「半透過膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

エキシマレーザから、射出されるレーザ光のパルス幅は数十ｎｓ程度と非常に短く、半導体膜に対する透過率が低いため、溶融時間が短くなり、結晶粒の大きさは数ｎｍ〜数十ｎｍ程度と非常に小さくなる。例文帳に追加

To solve a problem in which the crystal grain size is as small as several nanometers to several ten nanometers because of a short melting time caused by a very short pulse width of a laser light emitted from an excimer laser and because of a low transmittance of the semiconductor film for the laser light. - 特許庁

接着層４を介して転写用媒体１と半透膜２を積層した転写用積層体５を用いることによって、電気泳動支持体中で分離したサンプルを、転写用積層体を透過して損失することなく、効率よく転写させる。例文帳に追加

This transfer laminate 5, which is obtained by piling up the transfer medium 1 and a semipermeable membrane 2 through an adhesive layer 4, is used to efficiently transfer the sample separated within an electrophoretic support without permeating the sample through the transfer laminate to lose the same. - 特許庁

両側から発光を取り出す発光装置において、一方の発光を半透過反射膜を備えた支持体で反射させることで、発光装置のもう一方の表示と同一の表示を反転することなく支持体上に映し出すことができ、同時に支持体を通じて外部の情報を得ることができる。例文帳に追加

In the dual emission device, emitted light from one side is reflected by a support provided with a semitransparent reflective film to project an image of emitted light from the other side of the dual emission device, on the support without inversion, so that external information can be simultaneously obtained through the support. - 特許庁

片面２層追記型の光記録媒体において、半透過反射膜に使用するＡｇ合金の保存中における凝集を抑制すると共に第２記録層への水蒸気の流入を阻止し、長期保存性を改善した光記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a single-sided double-layer write-once optical recording medium which has long term preservability improved by suppressing flocculation of Ag alloy used for a semitransmissive reflection film during preservation and by preventing inflow of water vapor in a second recording layer. - 特許庁

同心円構造を有する分布屈折率レンズは、高屈折率材料１０［例えば、ＴiＯ_2（ｎ＝２．４３）］と低屈折率材料１１［例えば、空気（ｎ＝１．０）］で構成されており、隣り合う円型光透過膜の外周の半径差１２は２００ｎｍである。例文帳に追加

The gradient index lens having a concentric ring structure is made of a high-refractive index material 10 [for example, TiO_2 (n=2.43)] and a low-refractive-index material 11 [for example, air (n=1.0)], and the radius difference 12 between outer peripheries of adjacent circular light transmission films is 200 nm. - 特許庁

光拡散構造としては、発光管１０の内面に白色系の薄膜１１を塗布する、あるいは発光管１０の内又は外面に微細な凹凸を形成する、あるいは、放電管５０を収納する透光性の外管（保護管）６０を、半透明（拡散透過性）の材質で構成する。例文帳に追加

As the light diffusing structure, a thin film 11 of white color series is coated on the inner face of a light emitting tube 10, or minute unevennesses are formed on the inner or outer face of the light emitting tube 10, or a transmissive outer tube (protecting tube) 60 to house the discharge tube 50 is constituted with a translucent (transmissive property by diffusion) material. - 特許庁

文字板１の上方を運針して時刻を指示する指針１０において、指針本体２に設けられた開口部６に蓄光材７を設け、この指針本体２および蓄光材７の上面全体に半透過性の金属薄膜１１を設けた。例文帳に追加

In this pointer 10 for indicating time by moving over a dial 1, the light storage material 7 is provided on an opening part 6 on the pointer body 2, and a semitransparent metallic thin film 11 is provided on whole top surfaces of the pointer body 2 and the light storage material 7. - 特許庁

フルオロカーボンと二酸化炭素との混合物を半透過性ポリイミド膜と接触させ、二酸化炭素の増大した濃度を有する少なくとも１つの流出流と、二酸化炭素の減少した濃度を有する少なくとも１つの流出流とを形成させる方法。例文帳に追加

The invention relates to the process for removing carbon dioxide from the fluorocarbon carbon dioxide mixture in which the fluorocarbon carbon dioxide mixture is contacted with a semipermeable polyimide membrane to form at least one exit stream having an increased concentration of carbon dioxide and at least one exit stream having a reduced concentration of carbon dioxide. - 特許庁

更に、半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察した後、同一観察断面を透過型電子顕微鏡で観察すべく作製される観察試料において、前記観察断面上に非晶質構造の保護膜を有することを特徴とする。例文帳に追加

Furthermore, after the cross section of the specific place of the semiconductor device is observed by the scanning microscope, the protective film of the amorphous structure is provided on the observation cross section in an observation sample formed in order to observe the same observation cross section by the transmission electron microscope. - 特許庁

本発明における半透過型液晶表示装置は、液晶駆動時の補助容量を第一の導電膜２からなる補助容量配線２４に、画素を囲む配線とは絶縁層を介して異なる層に設けられている反射画素電極１０を重畳することにより形成する。例文帳に追加

In the semitransparent liquid crystal display, the auxiliary capacitance, when a liquid crystal is driven is formed by superposing a reflection pixel electrode 10 provided in a layer apart from wirings enclosing a pixel via an insulating layer on an auxiliary capacitance wiring 24 consisting of a first conductive film 2. - 特許庁

反射型画素電極６２を載置する厚型樹脂膜５のパターンを形成するにあたり、感光性硬化樹脂をコーティングした後、抜き部８２と、半透過部８１とを所定個所に備えるマスクパターン８を用いて露光操作を行う。例文帳に追加

When the pattern of a thick resin film where a reflection type pixel electrode 62 is mounted is formed, photosensitive setting resin is applied for coating and then exposure operation is performed by using a mask pattern 8 which has punch parts 82 and translucent parts 81 at specific parts. - 特許庁

ハーフトーン露光においてチャネル部に形成される半透過部の膜厚が基板間でばらつくのを抑制するＴＦＴアレイ基板の製造方法及びＴＦＴアレイ基板製造における感光材の塗布条件調整方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a TFT array substrate in which the inter-substrate variation of the film thickness of a semipermeable part formed in a channel is suppressed, and a method for adjusting application conditions of a sensitive material in manufacturing the TFT array substrate. - 特許庁

光学多層膜１３は、半導体チップ１０に接する第１層１３ａから最外に位置する第３層１３ｃまでの３層構造を有しており、樹脂２００による封止された状態と封止されない状態とで良好な透過特性を発揮する。例文帳に追加

The films 13 have a three-layered structure from the first layer 13a being in contact with the chip 10 to the third layer 13c situated outermost and exhibit good transmission characteristics in the state in which the films are sealed by a resin 200 and the state in which the films are not sealed by the same. - 特許庁

十分な光透過性が得られしかも不連続な部分もないように透光性の金属膜をたとえばｐ型層の表面に形成でき光取り出し効率を更に向上し得るＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method by which a GaN compound semiconductor light emitting element which can be improved further in light emitting efficiency by forming a light transmissive metallic film on the surface of, for example, a p-type layer in such a way that the film can get sufficient light transmittancy and no discontinuous portion is formed in the film. - 特許庁

さらに、接合面５を形成する直角三角柱プリズム２の斜面と直角三角柱プリズム３の斜面の少なくとも一方の斜面が、その斜面の接合面５を形成する領域に半透過膜４がコーティングされた領域を含むように、光路切換えプリズム１は構成される。例文帳に追加

The optical path switching prism 1 is constituted so that at least one of the slope of the right-angled triangular prism 2 and the slope of the right-angled triangular prism 3, which form a joint surface 5, includes a region coated with a semi-transmissive film 4 in a region forming the joint surface 5 of the slope. - 特許庁

試料表面にプリズムを密着させ、このプリズムに偏光赤外線を入射させ、試料表面で反射した赤外線のスペクトルを測定する高感度反射測定装置において、前記プリズムが、少なくとも前記試料表面と接する面に光半透過性の金属蒸着膜を有する。例文帳に追加

In the high-sensitivity reflection measuring apparatus for adhering a prism to a sample surface, allowing polarization infrared rays to enter the prism, and measuring the spectrum of infrared rays being reflected on the sample surface, the prism has a light semi-transmission metal deposition film on a surface in contact with at least the sample surface. - 特許庁

その表示電極１８は半透明膜からなっており、周囲が明るいときには外部からの自然光４０を反射させて表示を得、周囲が暗い場合には背面側光源４１を点灯させて表示電極１８を透過した光によって表示を得る。例文帳に追加

Since the electrode 18 consists of a translucent film, the display is enabled by reflecting a natural light 40 from the outside on the electrode when its neighborhood is bright, and is enabled by light rays transmitted through the electrode 18 by lighting a back side light source 41 when it is dark. - 特許庁

液晶セル４の表面側に配置された第１の偏光フィルム３ａと、裏面側に配置された第２の偏光フィルム３ｂと、第２の偏光フィルム３ｂの下に配置されたバックライト光源５とから成り、第１の偏光フィルム３ａ上に半透過膜６を設ける。例文帳に追加

The element comprises a 1st polarizing film 3a which is arranged on the top side of a liquid crystal cell 4, a 2nd polarizing film 3b which is arranged on the reverse side, and a back light source 5 which is arranged below the 2nd polarizing film 3b and is provided with a translucent film 6 on the 1st polarizing film 3a. - 特許庁

高い溶質除去性と高い水透過性を有し、かつ高い耐久性を有する複合半透膜を提供すると同時に、簡易な方法により、イオン除去率に比べ中性分子の除去率が高い膜や、特定のイオンを選択分離するといった複合半透膜の製造方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide a compound semi-permeable membrane having high solute-removing performance, water permeability and durability and a simple method of manufacturing a compound semi-permeable membrane permitting the production of a membrane having a high removal rate of ions and neutral molecules, a compound semi-permeable membrane separating specified ions selectively, etc. - 特許庁

透明基板１の上に半透光膜のパターン６を有し、前記半透光膜のパターン６の上に、遮光膜のパターンの微小網点図形４を有し、前記微小網点図形４間の間隙の開口率Ｗが光透過率Ｔの平方根に設定された濃度分布マスク１０を製造する。例文帳に追加

A density distribution mask 10 in which patterns 6 of a translucent film are provided on a transparent substrate 1, fine dot figures 4 of pattern of a light-shielding film are provided on the patterns 6 of the translucent film and a opening ratio W of gaps between the fine dots figures 4 is set as the square root of a light transmittance T is produced. - 特許庁

また、一面上に結晶方位を決定する段差を有する光透過性の基板１１上に、触媒エピタキシャル成長により半導体薄膜１５を形成する工程と、半導体薄膜１５に画素を構成するフォトセンサＰＳ及び半導体スイッチング素子２０を形成する工程とを有して固体撮像素子１０を製造する。例文帳に追加

In addition, this manufacturing method includes a step to form a semiconductor thin film 15 on the substrate 11 having steps for determining the crystal orientation on one plane, through the catalyst epitaxial growth, and a step to form the photosensor PS and semiconductor switching element 20 constituting the pixels on the semiconductor thin film 15. - 特許庁

基板２００の一方の面に形成される画素電極２１０と，画素電極２１０の上に形成されて少なくとも発光層を含む有機膜２２０と，有機膜２２０の上に形成される対向電極２３０と，対向電極２３０の上に形成される透明膜２４０と，透明膜２４０の上に形成される半透過金属層２４２とを含んで構成されるようにした。例文帳に追加

This flat display device comprises a pixel electrode 210 formed on one face of a substrate 200, an organic film 220 formed on the pixel electrode 210 and including at least the luminescent layer, an counter electrode 230 formed on the organic film 220, a transparent film 240 formed on the counter electrode 230, and a semi-permeable metal layer 242 formed on the transparent film 240. - 特許庁

透過型電子顕微鏡用の試料の作製方法において、半導体デバイスの特定箇所の観察断面に非晶質構造の保護膜を形成する工程と；前記保護膜が形成された観察断面の周囲を除去する工程と；少なくとも前記保護膜を含む領域を薄膜化する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method of a sample for a transmission type electron microscope includes a process for forming a protective film of an amorphous structure to the observation cross section of the specific place of a semiconductor device, a process for removing the periphery of the observation cross section to which the protective film is formed and a process for forming the region containing the protective film into a thin film state. - 特許庁

高い透過率、耐熱性、絶縁性の特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板用平坦化膜、半導体素子の層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材などの形成に用いられる、高感度で現像時間を短縮でき、パターン膜がアルカリ水溶液に容易に溶解する感光性シロキサン組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive siloxane composition which is used in formation of a planarizing film for a thin film transistor (TFT) substrate having such properties as high transmittance, heat resistance and insulation, an interlayer insulation film of a semiconductor device, or a core or cladding material of an optical waveguide, and which has high sensitivity, shortens developing time, and gives a pattern film readily soluble in an alkaline aqueous solution. - 特許庁

絶縁基板上に、触媒元素が添加された結晶性半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層された構造を有する半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、結晶性半導体層を透過し、かつゲート電極に吸収される光をゲート電極に対して照射する光照射工程を含む半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device having a structure with a crystalline semiconductor layer with a catalitic element added, a gate insulating film, and a gate electrode laminated on an insulating substrate in this order includes a light irradiating process for irradiating the light that passes through the crystalline semiconductor layer and is absorbed by the gate electrode to the gate electrode. - 特許庁

半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。例文帳に追加

A semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 2, a visible light detector 3 that is provided on the semiconductor substrate 2 and detects visible light, an infrared light detector 4 that is provided on the semiconductor substrate 2 and detects infrared light, and a stacked optical film 6 that is provided so as to cover the infrared light detector 4 and transmits the infrared light. - 特許庁

半導体層をレーザー光によって結晶化する工程に於いて、半導体層より反射したレーザー光を、レーザー光に対して透過する膜と吸収する膜によって吸収し、レーザー光のレーザー照射室内での乱反射を抑制することで、照射室構成部材である金属物質の発生を抑制する。例文帳に追加

In a step of crystallizing a semiconductor layer by a laser beam, the laser beam reflected from the semiconductor layer is absorbed by a film permeable to the laser beam and a film absorbing it to suppress the irregular reflection of the laser beam in a laser irradiation chamber, thereby suppressing the production of metal substances constituting the irradiation chamber. - 特許庁

また、半導体デバイスの断面を観察する観察方法において、前記半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察する工程と；前記断面に非晶質構造の保護膜を形成し、当該保護膜を透して透過型電子顕微鏡によって前記断面を更に観察する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

Further, the observation method for observing the cross section of the semiconductor device includes a process for observing the cross section of the specific place of the semiconductor device by a scanning microscope and a process for forming the protective film of an amorphous structure to the cross section and further observing the cross section by the transmission type electron microscope through the protective film. - 特許庁

本発明のフォトマスクは、ローカルフレアの原因となるフォトマスク上のパターンのクリアフィールド領域１Ａにおける開口部を、フォトレジストが完全に解像することができる透過率を有する半透明膜１２で覆い、ダークフィールド領域１Ｂにおける開口部１４においては、半透明膜を形成しない構造とすることを特徴としている。例文帳に追加

The photomask is characterized in that an aperture in the clear field region 1A of a pattern on the photomask causing local flare is covered with a semitransparent film 12 having enough transmittance for complete resolution of a photoresist, while no semitransparent film is formed on an aperture 14 in the dark field region 1B. - 特許庁

半導体基板１０には、フォトダイオードＰｄが水平方向に並ぶ画素Ｐ２１，Ｐｄ２２に共通して設けられ、当該半導体基板１０の上層にはフォトダイオードＰｄによる信号電荷を読み出すための配線層５０が層間絶縁膜３０に埋め込まれて形成されており、層間絶縁膜３０上には、各画素へ入射した光の透過を画素単位で制御するシャッター部２０が設けられている。例文帳に追加

A photodiode Pd is provided on a semiconductor substrate 10 commonly for pixels P21 and Pd22 arranged in the horizontal direction, and a wiring layer 50 for reading out signal charges from the photodiode Pd is formed on the upper layer of the semiconductor substrate 10 while being buried in an interlayer insulation film 30 on which a shutter section 20 for controlling the transmission of incident light to each pixel in pixel units is provided. - 特許庁

少なくとも表面が第１導電型の半導体層を構成する球状基板表面に、ｐｎ接合を形成するように形成された第２導電型の半導体層と、前記第2の半導体層表面に形成された透明導電膜からなる外側電極とを形成した多数個のセルを用意する工程と、前記セルを、トレイに一列に敷き詰める工程と、前記トレイ内に光透過性の樹脂を充填し、敷き詰められたセルと共に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固着する工程と、前記光透過性の樹脂で固着された状態で、一体的に研磨することにより、前記第１導電型の半導体層の少なくとも一部を露呈する工程とを含み、太陽電池の製造に必要な所定の加工工程を経て、前記光透過性の樹脂を残したまま全加工工程を終了する。例文帳に追加

After passing through specified process steps required for manufacturing the solar cell, all process steps end with some residual light permeable resin. - 特許庁

二層以上の記録層を持つ光ディスクの記録において、半透過膜で生成された光ディスクの反射層の膜厚情報を予め実装した光ディスク装置のファームウェア上、あるいは予め膜厚情報を格納した光ディスクから取得し、記録パワーの調整係数を算出する。例文帳に追加

For recording in an optical disk having two or more recording layers, film thickness information of the reflective layer of an optical disk constituted of a half-transmissive film is obtained from the pre-mounted firmware of the optical disk device, or an optical disk pre-storing the film thickness information, and an adjustment coefficient of recording power is calculated. - 特許庁

第１および第２の主面を有する透明絶縁基板（１）と、透明絶縁基板（１）の前記第１主面上に順次積層された透明電極層（２）、半導体光電変換層（３）および裏面電極層（４）と、透明絶縁基板（１）の第２主面に生じた傷（１ａ）を覆うように形成された有機ポリマー膜または無機ポリマー膜からなる光透過性膜（１０）とを備えた太陽電池モジュール。例文帳に追加

This solar cell module comprises a transparent insulating substrate 1, having first and second major surfaces, a transparent electrode layer 2, a semiconductor photoelectric conversion layer 3 and a rear surface electrode layer 4 formed sequentially on the first major surface of the transparent insulating substrate 1, and a light-transmitting film 10 of organic or inorganic polymer formed to cover flaws 1a in the second major surface of the transparent insulating substrate 1. - 特許庁

透過率、低温で硬化した際の環化率のバランス優れたポリアミド樹脂を提供すること、また、前記ポリアミド樹脂を適用することにより、リフロー耐性に優れたポジ型感光性樹脂組成物提供すること、また、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polyamide resin excellent in balance of cyclization rate upon curing at a low temperature and transmittance, to provide a positive photosensitive resin composition excellent in reflow resistance by applying the polyamide resin, and to provide a cured film, a protective film, an insulating film and a semiconductor device and a display device using the same. - 特許庁

導電性基板上3に光触媒用の半導体層を設け、当該半導体層を、可視光透過性で、且つ正孔伝導性を有し、親水性を増加させたりできる特定の酸化物で完全にコートするとともに、上記導電性基板上の当該半導体層とは別の位置に、助触媒層4を設けた光触媒膜構造。例文帳に追加

In the photocatalyst structure, a semiconductor layer for photocatalyst is disposed on a conductive substrate 3, the semiconductor layer is completely coated with a visible-light-transmitting, positive-hole-conductive and hydrophilicity-increasing specific oxide, and a promotor layer 4 is disposed on the conductive substrate at a position different from the semiconductor layer. - 特許庁

立上げミラー１４の入射面部１４ａには、第１半導体レーザ素子から発せられる第１波長の光ビームを反射させ、かつ第２半導体レーザ素子から発せられる第２波長の光ビームを透過させる第１領域２１と、第１および第２半導体レーザ素子から発せられる各光ビームを反射させる第２領域２２とを有する波長選択膜が設けられる。例文帳に追加

In an incidence plane 14a of the raising mirror 14, a wavelength selective film which has a first area 21 for reflecting an optical beam with a first wavelength emitted from a first semiconductor laser and transmitting an optical beam with a second wavelength emitted from a second semiconductor laser, and a second area 22 for reflecting each optical beam emitted from the first and second semiconductor lasers. - 特許庁

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された活性層を有する光導波路と、前記光導波路に信号光を入射させる端面に形成され、前記信号光を透過し、前記信号光以外の波長の光を反射する波長選択反射膜と、を有することを特徴とする半導体光増幅装置により上記課題を解決する。例文帳に追加

A semiconductor optical amplifier includes a semiconductor substrate, an optical waveguide having an active layer formed on the semiconductor substrate, and a wavelength selective reflection film which is formed on an end surface where the signal light is incident on the optical waveguide, and transmits the signal light and reflects light of wavelength other than the signal light. - 特許庁

金属酸化物半導体とＰｄ系金属等の水素吸蔵性金属との接合により形成されるセンサ素子を有する水素ガスセンサにおいて、前記水素吸蔵性金属表面が、その少なくとも一部において、シリカ膜等の、水素ガスを透過し、かつ、酸素ガスの拡散を抑制する機能を有する膜でコートされている。例文帳に追加

In this hydrogen gas sensor having a sensor element formed by bonding of the metal oxide semiconductor and the hydrogen absorbing metal such as a Pd-based metal, at least a part of the hydrogen absorbing metal surface is coated with a film having a function permeating hydrogen gas and suppressing diffusion of oxygen gas, such as a silica film. - 特許庁

露光機の光学系による要因、光源の分光特性、レジストの現像特性などの諸要因を反映したフォトマスクの評価を可能として、パターン形状の決定、及び、半透過部に形成する膜の素材、または、膜厚の決定が的確に行えるようになされたフォトマスク情報を取得するフォトマスク情報の取得方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for acquiring photomask information, for acquiring photomask information that facilitates evaluation of a photomask reflecting on factors by an optical system of an exposure machine and various factors such as spectral characteristics of a light source and developing characteristics of a resist and that facilitates determination of a pattern feature and appropriate determination of a raw material or thickness of a film to be formed in a semitransmitting portion. - 特許庁

この発明は、有機平坦化膜により反射面の角度を制御している反射型または半透過型液晶表示装置において、フィルムキャリアの引き剥がしや、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアを行った場合にも、有機平坦化膜の剥離を防ぎ、端子部の接続強度を確保することを目的とするものである。例文帳に追加

To prevent stripping of an organic planarizing film and to secure the connection strength of a terminal part even when peeling of a film carrier and repair of the film carrier and the like of a liquid crystal display panel are performed in a reflective or a semi-transmissive liquid crystal display wherein the angle of a reflection plane is controlled by the organically planarized film. - 特許庁

本発明の光センサは、半導体層１４Ｌ１〜１４Ｌｎとしてアモルファスシリコン層を用いた薄膜トランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎであって、前記薄膜トランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎのチャネル領域の表面は外光の積算光量に応じて光透過率が上昇する材料からなる層１８が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The optical sensors LS1 to LSn includs thin film transistors using amorphous silicon layers as semiconductor layers 14L1 to 14Ln, and layers 18 made of a material increasing in light transmissivity according to the integral quantity of external light are formed on surfaces of channel regions of the optical sensors LS1 to LSn including the thin film transistors. - 特許庁

半導体チップから試料２を切り出し、機械的研磨により薄くした後、透過型電子顕微鏡観察用の単孔メッシュ６に取付け、端面の特定深さの部分にＰｔ膜７を形成し、試料の主面に平行なガリウムイオンビーム８を照射して要部以外の部分をエッチングして薄膜化する。例文帳に追加

A sample 2 is cut from a semiconductor chip to be made thin by mechanical polishing and the thin sample is attached to a single-ported mesh 6 for transmission type electron microscope observation and a Pt film 7 is formed to the part with specific depth of an end surface and irradiated with gallium ion beam 8 parallel to the main surface of the sample to make the part other than a principal part thin by etching. - 特許庁

ＮａＣｌ阻止率が１５％以上で５０％未満の半透膜を用いた逆浸透膜処理により獣乳（特に牛乳、牛乳の脱脂乳または牛乳のホエー）から得られる希薄側の透過液であって、ＤＰＰＨラジカル消去能を指標とした抗酸化活性が５％以上である乳由来の機能性生体水による。例文帳に追加

The functional biological water derived from milk and having antioxidation activity of ≥5% using DPPH radical scavenging power as an index is a dilute-side permeated liquid obtained from animal milk (especially cow's milk, defatted cow's milk or whey of cow's milk) by reverse osmosis membrane treatment using a reverse osmosis membrane having an NaCl rejection ratio of ≥15% and <50%. - 特許庁

基材フィルムフィルムの少なくとも一方の面に、ＳｉＯ_x（Ｘは０．０１〜１．２の範囲）を主体とする薄膜、あるいは、ＡｌＯ_x（Ｘは０．２〜１．２の範囲）を主体とする薄膜からなるバリア層を設け、波長４００〜７００ｎｍにおける平均光線透過率が１０〜７０％の範囲内にある半透明バリアフィルムを構成する。例文帳に追加

A barrier layer 3 comprising a thin film based on SiOx (wherein x is 0.01-1.2) is provided on at least one surface of a substrate film 2 to constitute a translucent barrier film 1 with average light transmissivity of 10-70% at a wavelength of 400-700 nm. - 特許庁

一方主面側から光を入射させる透光性基板11の他方主面上に、光電変換を行なう非単結晶の半導体層を有する薄膜光電変換体２と、薄膜光電変換体２を透過した光を吸収する色素の増感作用により光電変換を行なう色素増感型光電変換体３とが、この順で積層されている積層型光電変換装置とする。例文帳に追加

The lamination type photoelectric converter is formed by laminating a thin-film photoelectric conversion body 2 having an amorphous semiconductor layer performing photoelectric conversion; and a dye sensitized photoelectric conversion body 3 performing photoelectric conversion by sensitization of dye absorbing the light transmitted through the thin-film photoelectric conversion body 2 on the other main surface of a transparent substrate 11, on one surface of which light is made incident; in this sequence. - 特許庁