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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 導電ピンに関連した英語例文

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導電ピンの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1416



例文

高感度子スピン共嗚測定を可能にする、高いQ値を有し外部変調磁場が内部に入される矩形型共振器を得る。例文帳に追加

To obtain a rectangular type resonator which enables high-sensitivity measurement of electron spin resonance, has a high Q-value, and introduces an external modulated magnetic field. - 特許庁

外部ピンを通じてワードライン圧を出力する半体メモリ装置及びその測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory outputting word line voltage through an external pins and its measuring method. - 特許庁

気回路は、コンタクトエレメント(3)と、これにはんだ付け又は蝋つけされる剛体の接続用エレメント(4)と、体のピン(21)からなる。例文帳に追加

The electric circuit is composed of the contact element 3, a rigid element 4 for connection to be soldered or brazed to the element 3, and a pin 21 consisting of a conductor. - 特許庁

シリコン基板は、特定のタイプのドーピングプロファイルを有する第1表面側の表面領域内に設けられる。例文帳に追加

The silicon substrate is provided in a surface area on a first surface side with a doping profile of a certain conduction type. - 特許庁

例文

貯水タンク43内の水Wを、吸水ピン48、保水材47、性シート46を介してミスト放出部49に供給する。例文帳に追加

Water W in a water storage tank 43 is supplied to a mist discharge part 49 via a water absorption pin 48, a water-retaining material 47, and a conductive sheet 46. - 特許庁


例文

また、フレキシブルプリント基板10の回路パターンの端子は性接続ピン11の上端11bに半田付けされている。例文帳に追加

The terminals of the circuit pattern on the flexible printed board 10 are soldered to the upper end 11b of the conductive connection pins 11. - 特許庁

チッピングや比誘率の低い絶縁膜の剥がれを防止できる半体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent the chipping or a peeling of insulating film low in dielectric constant. - 特許庁

リーク流の発生を抑制でき、良好なピンチオフ特性を有する化合物半体素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor element capable of suppressing generation of leakage current and having good pinched-off characteristics. - 特許庁

高温の熱処理を不要とし、均一なドーピングプロファイルをもつ高流増幅率の半体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-current-amplification-factor semiconductor device which has no need of high temperature heat treatments and a uniform doping profile, and its manufacturing method. - 特許庁

例文

十分な取り付け強度が得られ、気接続の信頼性の高いリードピンを備えた半体パッケージを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor package having a lead pin which has sufficient attachment strength and high reliability of electric connection. - 特許庁

例文

ピン荷を利用した磁性膜構造体とその製造方法、並びに該構造体を備えた半体装置とその動作方法例文帳に追加

MAGNETIC FILM STRUCTURE USING SPIN-CHARGE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE STRUCTURE, AND METHOD FOR OPERATING THE DEVICE - 特許庁

線形性向上のためにチャネル内に比較的高くドーピングされた領域を有する金属酸化物半界効果トランジスタ例文帳に追加

MOSFET HAVING REGION COMPARATIVELY HIGHLY DOPED IN CHANNEL IN ORDER TO IMPROVE LINEARITY - 特許庁

FBCメモリのチャージポンピング現象を低消費力で防止し得る半体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device capable of preventing a charge pumping phenomenon of an FBC memory with low power consumption. - 特許庁

供給管表示ピン2は、性材料からなり、その一部のみが地上に露出した状態で側溝GUに打ち込まれる。例文帳に追加

A supply pipe indicating pin 2 is made of conductive material, and led into the side groove GU with only a part thereof exposed above, the ground. - 特許庁

ピン2及び短絡板3はアンテナ10と対向するようにして設けられた接地体板20に固定する。例文帳に追加

The feeding pin 2 and the short circuit plate 3 are fixed to a ground conductor plate 20 placed in opposition to the antenna 10. - 特許庁

ピン101〜103は、静チャック160の吸着面160Aから弾性をもって出没可能に設けられている。例文帳に追加

The conduction pins 101-103 are arranged slidably up and down from the attraction face 160A of the electrostatic chuck 160 with elasticity. - 特許庁

この発明は、プログラミング/消去の状態を決定する方法および、荷トラッピング半体デバイスを動作させる方法に関する。例文帳に追加

The present invention relates to a method for determining a state of programming/deleting and a method for operating a charge-trapping semiconductor device. - 特許庁

ベース部3に穿設された貫通穴に、ベース部3の内側から外側に向けて、導電ピン6aの小径部を挿入する。例文帳に追加

A small-diameter part of a conductive pin 6a is inserted into a through-hole bored at a base part 3 from an inside toward an outside of the base part 3. - 特許庁

この接続手段は異方性膜104、銀バンプ207、接続ピン312等を用いることができる。例文帳に追加

For the connection means, an anisotropic conductive film 104, a silver bump 207 and a connection pin 312, etc., can be used. - 特許庁

ピンチオフ特性を改善しまたはチャネル層の移動度を向上させ気的特性の良好な半体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with an improved pinch-off characteristic or an improved channel layer mobility and having good electrical characteristics. - 特許庁

片口金本体100の主面に導電ピン120よりも径の大きい案内穴106a、106bを穿孔する。例文帳に追加

Guide holes 106a, 106b with diameters larger than that of conductive pins 120 are bored on a main face of a single base body 100. - 特許庁

レディー/ビジーピンを利用して内部圧レベルを確認することが出来る半体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device capable of confirming an internal voltage level by utilizing a ready/busy pin. - 特許庁

ドーピング領域における子およびホールの移動度が高い半体構造およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor structure having high mobility of electrons and holes in a doping region, and to provide a method for manufacturing it. - 特許庁

ICソケットのコンタクトピン3が圧接するリードフレーム11の領域Aに、半田めっきされ難い、性の金属10を固着させる。例文帳に追加

A conductive metal 10 hardly solder-plated is fixed on the area A of the lead frame 11 welded by the contact pin 3 of an IC socket. - 特許庁

チャンネル長および延長ソース/ドレイン領域のドーピング条件によって閾値圧を調製できる半体素子の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor element capable of adjusting a threshold voltage by a channel length and a doping condition of an extension source region and a drain region. - 特許庁

低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝特性を制御し得る子デバイスを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an electronic device capable of controlling conduction characteristics without using a low work function metal or impurity doping. - 特許庁

ピンバルブ膜43では、非磁性中間層55を構成する層55a、55bの間に境界面BRが規定される。例文帳に追加

In the spin bulb film 43, a boundary surface BR is specified between conductive layers 55a and 55b composing a non-magnetic intermediate layer 55. - 特許庁

性繊維糸条1を格子状に配置する手段が、ラーベン編、もしくはラッピング天竺編による編成手段である。例文帳に追加

The conductive fiber yarn 1 is arranged in lattice pattern by using rahben knitting or wrapping plain knitting. - 特許庁

性の接触ピン10の基端側を小径部10aとし、その基端側中間部にさらに細い細径部10bを設ける。例文帳に追加

A conductive contact pin 10 comprises a minor diameter part 10a on the base end side and a thin diameter part 10b thinner than the part 10a on the base end side middle part. - 特許庁

高い子移動度と耐圧特性を両立する窒化物半体の炭素ドーピング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a carbon doping method for a nitride semiconductor such that high electron mobility and withstand voltage characteristics are compatible. - 特許庁

n型半体層13および反射層16上に中央部にピンホール17aを有するn側極17を形成する。例文帳に追加

An n-side electrode 17 with a pin hole 17a formed in its center part is formed on the n-type semiconductor layer 13 and the reflection layer 16. - 特許庁

貯水タンク43内の水Wを、吸水ピン48、保水材47、性シート46を介してミスト放出部49に供給する。例文帳に追加

Water W in a water storage tank 43 is supplied to a mist discharging part 49 through a water sucking pin 48, a water-retentive material 47 and a conductive sheet 46. - 特許庁

ピン14と検出孔8との間に、放ガスGをセンサ11へく環状の細隙15を形成する。例文帳に追加

An annular slit 15 to guide the electric discharge gas G to the sensor 11 is formed between the pin 14 and the detection hole 8. - 特許庁

体発光素子11のアノードはバイアス流の供給端子であるリードピンP1に接続されている。例文帳に追加

An anode of the semiconductor light emitting device 11 is connected to a lead pin P1 serving as a supply terminal of bias current. - 特許庁

貫通孔20には、軸段差面Q1が形成された導電ピン22が挿入され、段差部24と軸段差面Q1が重ね合わされている。例文帳に追加

In the through-holes 20, conductive pins 22 formed with shaft step surfaces Q1 are inserted, and the step sections 24 and the shaft step surfaces Q1 are lapped together. - 特許庁

この孔部2aを通して昇降ピン3の上端の性のキャップ2bで基材8を支持する。例文帳に追加

The base material 8 is supported by conductive caps 2b at upper ends of liftable pins 3 through the hole parts 2a. - 特許庁

分岐した光波路に逆位相の位を形成でき、かつ、周波数チャーピングが抑制された光変調素子を提供する。例文帳に追加

To provide an optical modulation element that can generate an opposite-phase potential on a branched optical waveguide and suppresses a frequency charping. - 特許庁

これにより体部へのテーピング回数の削減、気絶縁層部の耐熱性の向上につながった。例文帳に追加

By this, reduction in the number of tapings for the conductive part and improvement in heat resistance of an electrical insulating layer part have been derived. - 特許庁

昇降ピン57をセラミックスからなる支持本体58と,SiCからなり,かつウェハWを直接支持する部59とで構成する。例文帳に追加

An elevating/lowering pin 57 is constituted of a supporting main body 58 made of a ceramic and a conductive section 59, which is made of SiC and directly supports a wafer W. - 特許庁

この重合体を、還元剤又は気化学的ドーピングにより還元してn型半体として利用することができる。例文帳に追加

The polymer acquired in such a way is utilized as molded material, such as a fiber and a film, or this polymer is reduced with a reducing agent or by an electrochemical doping and is utilized as an N-type semiconductor material. - 特許庁

端子部1〜5は圧力検知ユニットの端子に、端子部7〜9は端子ピンに、体パターンは子回路部に、それぞれ接続される。例文帳に追加

On this wiring board, terminal sections 1-5 and 7-9 are respectively connected to the terminals of a pressure detecting unit and terminal pins, and a conductor pattern is connected to an electronic circuit section. - 特許庁

膜中に、磁束ピンとして機能するナノ微粒子3が分散されている酸化物超薄膜2。例文帳に追加

The oxide superconducting thin film 2 contains nano fine particles 3 which are dispersed in the flim and function as pinning of a magnetic flux. - 特許庁

次に、半体素子の第2の主面に形成された極にコンタクトピンを接触させる(ステップS3)。例文帳に追加

Subsequently, a contact pin is brought into contact with the second main surface of the semiconductor device (step S3). - 特許庁

リード線の出するピンチシール部先端部における機械的強度に優れた車両灯具用球の提供。例文帳に追加

To provide an electric bulb for vehicle lamp tool of superior mechanical strength, at the tip of pinch seal that takes out lead wore. - 特許庁

キャッピング部材に印刷記録液受け領域を設けて誘流を利用したノズル検査を行う場合の検査精度を高く維持する。例文帳に追加

To maintain high inspection accuracy in the case where inspection of a nozzle utilizing an induction current is carried out by providing a printing liquid reception area on a capping member. - 特許庁

この方法によれば、固体絶縁体ピン7が層のショートを抑制すると共に、貫通孔6を容易に形成できるという利点がある。例文帳に追加

This method has advantages that the solid-state insulator pin 7 suppresses a short circuit of the conductive layer and the through-hole 6 can easily be formed. - 特許庁

内部回路の動作時における源ノイズの影響を抑え、少ピン化および小面積化を実現する半体装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of suppressing influence of power-supply noise when an internal circuit operates and capable of achieving reduced the number of pins and reduced area. - 特許庁

ピンチオフ動作時の流のリークを防ぎ、整流特性に優れた半体装置用ウェハ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a wafer for semiconductor device which prevents the leakage of a current at the pinch-off operation of a field-effect transistor and is superior in rectification characteristics, and a method of manufacturing the wafer. - 特許庁

ソケット本体9における線挿通穴17間の距離は、接触部8に接触通するランプピン間の距離よりも小さい。例文帳に追加

The distance between the electric wire insertion holes 17 in the socket body 9 is smaller than the distance between the lamp pins brought into electrical contact with the contact parts 8. - 特許庁

例文

ガイドピン12は、パーソナルコンピュータ1のガイド穴5の凹部のアース面5aとアース金具13に接触し、気的に通する。例文帳に追加

The guide pin 12 is brought into contact with the ground surface 5a and ground metal fitting 13 of the recessed part of the guide hole 5 of a personal computer 1 and electrically conducted. - 特許庁

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