8 at% of Hf. - 特許庁

フィルムの少なくとも一方の面にパール顔料を含有する塗膜層を有し、塗膜層の凝集破壊力が３００ｇ／２５ｍｍ〜１００００ｇ／２５ｍｍである、半透過反射フィルム積層体。例文帳に追加

The semi-transmissive reflecting film laminate is constituted by providing a coating film layer containing a pearl pigment on at least one surface of a film and the cohesive failure force of the coating film layer is 300-10,000 g/25 mm. - 特許庁

合成樹脂上にスパッタリングによる保護金属層を形成し、 半透過金属ミラー、 全反射金属ミラー又は 透明導電膜からなる薄膜を形成する。例文帳に追加

A protective metal layer is formed by sputtering on the synthetic resin and a thin film made of (1) a semitransparent metal mirror, (2) a total reflection metal mirror or (3) a transparent conductive film is formed. - 特許庁

透明部材の一方に半透明の反射膜と他方に反射膜を設け集束光を入射する光素子は透過特性が非対称な周期特性をゆうしており、この特性を補償する。例文帳に追加

To compensate the characteristics of an optical element which is provided with a translucent reflection film on one of transparent members and a reflection film on the other, makes a converging flux incident and has periodic characteristics of asymmetric transmission characteristics. - 特許庁

基体上に形成された半導体薄膜に、半導体薄膜と基体との間に光学的干渉共鳴を起こす波長を含む光Ｌ２を照射し、光の透過光Ｌ３の光強度、或いは、光の反射光の光強度を、測定することにより、半導体薄膜の結晶化率を測定する。例文帳に追加

The crystallization rate of a semiconductor thin film is measured, wherein a light L2 is emitted to the semiconductor thin film formed on a substrate; the light L2 including a wavelength that causes optical coherent resonance between the semiconductor thin film and the substrate; and then the intensity of transmitted light L3 of the light or the intensity of the reflected light of the light is measured. - 特許庁

ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体がブレンドされた光電変換層３を、少なくとも一方が光透過性である二つの電極４，５の間に設けて形成される有機薄膜太陽電池に関する。例文帳に追加

In the organic thin film solar battery, the photoelectric conversion layer 3 where a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor are blended is arranged between two electrodes 4 and 5 either of which is optically transparent. - 特許庁

エッチング処理による残渣の発生がなく、反射電極を構成する金属反射層のエッチャントに対し耐性を有する透明導電膜が設けられた半透過・半反射電極基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a transflective electrode substrate having a transparent conductive film, with which no etching process residue is produced and which is resistant to an etchant for a metal reflection layer constituting the reflection electrode, formed thereon. - 特許庁

熱酸化膜ＴＳを透過し、かつ半導体基板ＳＢにおけるポリシリコン電極ＰＳの真下の領域に達するように、主面の法線に対して斜めの入射角で、半導体基板ＳＢにイオンが注入される。例文帳に追加

Ions are implanted into the semiconductor substrate SB, at an incidence angle oblique with respect to a normal of the main face so as to permeate through the thermally-oxidized film TS and to reach a region directly underneath the polysilicon electrode PS in the semiconductor substrate SB. - 特許庁

透明な半導体基板上に形成された半導体素子に含まれる金属化合層に向けて照射光を照射して、前記金属化合層からの反射光に応じて前記光透過膜の厚みを測定する。例文帳に追加

Irradiation light is irradiated on a metal compound layer contained in a semiconductor device formed on a transparent semiconductor substrate, and the thickness of the light transmissive film is measured in accordance with reflected light from the metal compound layer. - 特許庁

Ａｇ基合金が本来もつ高反射率および低電気抵抗を維持しつつ、耐熱性および耐湿性が著しく向上した半反射型半透過膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a transflective film which has drastically improved heat resistance and moisture resistance while maintaining high reflectance and low electric resistance of an Ag base alloy of its own. - 特許庁

多層構造を構成する半導体素子の製造過程において、計測を行ないたい製造途中の半導体素子の表面に、厚さが一様で計測光を透過させない薄膜を形成する。例文帳に追加

In a method of manufacturing a semiconductor element composing a multilayer structure, a thin film with uniform thickness which does not transmit measuring light is formed on a surface of a semiconductor element which is desired to be measured in the middle of manufacturing. - 特許庁

基板と半透明反射層との間に記録層等の他の層が設けられた光記録媒体において、透過法により前記半透明反射層の膜厚を容易に測定できるようにする。例文帳に追加

To easily measure the film thickness of a translucent reflection layer by a transmission method, in an optical recording medium wherein an another layer such as a recording layer is provided between a substrate and the translucent reflection layer. - 特許庁

基板に発光素子が実装されてなる半導体装置であって、前記発光素子上には光透過性の平板状のカバーが設置され、前記カバーには蛍光体膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device is equipped with the light emitting element mounted on a substrate, a light-transmitting plate-like cover is arranged above the light emitting element, and a phosphor film is formed on the cover. - 特許庁

半導体レーザ素子１の出射光１４の一部が半透過膜２５で反射され、残りの一部がサブマウント基板２内に入射し受光素子（２１，２２，２４）で受光される。例文帳に追加

A part of light 14 emitted from the semiconductor laser element 1 is reflected on a translucent film 25 and the remainder impinges partially on the submount substrate 2 before being received by light receiving elements (21, 22 and 24). - 特許庁

一対の電極間に膜厚方向に複数の発光層を有し、該発光層からの発光の取り出し側に光の半透過性且つ半反射性の金属電極を有することを特徴とする。例文帳に追加

The organic electroluminescent element is characterized by having a plurality of luminescent layers in the film thickness direction between a pair of electrodes, and by having a metal electrode having a translucent property and a half-reflection property for light on the extraction side of light emission from the luminescent layers. - 特許庁

実施形態によれば、第２半導体層の上に、透過性で１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の厚さの第１導電層を形成し、第１導電層の一部と、第１半導体層の上に高反射導電膜を形成する。例文帳に追加

According to the present embodiments, a transmissive first conductive layer having a thickness of not less than 100 nm and not more than 250 nm is formed on a second semiconductor layer and a highly-reflective conductive film is formed on a part of the first conductive layer and a first semiconductor layer. - 特許庁

透過膜に覆われた状態でも画像認識精度の低下を抑制し得るアライメントマークを備えた半導体装置、および半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of suppressing degradation of image recognition accuracy even in a state covered with a permeable film and including an alignment mark, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

半導体レーザ１０１の出射面に半導体レーザ１０１と光導波素子１０５が離れている場合は反射し、密着接続した場合はほぼ透過する特性の誘電体膜１１０を施した。例文帳に追加

A dielectric film 110 is applied on the exit surface of the semiconductor laser 101, which reflects light when the semiconductor laser 101 and the optical waveguide device 105 are separated from each other while being substantially transparent when both are closely connected with each other. - 特許庁

基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。例文帳に追加

An insulation film is formed on a substrate; an amorphous semiconductor film is formed on the insulation film; a cap film is formed on the amorphous semiconductor film; and the amorphous semiconductor film is irradiated with a laser beam of continuous oscillation or a laser beam having a repetitive frequency of not less than 10 MHz transmitted through the cap film by scanning, and the amorphous semiconductor film is melted before crystallization. - 特許庁

基板１上のゲート電極２を覆う状態で、ゲート絶縁膜３および第１半導体膜４を成膜し、ゲート電極２の中央部上に光透過性の絶縁性パターン５を形成し、さらに第２半導体膜６で覆う。例文帳に追加

A gate insulating film 3 and a first semiconductor film 4 are deposited while a gate electrode 2 on a substrate 1 is covered, an optically transparent insulative pattern 5 is formed on the center portion of the gate electrode 2, and is further covered by a second semiconductor film 6. - 特許庁

透明基板１１上に、反応性スパッタにてＴｉ及びＷ膜を含む半透過膜２１Ｂを成膜し、さらにＣｒ及び酸化Ｃｒ膜からなる遮光膜３１を形成した液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク１０ｂを作製する。例文帳に追加

The exposure mask blank 10b for the manufacture of a liquid crystal display device is produced by depositing a translucent film 21B containing a Ti and W film by reactive sputtering on a transparent substrate 11 and further depositing a light shielding film 31 consisting of a Cr and Cr oxide film. - 特許庁

高い膜厚精度が要求される光透過層などの薄膜を基板上にスピンコート法で形成する場合に、半径方向での膜厚分布を精度良くコントロールして、形成される薄膜の膜厚のばらつきを低減することができる光学記録媒体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an optical recording medium by which the variation of the film thickness of a formed thin film can be reduced by controlling accurately a film thickness distribution in the radial direction when the thin film of a light transmission layer that requires the high accuracy of a film thickness is formed on the substrate by a spin coat method. - 特許庁

フォトマスク基板としての石英などの透明基板１１の一方主面上に、露光光に対して所定の位相シフト量および透過率を有する半透明膜１５と、この半透明膜１５上に設けられた遮光性膜１２とが設けられている。例文帳に追加

A semitransparent film 15 having a predetermined phase shift and transmittance to exposure light and a light shielding film 12 placed on the semitransparent film 15 are disposed on one principal face of a transparent substrate 11 such as quartz as a photomask substrate. - 特許庁

半透過型液晶表示装置において、透明電極膜と反射電極膜とが電食反応により消失し、表示不良となることを抑制するための保護膜パターンが形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a protective film pattern for suppressing a transparent electrode film and a reflective electrode film from disappearing by an electric corrosion reaction to cause a defective display is formed in a transflective liquid crystal display device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

水を含む各種液体透過用または血液処理用に用いる半透性中空糸膜において、５０℃以下の温度による処理で、中空糸膜の偏平化、異形化、閉塞等を招くことなく、固定化されたクリンプが付与された中空糸半透膜を提供する。例文帳に追加

To prepare a semipermeable hollow fiber membrane provided with fixed crimps without causing flattening, profiling, blockading, or the like, by a treatment at a temperature of at most 50°C in semipermeable hollow fiber membranes used for permeation of various liquids containing water or for treatment of blood. - 特許庁

金属や半導体材料からなる吸収体表面の反射を、吸収体半透過膜と透明体膜とからなる光干渉膜によって吸収することにより、高い安全性と高い耐光性を実現しながら、吸収体表面を黒色化あるいは鮮やかな着色が達成できる構造とした。例文帳に追加

In this structure, reflected light from the absorbent surface made of a metal or a semiconductor material is absorbed by an optical interference film, consisting of an absorbent semipermeable film and a transparent material film, so that the absorbent surface is blackened or vividly colored, while high safety and high light resistance are realized. - 特許庁

チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。例文帳に追加

In a method for manufacturing the semiconductor device including a channel-etched inverted-staggered thin film transistor, an oxide semiconductor film and a conductive film are etched using a mask layer formed with the use of a multi-tone mask which is a light-exposure mask through which light is transmitted so as to have a plurality of intensities. - 特許庁

チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。例文帳に追加

A manufacturing method for a semiconductor device including a channel-etched inverted-staggered thin film transistor includes a process of etching an oxide semiconductor film and a conductive film with a mask layer formed using a multi-gradation mask, which is an exposure mask allowing transmitted light to have a plurality of intensities. - 特許庁

半透過性領域は、下面にかかる圧力が下がった場合に、第１の血液成分が、動脈瘤嚢から出て流路に入るように半透膜領域を通過することを許容し、第２の血液成分が半透膜領域を通過することを許容しない。例文帳に追加

In the semipermeable region, when the pressure applied to the lower surface drops, a first blood component is permitted to pass a semipermeable film region so that it goes out of the aneurysmal sac to enter the passage, and a second blood component is permitted to pass the semipermeable film region. - 特許庁

ガラス基板から半導体層への不純物の拡散を抑制し、トランジスタ特性、特にしきい値電圧特性を改善できる低コストの薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、及び、透過率を向上することが可能な透過型の液晶表示装置及びこの液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor at a low cost which can restrain diffusion of impurities from a glass substrate to a semiconductor layer, and improve transistor characteristics, in particular the threshold voltage characteristic, a manufacturing method of the thin-film transistor, a transmission type liquid crystal display device capable of improving transmittance, and a manufacturing method of the liquid crystal display device. - 特許庁